一、简答
1、肖特基接触、欧姆接触
2、Pn 结作用、异质PN 结、同质PN 结区别
3、费米能级、判断杂质类型、掺杂浓度
4、PN 结激光器实现粒子数反转
5、光电导
二、Si 、GaAs 、GaN 晶体结构、能带特点、物理性质、应用。 三、霍尔效应，........ 证明R H =
四、Xy 方向自由，z 方向为无限深势阱1,、求本征能量2、能态密度3、如果三个方向都无受到限制，则1、本征能量 2、能态密度改变？
五、GaAs ，次能、最低能谷。。。。有效质量性质和意义，有效质量大小比？ 2014 一、简答
1、以GaAs 为例说明几种散射机制？与温度关系？
2、迁移率μ，电导σ，H μ区别
3、PN 结光生伏特效应？光电池？画I-V 曲线？
4、Si 、GaAs 、GaN 晶体结构、能带特点、物理性质、应用。
5、温度太高。破坏晶体结构？ 二、导体、半导体、绝缘体能带论
三、掺杂质。。。求E ？已知j p n μμρ,i ，。。。
四、轻空穴、重空穴有效质量及图，等能面为球面，E=(....)m
22
。。。。
一、Si 、GaAs 、GaN 晶体结构、能带特点、物理性质、应用。 1、晶体结构：
Si 是金刚石结构，由面心立方中心到顶角引8条对角线，在其中互不相邻的4条对角线上中点放置一个原子，对角线上的4个原子与面心和顶角原子周围情况不同，是单原子复式格子。
GaAs （III-V ）闪锌矿结构（立方对称性），与金刚石结构相仿，只是对角线上的原子与面心和顶角上的原子不同，（极性半导体/共价性化合物半导体）。 GaN 是纤锌矿结构（六方对称性，以正四面体为基础） 2、能带特点：
Si 的导带极小值在K 空间<1 0 0>方向，能谷中心与 点距离是X 距离的
6
5
，共有6个等价能谷，形状为旋转椭球。价带在布里渊区中心是简并的，有重空穴、轻空穴、自旋耦合分裂三个能级。导带底和价带顶在K 空间不同点，属于间接禁带半导体。
GaAs导带等能面为球面，导带极小值位于布里渊区中心K=0处，但在<100><111>方向还有极小值。价带在布里渊区中心是简并的，有重空穴、轻空穴、自旋耦合分裂三个能级。导带底和价带顶都在K=0，直接带隙半导体。
GaN：第一布里渊区是正六角柱体，导带底和价带顶都在K=0，直接带隙半导体，为宽
禁带半导体材料。导带在k
x 、k
z
方向还有极小值，价带在布里渊区中心是简并的，有重
空穴、轻空穴、自旋耦合分裂三个能级。
3、物理性质
Si GaAs GaN
禁带宽度（ev） 1.1 1.4 3.4
饱和速率（×10-7cm/s） 1.0 2.1 2.7
热导（W/c·K） 1.3 0.6 2.0
击穿电压（M/cm）0.3 0.4 5.0
电子迁移速率（cm2/V·s）1350 8500 900
4、应用
Si 间接带隙，复合几率小，用于电子器件，双极器件，（晶体管、集成电路、整流器、晶闸管、太阳能电池等）技术成熟，成本低。
GaAs直接带隙，电子迁移率是硅的6倍多，多用于光电子器件，红外发光GaN带隙宽、热导率高，适用于高功率、高温、高频、蓝绿光、紫外光的发光器件和探测器件。
半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，
支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。 二、有效质量的意义
晶体中的电子在受外力作用下运动时，还受到晶格（内部原子和其他电子势场）的作用，电子加速度是半导体内部势场和外力作用的综合效果。内部势场具体形式很难求出，引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决外力作用运动规律时，可以不涉及内部势场作用。有效质量可直接由实验测定。有效质量与准动量都是人为定义的，用来描述晶体中电子的粒子性。用这些概念，处理晶体中电子的输运问题，可以把布洛赫电子看成是具有质量m*、动量为k 的准电子，使我们能够只考虑外力作用下这样的准电子的运动。由于通常晶体周期场的作用是未知的，也不象外力那么容易求出，所以引入这两个量，给处理问题带来很大的方便。 三、晶体中电子的有效质量为什么可能为负值？ 甚至还会变成无穷大呢？
设电子与晶格之间的作用力为l F ，则牛顿定律简单记为)(1l F F m
a
+=
但是l F 的具体表达式是难以得知的，要使上式中不出现l F
又要保持式子恒等，上式只
好写成F m
a
*=1也就是说电子的有效质量m*本身已概括了晶格的作用。
二式比较得m
t
F m t F m t F l d d d
+=*将冲量用动量的增量来代换，上式化为：
[[]电子给予晶格的外力给予电子的晶格给予电子的外力给予电子的)()(1])()(1P P m
P P m m p ?-?=?+?=?*从上式可以看出，当电子从外场获得的动量大于电子传递给晶格的动量时，有效质量m*>0；当电子从外场获得的动量小于电子传递给晶格的动量时，m*<0；当电子从外场获得的动量全部交给晶格时，m*→∞，此时电子的平均加速度为零。 四、回旋共振测有效质量
在恒定外磁场作用下，晶体中电子或空穴做螺旋运动，回转频率*=
m
B
q 0ω。若在垂直磁场方向加上频率为ω的交变电场，当0ωω=，交变电场的能量将被电子共振吸收，这个现象称为回旋共振。从量子理论的观点，相当于实现了电子在朗道能级上的跃迁。回旋共振测定了许多半导体材料导带底和价带顶附近的有效质量。
西安电子科技大学2018考研大纲：半导体 物理与器件物 出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新! 西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础 “半导体物理与器件物理”(801) 一、 总体要求 “半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。 “半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。 “器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理
论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。 “半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。 二、 各部分复习要点 ●“半导体物理”部分各章复习要点 (一)半导体中的电子状态 1.复习内容 半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。 2.具体要求 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 本征半导体的导电机构
博士新生须知 *博士新生报到手续流程： 一、要交的材料： 1）报到时须提供毕业证书、学位证书原件。 2）定向博士生交财务室培养费1.5万元，凭收据领取学生证。 3）户口迁移证或户口卡交研究生部，户口迁移地址：北京市海淀区中关村南一条三号。户口迁移本着自愿的原则。 3）办理户口迁移的同学入学后需办理二代身份证，本市转入情况除外。 4）新生党员交组织关系介绍信。 二、要领取材料： 1）领新学生证，填好后交回，要及时写上自己的学号。上面的毕业时间可先空着； 2）领《学生必读》手册、学术道德读本等材料； 3）银行卡领取； 三、要做的事情： 1）到429房间找杨老师办理住宿手续。 2）到图书馆办理借书证。 3）办理进入所内网的手续：先打开心理所网站页面，可用本课题组同学的用户名、密码进入内网，然后开通自己的注册号。注意:注册
时要用本所的邮箱号。 4）要参加开学后的入所教育和心理测查。 5）9月初会进行网上（登录“中国科学院大学教育业务管理平台”https://www.doczj.com/doc/1815452353.html,,用户名为学号，初始密码为18位身份证号码）选课（英语、政治课），如果有疑问，请拨打88256622进行咨询。注意：一定要在选课时间开始前登录成功，以便能及时选定适合自己的上课时间。上课地点要选中关村，选课尽量选有班车的那天。 6）除英语、政治外，还有两门专业课。 一门是基础理论课——实验心理学方法与进展（博导论坛）：每周一次，共10次左右。课程结束后交一篇文章给自己的导师，请导师评分（百分制）并签名，作为课程成绩。 另一门导师开的专业课，也要交一篇文章给导师，也请导师打分（满分100分）、并签上导师的名字，然后把作业及填写好的《研究生课程（本所开设部分）考核成绩单》（2份）交研究生部。 注意：<1>研究生课程（本所开设部分）考核成绩单可在所内网—办事流程—研究生部中下载。课程名称：a)实验心理学方法与进展、b)导师开的专业课（自定题目）；学时：60学时；学分：都是2学分。 <2> 交作业的最晚时间：第三年开学时 <3> 可用已经发表文章作为作业让导师评分。 7）毕业要达到的要求请查阅：所内网—规章制度—博士生培养方案，注意所内网—办事流程—研究生部中的内容。
中国科学院大学 2013年少数民族高层次骨干人才计划硕士研究生招生简章中国科学院不仅是我国规模最大、学科最全、实力最强的自然科学与高技术综合性国立研究机构，也是国家培养高级人才的重要基地。中国科学院大学拥有强大的导师队伍、一流的科研条件和优良的学术氛围，具有培养研究生的独特优势，能为学生提供追求卓越人生、实现心中梦想的成才环境。 少数民族高层次骨干人才研究生招生计划是国家定向培养专项招生计划。2013年，我校将提高“少数民族高层次骨干人才计划”招生数量在我校研究生招生总量中的比例，预计招收该专项计划硕士研究生100名左右。中国科学院各研究所、各院系，均可在其招生专业目录中公布的所有专业范围内接收“少数民族高层次骨干人才计划”考生。请符合报考条件的考生，及时到中国科学院大学招生信息网查看招生单位和学科专业信息，并尽快与有关研究所或院系负责招生的老师联系报考事宜。中国科学院大学2013年硕士研究生招生概况和具体要求请参阅《中国科学院大学2013年招收攻读硕士学位研究生简章》。 一、培养目标 培养拥护党的领导和社会主义制度、坚定地维护民族团结和国家统一、为西部大开发和民族地区的发展乐于奉献、具有较高科学人文素质和创新能力的少数民族高层次骨干人才。 二、招生范围与对象 “少数民族高层次骨干人才”的招生生源范围是西部12省、自治区、直辖市，海南省，新疆生产建设兵团，河北、辽宁、吉林、黑龙江4省民族自治地方，湖南湘西自治州、张家界（享受西部政策的一县两区）、湖北恩施自治州等地区的少数民族骨干人才，以及内地西藏班、内地新疆高中班、民族院校、高校少数民族预科培养基地和民族硕士基础培训基地等学校和培训机构的教师和管理人员。主要考虑少数民族考生。 三、招生原则 “少数民族高层次骨干人才”的招生工作实行“定向招生、定向培养、定向就业”和“自愿报考、统一考试、适当降分、单独划线、择优录取”的原则。学生毕业后，按协议回定向地区和单位就业。其中，在职考生回原单位；非在职考生(含应届本科毕业生)回定向省、自治区、直辖市就业。 四、报名与考试 （一）报考条件 除具《中国科学院大学2013年招收攻读硕士学位研究生简章》中规定的普通硕士研究生报考条件外，还应具备如下条件： 1．拥护中国共产党的领导，拥护社会主义制度，维护国家统一和民族团结，立志为西部大开发和民族地区发展服务。
1.布喇格定律（相长干涉）：点阵周期性导致布喇格定律。 2.晶体性质的周期性：电子数密度n(r)是r的周期性函数，存在 3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。 3.倒易点阵： 4.衍射条件：当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时，散射振幅 达到最大 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）简化为： 当电子波矢为±π/a时，描述电子的波函数不 再是行波，而是驻波（反复布喇格反射的结果） 5.布里渊区： 6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。 7.简单立方点阵的倒易点阵，仍是一个简立方点阵，点阵常数为2π/a，第一布里渊区是个以原点为体心，边长为2π/a的立方体。 体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵，第一布里渊区是正菱形十二面体。面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵，第一布里渊区是截角八面体。 8.能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。（边界处布拉格反射形成驻波，造成能量差）
9.第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 绝缘体：至一个全满，其余全满或空（初基晶胞内的价电子数目为偶数,能带不 交叠）2N. 金属：半空半满 半导体或半金属：一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余全满 （半金属能带交叠） 10.自由电子： 11.半导体的E-k关系： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) ---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。 代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11 13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离 ---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。 它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11 半导体物理考试重点 题型：名词解释3*10=30分；简答题4*5=20分；证明题10*2=20分；计算题15*2=30分 一．名词解释 1、施主杂志：在半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。 2、受主杂志：在半导体中电离时，能够释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心的杂质称为受主杂质。 3、本征半导体：完全不含缺陷且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。实际半导体不可能绝对地纯净，本征半导体一般是指导电主要由本征激发决定的纯净半导体。 4、多子、少子 （1）少子：指少数载流子，是相对于多子而言的。如在半导体材料中某种载流子占少数，在导电中起到次要作用，则称它为少子。 （2）多子：指多数载流子，是相对于少子而言的。如在半导体材料中某种载流子占多数，在导电中起到主要作用，则称它为多子。 5、禁带、导带、价带 （1）禁带：能带结构中能量密度为0的能量区间。常用来表示导带与价带之间能量密度为0的能量区间。 （2）导带：对于被电子部分占满的能带，在外电场作用下，电子可以从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成电流，起导电作用，常称这种能带为导带 （3）价带：电子占据了一个能带中的所有的状态，称该能带为满带，最上面的一个满带称为价带 6、杂质补偿 施主杂质和受主杂质有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。 7、电离能：使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为电离能 8、（1）费米能级:费米能级是绝对零度时电子的最高能级。 （2）受主能级：被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级 （3）施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级 9、功函数：功函数是指真空电子能级E0 与半导体的费米能级之差。 10、电子亲和能：真空的自由电子能级与导带底能级之间的能量差，也就是把导带底的电子拿出到真空去而变成自由电子所需要的能量。 11、直/间接复合 （1）直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的复合，称为直接复合。 （2）间接复合：电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行的复合方式称为间接复合。 12、（1）非平衡载流子：半导体中比热平衡时所多出的额外载流子。 （2）非平衡载流子的寿命：非平衡载流子的平均生存时间。 13、载流子热运动 14、小注入条件：当注入半导体材料的非平衡载流子的浓度远小于平衡时多数载流子的浓度时，满足这个条件的注入称为小注入。 15、（1）载流子迁移率：单位电场强度下载流子所获得的平均漂移速率。 （2）载流子产生率：单位时间内载流子的产生数量 16、深/浅能级 （1）浅能级杂质：在半导体中，能够提供能量靠近导带的电子束缚态或能量接近价带的空穴束缚态的杂质称为浅能级杂质。（2）深能级杂质：在半导体中，能够提供能量接近价带的电子束缚态或能量接近导带的空穴束缚态的杂质称为深能级杂质。17、同/异质结 （1）同质结：由同一种半导体材料形成的结称之为同质结，包括结、结、结。 （2）异质结：由不同种半导体材料形成的结称之为异质结，包括结、结、结、结。 中国科学院城市环境研究所 2010年博士研究生招生简章 中国科学院城市环境研究所是中国科学院与**市共建的城市生态环境与高技术交叉领域的研究所。研究所位于美丽的南方海**市——**市。 一、研究所的主要任务 1. 面向国家城市化发展过程中的生态环境保护等重大战略需求，面向国际城市生态科学和环境科学与技术的发展前沿，重点在城市生态、环境与健康，城市环境治理技术，环境治理工程与循环经济，城市规划与环境政策等领域，开展相关理论研究、关键技术研发与系统集成和工程示范。 2. 建立符合科技创新规律的现代研究所制度，建立有利于知识转移与技术转化的管理机制，建立与区域创新体系各单元联合合作的有效方式，建立面向城市生态与环境科技发展的公共技术研发平台，成为区域创新体系的有机组成部分，提升区域自主创新能力，带动区域相关产业发展，培育新兴产业。 3. 结合重大科技任务引进人才，结合科技创新实践培养人才，结合知识技术转移转化向社会输送人才，结合区域经济社会发展需求培训人才，成为城市生态与环境研究领域人才高地，成为区域创新创业人才培养高地。 二、研究所的发展目标 拥有一支结构合理、创新能力卓越的研发队伍，运行管理体系先进高效，产生的基础性战略性研究成果得到国际同行的广泛认同，产生的先进技术及科技成果被广泛接受与应用，培养的专门人才得到社会广泛认同与欢迎，成为紧密围绕国家与区域发展战略需求、在国际同领域有相当影响、基础研究前沿探索与应用技术研发并举的高水平研究机构。 三、招生计划 中国科学院城市环境研究所2010年博士研究生招生专业为环境科学、环境工程、环境经济与 环境管理，预计招收博士研究生22名（最终录取博士研究生人数以国家下拨指标数为准）。招生工作委托中国科学院生态环境研究中心代理。 单位代码：80181 地址：**市集美大道1799号邮政编码:361021 联系部门：人教处研究生部电话：（0592）******** 联系人：XXX 网址：******/ 第一章、 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说 明之。 1-2、 试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征。 1-4、简述Ge 、Si 和GaAS 的能带结构的主要特征。 1-5、某一维晶体的电子能带为 [])sin(3.0)cos(1.01)(0ka ka E k E --= 其中E 0=3eV ，晶格常数a=5х10-11m 。求： （1） 能带宽度； （2） 能带底和能带顶的有效质量。 题解： 1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E g ）被激发到导带成 为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温 度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。 1-3、 解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的 集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A 、荷正电：+q ； B 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）； C 、E P =-E n D 、m P *=-m n *。 1-4、 解： （1） Ge 、Si: a ）Eg (Si ：0K) = 1.21eV ；Eg (Ge ：0K) = 1.170eV ； b ）间接能隙结构 c ）禁带宽度E g 随温度增加而减小； （2） GaAs ： a ）E g （300K ）= 1.428eV ，Eg (0K) = 1.522eV ； b ）直接能隙结构； c ）Eg 负温度系数特性： dE g /dT = -3.95×10-4eV/K ； 1-5、 解： （1） 由题意得： [][])sin(3)cos(1.0)cos(3)sin(1.002 2 20ka ka E a k d dE ka ka aE dk dE +=-= 一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度 第一章 半导体中的电子状态 §1.1 锗和硅的晶体结构特征 金刚石结构的基本特征 §1.2 半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动概念 绝缘体、半导体和导体的能带特征。几种常用半导体的禁带宽度； 本征激发的概念 §1.3 半导体中电子的运动 有效质量 导带底和价带顶附近的E(k)~k 关系()()2 * 2n k E k E m 2h -0= ； 半导体中电子的平均速度dE v hdk = ； 有效质量的公式：2 2 2 * 11dk E d h m n = 。 §1.4本征半导体的导电机构 空穴 空穴的特征：带正电；p n m m ** =-；n p E E =-；p n k k =- §1.5 回旋共振 §1.6 硅和锗的能带结构 导带底的位置、个数； 重空穴带、轻空穴 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 基本概念：施主杂质，受主杂质，杂质的电离能，杂质的补偿作用。 §2.2 Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级 杂质的双性行为 第三章 半导体中载流子的统计分布 热平衡载流子概念 §3.1状态密度 定义式：()/g E dz dE =； 导带底附近的状态密度：() () 3/2 * 1/2 3 2()4n c c m g E V E E h π=-； 价带顶附近的状态密度：() () 3/2 *1/2 3 2()4p v V m g E V E E h π=- §3.2 费米能级和载流子的浓度统计分布 Fermi 分布函数：()01 ()1exp /F f E E E k T = +-???? ； Fermi 能级的意义：它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。1）将半导体中大量的电子看成一个热力学系统，费米能级F E 是系统的化学势；2）F E 可看成量子态是否被电子占据的一个界限。3）F E 的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。费米能级位置较高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子。 Boltzmann 分布函数：0()F E E k T B f E e --=； 导带底、价带顶载流子浓度表达式： 0()()c c E B c E n f E g E dE '= ? 中科院博士考试心得之一：词汇记忆 众所周知，英语考试中，词汇是关键，是所有考察题目的前提。没有足够的词汇量，或者对词汇的记忆、理解不够好，直接决定了英语水平的高低，想考个好成绩更是无法谈取。所以，词汇是万里长征的第一步。 如果不幸你又选择了中科院作为博士考试的目标，嘿嘿，情况可以用“雪上加霜”来形容了。记得当年考硕士的时候，国家规定的词汇量大约是5700个（现在可能有变化，但不会很大吧），英语六级的词汇量也差不多就这些（稍有出入，但变化不大）。而中科院的英语博士入学考试词汇大纲（以北京理工大学出版社的大纲为准），包括的词汇量达到了近12000。这个数字达到了硕士英语大纲的两倍。虽然不能否认很多词汇之间有内在联系，可当我第一次拿到这个大纲的时候，我从来没见过的单词多的是。联系我们扣扣：四九三三七一六二六。电话：四零零六六八六九七八废话少说吧 第一，要有个权威的英语词汇大纲。 我选择的是北理出版社的版本，其特点是综合了历年中科院英语博士入学考试试卷中出现过的词汇，比较全面，而且有一定的针对性。在看这本书之间，建议大家可以先把六级字汇大纲，或者一些学者编写的硕士研究生入学考试字汇大纲上的所有词汇都记完。这个应该不难，大家都是过来人嘛，而且量也没那么大。 第二，第一次如何看北理版本的大纲。 这本书上会有很多字汇以前没有见过，如何把这些词汇搞明白，相当有难度。在大学时期，大家都习惯拿着词汇表，从头背到尾，也有人喜欢把词汇分成几个大块，一块一块的往下记。这是个好方法，而且也比较有效果。但对大多数的博士考生来说，缺乏基本条件。因为我们这些人要么是已经工作了，日常杂事繁多，要么正在准备硕士毕业论文，不可能拿出一上午，或者一下午的时间。我比较推荐的方法是“分而食之”。 拿出大约一周的时间，对大纲中的词汇进行甄别。自己已经知道的词汇放过，不会的词汇用红笔做个记号。然后把这些做了记号的词汇分别抄写到窄纸条上，并附上其中文意思（如果不知道怎么读，还要注明音标），最好每个词一个小条。对于有派生的词汇，可以只抄下根词，余下的可以放在以后解决。把这些小条按照字母顺序分成多个包，比如a开头的放在一起，有些词汇不多的，可以合并（大纲中，真正没有见过的词也就2000左右吧，因人而异，而派生、词组占了不少）。 在自己口袋里一次放一个包，大约会有30~60个单词吧。当你在忙于工作的间隙，或者散步的间隙…（只要是有小的时间段就可以），从口袋里摸出一个小条，快速的记下它是怎么拼写的，怎么读的，中文意思是什么，然后把纸条放在另一个口袋里。接着就可以在脑海里默记，做到会读，将来见到这个词了，能知道它的大体意思（至少它是什么性质的词）。一般来说，半天就可以解决50个生词，而且不会误工作。就靠这个方法，我在3周内，不知不觉的啃掉了大约近2000个生词。（提醒一下， 半导体物理知识点总结 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。最后，介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。 在1.1节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。（重点掌握）在1.2节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。（重点掌握）在1.3节，引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。（重点掌握）在1.4节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。（重点掌握）在1.5节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。（理解即可）在1.6节，介绍Si、Ge的能带结构。（掌握能带结构特征）在1.7节，介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs的能带结构。（掌握能带结构特征）本章重难点： 重点： 1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点； 三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。 2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同：孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动，自由电子是在恒定为零的势场中运动，而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动（共有化运动），单电子近似认为，晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期相同。 3、晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂，是形成半导体能带的原因，半导体能带的特点： ①存在轨道杂化，失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导带，下能带称为价带②低温下，价带填满电子，导带全空，高温下价带中的一部分电子跃迁到导带，使晶体呈现弱导电性。 一、选择题 1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半 导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 米能级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.· 6.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 7.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 8.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 A. 直接 B. 间接 9. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作 用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 10. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。 · A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 11. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中，AB 段代表 （ A ），CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 12. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??= i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 13. - 14. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 中国科学院计算技术研究所攻读博士学位研究生培养方案 （2010年10月） 一、培养目标 1、拥护党的基本路线和方针政策，热爱祖国，遵纪守法，具有良好的职业道德和敬业精神，具有科学严谨和求真务实的学习态度和工作作风，弘扬“科研为国分忧，创新与民造福”的价值理念。 2、掌握本学科坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识；具有严谨的治学态度、理论与实践相结合的科学方法和作风；熟练掌握一～两门外国语。 3、具有独立从事科学研究或独立担负专门技术研发工作的能力；了解本专业领域学科发展前沿和动向；具有团结协作精神，能在工程技术或科学理论方面做出创新性成果。 4、具有良好的身体和心理素质。 二、研究方向 本方案适用于本所“计算机科学与技术”一级学科所有专业的博士研究生培养。三、学习年限 博士生的学习年限为3～6年。硕博连读研究生在转博后学习年限同博士生。 四、培养方式 1、博士生的培养方式以科学研究工作为主，重点培养博士生独立从事学术研究工作的能力，并使博士生通过完成一定学分的课程学习，包括跨学科课程的学习，系统掌握所在学科领域的理论和方法，拓宽知识面，提高分析问题和解决问题的能力。使博士生在掌握坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识的基础上，学会进行创造性的研究工作所必须的科学工作方法，培养严谨的科学作风。 2、博士生的培养工作由导师负责,并实行导师个别指导或导师负责与指导小组集体培养相结合的指导方式。鼓励跨学科、跨专业聘请有关专家参加指导小组，以利于拓宽知识领域，开阔研究思路，发展交叉边缘学科。 3、导师应与博士生定期交流，关心博士生的思想品德、业务能力和综合素质。促进博士生德、智、体全面发展。研究生所在的党支部、辅导员和导师要积极帮助和关心学生的思想进步和政治成长，有针对性地开展集体主义、爱国主义教育。 五、培养环节 博士生的培养主要包括以下环节：制定个人培养计划、课程学习、必修环节及论文 基本概念题： 第一章半导体电子状态 1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带 晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。 答： 能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。 单电子近似： 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似： 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。 1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案： 克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数，而且某些能量区间能级是准连续的（被称为允带），另一些区间没有电子能级（被称为禁带）。从而利用量子力学的方法解释了能带现象，因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量 有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k 电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试 一、选择填空（22分） 1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大； D. 小； E. 重空穴； F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN 呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（ F ）半导体材料。 A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性； D. 立方对称性； E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4， m n */m 0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e 2 ； D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i >> /N D -N A / 时，半导体具有 （ B ） 半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下，非简并Si 中电子扩散系数D ｎ与ＮＤ有如下图 （C ） 所示的最恰当的依赖关系： Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ Ｄｎ Ａ Ｂ Ｃ Ｄ 8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（ A ）移动；当掺 ＮＤ ＮＤ ＮＤ ＮＤ 912半导体物理考试大纲 考试内容 1、半导体晶体结构和半导体的结合性质（1-1主要的几种结构）； 2、半导体中的电子状态： （1）半导体能带的形成（1-2共有化运动）， （2）Ge、Si、GaAs能带结构（1-6,1-7，主要是导带和价带的结构），（3）有效质量、空穴（1-3,1-4定义要求） （4）杂质和缺陷能级（2-1施主杂质，施主能级，受主杂质，受主能级，杂质的补偿，深能级和浅能级杂质）； 3、热平衡下半导体载流子的统计分布： （1）状态密度、费米能级、（3-1,3-2理解定义） （2）本征半导体（3-3）和杂质半导体的载流子浓度（3-4浓度与温度的关系图），（3）简并半导体和重掺杂效应(3-6定义要求)； 注意：计算主要在这一章 4、半导体的导电性： （1）半导体导电原理（载流子的漂移和扩散运动）， （2）载流子的漂移运动、迁移率、散射机构（4-1,4-2定义要求）， （3）半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律（关系图）， （4）强电场效应、热载流子，负阻效应（4-6,4-7定义要求）； 5、非平衡载流子： （1）非平衡载流子与准费米能级，非平衡载流子注入与复合（5-1,5-2,5-3定义要求） （2）复合理论（5-4复合的分类） （3）非平衡载流子寿命，爱因斯坦关系，载流子漂移、扩散运动（5-6,5-7定义要求）， （4）缺陷效应（定义要求5-5）， （5）连续性方程（5-8计算题可能）； 6、pn结： （1）平衡与非平衡pn结特点及其能带图（6-1能带图和载流子的分布图）， （2）pn结的I-V特性（6-2J-V曲线，反向饱和电流的定义） （3）电容特性（6-3势垒电容和扩散电容的定义） （4）开关特性（单向导电性） （5）击穿特性（6-4雪崩击穿，隧道击穿和热击穿）； 7、金属和半导体接触： （1）半导体表面态（了解） 中国科学院大学招收攻读博士学位研究生管理实施细则 为保证中国科学院大学招收攻读博士学位研究生（以下简称“博士生”）的招生质量，规范博士生招生工作，根据教育部的有关规定和《中国科学院大学招收攻读博士、硕士学位研究生管理规定》，制定本实施细则。 第一章培养目标 第一条博士生的培养目标是：培养德智体全面发展，爱国守法，在本学科领域掌握坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识，具有独立从事科学研究的能力，能在科学和专门技术上做出创造性成果的高级科学专门人才。 第二章招生条件和招生计划 第二条招收博士生的单位和学科、专业必须经中国科学院大学学位评定委员会批准授权；博士生指导教师必须经研究所学位评定委员会或中国科学院大学直属学位评定委员会进行资格认定并遴选上岗，并须在中国科学院大学“教师管理信息系统”中备案。 第三条招收博士生的单位应具备相应的培养条件；招收博士生的学科、专业必须有明确的研究课题，并有相应的学术梯队；导师本人应从事研究工作，并有足够的研究经费。 第四条各研究所、各院系应根据本单位学科发展规划、科研工作需要及人才队伍建设的要求，结合自身培养条件、培养能力和学生就业情况，提出本单位各学科、专业的招生计划需求，并报中国科学院大学招生办公室。中国科学院大学在汇总各单位招生计划需求数的基础上，根据中国科学院学科战略规划和人才队伍建设目标，向教育部提出全校招生计划需求。按照教育部批准的全校当年招生计划总数，综合考虑全校总体情况，结合社会需求和各单位培养条件、培养质量及教育贡献，统筹安排和制定全校的年度招生计划。 第五条各研究所、各院系应积极落实和执行招生计划。在录取过程中确需进行计划调整的，应将调整意见报中国科学院大学招生办公室汇总后，由学校招生办公室统筹调整。 第六条各单位的招生计划数仅在招生年度当年有效。春季和秋季的录取数均占用当年的招生计划。录取的直博生占用当年的博士招生计划，不占用硕士招生计划。 第三章编制招生专业目录 第七条各研究所、各院系负责编制本单位当年的博士生招生专业目录，并按规定时间报送中国科学院大学招生办公室审核。 第八条编制目录的具体要求： 中国科学院上海技术物理研究所2015年博士研究生招生简章 中国科学院上海技术物理研究所创建于一九五八年，主要从事红外物理与红外光电技术研究，先后为风云系列气象卫星、载人航天工程、探月工程、海洋卫星、环境卫星、多种试验卫星等研制了红外、光电应用系统有效载荷和航天单机，取得了较好的应用效果和效益，是本领域学科门类齐全，研究实力雄厚的国际知名、国内著名优秀研究所。现有职工880余名，其中中国科学院院士6名，中国工程院院士3名，国际欧亚科学院院士1人（兼）；科技人员700余名，高级科技人员330余名。设有红外探测器材料及器件、光学薄膜及材料、航空航天遥感技术、红外成像及跟踪技术、光电工程与光电信息处理技术、微型制冷技术和光电技术开发应用等14个研究室，并有向国内外开放的红外物理国家重点实验室。同时设有中国科学院红外探测与成像技术重点实验室、中科院空间主动光电技术重点实验室以及省部共建现场物证光学探测技术联合实验室。本所编辑出版《红外与毫米波学报》和《红外》学术刊物。 建所以来，共获得重大科研成果800多项，省部级以上科技成果奖380项，其中国家级科技成果奖53项，获得国家专利授权737项（有效专利263项）。在国际合作方面，已与美、日、英、法等10多个国家、地区的研究机构建立了合作关系。此外，本所还创办了一批高科技企业，年产值约4亿元，并以长三角地区为辐射点，分别在上海浦东、常州、无锡、嘉兴和太仓等地建立了太阳能电池研究与发展中心、常州光电技术研究所、中科院无锡物联网中心、嘉兴光电工程中心以及太仓先进技术研究中心。 本所是首批进入中科院知识创新工程的研究所、是中国科学院知识创新工程全面推进阶段评估A类研究所，是我国全面覆盖红外科技领域及相关学科的科学研究与研究生培养单位，是国务院学位委员会批准的首批博士、硕士学位授予单位之一、中科院博士生重点培养基地。具有“电子科学与技术”一级学科硕士、博士学位授予权。现有3个博士点、10个硕士点以及1个博士后（电子科学与技术）流动站，目前在学研究生350余名。2015年招收博士研究生75名（其中17名为与上海科技大学联合培养的硕博连读研究生）。热忱欢迎广大考生报考我所研究生，并祝考出水平、考出理想成绩！ 一、博士生招生专业和研究方向简介 （一）080901 物理电子学 指导教师：匡定波院士、龚惠兴院士、薛永祺院士，陈桂林院士、潘德炉院士、王建宇、汤心溢、胡以华、董德平、吴亦农、丁雷、殷德奎、孙胜利、刘定权等研究员。【详见《考试科目表》，下同】 研究方向 1.红外光电技术及系统工程 2.航空、航天遥感技术 3.光谱技术与成像光谱技术 4.热成像技术 5.信息与图像处理技术 6.光电混合信息处理技术 7.光电跟踪技术 8.主动式遥感技术 9.微型低温制冷技术 10.薄膜光学技术 （二）080902 电路与系统 指导教师：龚惠兴院士、薛永祺院士、陈桂林院士、王建宇、汤心溢、张建国、舒嵘、张涛、华建文、傅雨田、王淦泉、刘银年、李范鸣等研究员。 研究方向 1.航空航天遥感系统 2.光电系统工程及自动化 3.多维信息获取与处理技术 4.微弱信号检测与处理技术 5.卫星姿态敏感技术半导体物理器件期末考试试题(全)
半导体物理考试重点
中国科学院城市环境研究所2010年博士研究生招生简章【模板】
半导体物理学_课堂知识详细归纳总结
半导体物理期末试卷含部分答案
半导体物理学复习提纲(重点)
中科院博士考试心得之一
半导体物理知识点总结
半导体物理学期末复习试题及答案一
中国科学院计算技术研究所攻读博士学位研究生培养方案
(完整版)半导体物理知识点及重点习题总结
半导体物理期末考试试卷A参考答案与评分标准
华工半导体物理考试大纲(标重点)
中国科学院大学招收攻读博士学位研究生管理实施细则
中国科学院上海技术物理研究所博士研究生招生简章上课讲义
相关主题
文本预览