一、 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1
中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。
A.D1导通，D2截止，0.7V O
U = B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =- C.D1截止，D2截止，12V O U = D.D1导通，D2导通，0.7V O
U =
2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和
管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。
A. 饱和；底部
B. 饱和；顶部
C. 截止；底部
D. 截止；顶部
3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=，
bb'200r =Ω，正弦交流输入电压i 0.022sin t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。
A ．o 22sin()u t ωπ=+
B ．o 22sin()u t ω=
C ．o 42sin()u t ωπ=+
D ．o 42sin()u t ω=
4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。
5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时，
下列描述正确的是（ ）。
A ．o U 滞后i U 45?
B ．o U 滞后i
U ?135 C ．o U 超前i
U ?45
D ．o U 超前i
U 135? 6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10ui F k =Ω，开环输入电阻
5.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻if
R '=（ ）。 A. 500k Ω；
B. 50k Ω；
C.50Ω；
D. 5Ω
7． 如下图4所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值
为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。 A. 电路正常工作 B. 电容C 开路
C.负载R L 开路
D. 电容C 和二极管D 1同时开路
图4
二、填空题（8~15每小题2分，共16分）
i u +-
c R L R 3k Ω
2
C +
(12V)+CC V 图2
+1
C 3k Ω
b R O u +
-
图1
D1
D212V
+_
U O 6V
3k Ω
8． 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V ，将它们并
联可以得到两种稳压值 ， 。
9． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.7V 、15V ，据此可
判定BJT 为 型三极管，其三个电极分别为：①为 极，②为 极，③为 极.
10． 在三种组态（共基、共射、共集）放大电路中，带负载能力最强的为 组态；输
入电阻最低的为 组态。
11． J-FET 构成的共源放大电路如图5(a)所示，其转移特性如图5(b)所示，则静态时
GSQ U = ，漏极电流DQ I = 。
12． 图5(a)所示电路中，已知J-FET 的低频跨导1m g mS =，漏极电阻d R 及放大电路的负载
L R 均为5k Ω，则放大电路的电压增益u A = ，输入电阻i R = 。
13． RC 耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率L f 将 ，放大电路
通频带BW 将 。
14． 在四种类型(低通、高通、带通、带阻)滤波电路中，若已知输入信号的频率为20-20kHz ，
为了防止干扰信号混入，应选用 滤波电路；为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应选用 滤波电路。
15． 在图6所示为基本串联型稳压电源中，如果输出电压o
U 的变化范围是9~18V ，1231k R R R ===Ω，则么
z U =_____ V ；如果考虑电网的电压波动为10%±，CES U =3V ，I U 至少选取_____ V 。
图6
三、 分析计算题（共70分）
16. （10分）电路如图题16，所有电容对交流信号均可视为短路。二极管D 的导通压降
为on U ，其交流等效电阻为d r ：三极管T 的BEQ U 和β参数以及热力学电压T U 为已知。 （1） 求三极管T 和二极管D 的静态电流CQ I 和DQ I （写出表达式）； （2） 求电压放大倍数u A 、输入电阻i R 、输出电阻o R （写出表达式）； （3） 当电压V 增大时，调节电压放大倍数||u A 增大还是减小？请说明原因.
图题16
17. （12分）电路如图题17所示，所有晶体管均为硅管，β均为100，'
200bb r =Ω，静态
时0.6V BEQ U ≈。试求：
(1) 静态时1T 、2T 管和T 3的集电极电流I C1、I C2、I C3；
(2) 若静态时0=O u ，求电路的输入电阻i R ，输出电阻o R 和电压增益u o i A U U =.
图题17
18. （8分）电路如图题18，已知 5,5,10.gs gd m s C C pF g mS C F μ====试求 L H f f ，各
约为多少，并写出当信号频率为0~∞时源电压增益us o s A U U = 的表达式。
图题18
19． （10分）在如图题19所示电路中，已知15V CC V ±=±，T1、T2的饱和管压降
1V CES U =，集成运放的最大输出电压幅值为13V ±，二极管的导通压降可忽略。试
回答：
（1）D1、D2的作用是什么？
（2）若输入电压幅度足够大，则电路的最大不失真输出功率P om 为多少？
（3）为了提高输入电阻，稳定输出电压，应引入哪种组态的交流负反馈？请在图中标出连接方式。
（4）若输入电压有效值0.1V i U =时，输出电压有效值为10V o U =，求反馈电阻f R 的值。
图题19
20． （10分）请用一个运算放大器设计一个加减运算电路，要求12381020o i i i u u u u =+-，
反馈电阻f R 选取240k Ω。试按要求画出电路图并求出相关电阻的阻值。 21． （4分）电路如图题21所示，已知12R R =，试说明该
电路实现什么功能，并求解输出O u 与输入I u 之间的运算关系式：()?O I u f u ==
图题21
22． （6分）电路如图题22所示：
（1）为使电路产生正弦波振荡，试在图中标出集成运放的“+”
和“﹣”端。
（2）为使电路产生正弦波振荡，接入电路部分w
R '下限值应为多少； （3）已知2R 在0~100k Ω可调，试求电路振荡频率的调节范围。
图题22
23． (10分)图题23所示电路，已知1O u 和
2O u 的峰-峰值均为12V ，二极管均为
理想二极管。试求：
（1）稳压管稳压值z U 和4R 的阻值； （2）定性画出1O
u 、2O u 的波形图；
500ΩO
i
A 1
C
0.02μF
u O1R 1R 2
U Z
10k Ω
R 3
R 5R 4
u O2
A 2
D Z D 1D 2
2020年下半年度模拟电子技术基础作业 1．集成运算放大器的基本组成有哪几个部分？并详细介绍各部功能及主要作用。 答：由输入级、中间级、输出级三部分组成。作用如下： 输入级：采用差分放大电路以消除零点漂移和抑制干扰。 中间级：一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益。 输出级：一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。 2.测得放大电路中两个三极管中的两个电极的电流如图1 试求： ①另外一个电极电流的大小，并确定各电极的管脚。 ②判断是NPN 型管还是PNP 型管。 ③估算β值。 解：根据三极管电流关系I E = I C +I B ，I E >I C >>I B I E ≈I C ；确定①脚是基极；②脚是发射极， ③脚是集电极 I E = I C +I B =1.86+0.03=1.89mA 发射极电流方向是流出。 根据管脚电流与方向确定NPN 型管 Β= I C / I B =1.86/0.03=61 图1 三极管管脚示意图 3电路如图2所示，参数选择合理，若要满足振荡的相应条件， (1)将其正确连接成 RC 桥式振荡电路。 （2）已知电路参数R=7.5K Ω，C 1=C 2=0.02μF,R 2=50 K Ω,估算振荡频率。 （3）已知电路参数R 2=50 K Ω,为保证电路起振，电阻R 1如何选取？ 解：5与7相连，3与1相连，4与2 相连，可组成RC 桥式振荡电路。 如图所示： （2）f o =2πRC =2×3.14×7.5×103×0.02×10?6=1 0.942×10?3≈1.06KHz （3）根据RC 桥式振荡电路的起振条件 R 2>2R 1 50>2R 1 25KΩ>R 1 图2 振荡器电路图
华南理工大学期末考试 《 模拟电子技术 》试卷A （电类07级，2009.07.06） 一、选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1 中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。 A.D1导通，D2截止，0.7V O U = B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =- C.D1截止，D2截止，12V O U = D.D1导通，D2导通，0.7V O U = 2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和 管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 饱和；底部 B. 饱和；顶部 C. 截止；底部 D. 截止；顶部 3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=， bb'200r =Ω ，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ） 。 A ．o )u t ωπ=+ B ．o )u t ω= C ．o )u t ωπ=+ D ．o )u t ω= 4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。 （A ）（B ）（C ）（D ） 5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时， 下列描述正确的是（ ）。 A ．o U 滞后i U 45? B ．o U 滞后i U ? 135 C ．o U 超前i U ?45 D ．o U 超前i U 135? 6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10ui F k =Ω，开环输入电阻 图1
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
云南师范大学2006—2007学年上学期期末考试 《模拟电子技术基础》试卷 1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 2、稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 4、（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5、U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 7、选用差分放大电路的原因是。 A.克服温漂 B.提高输入电阻 C.稳定放大倍数 8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。 A.差 B.和 C.平均值 9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 10、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 11、交流负反馈是指。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中的负反馈 12、功率放大电路的转换效率是指。 A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 13、整流的目的是。
第1章常用半导体器件 A. C. A. C. A. C.
答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。 A.最大值为40V，最小值为0V B.最大值为40V，最小值为+10V C.最大值为10V，最小值为－40V D.最大值为10V，最小值为0V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：D 问题解析：
6. 稳压管的动态电阻rZ是指( )。 A.稳定电压与相应电流IZ之比 B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值 C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 7.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。 A.PNP管的集电极 B.PNP管的发射极 C.NPN管的发射极 D.NPN管的基极 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A. C. A. C.
C.发射结、集电结均正偏 D.发射结正偏、集电结反偏 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 3.晶体管的电流放大系数是指( )。 A.工作在饱和区时的电流放大系数 B.工作在放大区时的电流放大系数 C.工作在截止区时的电流放大系数 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。 A. B. C. 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
一、 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1 中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。 A.D1导通，D2截止，0.7V O U = B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =- C.D1截止，D2截止，12V O U = D.D1导通，D2导通，0.7V O U = 2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和 管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 饱和；底部 B. 饱和；顶部 C. 截止；底部 D. 截止；顶部 3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=， bb'200r =Ω，正弦交流输入电压i 0.022sin t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。 A ．o 22sin()u t ωπ=+ B ．o 22sin()u t ω= C ．o 42sin()u t ωπ=+ D ．o 42sin()u t ω= 4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。 5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时， 下列描述正确的是（ ）。 A ．o U 滞后i U 45? B ．o U 滞后i U ?135 C ．o U 超前i U ?45 D ．o U 超前i U 135? 6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10ui F k =Ω，开环输入电阻 5.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻if R '=（ ）。 A. 500k Ω； B. 50k Ω； C.50Ω； D. 5Ω 7． 如下图4所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值 为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。 A. 电路正常工作 B. 电容C 开路 C.负载R L 开路 D. 电容C 和二极管D 1同时开路 图4 二、填空题（8~15每小题2分，共16分） i u +- c R L R 3k Ω 2 C + (12V)+CC V 图2 +1 C 3k Ω b R O u + - 图1 D1 D212V +_ U O 6V 3k Ω
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图
1 《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案（A ） 一、填空（18分，每空1分） 1、实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证发射结正偏 ；而集电结 反偏 。 针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 3、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。 4、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、选择正确答案填空（20分 每空2分） ADCDA DBDCC 三. （15分）解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+= ≈+-==?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω ≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV 26)1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥ （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，e f 'L R R R A u +-≈ ≈－1.92。 四. （4分）解：（a ）可能 （b ）不能 五. （20分）7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω 六.（15分） 8o 2 13i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-?-=∥∥∥∥β
教材模拟电子技术基础（第四版）清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章半导体器件 1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。 (a)变宽(b)变窄(c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有( b )。 (a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。 (a)正向电压大于PN结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图 1所示，设D1，D2均为理想元件，已知输入电压u i=150sintV如图2所示，试画出电压u O的波形。 D1D2 + + u i/V 150 40k 40k u O u I + + 20V 100V t - - - - 图1 图2 u i/V 150 100 60 0 t u i/V 100 60
0 t 答：
5电路如图1所示，设输入信 号uI1,uI2的波形如图 2所示，若忽略二极管的正向压降，试 画 出输出电压u O的波形，并说明t 时间内二极 管D，D 2 的工作状态。 1, t2 1 u I1/V D1 2 uI1 + 0 t1 t D2 t2 R L u I2 uO -2 u I2/V - 2 图1 0 t -2 图2 答： u O/V 0t1 t t2 -2 t1:D1导通，D2截止t2:D2导通，D1截止 第2章基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。 + U CC+ U CC + + + + + + + u o + u i u i u o -- - - (a) (b ) + U CC+ U CC + + + + + + + +
《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 .专业.整理.
6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短 路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 .专业.整理.
采取什么措施? .专业.整理.
.专业.整理. 2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场 效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路；
201405043963005 李实槟 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有( b )。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。 (a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。 D D u O + - 图1 图2 答案
u i u i 5电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。 u I2 D 1 图1 图2 u I1u 答案 t 1:D 1导通，D 2截止 t 2:D 2导通，D 1截止
第2章 基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。 U o CC U CC U (c) (d) - o u o 2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。 (a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω V 3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =07，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。
自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档
《模拟电子技术》随堂练习参考答案 1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。 A.带负电 B.带正电 C.不带电 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。 A.变窄 B.变宽 C.不变 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。 A.增大 B.不变 C.减小 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V 的电路是( )。 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0V B.最大值为40V，最小值为+10V C.最大值为10V，最小值为－40V D.最大值为10V，最小值为0V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：D 问题解析： 6.(单选题) 稳压管的动态电阻rZ是指( )。 A.稳定电压与相应电流IZ之比 B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值 C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。 A.PNP管的集电极 B.PNP管的发射极 C.NPN管的发射极 D.NPN管的基极 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析：
《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β
教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( B )。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有( B )。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( A )。 (a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。 D 2 D 1 u O + - 图1 图2 解：（1）ui 小于60v 时D1截止D2导通，uo=80v ； （2）ui 大于60v 小于100v 时D1、、D2都导通，uo=ui ； （3）ui 大于100v 时D1 导通D2截止，uo=100v 。
5电路如图1所示，设输入信号u I1, u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画 出输出电压u O的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。 u I2 D 1 图1 图2 u I1 u 解：t1:D1导通，D2截止 t2 :D2导通，D1截止
1下列电路中能实现交流放大的是图( B )。 U o CC U CC U (c) (d) - o u o 2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( A )。 (a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω V 3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( A )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =07，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。
试题卷2 2004/2005学年第一学期模拟电子技术期末考试试题卷（A） 适用班级03301/2/3/4/7/8/9/10 考试时间 一、判断下列说法是否正确，在括号内填入“√”或“×” 表示判断结果（20分）（1）如果在本征半导体中掺入三价元素，可将得到N型半导体。（）（2）二极管的正向导通时，直流电阻大于交流电阻。（） （3）N沟道结型场效应管外加的UGS<0时，将可工作于放大状态。（） （4）当温度升高时，三极管许多参数都将变化，最终表现放大能力将提高。（）（5）三极管放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）（7）将两个空载时Au1＝Au2＝-20共射放大电路级联，总的Au＝400。（）（8）若放大电路引入深度电压串联负反馈，则电压放大倍数可稳定不变。（）（9）若放大电路引入深度电流串联负反馈，则电压放大倍数可稳定不变。（）（10）集成运放构成的电路引入负反馈,都可用“虚短”和“虚断”的概念分析。（）二、选择正确答案（字母代号）填入空内(20分) （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变（2）三极管工作在放大区时，发射结和集点结的偏置电压应为（）。 A. 二者均反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 二者均正偏（3）测得某放大电路中三极管的基极电流从12μA变为22μA时，集电极电流从1mA变为2mA，则它的β约为（）。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）集成运算放大器采用直接耦合方式的原因是（）。 A. 便于设计 B. 放大交流信号 C. 不易制作大容量电容（5）集成运算放大器输入级采用差动放大电路的原因是（）。 A. 提高放大倍数 B. 提高输入电阻 C. 克服温度漂移（6）放大电路在高频放大倍数数值下降的原因是（）。 A. 电路中有耦合电容 B. 三极管存在极间电容 C. 三极管非线性 与的相位差为（）（7）对于单管共射放大电路，当时，U。 A. ＋45o B. －90o C. －135o oi （8）欲将方波电压信号转换成三角波电压信号，应采用（）。 A. 基本放大电路B. 比例运算电路 C. 积分运算电路（9）制作20HZ～20kHZ的音频信号发生器，应采用（）。 A . RC桥式正弦波振荡器 B. LC正弦波振荡器 C. 石英晶体振荡器 （10）若单相桥式整流电容滤波电路中，变压器副边电压为有效值为10V，则正常工作时输出电压平均值UO (AV)可能的数值为（）。 A. 14V B. 12V C. 9V D. 4.5V
实验报告简要分析及参考答案 以下为简要分析，答题时请详细规范作答—— 实验一仪器的使用 P178：交流毫伏表的使用 （1）将信号发生器输出值与毫伏表测量值相比较，得到的结论是：信号发生器输出的电压是用峰峰值表示的，而毫伏表测量的电压是用有效值表示的，正弦波峰峰值电压是有 效值电压的 （2）用毫伏表的MANU和AUTO模式测量信号发生器的输出电压，其不同之处是：用MANU 模式测量时要把量程旋钮置于合适的量程才能显示正确的测量电压；AUTO模式则自动显示测量电压。 P178：思考题 1． 因为交流毫伏表的电压测量范围为100U A～300V，它能感应并测量仪器周围很微弱的干扰信号，所以交流毫伏表一接通电源显示屏上就有数码显示。 2． 图（a）：（1）调节触发方式选择开关在AUTO状态； （2）调节垂直位移旋钮在适当的位置； （3）调节亮度旋钮在适当的位置。 图（b）：（1）T/DIV旋钮不要置于X-Y显示方式； （2）扫描时间选择旋钮的扫描频率不要选得太高， 图（c）：调节聚焦和垂直位移旋钮在适当的位置。 3． 示波器的红夹子应于毫伏表测试线上的红夹子相接，示波器的黑夹子应于毫伏表的黑夹子相接。如果互换使用将引入干扰，产生较大的测量误差，甚至不能测量。原因参阅课本P10。 实验二元件的识别与测量 P180 4.（2） 用两手抓住表笔捏紧电阻两端测量其阻值,相当于把人体的电阻与所测电阻并联，所测电阻越大，影响越大，测量值越小。 P181 6（2） 用×100Ω档测出的阻值小，而用×1KΩ档测出的阻值大。因为万用表不同的欧姆档流出的电流不同，×100Ω档时流出的电流大，×1KΩ档时流出的电流小。 当用不同的欧姆档测量同一只二极管时，由于二极管是非线性元件，等效电阻不是一
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri 6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复 合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A．基本共射放大电路B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路B．微分运算电路C．过零比较器D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的b1 、rbe1，V2的b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。