3 工艺IC
工艺(1)CVD 沉积Si 3N 4; (2) 热氧化生长SiO 2; (3) 剥离Si 3N 4（4）热氧化生长SiO 2薄层；（5）CVD 沉积多晶硅，离子注入掺杂n +阱；（6）光刻定义栅极，选择性刻蚀多晶硅；（7）掺杂n +形成源和漏区；（8）沉积磷硅玻璃保护层IC 工艺
?前工序
–图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术
–薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发) 等
–掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术?后工序–划片–封装–测试–老化–筛选
IC工艺
?辅助工序
–超净厂房技术
–超纯水、高纯气体制备技术
–光刻掩膜版制备技术
–材料准备技术
（1）单项工艺——
清洗
?高集成度要求晶体表面沾污小；
?切片和磨片导致化学键被破坏成为悬挂键，易于吸附各种
杂质；
?杂质形成顶子模型，导致低击穿，管道击穿，光刻针孔，
pn 结软击穿，漏电流增加，影响成品率和性能。
污染物控制：
（1）工厂环境：空气质量以及级别衡量；
?高效微粒空气过滤器和空气循环；
?防尘服；
?化学药品和气体过滤；
?制造工序注意事项
晶片的清洗
?标准RCA 清洗工艺：去除有机物，重金
属和碱性粒子目的：去除粒子，有机污染物，金属离子，低表面微粗糙和本征氧化层，提高集成度，可靠性和成品率。发展状况：?1966年Ohm 提出室温下的4步清洗操作，清洗效果与RCA 相当，但不造成硅片的粗糙；?同年Shiramizu 提出采用电解NH 4Cl 的阳极区溶液进行清洗，不使用易挥发，强腐蚀性试剂，去除有机杂质优于RCA;?Mitsshi 发现采用NH 3+H 2O+表面活性剂?去离子水?HF+表面活性剂?去离子水冲洗，可以去除粒子；?1997年，Okumura 提出采用H 2SO 4+H 2O 2+HF 取代RCA 可提高清洗效果并不造成硅片的粗糙化；?1998年Bakker 提出采用去离子水或CO 2稀溶液去除含碳污染层的方法；晶片清洗原理
?粒子吸附
1. Van der Waals Forces.
2. Forces due to the formation of an electrical double layer.
3. Forces due to capillary action around particle.
4. Chemical bond between the particle and the surface.
?粒子去除机制
1. Dissolution.
2. Oxidizing degradation and dissolution.
3. Lift-off by slight etching of the wafer surface.
4. Electric repulsion between particles.
?H 2O 2can oxidize the silicon surface and OH -group (from NH 4OH) provide negative charge on silicon.
?The deposition of particles is a strong function of pH values of the solution. With increasing pH value above 10 results in low particle deposition
?Megasonic cleaning removes organic and inorganic particles from the surface at a temperature of less than 40o C. The high power and high frequency sonic pressure waves wet the particles first and the solvent diffuses into the interface, and then, the particle is removed from the surface.?金属离子污染来源：化学溶液，离子注入，等离子体工艺。机制：（1）金属离子直接与硅表面的氢原子发生电荷交换反应而吸附于硅表面；如Au 具有高负电性（2）当氧化时，Al,Cr,Fe 等金属也氧化，并包含在硅氧化物中。可用HF 溶液去除。去除方法：(1) 最有效的湿法：HF: 0.5%, H 2O 2: 10% (2)利用H 2O 2的高氧化能力：SC1洗液(NH 4OH:H 2O 2:H 2O = 1:1:5, 70-80o C)和SC2洗液SC-2( HCl:H 2O 2:H 2:O = 1:1:6, 70-80o C )(3)（2）单项工艺——外延
外延——Epitaxies, 在单晶硅衬底上生长一层单晶的工
艺；
?新生单晶层按照衬底晶向生长；
?根据需要控制其导电类型，电阻率和厚度等；
?上述参数不依赖于衬底中的杂质种类和掺杂水平。分类：按衬底材料分：同质外延，异质外延；按结构分：平面外延和非平面外延，选择外延和非选择外延；按外延厚度分：体外延，薄膜外延，超薄外延。分子层外延；制备方法：气相外延；液相外延；金属有机化合
物化学气相沉淀(MOCVD);
分子束外延(MBE
射频溅射镀膜法
在靶阴极上的电位是相对0电位的基片的是一叠加在－4000V负高压上作射频变化的电压。特点：淀积速率高
，质量较好，几乎适于所有材料。
磁控溅射镀膜法
在电场的垂直方向加
一磁场，电子在正交
电磁场的空间里作摆
线运动，大大提高离
子流的密度，从而提
高溅射效率。+
-
反应离子束溅射
溅射镀膜的主要特点
?附着力好（真空镀原子动能：0.1eV, 溅射原子动能：2-30eV)
?质量高
?重复性好
?设备复杂
?溅射速率较低（真空蒸发0.1~5μm/min，溅射：0.01~0.2μm/min）
化学气相淀积（CVD）
化学气相沉积是利用气态的先驱反应物，通过原子或分子间的化学反应的途径在衬底上生成固态薄膜的技术。
利用CVD可获得高纯的晶态或非晶态的金属、半导体、化合物薄膜，不但能有效地控制薄膜的化学成分，且设备运转成本低，与其他相关工艺有较好的相容性。
?过程
a.反应气体向基片扩散
b.反应气体吸附于其片表面
c.在基片表面上发生化学反应
e.在基片表面上产生的气相副产物脱离表面而扩散掉或被真空泵抽走
化学气相沉积是建立在化学反应的基础上，通常把反应物是气体而生成物之
一是固体的反应称为CVD反应。通常的CVD反应有下列几种类型：
a 热分解反应
AB（g）→A(s)+B(g) 例：SiH
4
→Si+2H
2
b.还原式置换反应
AB(g)+C(g)→A(s)+BC(g)
c.氧化或氮化反应
AB(g)+2D(s)→AD(s)+BD(g),
例如：SiH
4
+O
2
→SiO
2
+2H
2
d.水解反应
AB
2
(g)+2HOH(g)→AO(s)+2BH(g)+H
2
O(g)
e.歧化反应
AB
2
(g)?A(s)+AB(g)
例如：2GeI
2
?Ge+GeI
4
f.聚合反应
XA(g)→Ax (s)
?
所述各类反应在大多数情况下是依靠热激
发。因此，也可以称为热CVD。所以高温
是CVD法的一个重要特征。这使基极材料
的选择受到一定限制。
↑
+
?
?→
?CO
Ni
CO
Ni C4
)
(240
4
O
H
H
C
SiO
H
OC
Si
2
4
2
2
4
5
2
2
4
)
(+
↑
+
→
↑
+
→
+
2
4
3
3
4
12
4
3H
N
Si
NH
SiH
?CVD 特点(1)适于金属、非金属
(2)速度可以达到很快（1μm-100μm/min ）
(3)残余应力小
(4)表面状况好
(5)辐射损伤低
(6)温度较低
可获得材料: （1）金属：Cu, Be, Al, W, Ni, Pt, Pb, Si, Ta, Cr, Ti
（2）合金: CrAl, CrAl, MoW
（3）氧化物: Al 2O 3, SiO 2, Fe 2O 3, ZnO 2
（4）氮化物: TiN, SiN, AlN （5）碳化物SiC, TiC
（6）硅化物, 硼化物
APCVD LPCVD PECVD PECVD 应用
绝缘及钝化膜：氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃等
耐磨抗蚀膜：碳化钛、氮化钛等
其他薄膜：碳化硅、氧化锡、氮化硼、金刚石薄膜等
PECVD 工艺设备反应室电极气体入口等离子体衬底13.56MHz PECVD 淀积工艺参数控制
功率密度和反应剂浓度
增加功率提高反应速度；折射率下降;
气体压力增加，反应剂浓度增加，反应速度增快；但薄膜质量变差；
气体压力增加，电子温度下降，活性基团数目减少，反应速度受限。 气体流速和流量气体的流速和泵的抽速决定反应气体在反应室的滞留时间，也决定了等离子体参与反应的时间；气体流量包含反应气体和携带气体流量。流量小，淀积不均匀；稍高有利于均匀性。流量增加,折射率增加.
衬底温度温度直接影响膜的均匀性和致密性。温度增加，淀积速率下降。温度增加,折射率增加。 放电频率与功率稳定性从低频到高频，淀积速率先降后升。峰值在10M左右，谷在2M左右。13.56M左右有一平台区。射频电源与负载的功率匹配状况对淀积速度和膜层均匀性产生显著影响.失配时,辉光甚至停止,界面特性变差。典型例子
SiO 2 SiH 4:N 2=5:95 (160sccm)
N 2O (>10sccm)
133Pa ; Prf=20W;衬底温度300℃
速率：50nm/min;
折射率：1.45
不均匀性≤1%Si 3N 4 SiH 4:N 2=5:95 (500sccm) NH 3(20sccm) 160Pa ; Prf=10W; 衬底温度225℃速率：15nm/min;折射率：2.05不均匀性≤1%分子束外延
外延技术是在单晶衬底上，在合适的条件下沿衬底原来的结晶轴向生成一层晶格结构完整的新的单晶层的制膜方法。外延包括化学外延方法（CVD
），液相外延（LPD ）及分子束外延(MBE)由外延方法获得的新生长的
单晶层叫外延层。
若外延层与衬底材料在结构性质上相似，则称同质外延。若两材料在结构和性质上不同，则称为异质外延。?MBE 原理分子束外延是在超高真空环境中，把一定比例的构成晶体的组分和掺杂原子（分子）的气态束流，直接喷射到温度适应的衬底上，进行晶体外延生长的制膜方法.粘附系数：常以粘附系数来表示被化学吸附的分子数与入射到表面
的分子数的比例。
晶格失配：利用MBE 方法在晶格常数为a 的衬底A 上外延极薄的一层晶格常数a 2的材料B ，则a 2会膨胀或收缩以求得A 材料的晶体常数为a 1匹配。如果外延厚度超过了一定的临界值，就会产生失配位错，应力被弛豫。
?设备
?特点
a)以原子的速率生长薄膜,可获得超薄薄膜(10A)
b)结构分辨率高
c)生长温度较低(衬底温度:500-600度)
d)超晶格结构
e)有完善的分析手段
f)可获得合适的搀杂截面
MOCVD
MOCVD设备使用气相的III族/II族和V族/VI族源气体在反应室经过气相和固相化学反应，在加热的衬底材料上外延生长单晶化合物薄膜，该方法具有薄膜的厚度可精确控制至纳米级，且厚度、材料组分均匀，晶体质量高等特点。
MOCVD设备
?反应室（核心）
?加热系统
?冷却系统
?气体输运系统
?尾气处理系统
?控制系统
AsH3+Ga(CH3)3 GaAs+3CH4
（3）光刻
光刻工艺流程：光源
光刻胶
掩膜版
显影
Near UV 360-450nm
Far UV 250-300 nm
Deep UV 100-250 nm
真正的曝光装置
光刻的质量分析
A 、光刻掩膜版与光刻胶的接触;
B 、曝光光线的平行度;
C 、掩膜版的质量和套刻精度直接影响
光刻精度;
D 、小图形引起衍射;
E 、光刻胶膜厚度和质量的影响；
F 、曝光时间的影响；
G 、衬底反射影响：H 、显影和刻蚀的影响：
（1）感光度（2）分辨率（3）抗蚀性（4）粘附性（5）针孔密度（6）留膜率（7）性能稳定光刻胶的性能指标 为什么要用紫外光源?10nm 100nm 1μm 10μm 100μm 1mm 10mm 100mm 1m 10m 100m 1km
X-Ray UV Visible IR Microwave Radiowave
2μm 13μm
Gamma -Ray 157 nm 436 nm
X 射线光刻（XRL, 4～20埃）
XRL 光源的波长约为1nm ，由于易于实
现高分辨率图形，在72年由MIT 的SMITH 等发明以来，就受到普遍的关注，是目前所谓的下一代光刻技术中最为成熟的技术。为了和VLSI 工艺兼容，人们还研制了特制的小型
超导同步辐射光源。电子束光刻 电子束直写方式
:I 电子束曝光的精度较高。电子束的斑点可以聚焦的很小，而且聚焦的景深很深，可用计算机控制，精度远比肉眼观察要高。I 电子束曝光改变光刻图形十分简便。电子束曝光机是把各次曝光图形用计算机设计图形就只要重新编程。I 电子束曝光不要掩膜版。I 电子束曝光设备复杂，成本较高。 干法刻蚀
湿法腐蚀
深刻蚀 聚焦离子束刻蚀（4）刻蚀
等离子体的产生?微电子工业使用的等离子体是一般通过气体辉光放电的方式产生?等离子体概念：在放电腔中，气体原子（或分子）电离产生离子（或裂解产生分子原子碎片形成具有化学活性的基团和氧化剂、还原
剂），形成具有一定电离度的准中性粒子区，称为等离子体。?根据电场的施加方式或频率，气体放电产生等离子体可分为直流放电、高频放电、射频放电、微波放电，其中放电的机制各不相同，但是作为等离子体，却又有共性。
直流气体放电
自持气体放电条件：放电空间单位时间产生的带电粒子数目等于各种消电离因素引起带电粒子损失的数目。
击穿电压或着火电压
巴邢定律：尽管两个放电腔的气压(p)和极间距(d)不同，但只要乘积相等，则击穿电压就相等。pd值过大或过小都会使击穿电压升高，因此存在一个合适的值可使击穿电压处于最小值。利用气体辉光放电电离和分解稳定的原子所形成的离子和活性物质，与被腐蚀的固体材料作用，产生挥发性的物质或气态产品。以RIE为例，其过程如下：
1利用
RF辉光放电，通过电子碰撞产生等离子体环境。
[中性粒子，电子，光子，活性游离基，正离子（SF
5
+），负离子（F—）]
2形成直流偏压，由于电子的移动性较大，在阴极上产生积累，形成自偏压
3扩散和迁移，离子向靶表面运动
4吸附，反应物质在靶表面吸附，离子对靶的轰击，形成激活区，有利于吸附。
5反应，基于氟化物腐蚀的反应生成物往往是易挥发物质，如SiF
4
，（基于氯化物
腐蚀则生成SiCl，根据使用工作气体的不同，也有可能生成表面钝化物质如
SiO
x
F
y
，F）
6解吸附：在一定的温度下，解吸附发生，这一过程也会由于离子的轰击而加快
。
7.反向扩散
AC voltage overcomes the
problem of charge which
accumulates on a dielectric in
the DC system.
射频放电等离子体
高频放电不同于直流放电
工业上：13.56MHz
27.12MHz
?由于质量上的差异,在电场作用下电子
和离子的迁移行为不同，离子的迁移率
比电子的迁移率小两个数量级；
?电子可以跟交变电场的变化，而离子
不能；
?离子的振荡可以忽略，其运动是可视
为在一种平均场下的迁移运动
射频等离子体和电势
V c /V a = (A a /A c )4
为了增加鞘层电压，将上电
极腔体壁连接以增加上电极
的面积，于安全的考虑这一
点通常别设为直流接地点
非对称反应腔：两电极
上的电势差与电极面积
满足：
对称腔：电势差相等等离子体的主要宏观和微观参数?自偏压?功率?温度?粒子密度和能量分布（电子，离子）-电子直接从电源获得能量；电子的能量分布(EEDF)，它决定了电子与原子或分子碰撞的几率，从而影响等离子体的电离度或离子密度；-离子在辉光区形成，在小电场作用下被拽进鞘层区，然后在鞘层区的大电场作用下加速运动抵达轰击样品。；-不带电荷的基团仅由于只具有一定的热能，其运动呈现各向同性的特性。-离子轰击样品表面的能量和角度直接与在鞘层区中碰撞几率有关。无碰撞，有单一能量；有碰撞，宽能量范围上的多峰分布SF 6等离子体中SF 5+的能量分布
自偏压固定在-200V.
是否产生碰撞，主要和气压有关，因此影响离子运动的因素主要是气压，而决定离子最高能量的因素则是直流自偏压。高密度等离子体容性射频等离子体的缺陷：离子和基团的浓度越高，刻蚀的速率也越高。通过增加工艺流量，可以提高浓度，但是受到等离子体放电方式的限制和放电稳定性的影响。新的等离子体技术：?电感耦合等离子体(ICP)：?磁控等离子体(MCP）：(>1011/cm
3)?电子回旋共振等离子体(ECR):具有等离子体密度高(1010～1012cm)-3,电离度大(>10%)、工作气压低（1～10-3Pa ）、均匀性好、参数容易控制等特点。电感耦合等离子体和磁控等离子体
?都工作在等离子体频率附近，它们的基本原理是利用横向的电场和磁场来增加电子在等离子体中的行程，从而使电子和原子间的碰撞加剧，以增加等离子体中基和离子的密度。
?ICP有两套独立的射频电源，分别用于产生等离子体和定向溅射。电子回旋共振（ECR ）等离子体?工作于1GHz 向上的微波频率区?当磁场中电子的回旋频率等于微波频率时，电子与微波发生共振，获得能量的电子电离中性气体，产生放电，形
成稳定的等离子体
e
e m eB /=ω在2.45GHz 的微波频率时，产生共振的磁感
应强度为0.875T
电子的回旋频率：当工作气压低于10-2Pa 时，离子能量在20～
50eV 范围内，减少了衬底受热和离子轰击对衬
底的损伤，在工作室内，不引入电极，减少了
杂质的污染，增加了反应气体的稳定性。
ECR vs ICP ECR was introduced at OPT in 1985.ICP was introduced much later (1991-
1995) for plasma processing.most important with both:
independent control of ion energy and ion current density
lower (substrate) electrode grounded, RF driving opt.等离子体刻蚀机理?等离子体刻蚀就是利用上述的气体放电将稳定的气体分子裂解成具有化学活性产物和离子类，通过选择一定的化学气氛，使得这些裂解的物质与刻蚀的样品发生反应形成挥发性的物质的过程。?根据刻蚀机制，可以分为三类：化学等离子体刻蚀(PE)、物理离子束刻蚀(IBE )和反应离子刻蚀（RIE ）?反应离子刻蚀是将物理作用的溅射刻蚀和化学作用的反应刻蚀结合起来的过程。但是RIE中的溅射并不仅仅是纯物理的作用，即在碰撞离子间并不仅仅是动量交换，它还对化学反应起促进作用。 物理刻蚀(溅射)
?very directional (anisotropic), very poor selectivity
(usually 1:1)
?ions accelerated by the electric field bombard the
wafer surface
?the exact reverse process of sputter deposition (here
the wafer is the target)
?used for ion milling and for clearing of contacts before metal dep Sputtered
Species
Resist Resist Ion 化学刻蚀?non-directional (isotropic), very high selectivity ?plasma creates highly reactive species called “free radicals ”?radicals are not charged, so there is no directionality ?useful for blanket film removal (“ashing ”of photoresist with oxygen)Volatile Products Resist Resist
Free Radical
物理/化学刻蚀(反应离子刻蚀)
?combines directionality with good selectivity
?used for patterning of sub-micron features through
photoresist
?contacts,vias, polysilicon, metal, etc.
Etch
Product
Resist Resist
Ion Radical 离子辅助刻蚀和侧壁钝化?
Improves directionality of the Reactive Ion Etch, vertical sidewalls ?The ions are directional, very few strike the sidewall ?Polymers are deposited during the etch process, polymer in the bottom of contact is rapidly sputtered away, but sidewalls remain ?these polymers protect the sidewall from chemical attack Silicon Substrate Oxide Resist Resist Ion Assisted Etch Rate No Ion Bombardment Positive Ions Ion Milling （离子铣）?It uses noble gas such as Argon and involves no chemical reactions.?Directionality and applicability Neutralized ion beam: good for conductor & insulator Plasma Sputtering Weak selectivity in ion beam etching Problems that may occur during ion milling 1.Mask taper transfer 2.Redeposition from the mask 3.trenching
常用材料的腐蚀剂
待腐蚀材料腐蚀剂
Si (单晶)CF 4, CF 4+O 2
Si （多晶）CF 4, C 2F 6+Cl 2, CCl 6+Cl 2
,SiO 2CF 4+H 2, C 3F 8Si 3N 4CF 4, CF 4+O 2,CF 4+H 2,
Al BCl 3+Cl 2, CCl 4+Cl 2,
M o,W,Ta,Ti CF 4+O 2Cr,V CF 4+O 2, Cl 2+O 2
Au,Pt C 2 Cl 2F 4+O 2, C 2 Cl 2F 4W Si 2, M o Si 2CF 4+O 2，SF 6+O 2 ，N F 2光刻胶O 2
影响刻蚀速度的条件 气体压力 气体流量 射频功率 温度 负载效应 腐蚀剂选择比各项异性反应离子刻蚀
?传统：Cl 基和Br 基等离子体
-Cl 和Br 基团与Si 的反应几率很小（10-5～10-6），产生离子辅助刻蚀的离子的能量可低至25eV ，而侧壁基本上由于低反应性而得到保护；
-但存在安全隐患。
?氟基等离子体
-安全的刻蚀体系，但是氟原子（能量～0.05eV ）与硅的反应几率很高（10%），具有很高的各向同性刻蚀倾向-侧壁钝化机制：SF 6/O 2, CF 4/O 2
侧壁聚合物附着，底部离子刻蚀；
-低温刻蚀机制：
温度影响反应化合物的附着几率，对离子轰击影响小；高深宽比刻蚀中有关的粒子与结构的相互作用过程
BOSCH ICP (PLASMA THERM)
The Bosch process uses two chemistries, one to generate polymers and the other to etch silicon. The etch machine switches between the two every few seconds to ensure that the sidewalls are covered with polymer allowing fast, deep trench etching. (the substrate is on a chuck that is cooled by liquid nitrogen.
Dry etching with gas chopping without
rippled sidewalls
STS ETCH SYSTEM AT RIT
SF6 and C4F8
1 to 10 um/min, Oxide, Nitride or Photoresist masks.13 sec etch in SF6 at 130sccm plus O
2 at 13sccm
7 sec polymer deposition in C4F8 at 80sccm
600 watts RF power
45mTorr Pressure during etch
100 V wafer bias during etch
3 um/min etch rate
硅加速度计
聚焦离子束刻蚀
湿法刻蚀 HF 酸腐蚀SiO 2：
SiO 2+ 4HF = SiF 4+ 2H 2O 此反应的产物是气态的SiF 4和水Si Main solvent 1.KOH
2.EDP
3.NaOH
4.CsOH
5.NH 4OH
6.Hydrazine(联氨
)(NH 2x NH 2)
7.TMAH
8.IPA(Isopropyl
alcohol)
9.LiOH
KOH system
溶剂：水，也有用异丙醇(IPA)溶液：20% -50% KOH
温度：60 –80oC
速率：~1um/分钟
特点：镜面，易于控制，兼容性差
↑
+→++2
32222H SiO K KOH O H Si EDP system EPW[NH 2(CH 2)2NH 2乙二胺，C 6H 4(OH 2)2 (邻苯二酚)，H 2O]EDP[ Ethylen Diamine, Procatechol, H 2O]特点：蒸气有毒，时效较差，P+选择性好↑+++→++23246322224622222)()(2)(3)(2H O H C Si NH CH NH CH H C Si NH CH NH TMAH system TMAH [Tetra methyl Ammonion hydroxide, (CH 3)4NOH]
溶剂：Water
浓度：10% -40%
温度：60 -90°C
特点：无毒，有机溶剂，IC 兼容性好，在空气中和CO 2作用
s
m R R R /5.15.035~10/100111100μ?==各向同性腐蚀优点：无尖角，较低应力刻蚀速度快可用光刻胶掩膜目前主要的各向同性腐蚀液为：NHA 和HNW H ：氢氟酸(HF)N ：硝酸(HNO 3)A ：乙酸(CH 3COOH) W: Water 掩膜生长曝光
显影
RIE(干法刻蚀）
Anisotropic etching(湿法刻蚀)
54.74°
(100)(111)
SiO 2Mask Self
Stopping
Point V-groove SEM pictures
Etch mask and stop Mask (1) SiO 2(2) Si 3N 4(3) Resist 湿法腐蚀的缺点：图形受晶向限制，深宽比较差，倾斜侧壁，小结构粘附。干法腐蚀：光挥发，气相腐蚀，等离子体腐蚀。一般指与利用辉光放电产生气体等离子体(plasma)过程有关的腐蚀
.
干法腐蚀的主要形式：*纯化学过程：（屏蔽式，下游式，桶式)*纯物理过程：(离子铣）
*物理化学过程：
反应离子腐蚀RIE ，离子束辅助自由基腐蚀ICP.
特点及影响因素特点：快捷，简单，易获得较厚膜
易污染，易分解，易分馏
影响因素：
真空度，几何尺寸，材料，温度 5.离子注入采用高能直接轰击材料，离子进入半导体材料，在受到其原子阻挡后而半导体体内并形成一定的杂质分布，是目前半导体工艺中的常用方法.