材料科学基础重要概念（中英文）
晶体学基础
晶体学（crystallography）布喇菲点阵（Bravais lattice）
晶体生成学（crystallogeny）体心化（body centering）
晶体结构学（crytallogy）底心化（base centering）
晶体化学（crystallochemistry）特殊心化（special centering）
晶体结构（crystal structure）晶面（crystal plane）
点阵平移矢量（lattice translation vector）晶（平）面指数（crystal – plane indice）
初级单胞（primitive cell）晶带（zone）
点阵常数（lattice parameter）倒易空间（reciprocal space）
对称变换（symmetry translation）参考球（reference sphere）
主动操作（active operation）经线（longitude）
国际符号（international notation）赤道平面（equator plane）
点对称操作（point symmetry operation）极网（pole net）
旋转操作（rotation operation）结构基元（motif）
二次旋转轴（two - fold axe, diad）晶体几何学（geometrical crystallography）
四次旋转轴（four – fold axe, tetrad）晶体物理学（crystallographysics）
镜像（mirror image）等同点（equivalent point）
对形关系（enantiomorphic relation）点阵（lattice）
反演（inversion）初基矢量（primitive translation vector）
晶系（crystal system）复式初基单胞（multiple – primitive cell）
单斜晶系（monoclinic system）对称元素（symmetry element）
四方晶系（正方晶系）（tetragonal system）对称群（symmetry group）
六方晶系（hexagonal system）被动操作（passive operation）
熊夫利斯符号（Schoenflies notation）点阵有心化（centering of lattice）
恒等操作（单位操作）（identity）面心化（face centering）
旋转轴（rotation axe）单面心化（one – face centering）
三次旋转轴（three – fold axe, triad）晶向（crystal direction）
六次旋转轴（six – fold axe, hexad）晶向（方向）指数（crystal – direction indice）镜面（mirror plane）晶面族（form of crystal - plane）
同宇（congruent）倒易点阵（reciprocal lattice）
旋转反演（rotation - inversion）极射赤面投影（stereographic projection）
三斜晶系（triclinic system）参考网络（reference grid）
正交晶系（斜方晶系）（orthogonal system）纬线（latitude）
立方晶系（cubic system）吴氏网（Wulff net）
菱方晶系（rhombohedral system）标准投影网（standard projection）
晶体结构
晶体结构（crystal structure）鲍林规则（Pauling’s rule）
结构符号（structure symbol）氧化物结构（oxide structure）
致密度（空间填充效率）（efficiency of space 岩盐结构（rock structure）
filling）纤维锌矿结构（wurtzite structure）
配位数（coordination number）闪锌矿结构（zinc blende structure）
配位多面体（coordination polyhedra）尖晶石结构（spinel structure）
拓扑密堆相（topologically close – packed α-Al2O3型结构（corundum structure）phase）金红石结构（rutile structure）
金属晶体（metal crystal）萤石结构（fluorite structure）
离子晶体（ionic crystal）钙钛矿结构（perovskite structure）
共价晶体（covalent crystal）钛铁矿结构（ilmenite structure）
分子晶体（molecular crystal）氯化铯结构（cesium chloride structure）
原子半径和离子半径（atomic radius and ionic 硅酸盐（silicate）
radius）链状硅酸盐（chain silicate）
原子结构体积（volume of structure per atom）层状硅酸盐（phyllo silicate）
体密度（volumetric density,ρV）岛状硅酸盐（island silicate）
面密度（planar density, ρP）骨架结构（framework structure）
线密度（linear density, ρL）镁橄榄石结构（forsterite structure）
金刚石结构（diamond structure）辉石（picrite）
纳米碳管（carbon nano tube）粘土矿（clay mineral）
置换固溶体（substitutional solid solution）高岭石（kaolinite）
填隙固溶体（interstitial solid solution）云母（mica）
尺寸因素（size factor）石英（quartz）
价电子浓度（valance electron concentration）鳞石英（tridymite）
电子化合物（electron compound）方石英（cristobalite）
间隙化合物（interstitial compound）钙长石（anorthite）
尺寸因素化合物（size–factor compound）分子筛（molecule sift）
Laves相(Laves phase) 同素异构性（allotropy）
σ相（σphase）多形性（polymorphism）
有序固溶体（超结构）[ordered solid solution 准晶（quasicrystal）
(super lattice) ] 彭罗斯拼砌（Penrose tiling）
长程有序参数（long-range order parameter）短程有序参数（shot-range order parameter）
晶体缺陷
不完整性（imperfection）向错（disclination）
点缺陷（point imperfection）沃特拉过程（V olterra’s process）
空位（vacancy）刃型位错（edge dislocation）
自间隙原子（self-interstitial）螺型位错（screw dislocation）
构型熵（configuration entropy）混合型位错（mixed dislocation）
肖脱基缺陷（Schottky defect）柏氏回路（Burgers circuit）
弗兰克缺陷（Frenkel defect）柏氏矢量（Burgers vector）
内禀点缺陷（intrinsic point defect）位错环（dislocation loop）
非禀点缺陷（extrinsic point defect）位错密度（dislocation density）
线缺陷（line imperfection）位错的弹性能（elastic energy of dislocation）位错（dislocation）位错线张力（tension of dislocation）
位错宽度（width of dislocation）层错矢量（fault vector）
保守运动（conservative motion）外延层错（extrinsic fault）
非保守运动（nonconservative motion）层错能（stacking fault energy）
滑移（slip）肖克莱部分为错（Shockley partial dislocation）滑动（glissile）铃木气团（Suzuki atmosphere）
攀移（climb）弗兰克位错（Frank partial dislocation）
自力（self-force）扩展位错（extended dislocation）
渗透力（osmotic force）压杆位错（stair-rod partial dislocation）
映像力（image force）Lomer-Cottrell 位错（Lomer-Cottrell
弯结（kink）dislocation）
割阶（jog）L-C阻塞（L-C Lock）
柯垂尔气体（Cottrell atmosphere）赫斯阻塞（Hirth lock）
史诺克气体（Snoek atmosphere）分位错（fractional dislocation）
弗兰克-瑞德位错源（Frank-Read source）超点阵（superlattice）
B-H位错源（Bardeen-Herring source）反相畴（Antiphase domain）
位错塞积群（dislocation pile-up group）反相畴界（Antiphase boundary, APB）
全位错（perfect dislocation）超位错（super-dislocation）
堆垛层错（stacking fault）弗兰克-纳巴罗回路（Frank-Nabarro circuit）部分为错或不全位错（partial dislocation）向错强度（disclination strength）
内禀层错（intrinsic fault）条纹织构（schlieren texture）
表面能(surface energy) 适配(matching)
晶界(grain boundary) 共格晶界(coherent boundary)
小角度晶界（low angle grain boundary）非共格晶界(incoherent boundary)
大角度晶界（high angle grain boundary 晶界迁移率(grain boundary mobility)
倾转晶界（tilt boundary）取向关系(orientation relationship)
扭转晶界（twist boundary）气泡(gas babble)
相界(phase boundary) 空洞(void)
扩散
不可逆过程（irreversible process）传质过程（mass transport）
扩散（diffusion）扩散距离（diffusion distance）
唯象系数（phenomenological coefficient）间隙机制（interstitial mechanism）
挤列结构（crowdion configuration）哑铃结构（dumbbell split configuration）
空位机制（vacancy mechanism）换位机制（exchange mechanism）
扩散流量（flux）参考系（reference frame）
实验参考系（laboratory reference frame）点阵参考系（lattice reference frame）
菲克第一定律（Fick’s first law）菲克第二定律（Fick’s second law）
扩散系数（diffusion coefficient）禀性扩散系数（intrinsic diffusion coefficient）互扩散系数（mutual diffusion coefficient）自扩散系数（self-diffusion coefficient）
稳态扩散（steady state diffusion）Kirkendall 效应（Kirkendall effect）
Matano 平面（Matano interface）热力学因子（thermodynamic factor）
同位素（isotope）示踪物（tracer）
扩散偶（diffusion couple）误差函数（error function）
哑变量（dummy）数值方法（numerical method）
有限差分（finite-difference）收敛性（convergence）
截断误差（truncation error）舍入误差（round-off error）
相关系数（correlation factor）高扩散率通道（high-diffusivity path）体扩散（volume diffusion）晶界扩散（grain boundary diffusion）位错扩散（dislocation diffusion）表面扩散（surface diffusion）
迁移率（mobility）渗透率（permeability）
凝固
分配系数（partition coefficient）枝晶偏析（dendrite segregation）
区域提纯（zone-refining）亚共晶合金（hypoeutectic alloy）
胞晶的形成（cell formation）过共晶合金（hypereutectic alloy）
胞状树枝晶（cellular dendrite）片状（lamellar）
柱状树枝晶（columnar dendrite）棒状（rod-like）
共晶凝固（eutectic solidification）共晶领域（eutectic colony）
包晶凝固（peritectic solidification）伪共晶（pseudo-eutectic）
偏析（segregation）离异共晶（divorced eutectic）
熔焊（fusion welding）激冷区（chill zone）
快速凝固（rapid solidification process）柱状晶区（columnar zone）
连续铸造（continuous casting）等轴晶区（equiaxed zone）
树枝状显微偏析（dendritic microsegregation）收缩晶区（shrinkage cavity）
非平衡杠杆定律（non-equilibrium lever rule）疏松（porosity）
组分过冷（constitutional supercooling）非金属夹杂物（non-metallic inclusion）胞状组织（cellular structure）熔池（weld pool）
二次枝晶（secondary dendrite）混合区（composite region）
一次支晶（primary dendrite）热影响区（heat-affected zone）
人工智能概念简介
1，哈什么是人工智能？ 人工智能（Artificial Intelligence）简称AI，主要研究如何用人工的方法和技术，使用各种自动化机器或智能机器（主要指计算机）模仿、延伸和扩展人的智能，实现某些机器思维或脑力劳动自动化。 人工智能是那些与人的思维相关的活动，诸如决策、问题求解和学习等的自动化（Bellman, 1978）；人工智能是一种计算机能够思维，使机器具有智力的激动人心的新尝试（Haugeland, 1985）；人工智能是研究如何让计算机做现阶段只有人才能做得好的事情（Rich Knight,1991）；人工智能是那些使知觉、推理和行为成为可能的计算的研究（Winston, 1992）；广义地讲，人工智能是关于人造物的智能行为，而智能行为包括知觉、推理、学习、交流和在复杂环境中的行为（Nilsson，1998） 2，人工智能有哪些研究途径？说明其研究特点。 1.心理模拟，符号推演:模拟人脑的逻辑思维，利用显式的知识和推理来解决问 题。擅长实现人脑的高级认知功能。2.生理模拟，神经计算:具有高度的并行分布型，很强的鲁棒性和容错性，擅长人脑的形象思维，便于实现人脑的低级感知功能。3.行为模拟，控制进化:具有自学习，自适应，自组织特性的智能控制系统和智能机器人。4. 群体模拟，仿生计算：成果可以直接付诸应用，解决工程问题和实际问题。5.博采广鉴，自然计算:模仿和借鉴自然界的某种机理而设计技术模型。7.原理分析，数学建模：纯粹用人的智能去实现机器智能 3，给出人工智能的五个应用领域。 难题求解，自动规划、调度与配置，机器定理证明，自动程序设计，机器翻译，智能控制，智能管理，智能决策，智能通信，智能仿真，智能CAD，智能制造，智能CAI，智能人机接口，模式识别，数据挖掘与数据库中的知识发现，计算机辅助创新，计算机文艺创作，机器博弈，智能机器人。 4，枚举出各种搜索策略。 盲目搜索：无向导的搜索，树式盲目搜索就是穷举搜索，不回溯的线式搜索是随机碰撞式搜索，回溯的线式搜索也是穷举式搜索。 启发式搜索：是利用“启发性信息”引导的搜索策略。“启发性信息”就是与问题有关的有利于尽快找到问题解的信息或知识。启发式搜索分为不同的策略，如全局择优，局部择优，最佳图搜索。按扩展顺序不同分为广度优先和深度优先。 5，人工智能的基本技术有哪些？ 表示：符号智能的表示是知识表示，计算智能的表示一般是对象表示 运算：符号智能的运算是基于知识表示的推理或符号操作，计算智能的运算是基于对象表示的操作或计算 搜索：符号智能在问题空间内搜索进行问题求解，计算智能在解空间搜索进行求解 6，你认为人工智能未来的发展趋势是什么？ 多种途径齐头并进，多种方法协作互补。 新思想、新技术不断涌现，新领域、新方向不断开拓。 理论研究更加深入，应用研究愈加广泛。 研究队伍日益壮大，社会影响越来越大。 7，你认为机器的智能会超过人类吗？为什么？ 8，归结原理进行定理证明的步骤有哪些？归结原理进行求解问题的答案的步骤有哪些？ 证明
材料科学基础试卷(一) 一、概念辨析题（说明下列各组概念的异同。任选六题，每小题3分，共18分） 1 晶体结构与空间点阵 2 热加工与冷加工 3 上坡扩散与下坡扩散 4 间隙固溶体与间隙化合物 5 相与组织 6 交滑移与多滑移 7 金属键与共价键 8 全位错与不全位错 9 共晶转变与共析转变 二、画图题（任选两题。每题6分，共12分） 1 在一个简单立方晶胞内画出［010］、［120］、［210］晶向和（110）、（112）晶面。 2 画出成分过冷形成原理示意图（至少画出三个图）。 3 综合画出冷变形金属在加热时的组织变化示意图和晶粒大小、内应力、强度和塑性变化趋势图。 4 以“固溶体中溶质原子的作用”为主线，用框图法建立与其相关的各章内容之间的联系。 三、简答题（任选6题，回答要点。每题5分，共30 分） 1 在点阵中选取晶胞的原则有哪些？ 2 简述柏氏矢量的物理意义与应用。 3 二元相图中有哪些几何规律？ 4 如何根据三元相图中的垂直截面图和液相单变量线判断四相反应类型？ 5 材料结晶的必要条件有哪些？ 6 细化材料铸态晶粒的措施有哪些？ 7 简述共晶系合金的不平衡冷却组织及其形成条件。 8 晶体中的滑移系与其塑性有何关系？ 9 马氏体高强度高硬度的主要原因是什么？ 10 哪一种晶体缺陷是热力学平衡的缺陷，为什么？ 四、分析题（任选1题。10分） 1 计算含碳量w=0.04的铁碳合金按亚稳态冷却到室温后，组织中的珠光体、二次渗碳体和莱氏体的相对含量。 2 由扩散第二定律推导出第一定律，并说明它们各自的适用条件。 3 试分析液固转变、固态相变、扩散、回复、再结晶、晶粒长大的驱动力及可能对应的工艺条件。 五、某面心立方晶体的可动滑移系为(111) [110].（15分） (1) 指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量. (2) 如果滑移由纯刃型位错引起,试指出位错线的方向. (3) 如果滑移由纯螺型位错引起,试指出位错线的方向. (4) 在(2),(3)两种情况下,位错线的滑移方向如何? (5) 如果在该滑移系上作用一大小为0.7MPa的切应力，试确定单位刃型位错和螺型位错 线受力的大小和方向。（点阵常数a=0.2nm)。 六、论述题（任选1题，15分） 1 试论材料强化的主要方法、原理及工艺实现途径。 2 试论固态相变的主要特点。 3 试论塑性变形对材料组织和性能的影响。
西方经济学基本概念
西方经济学 一、名词解释： 1、需求 需求是指消费者在一定时期内在各种可能的价格下愿意而且能够购买的商品的数量。经济学意义上的需求是指既有购买欲望又有购买能力的有效需求。一般而言，消费者对商品的需求量与其价格呈反方向运动。消费者消费商品的数量不仅取决于该商品的价格，也受到相关商品的价格、消费者的收入、消费者的偏好和消费者对商品价格的与其等因素影响。 2、供给 商品的供给是指生产者在一定是时期内，在各种可能的价格下愿意而且能够提供出售的商品的数量，一般来说，商品的价格越高，生产者提供的产量就越大，反之，则提供的产量越小，一种商品的供给量不仅取决于该商品的价格，也受到生产该商品的成本，生产的技术水平，相关商品的价格和生产者对未来的预期等因素的影响。 3、均衡价格
动率之比。与需求弹性一样，供给弹性也有点弹性和弧弹性之分。 4、 边际效用 边际效用是指消费者在一定时间内增加一单位商品的消费所得到的效用量的增量。边际效用量的大小在消费者的消费决策中局用重要意义。 5、 消费者均衡 消费者的效用达到最大并且不再变的一种状态。技术效用论的消费者均衡是消费者在既定收入约束下实现效用函数值最大，实现均衡的条件是消费者所购买的每种商品的边际效用与其价格之比相等。即：Pn MUn P MU P MU 2211=== =λ 其中，λ为货币的边际效用。在序数效用理论条件下，当无差异曲线与预算约束线相切时消费者处于均衡状态。条件是RCS 12=(P 1/P 2)。消费者均衡是建立在消费者收入和商品价格等假定基础上的。当消费者收入或商品价格发生变动时，消费者均衡点也随之变动
晶体缺陷 单晶体：是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排列。 多晶体：是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同，因此多晶体也可看成由许多取向不同的小单晶体（晶粒）组成 点缺陷（Point defects）：最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列。在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、几个原子间距，又称零维缺陷。包括空位vacancies、间隙原子interstitial atoms、杂质impurities、溶质原子solutes等。 线缺陷（Linear defects）：在一个方向上的缺陷扩展很大，其它两个方向上尺寸很小，也称为一维缺陷。主要为位错dislocations。 面缺陷（Planar defects）：在两个方向上的缺陷扩展很大，其它一个方向上尺寸很小，也称为二维缺陷。包括晶界grain boundaries、相界phase boundaries、孪晶界twin boundaries、堆垛层错stacking faults等。 晶体中点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动，当振动能足够大时，将克服周围原子的制约，跳离原来的位置，使得点阵中形成空结点，称为空位vacancies 肖脱基（Schottky）空位：迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置，使晶体内部留下空位。弗兰克尔（Frenkel）缺陷：挤入间隙位置，在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子。 晶格畸变：点缺陷破坏了原子的平衡状态，使晶格发生扭曲，称晶格畸变。从而使强度、硬度提高，塑性、韧性下降；电阻升高，密度减小等。 热平衡缺陷：由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷称为热平衡缺陷（thermal equilibrium defects），这是晶体内原子的热运动的内部条件决定的。 过饱和的点缺陷：通过改变外部条件形成点缺陷，包括高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照等，这时的点缺陷浓度超过了平衡浓度，称为过饱和的点缺陷(supersaturated point defects) 。 位错：当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体发生局部滑移时，滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称作位错 刃型位错：当一个完整晶体某晶面以上的某处多出半个原子面，该晶面象刀刃一样切入晶体，这个多余原子面的边缘就是刃型位错。 刃型位错线可以理解为已滑移区和未滑移区的分界线，它不一定是直线 螺型位错：位错附近的原子是按螺旋形排列的。螺型位错的位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线 混合位错：一种更为普遍的位错形式，其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度。可看作是刃型位错和螺型位错的混合形式。 柏氏矢量b: 用于表征不同类型位错的特征的一个物理参量，是决定晶格偏离方向与大小的向量，可揭示位错的本质。 位错的滑移（守恒运动）：在外加切应力作用下，位错中心附近的原子沿柏氏矢量b方向在滑移面上不断作少量位移（小于一个原子间距）而逐步实现。 交滑移：由于螺型位错可有多个滑移面，螺型位错在原滑移面上运动受阻时，可转移到与之相交的另一个滑移面上继续滑移。如果交滑移后的位错再转回到和原滑移面平行的滑移面上继续运动，则称为双交滑移。 位错滑移的特点 1) 刃型位错滑移的切应力方向与位错线垂直，而螺型位错滑移的切应力方向与位错线平行； 2) 无论刃型位错还是螺型位错，位错的运动方向总是与位错线垂直的；（伯氏矢量方向代表
重要概念： 经济学：研究人们和社会如何作出选择，来使用可以有其他用途的稀缺的经济资源在现在或将来生产各种物品，并把物品分配给社会的各个成员或集团以供消费之用的一门学科。 实证经济学与规范经济学： 实证分析是分析经济问题“是什么”的研究方法。它侧重于经济体系如何运行，分析经济活动的过程和后果以及向什么方向发展，而不考虑运行的结果是否可取。这种方法在使用中，主要依据于一定的前提假定以及有关经济变量之间的因果关系，来描述、解释或说明已观察到的事实，对有关现象将来会出现的情况做出预测。 规范分析方法就是研究经济运行“应该是什么”的研究方法。这种方法主要是依据于一定的价值判断和社会目标，来探讨达到这种价值判断和社 生产可能性曲线：以曲线的形式概括地说明生产的选择和选择的效果。它表明在既定经济资源和生产技术条件下所能达到的各种产品的最大产量的组合。又叫生产可能性边界. 机会成本：当把一定经济资源用于生产某种产品时所放弃的另一些产品生产上最大的收益就是这种产品生产的机会成本。 需求：指在一特定时间内，对应于某一商品的各种价格，人们愿意并且能够购买的数量。 供给：指生产者（厂商）在一定时期和一定价格水平下愿意并且能够提供的某种商品的数量。 弹性：指经济变量之间存在函数关系时，一个变量对另一个变量变动的反应程度。 均衡价格：指消费者对某种商品的需求量等于生产者所提供的该商品的供给量时的市场价格。 消费者均衡：当消费者买进一定量的一种商品X的最后一单位效用同他买进一定量的另一种商品Y的最后一单位效用之比恰好等于X和Y的价格之比，这是他买进的各种物品的总效用之和就达到最大值，消费者的行为处于均衡状态。+ 供求规律：在其他条件不变的情况下，需求变动分别引起均衡价格和均衡数量同方向变动，供给变动分别引起均衡价格的反方向变动和均衡数量的同方向变动。 效用：消费者消费物品或劳务所获得的满足程度，并且这种满足程度纯粹是一种消费者主观心理感觉。 边际效用：指消费商品或劳务的一定数量中最后增加或减少的那一单位商品或劳务所感觉到的满足的变化。 等成本线：生产要素价格一定时，花费一定总成本所能购买的各种的各种生产要素的组合的轨迹。 规模报酬：是指当各种要素同时增加或减少一定比率，从而生产规模变动所引起产量的变化情况。 规模经济：随着生产规模扩大，产品平均成本下降的情况，如果产品平均成本随生产规模扩大而上升，
微观经济学 第一章导论 第二章需求曲线和供给曲线概述以及有关的基本概念 第三章效用论 第四章生产论 第五章成本论 第六章完全竞争市场 第七章不完全竞争市场 第八章生产要素价格决定的需求方面 第九章生产要素价格决定的供给方面 第十章一般均衡和福利经济学 第十一章市场失灵和微观经济政策 第一章导论 1.马歇尔综合及20世纪30年代西方经济学的三次补充 第二章需求曲线和供给曲线概述以及有关的基本概念 1.理性人假设 2.微观经济学的核心思想 3.需求—需求函数—需求表—需求曲线 供给—供给函数—供给表—供给曲线 4.供求定理 5.弹性（定义公式） （1）需求价格弹性：弧弹性—中点公式 点弹性—几何意义特征 不同弹性商品P变化对P、Q的影响 影响需求价格弹性的因素 （2）扩展： 供给价格弹性 需求交叉价格弹性→替代关系互补关系 需求的收入弹性→正常品劣等品 6. 恩格尔定律 第三章效用论（消费者行为理论） 1.基数效用论 2.偏好的假定无差异曲线 3.商品的边际替代率公式 商品的边际替代率递减规律 4.预算线 5.消费者效用最大化的均衡条件 6.价格—消费曲线→需求曲线 7.收入—消费曲线→恩格尔曲线 8.替代效应收入效应 9.低档品正常品吉芬物品（吉芬难题） 10.不确定性风险
11.期望效用期望值效用 12.消费者风险态度 13.保险 第四章生产论 1.企业的本质 2.短期生产理论：一种可变生产要素的生产函数 边际报酬递减规律 MPL APL TPL关系 短期生产三个阶段 3.长期生产理论：两种可变生产要素的生产函数 边际技术替代率公式 边际技术替代率递减规律 4.等成本线 5.最优的生产要素组合 （1）成本既定，产量最大化 产量既定，成本最小化 （2）利润最大化→最有生产要素组合 （3）扩展线→规模报酬长期生产中规模报酬变化规律 第五章成本论 一、概念： 机会成本显成本-隐成本经济利润-正常利润 二、短期成本理论 1.边际报酬递减规律→决定短期成本曲线特征边际产量-边际成本 2.MC→TC AC 3.TC→AC MC 4.短期成本曲线与短期产量曲线的关系 MC-MPL AVC-APL 三、长期成本理论 1.长期总成本（推导）：包络线 2.长期平均成本 （a）推导：由LTC推导包络线 （b）形状决定因素：规模（不）经济 （c）位置决定因素：外在（不）经济 3.长期边际成本推导：由LTC 由SMC 第六章完全竞争市场 1.市场划分市场类型的因素 2.完全竞争市场的四个条件 3.完全竞争厂商短期均衡 ◆需求曲线收益曲线 ◆利润最大化条件MR=MC ◆短期均衡MR=SMC ◆短期供给曲线 ◆生产者剩余 完全竞争厂商长期均衡 ◆厂商的两个选择
一、粒子群算法 粒子群算法，也称粒子群优化算法（Particle Swarm Optimization），缩写为PSO，是近年来发展起来的一种新的进化算法(（Evolu2tionary Algorithm - EA）。PSO 算法属于进化算法的一种，和遗传算法相似，它也是从随机解出发，通过迭代寻找最优解，它也是通过适应度来评价解的品质，但它比遗传算法规则更为简单，它没有遗传算法的交叉(Crossover) 和变异(Mutation) 操作，它通过追随当前搜索到的最优值来寻找全局最优。这种算法以其实现容易、精度高、收敛快等优点引起了学术界的重视，并且在解决实际问题中展示了其优越性。 优化问题是工业设计中经常遇到的问题,许多问题最后都可以归结为优化问题.为了解决各种各样的优化问题,人们提出了许多优化算法,比较著名的有爬山法、遗传算法等.优化问题有两个主要问题:一是要求寻找全局最小点,二是要求有较高的收敛速度.爬山法精度较高,但是易于陷入局部极小.遗传算法属于进化算法(EvolutionaryAlgorithms)的一种,它通过模仿自然界的选择与遗传的机理来寻找最优解.遗传算法有三个基本算子:选择、交叉和变异.但是遗传算法的编程实现比较复杂,首先需要对问题进行编码,找到最优解之后还需要对问题进行解码,另外三个算子的实现也有许多参数,如交叉率和变异率,并且这些参数的选择严重影响解的品质,而目前这些参数的选择大部分是依靠经验.1995年Eberhart博士和kennedy博士提出了一种新的算法;粒子群优化(ParticalSwarmOptimization-PSO)算法.这种算法以其实现容易、精度高、收敛快等优点引起了学术界的重视,并且在解决实际问题中展示了其优越性. 粒子群优化(ParticalSwarmOptimization-PSO)算法是近年来发展起来的一种新的进化算法(Evolu2tionaryAlgorithm-EA).PSO算法属于进化算法的一种,和遗传算法相似,它也是从随机解出发,通过迭代寻找最优解,它也是通过适应度来评价
金属学与热处理总结 一、金属的晶体结构 重点内容：面心立方、体心立方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径，八面体、四面体间隙个数；晶向指数、晶面指数的标定；柏氏矢量具的特性、晶界具的特性。 基本内容：密排六方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径，密排面上原子的堆垛顺序、晶胞、晶格、金属键的概念。晶体的特征、晶体中的空间点阵。 晶胞：在晶格中选取一个能够完全反映晶格特征的最小的几何单元，用来分析原子排列的规律性，这个最小的几何单元称为晶胞。 金属键：失去外层价电子的正离子与弥漫其间的自由电子的静电作用而结合起来，这种结合方式称为金属键。 位错：晶体中原子的排列在一定范围内发生有规律错动的一种特殊结构组态。 位错的柏氏矢量具有的一些特性： ①用位错的柏氏矢量可以判断位错的类型；②柏氏矢量的守恒性，即柏氏矢量与回路起点及回路途径无关；③位错的柏氏矢量个部分均相同。 刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直；螺型平行；混合型呈任意角度。 晶界具有的一些特性： ①晶界的能量较高，具有自发长大和使界面平直化，以减少晶界总面积的趋势；②原子在晶界上的扩散速度高于晶内，熔点较低；③相变时新相优先在晶界出形核；④晶界处易于发生杂质或溶质原子的富集或偏聚；⑤晶界易于腐蚀和氧化；⑥常温下晶界可以阻止位错的运动，提高材料的强度。 二、纯金属的结晶 重点内容：均匀形核时过冷度与临界晶核半径、临界形核功之间的关系；细化晶粒的方法，铸锭三晶区的形成机制。 基本内容：结晶过程、阻力、动力，过冷度、变质处理的概念。铸锭的缺陷；结晶的热力学条件和结构条件，非均匀形核的临界晶核半径、临界形核功。 相起伏：液态金属中，时聚时散，起伏不定，不断变化着的近程规则排列的原子集团。 过冷度：理论结晶温度与实际结晶温度的差称为过冷度。 变质处理：在浇铸前往液态金属中加入形核剂，促使形成大量的非均匀晶核，以细化晶粒的方法。 过冷度与液态金属结晶的关系：液态金属结晶的过程是形核与晶核的长大过程。从热力学的角度上看，
蒸馏的原理及操作和注意事项 蒸馏是提纯液体物质和分离混合物的一种常用的方法。通过蒸馏还可以测出化合物的沸点，所以它对鉴定纯粹的液体有机化合物也具有一定的意义。 一、蒸馏原理 液体的分子由于分子运动有从表面逸出的倾向，这种倾向随着温度的升高而增大，即液体在一定温度下具有一定的蒸气压，当其温度达到沸点时，也即液体的蒸气压等于外压时（达到饱和蒸气压），就有大量气泡从液体内部逸出，即液体沸腾。一种物质在不同温度下的饱和蒸气压变化是蒸馏分离的基础。将液体加热至沸腾，使液体变为蒸气，然后使蒸气冷却再凝结为液体，这两个过程的联合操作称为蒸馏。 很明显，蒸馏可将易挥发和不易挥发的物质分离开来，也可将沸点不同的液体混合物分离开来。（液体混合物各组分的沸点必须相差很大，至少30o C以上才能达到较好的分离效果）。 纯粹的液体有机化合物在一定压力下具有一定的沸点。但由于有机化合物常和其它组分形成二元或三元共沸混合物（或恒沸混合物），他们也有一定的沸点（高于或低于其中的每一组分）。因此具有固定沸点的液体不一定都是纯粹的化合物。一般不纯物质的沸点取决于杂质的物理性质以及它和纯物质间的相互作用：假如杂质是不挥发的，溶液的沸点比纯物质的沸点略有提高（但在蒸馏时，实际上测量的并
不是溶液的沸点，而是逸出蒸气与其冷凝液平衡时的温度，即是馏出液的沸点而不是瓶中蒸馏液的沸点）；若杂质是挥发性的，则蒸馏时液体的沸点会逐渐上升；或者由于组成了共沸混合物，在蒸馏过程中温度可保持不变，停留在某一范围内。 二、蒸馏操作 1. 蒸馏装置及安装 最简单的蒸馏装置，如图28所示。常压蒸馏装置主要由蒸馏烧瓶、蒸馏头、温度计套管、温度计、冷凝管、接液管和接受瓶等组成。蒸馏液体沸点在140o C以下时，用直形冷凝管；蒸馏液体沸点在140o C 以上时，由于用水冷凝管温差大，冷凝管容易爆裂，故应改用空气冷凝管——高沸点化合物用空气冷凝管已可达到冷却目的。蒸馏易吸潮的液体时，在接液管的支管处应连一干燥管；蒸馏易燃的液体时，在接液管的支管处接一胶管通入水槽，并将接受瓶在冰水浴中冷却。 安装仪器的顺序一般是自下而上，从左到右，全套仪器装置的轴线要在同一平面内，稳妥、端正。 安装步骤：先从热源开始，在铁架台上放好煤气灯，再根据煤气灯的高低依次安装铁圈、石棉网（或水浴、油浴等），然后安装蒸馏瓶（即烧瓶）、蒸馏头、温度计。注意瓶底应距石棉网1-2mm，不要触及石棉网；用水浴或油浴时，瓶底应距水浴（或油浴）锅底1-2cm。蒸馏瓶用铁夹垂直夹好。安装冷凝管时，用合适的橡皮管连接冷凝管，调整它的位置使与已装好的蒸馏瓶高度相适应并与蒸馏头的侧管同
晶体，非晶体；晶体结构，空间点阵，晶胞，7 个晶系，14 种布拉菲点阵； 晶向指数，晶面指数，晶向族，晶面族，晶带轴，晶面间距；多晶型性，同素异构体； 点阵常数，晶胞原子数，配位数，致密度，四面体间隙，八面体间隙； 合金，相，固溶体，中间相，短程有序参数a ，长程有序参数S ； 置换固溶体，间隙固溶体，有限固溶体，无限固溶体，无序固溶体，有序固溶体； 正常价化合物，电子化合物，电子浓度，间隙相，间隙化合物，拓扑密堆相； 离子晶体，NaCl 型结构，闪锌矿型结构，纤锌矿型结构 共价晶体，金刚石结构； 玻璃，玻璃化转变温度 点缺陷，线缺陷，面缺陷； 空位，间隙原子，肖脱基空位，弗兰克尔空位； 点缺陷的平衡浓度； 刃型位错，螺型位错，混合位错，全位错，不全位错； 柏氏回路，柏氏矢量，柏氏矢量的物理意义（3种），柏氏矢量的守恒性； 位错的滑移，位错的交滑移，位错的攀移，位错的交割，割阶，扭折； 位错的应力场（滑移面上），位错的应变能，线张力，滑移力，攀移力； 位错密度，位错增殖，弗兰克—瑞德位错源，L-C位错，位错塞积； 堆垛层错，肖克莱不全位错，弗兰克不全位错； 位错反应，几何条件，能量条件； 可动位错，固定位错，汤普森四面体； 扩展位错，层错能，扩展位错束集，扩展位错交滑移； Cottrell气团, Snock 气团 晶界，亚晶界，小角度晶界，对称倾斜晶界，不对称倾斜晶界，扭转晶界； 大角度晶界，“重合位置点阵”模型； 晶界能，孪晶界，相界，共格相界，半共格相界，错配度，非共格相界。 质量浓度，密度，扩散，自扩散，互扩散，间隙扩散，空位扩散，下坡扩散，上坡扩散，稳态扩散，非稳态扩散，扩散系数，互扩散系数，扩散通量，柯肯达尔效应，体扩散，表面扩散，晶界扩散 凝固，结晶，近程有序，结构起伏，能量起伏，过冷度，均匀形核，非均匀形核，晶胚，晶核，亚稳相，临界晶粒，临界形核功，光滑界面，粗糙界面，温度梯度，平面状，树枝状。
上篇：微观经济学 第一章导论 一、简释下列基本概念： 1.稀缺 2.自由物品 3.经济物品 3.机会成本 4.生产可能性边界 5.自给经济 6.计 划经济7.市场经济8.混合经济9.微观经济学10.宏观经济学11.实证分析12.规范分析13.存量14.流量15.局部均衡16.一般均衡17.理性人18.内生变量19.外生变量。 二、单选题： 1．经济物品是指( ) A．有用的物品B．稀缺的物品 C．要用钱购买的物品D．有用且稀缺的物品 2.一国生产可能性曲线以内一点表示( ) A．通货膨胀B．失业或者说资源没有被充分利用 C．该国可能利用的资源减少以及技术水平降低 D．一种生产品最适度产出水平 3.生产可能性曲线说明的基本原理是( ) A．一国资源总能被充分利用； B．假定所有经济资源能得到充分利用，则只有减少Y物品生产才能增加X物品的生产 C．改进技术引起生产可能性曲线向内移动 D．经济能力增长唯一决定于劳动力数量 4.下列命题中哪一个不是实证分析命题？( ) A．1982年8月联储把贴现率降到10％ B．1981年失业率超过9％ C．联邦所得税对中等收入家庭是不公平的 D．社会保险税的课税依据现在已超过30000美元 5.以下问题中哪一个不属微观经济学所考察的问题？( ) A．一个厂商的产出水平 B．失业率的上升或下降 C．联邦货物税的高税率对货物销售的影响 D．某一行业中雇佣工人的数量 6. 经济学家提出模型的主要理由是( ) A．一个模型为验证一种假设所必需 B一个模型可帮助弄清和组织对一个论点的思考过程 C．一个模型为决定一个指数所必需 D．只有模型中才可使用实际变量 7.微观经济学是经济学的一个分支，主要研究( ) A.市场经济 B.个体行为 C.总体经济活动 D. 8.宏观经济学是经济学的一个分支，主要研究( ) A.计划经济 B.经济总体状况，如失业与通货膨胀 C.不发达国家经济增长 D. 9.实证经济学( ) A.关注应该是什么 B.
化工原理基本概念和原理 蒸馏––––基本概念和基本原理 利用各组分挥发度不同将液体混合物部分汽化而使混合物得到分离的单元操作称为蒸馏。这种分离操作是通过液相和气相之间的质量传递过程来实现的。 对于均相物系，必须造成一个两相物系才能将均相混合物分离。蒸馏操作采用改变状态参数的办法（如加热和冷却）使混合物系内部产生出第二个物相（气相）；吸收操作中则采用从外界引入另一相物质（吸收剂）的办法形成两相系统。 一、两组分溶液的气液平衡 1．拉乌尔定律 理想溶液的气液平衡关系遵循拉乌尔定律： p A =p A 0x A p B =p B 0x B =p B 0（1—x A ） 根据道尔顿分压定律：p A =Py A 而P=p A +p B 则两组分理想物系的气液相平衡关系： x A =（P—p B 0）/（p A 0—p B 0）———泡点方程 y A =p A 0x A /P———露点方程 对于任一理想溶液，利用一定温度下纯组分饱和蒸汽压数据可求得平衡的气液相组成；反之，已知一相组成，可求得与之平衡的另一相组成和温度（试差法）。
2．用相对挥发度表示气液平衡关系 溶液中各组分的挥发度v可用它在蒸汽中的分压和与之平衡的液相中的摩尔分率来表示，即v A=p A/x A v B=p B/x B 溶液中易挥发组分的挥发度对难挥发组分的挥发度之比为相对挥发度。其表达式有： α=v A/v B=（p A/x A）/（p B/x B）=y A x B/y B x A 对于理想溶液：α=p A0/p B0 气液平衡方程：y=αx/[1+（α—1）x] Α值的大小可用来判断蒸馏分离的难易程度。α愈大，挥发度差异愈大，分离愈易；α=1时不能用普通精馏方法分离。 3．气液平衡相图 （1）温度—组成（t-x-y）图 该图由饱和蒸汽线（露点线）、饱和液体线（泡点线）组成，饱和液体线以下区域为液相区，饱和蒸汽线上方区域为过热蒸汽区，两曲线之间区域为气液共存区。 气液两相呈平衡状态时，气液两相温度相同，但气相组成大于液相组成；若气液两相组成相同，则气相露点温度大于液相泡点温度。 （2）x-y图
材料科学基础（I）基础习题 晶体结构 1. 填空 1. fcc结构的密排方向是_______，密排面是______，密排面的堆垛顺序 是_______致密度为___________配位数是________________晶胞中原子数为 ___________，把原子视为刚性球时，原子的半径是____________；bcc结构的密排方向是_______，密排面是_____________致密度为___________配位数是 ________________ 晶胞中原子数为___________，原子的半径是____________；hcp结构的密排方向是_______，密排面是______，密排面的堆垛顺序是_______，致密度为___________配位数是________________，晶胞中原子数为___________，原子的半径是____________。 2. bcc点阵晶面指数h+k+l=奇数时，其晶面间距公式是 ________________。 3. Al的点阵常数为0.4049nm，其结构原子体积是________________。 4. 在体心立方晶胞中，体心原子的坐标是_________________。 5. 在fcc晶胞中，八面体间隙中心的坐标是____________。 6. 空间点阵只可能有___________种，铝晶体属于_____________点阵。Al 的晶体结构是__________________，-Fe的晶体结构是____________。Cu的晶体结构是_______________， 7 点阵常数是指__________________________________________。
第一章导论 一、简答题 1. 什么是西方经济学 2. 试述西方经济学企图解决的两个问题及两重属性。 第二章需求和供给曲线概述以及有关的 基本概念 一、解释概念 均衡价格需求需求函数 需求价格弹性比较静态分析需求收入弹性供给供给函数 二、计算题 1. 已知某产品的需求价格弹性值Ed=，该 产品原销售量为Q d=1000件，单位 产品价格P =10元，若该产品价格上 调20%。计算该产品提价后销售收入 变动多少元
2. 试求需求曲线P=在价格P=4、P=6 时的点弹性 3. 某地牛奶产量为100吨，社会需求量为120吨，牛奶的需求弹性系数为，原价格为每吨500元，当价格上升为多少元时，才能使供给=需求 4. 已知需求函数Q d=14-3P，供给函数 Qs=2+6P，求该商品的均衡价格，以及均衡时的Ed、Es。 5. 设某种商品的需求弹性为，该商品现在的价格为2元，求商品价格上升为多少，才能使需求量减少15% 6. 某商品的价格由24元上升到30元后，需求量相应减少10%，问该商品的需求弹性是多少该商品价格变化对总收益有何影响 7. 求需求函数P = 8 - 在价格4--6元之间的弧弹性。 8. 已知某时期，某商品的需求函数为 P=120 -3Q，供给函数为P=5Q，求均衡价格和均衡数量。
三、简答题 1. 需求和供给的变动对均衡价格、均衡数 量产生怎样的影响 2. 影响需求价格弹性的因素有哪些 3. 何为需求价格弹性需求价格弹性的大 小与销售收入变动有何关系 四、论述题 1. 运用供求曲线和弹性理论，分析粮食产 量变动与农民收入变动的关系。依此分析， 你认为我国加入WTO后，短期内农民收入 是否会减少 2 . 运用供求曲线和弹性理论，分析粮食丰 收了为什么农民收入反而可能下降依此分 析，你认为政府应对农业实施怎样的保护 政策 第三章效用论 一、解释概念
蒸馏的原理 利用液体中各组分的差别，使液体混合物部分汽化并随之使蒸气部分冷凝，从而实现其所含组分的分离。是一种属于传质分离的。广泛应用于炼油、、轻工等领域。 其原理以分离双组分混合液为例。将料液加热使它部分，易挥发组分在蒸气中得到增浓，难挥发组分在剩余液中也得到增浓，这在一定程度上实现了两组分的分离。两组分的挥发能力相差越大，则上述的增浓程度也越大。在工业精馏设备中，使部分汽化的液相与部分冷凝的气相直接接触，以进行汽液相际传质，结果是气相中的难挥发组分部分转入液相，中的易挥发组分部分转入，也即同时实现了液相的部分汽化和汽相的部分冷凝。 液体的分子由于分子运动有从表面溢出的倾向。这种倾向随着温度的升高而增大。如果把液体置于密闭的真空体系中，液体分子继续不断地溢出而在液面上部形成蒸气，最后使得分子由液体逸出的速度与分子由蒸气中回到液体的速度相等，蒸气保持一定的压力。此时液面上的蒸气达到饱和，称为饱和蒸气，它对液面所施的压力称为饱和蒸气压。实验证明，液体的饱和蒸气压只与温度有关，即液体在一定温度下具有一定的。这是指液体与它的蒸气平衡时的压力，与体系中液体和蒸气的绝对量无关。 将液体加热至沸腾，使液体变为蒸气，然后使蒸气冷却再凝结为液体，这两个过程的联合操作称为蒸馏。很明显，蒸馏可将易挥发和不易挥发的物质分离开来，也可将沸点不同的液体混合物分离开来。但液体混合物各组分的沸点必须相差很大（至少30℃以上）才能得到较好的分离效果。在常压下进行蒸馏时，由于大气压往往不是恰好为，因而严格说来，应对观察到的沸点加上校正值，但由于偏差一般都很小，即使大气压相差，这项校正值也不过±1℃左右，因此可以忽略不计。 将盛有液体的烧瓶放在上，下面用煤气灯加热，在液体底部和玻璃受热的接触面上就有蒸气的气泡形成。溶解在液体内的空气或以薄膜形式吸附在瓶壁上的空气有助于这种气泡的形成，玻璃的粗糙面也起促进作用。这样的小气泡（称为气化中心）即可作为大的蒸气气泡的核心。在沸点时，液体释放大量蒸气至小气泡中，待气泡的总压力增加到超过大气压，并足够克服由于液柱所产生的压力时，蒸气的气泡就上升逸出液面。因此，假如在液体中有许多小空气或其它的气化中心时，液体就可平稳地沸腾，如果液体中几乎不存在空气，瓶壁又非常洁净光滑，形成气泡就非常困难。这样加热时，液体的温度可能上升到超过沸点很多而不沸腾，这种现象称为“过热”。一旦有一个气泡形成，由于液体在此温度时的蒸气压远远超过大气压和液柱压力之和，因此上升的气泡增大得非常快，甚至将液体冲溢出瓶外，这种不正常沸腾的现象称为“暴沸”。因此在加热前应加入助沸物以期引入气化中心，保证沸腾平稳。助沸物一般是表面疏松多孔、吸附有空气的物体，如碎瓷片、沸石等。另外也可用几根一端封闭的毛细管以引入气化中心（注意毛细管有足够的长度，使其上端可搁在蒸馏瓶的颈部，开口的一端朝下）。在任何情况下，切忌将助沸物加至已受热接近沸腾的液体中，否则常因突然放出大量蒸气而将大量液体从蒸馏瓶口喷出造成危险。如果加热前忘了加入助沸物，补加时必须先移去热源，待加热液体冷至沸点以下后方可加入。如果沸腾中途停止过，则在重新加热前应加入新的助沸物。因为起初加入的助沸物在加热时逐出了部分空气，再冷却时吸附了液体，因而可能已经失效。另外，如果采用浴液间接加热，保持浴温不要超过蒸馏液沸点20ºC，这种加热方式不但
材料科学基础重要概念（中英文） 晶体学基础 晶体学（crystallography）布喇菲点阵（Bravais lattice） 晶体生成学（crystallogeny）体心化（body centering） 晶体结构学（crytallogy）底心化（base centering） 晶体化学（crystallochemistry）特殊心化（special centering） 晶体结构（crystal structure）晶面（crystal plane） 点阵平移矢量（lattice translation vector）晶（平）面指数（crystal – plane indice） 初级单胞（primitive cell）晶带（zone） 点阵常数（lattice parameter）倒易空间（reciprocal space） 对称变换（symmetry translation）参考球（reference sphere） 主动操作（active operation）经线（longitude） 国际符号（international notation）赤道平面（equator plane） 点对称操作（point symmetry operation）极网（pole net） 旋转操作（rotation operation）结构基元（motif） 二次旋转轴（two - fold axe, diad）晶体几何学（geometrical crystallography） 四次旋转轴（four – fold axe, tetrad）晶体物理学（crystallographysics） 镜像（mirror image）等同点（equivalent point） 对形关系（enantiomorphic relation）点阵（lattice） 反演（inversion）初基矢量（primitive translation vector） 晶系（crystal system）复式初基单胞（multiple – primitive cell） 单斜晶系（monoclinic system）对称元素（symmetry element） 四方晶系（正方晶系）（tetragonal system）对称群（symmetry group） 六方晶系（hexagonal system）被动操作（passive operation） 熊夫利斯符号（Schoenflies notation）点阵有心化（centering of lattice） 恒等操作（单位操作）（identity）面心化（face centering） 旋转轴（rotation axe）单面心化（one – face centering） 三次旋转轴（three – fold axe, triad）晶向（crystal direction） 六次旋转轴（six – fold axe, hexad）晶向（方向）指数（crystal – direction indice）镜面（mirror plane）晶面族（form of crystal - plane） 同宇（congruent）倒易点阵（reciprocal lattice） 旋转反演（rotation - inversion）极射赤面投影（stereographic projection） 三斜晶系（triclinic system）参考网络（reference grid） 正交晶系（斜方晶系）（orthogonal system）纬线（latitude） 立方晶系（cubic system）吴氏网（Wulff net） 菱方晶系（rhombohedral system）标准投影网（standard projection） 晶体结构 晶体结构（crystal structure）鲍林规则（Pauling’s rule） 结构符号（structure symbol）氧化物结构（oxide structure）
803《材料科学基础》复习大纲 一、考试的基本要求 要求学生比较系统地理解和掌握材料科学基础的基本概念和基本理论， 掌握晶体结构、结晶化学、晶体结构缺陷的基本概念和基础理论；掌握玻璃体、表面与界面的基本理论与基本概念；熟悉相平衡图的基本概念，掌握相图的应用，能进行相图的分析，能进行材料配料区的选择；掌握扩散、固相反应、相变和烧结等高温过程动力学的基本理论与基本概念；具备一定的分析和解决实际问题的能力。 二、考试方式和考试时间 闭卷考试，总分150，考试时间为3小时。 三、参考书目（仅供参考） 《无机材料科学基础》，张其土主编，华东理工大学出版社，2007年 《材料科学基础》，张联盟等编，武汉理工大学出版社，2008年 四、试题类型： 主要包括填空题、选择题、是非题、计算题、论述题、相图分析等类型，并根据每年的考试要求做相应调整。 五、考试内容及要求 第一部分晶体结构基础 掌握：晶体的基本概念与性质，单位平行六面体的划分原则，晶体的对称要素、点群、结晶符号，晶体化学的基本原理，晶体的宏观对称，晶体的微观对称，晶胞的概念，空间群的概念，球体紧密堆积原理；以及NaCl结构、萤石结构、金红石结构，刚玉结构、钙钛矿结构、尖晶石结构，硅酸盐结构与分类，层状硅酸盐结构等典型的晶体结构类型。 熟悉：晶体的宏观对称，晶体的微观对称，晶胞的概念，空间群的概念，球体紧密堆积原理，NaCl结构、萤石结构、钙钛矿结构、尖晶石结构和层状硅酸盐结构，离子晶体结构中负离子的堆积方式、正离子的配位数、正离子占据的空隙位置。
第二部分晶体结构缺陷 掌握：点缺陷的概念与类型，热缺陷的分类，热缺陷浓度的计算，固溶体的概念与分类，能熟练书写缺陷化学反应方程式和相应的固溶式，形成连续置换型固溶体的条件，组份缺陷的形成原因，非化学计量化合物的概念与分类，间隙型固溶体的形成规律，固溶体的研究方法，位错的基本概念，刃位错与螺位错。 熟悉：点缺陷的概念与类型，固溶体的概念与分类，能熟练书写缺陷化学反应方程式和相应的固溶式，形成连续置换型固溶体的条件，组份缺陷的形成原因，刃位错与螺位错。 第三部分非晶态固体 掌握：熔体的概念，粘度的概念，玻璃的通性，玻璃态物质的形成方法，玻璃形成的热力学观点和动力学手段，形成玻璃的结晶化学条件，玻璃的结构，硅酸盐玻璃的结构特征和玻璃结构参数的计算，硼酸盐玻璃。 熟悉：玻璃的结构，粘度的概念，形成玻璃的结晶化学条件，玻璃结构参数的计算。 第四部分材料的表面与界面 掌握：固体的表面力场、晶体的表面结构，固体表面的双电层对表面能的影响，弯曲表面效应，润湿与粘附的概念与特点，表面粗糙度对润湿的影响，界面行为，晶界结构与分类，多晶体的组织；粘土的荷电性，粘土的离子吸附与交换，粘土胶体的电动性质，粘土泥浆的流动性和稳定性，粘土泥浆发生触变性的条件，粘土具有可塑性的原因。 熟悉：固体表面的双电层对表面能的影响，润湿与粘附的概念与特点，表面粗糙度对润湿的影响，粘土的荷电性，粘土泥浆的流动性和稳定性。 第五部分相图 掌握：相图的基本知识，水型物质与硫型物质，单元系统相图，可逆与不可逆多晶转变的单元相图，二元系统相图的特点，二元相图的分析，三元系统相图的特点、杠杆规则、连线规则、切线规则、重心规则、三角形规则等，三元相图的分析与析晶路程。 熟悉：可逆与不可逆多晶转变的单元相图，三元系统相图的特点，三元相图的分析与析晶路程。