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晶胞中原子数求算试题(2010—2014)

晶胞中原子数求算试题(2010—2014)
晶胞中原子数求算试题(2010—2014)

关于晶胞中原子数求算试题

(2010——2014)

2010年

19-II

(4)金属镍与镧(La)形成的合金是一种良好的储氢材料,其晶胞结构示意图如左下图所示。该合金的化学式为_______________;

2011年

19-II

(4)一种铜合金晶体具有立方最密堆积的结构,在晶胞中Cu原子处于面心,Au原子处于顶点位置,则该合金中Cu原子与Au原子数量之比为;

(5)上述晶体具有储氢功能,氢原子可进入到由Cu原子与Au原子构成的四面体空隙中。若将Cu原子与Au原子等同看待,该晶体储氢后的晶胞结构与CaF2的结构相似,该晶体储氢后的化学式应为。

2012年

19-II

(2)用晶体的x射线衍射法可以测得阿伏加德罗常数。对金属铜的测定得到以下结果:晶胞为面心立方最密堆积,边长为361pm。又知铜的密度为9.00g·cm-3,则铜晶胞的体积是cm3、晶胞的质量是g,阿伏加德罗常数为(列式计算,己知Ar(Cu)=63.6);

2013年

19-II(14分)图A所示的转化关系中(具体反应条件略),a、b、c和d分别为四种短周期元素的常见单质,其余均为它们的化合物,i的溶液为常见的酸,a的一种同素异形体的晶胞如图B所示。

回答下列问题:

(1)图B对应的物质名称是,其晶胞中的原子数为,晶体类型为。

2014年

19-II(14分)碳元素的单质有多种形式,下图依次是C60、石墨和金刚石的结构图:

C60石墨金刚石晶胞

(5)金刚石晶胞含有个碳原子,若碳原子半径为r,金刚石晶胞的边长为a,根据硬球接触模型,则r = a,列式表示碳原子在晶胞中的空间占有率(不要求计算结果)。

数字电子技术试卷及答案五套

数字电子技术试卷 一、选择题: A组: 1.如果采用偶校验方式,下列接收端收到的校验码中,( A )是不正确的 A、00100 B、10100 C、11011 D、11110 2、某一逻辑函数真值表确定后,下面描述该函数功能的方法中,具有唯一性的是(B)A、逻辑函数的最简与或式B、逻辑函数的最小项之和 C、逻辑函数的最简或与式 D、逻辑函数的最大项之和 3、在下列逻辑电路中,不是组合逻辑电路的是(D) A、译码器 B、编码器 C、全加器 D、寄存器 4、下列触发器中没有约束条件的是(D) A、基本RS触发器 B、主从RS触发器 C、同步RS触发器 D、边沿D触发器 5、555定时器不可以组成D。 A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.J K触发器 6、编码器(A)优先编码功能,因而(C)多个输入端同时为1。 A、有 B、无 C、允许 D、不允许 7、(D)触发器可以构成移位寄存器。 A、基本RS触发器 B、主从RS触发器 C、同步RS触发器 D、边沿D触发器 8、速度最快的A/D转换器是(A)电路 A、并行比较型 B、串行比较型 C、并-串行比较型 D、逐次比较型 9、某触发器的状态转换图如图所示,该触发器应是( C ) A. J-K触发器 B. R-S触发器 C. D触发器 D. T触发器 10.(电子专业作)对于VHDL以下几种说法 错误的是(A ) A VHDL程序中是区分大小写的。 B 一个完整的VHDL程序总是由库说明部分、实体和结构体等三部分构成 C VHDL程序中的实体部分是对元件和外部电路之间的接口进行的描述,可以看成是定义元件的引脚 D 结构体是描述元件内部的结构和逻辑功能 B组: 1、微型计算机和数字电子设备中最常采用的数制是--------------------------------( A ) A.二进制 B.八进制 C. 十进制 D.十六进制 2、十进制数6在8421BCD码中表示为-------------------------------------------------( B ) A.0101 B.0110 C. 0111 D. 1000

武汉大学2014-2015学年度数字电子技术试卷A

武汉大学2014—2015学年度第二学期 《数字电子技术基础》试卷(A) 学号姓名院(系)分数 一、填空题,每空1分(共20分) 1.逻辑函数有多种表达方式,其中的四种为(),(),()和()。 2、(25.7)10=()2=()16。 3、可以实现线与功能的逻辑门电路包括(),()和()。 4、JK触发器若J=K,则可实现()触发器的功能;若J=K,则可实现()触发 器的功能。 5、5位环形和扭环形计数器,若初态均为10110(低位在左),则26个CP后环形计 数器的并行输出为(),扭环计数器的并行输出为()。 6、128K×16的只读存储器,其寻址地址线数目是()根,字长是()位,字数是 (),总容量是()。 7、可以实现更大规模逻辑电路的可编程器件主要包括()和()。 8、设四位D/A转换器的满刻度输出电压30V,则输入数字量是1011时的输出模拟 电压为()V。 二、单项选择填空,每空2分(共20分) 1、编码(11111100.11010100)2421对应的十进制数为()。 A.97.64B.86.54C.96.74D.85.74 2、逻辑函数F=A B C ?+且BC=0的卡诺图中,最小项和无关项个数分别为()个。 A.4,2B.3,2C.3,3D.2,4 3、下列说法正确的共有()个。 (1)按制造门电路晶体管的不同,门电路可分为MOS型和双极型; (2)TTL电路相对CMOS电路的特点是速度快,但功耗大; (3)CMOS电路的静态功耗很小,主要是动态功耗; (4)TTL器件驱动CMOS器件主要需要校验灌电流是否满足要求; A.1B.2C.3D.4 4、已知题2.4图中的门电路是74系列的TTL门电路,则电路的输出电平是()。 A.高电平B.高阻C.低电平D.无法判断 5、要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用()。 A.10级施密特触发器B.10位二进制计数器 C.十进制计数器D.10位D/A转换器 第1页共4页6、用4片4K×16的RAM构成4K×16的存储器,扩展后地址空间最高的一片4K×16

数电期末试卷及答案(共4套)

XX大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题(110分钟)(第一套) 一、填空题:(每空1分,共15分) 1.逻辑函数Y AB C =+的两种标准形式分别为()、 ()。 2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。 3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。 4.8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为10001000,则输出电压为()v。 5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。 6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。 二、根据要求作题:(共15分) 1.将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门”来实现。 2.图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q 的表达式,并画出对应A、B、C的P、Q波形。 三、分析图3所示电路:(10分) 1)试写出8选1数据选择器的输出函数式; 2)画出A2、A1、A0从000~111连续变化时,Y的波形图; 3)说明电路的逻辑功能。

四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用8421BCD码)。要求只设定一个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。(15分) 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C的波形。(8分) B C 六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示,在示波器上观察到波形如图5(b)所示。试问该电路是如何连接的?请在原图上画出正确的连接图,并标明T的取值。 (6分) 七、图6所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。ROM 中的数据见表1所示。试画出在CP信号连续作用下的D3、D2、D1、D0输出的电压波形,并说明它们和CP信号频率之比。(16分) 表1:

数电试题及答案

数电试题及答案

通信071~5 班20 08 ~20 09 学年第二学期《数字电子技术基础》课试卷试卷类型: A 卷 题号一二三四五六七八九 总 成 绩 得 分 一、单项选择题(每小题2分,共24分) 1、8421BCD码01101001.01110001转换为十进制数是:( c ) A:78.16 B:24.25 C:69.71 D:54.56 2、最简与或式的标准是:(c ) A:表达式中乘积项最多,且每个乘积项的变量个数最多B:表达式中乘积项最少,且每个乘积项的变量个数最多 C:表达式中乘积项最少,且每个乘积项的变量个数最少D:表达式中乘积项最多,且每个乘积项的变量个数最多 3、用逻辑函数卡诺图化简中,四个相邻项可合并为一项,它能:(B )

A:消去1个表现形式不同的变量,保留相同变量 B:消去2个表现形式不同的变量,保留相同变量 C:消去3个表现形式不同的变量,保留相同变量表1 D:消去4个表现形式不同的变量,保留相同变量

4、已知真值表如表1所示,则 其逻辑表达式为:( A ) A :A ⊕B ⊕C B :AB + BC C :AB + BC D :ABC (A+B+C ) 5、函数F(A ,B ,C)=AB+BC+AC 的最小项表达 式为:( B ) A :F(A,B,C)=∑m (0,2, 4) B :F(A,B,C)=∑m (3,5,6,7) C :F(A,B,C)=∑m (0,2,3,4) D :F(A,B,C)=∑m (2,4,6,7) 6、欲将一个移位寄存器 中的二进制数乘以(32)10需要 ( C )个移位脉冲。 A :32 B : 10 C :5 D : 6 7、已知74LS138译码器的输入三个使能端 (E 1=1,E 2A =E 2B =0)时,地址码A 2A 1A 0=011, A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1

数电试题与答案(五套)

《数字电子技术基础》试题一 一、 填空题(22分 每空2分) 1、 =⊕0A , =⊕1A 。 2、JK 触发器的特性方程为: 。 3、单稳态触发器中,两个状态一个为 态,另一个为 态.多谐振荡器两个状态都为 态, 施密特触发器两个状态都为 态. 4、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的 有关,而与 无关。 5、某数/模转换器的输入为8位二进制数字信号(D 7~D 0),输出为0~25.5V 的模拟电压。若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”,则输出的模拟电压为 。 6、一个四选一数据选择器,其地址输入端有 个。 二、 化简题(15分 每小题5分) 用卡诺图化简逻辑函数,必须在卡诺图上画出卡诺圈 1)Y (A,B,C,D )=∑m (0,1,2,3,4,5,6,7,13,15) 2)∑∑+=)11,10,9,3,2,1()15,14,13,0() ,,,(d m D C B A L 利用代数法化简逻辑函数,必须写出化简过程 3)________________________________________ __________)(),,(B A B A ABC B A C B A F +++= 三、 画图题(10分 每题5分) 据输入波形画输出波形或状态端波形(触发器的初始状态为0). 1、 2、 四、 分析题(17分) 1、分析下图,并写出输出逻辑关系表达式,要有分析过程(6分) 2、电路如图所示,分析该电路,画出完全的时序图,并说明电路的逻辑功能,要有分析过程(11分) 五、 设计题(28分) 1、 用红、黄、绿三个指示灯表示三台设备的工作情况:绿灯 亮表示全部正常;红灯亮表示有一台不正常;黄灯亮表示两台不正常;红、黄灯全亮表示三台都不正常。列出控制 电路真值表,要求用74LS138和适当的与非门实现此电路(20分)

北京交通大学14年电信数电期中试题(1)

北京交通大学考试试题(期中) 课程名称:数字电子技术(A)学年学期:2014-2015学年第一学期 课程编号:14L126Q 开课学院:电信学院出题教师: 学生姓名:学号:任课教师: 学生学院:班级: 一、概念题(每空3分,共30分) 1. 一组合逻辑电路输入信号的变化顺序有以下三种情况,当顺序为时,将可能出现竞争冒险。 (A)00→01→11→10;(B)00→11→10→01;(C)00→01→00→10。 2. TTL与非门的灌电流负载发生在输出电平情况下,负载电流越大,则输出电平越。 3.CMOS门电路与TTL门电路相比最大的优点是。 (A)传输速度快;(B)功耗低;(C)功能全;(D)价格低。 4.能实现线与功能的门电路有;能实现总线连接方式的门电路有。 (A)与非门;(B)异或门;(C)三态门;(D)OC门。 5.图1所示电路的逻辑表达F= 。

F 图1 图2 6.图2所示电路的逻辑功能是 。 7.如图所示逻辑电路的表达式F = 。 8.如图所示逻辑电路的表达式F = 。 A 0A 1 二、分析题(共30分) 1.分析图示集成逻辑门电路功能。(10分)

2.分析图示电路的逻辑功能。图中74HC85是比较器,74CH283是加法器。(10分) 3 2 1 3.试分析图示逻辑电路的逻辑功能。(10分)

(a ) S Q (b ) X CP Y 三、设计题(共40分) 1.分别用3—8译码器和2—4数据选择器及适当的门电路,实现下面的逻辑表达式。(10分)(10分) BC AC AB F ++= 2.如图(a )所示电路,当其输入信号如图(b )所示,画出S 和Q 的波形。(10分)

五套电力系统分析试题(含参考答案)

电力系统分析试题(含答参考案) 2018.08 一、 一、填空题 1.降压变压器高压侧的主分接头电压为220kv ,若选择+2×2.5%的分接头,则该分接头电压为 231KV 。 2.电力系统中性点有效接地方式指的是 中性点直接接地 。 3.输电线路的电气参数包括电抗、电导、电纳和 电阻 。 4.输电线路的电压偏移是指线路始端或末端母线的实际运行电压与线路 额定电压 的数值差。 5.电力系统的潮流分布一般是用各节点的电压和 功率 表示。 6.调整发电机组输出的有功功率用来调整电力系统运行的 频率 。 7.复合故障一般是指某一时刻在电力系统 二个及以上地方 发生故障。 8.用对称分量法计算不对称故障,当三相阻抗完全对称时,则其序阻抗矩阵Zsc 的非对角元素为 零 。 9.系统中发生单相接地短路时故障点短路电流的大小是零序电流的 3 倍。 10.减小输出电元件的电抗将 提高(改善) 系统的静态稳定性。 二、单项选择题在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 11.同步发电机的转速和系统频率之间是否有严格的关系( ② ) ①否 ②是 ③不一定 ④根据发电机的形式定 12.三绕组变压器的结构、通常将高压绕组放在( ③ ) ①内层 ②中间层 ③外层 ④独立设置 13.中性点以消弧线圈接地的电力系统,通常采用的补偿方式是( ③ ) ①全补偿 ②欠补偿 ③过补偿 ④有时全补偿,有时欠补偿 14.三相导线的几何均距越大,则导线的电抗( ② ) ①越大 ②越小 ③不变 ④无法确定 15.变压器的电导参数G T ,主要决定于哪一个实验数据( ① ) ①△P O ②△P K ③U K % ④I O % 16.当功率的有名值为s =P +jQ 时(功率因数角为?)取基准功率为S n ,则有功功率的标么值为( ③ ) ① ?cos S P n ? ②?sin S P n ? ③n S P ④n S cos P ?? 17.环网中功率的自然分布是( ④ ) ①与电阻成正比分布 ②与电抗成正比分布 ③与阻抗成正比分布 ④与阻抗成反比分布

涉及晶胞的有关计算

涉及晶胞的有关计算 晶胞作为晶体结构的基本单元,具有“无隙并置”,可平移的特征。通过对晶胞上占有的粒子数、晶胞体积的计算,结合阿伏伽德罗常数可以把微观的晶胞和 宏观的物质的有关性质密度、摩尔质量联系起来。 从99年高考出现NiO晶胞与晶体密度关系计算以来,涉及晶胞的计算在高中化学教学中一直被作为一个重点,而且在计算的设计上变化层出。 例:晶体具有规则的几何外形,晶体中最基本的重复单元称为晶胞。NaCl晶体结构如图所示。已知Fe x O晶体晶胞结构为NaCl型,由于晶体缺陷,x值小于1。 测知Fe x O晶体密度ρ=5.71g/cm3,晶胞边长a = 4.28×10-10m。(铁相对原子质量为55.9,氧相对原子质量为16)求: (1)Fe x O中x值(精确至0.01)为_____________。 (2)晶体中的Fe分别为Fe2+、Fe3+,在Fe2+和Fe3+的总数中,Fe2+所占分数(用小数表示,精确至0.001)为___________。 (3)此晶体化学式为___________。 解析:要计算x的值实际就是计算Fe x O的摩尔质量。假定有1molFe x O晶体,求出1mol晶体质量即可解决问题。题目条件中有晶体密度,如果求出1mol晶体的体积,体积乘以密度就是质量。这样问题就转化为求1mol晶体的体积了。1mol Fe x O晶体含有N A个O2- ,一个晶胞上占有4个O2-,所以1mol晶体含有N A/4个晶胞。每个晶胞的体积V = a 3 = (4.28×10-8cm)3,因此1mol晶体的体积就是 N A ×(4.28×10-8cm)3/4。1mol晶体质量为m =ρ.(N A /4).V = 5.71g/cm3×(N A /4) ×(4.28×10-8cm)3 = 67.4g。x =(67.4-16)/56 = 0.92 。(3)小题的答案就可以表示为Fe 0.92 O 。(2)小题是纯数学计算,设Fe2+、Fe3+分别为m、n个,根据化合物中正负化合价代数和为0建立方程组:m+n=0.92 ; 2m+3n=2就可以求出相应的数值。 这种类型的计算通常涉及宏观晶体的密度、摩尔质量与阿伏伽德罗常数和微观的晶胞边长、晶胞粒子的半径。 例1.右图是金属铁晶体结构的示意图: 已知:金属铁的密度为7.8 g·cm-3。求:铁原子的半径。 例2.图乙为一个金属铜的晶胞,请完成以下各题。

数电试题及答案

通信071?5 班 20 08?20 09 学年第二学期 《数字电子技术基础》 课试卷试卷 类型:A ■卷 单项选择题(每小题2分,共24 分) 1、 8421BCD 码01101001.01110001转换为十进制数是: A : 78.16 B : 24.25 C : 2、 最简与或式的标准是: (c ) A:表达式中乘积项最多,且每个乘积项的变量个数最多 变量个数最多 C:表达式中乘积项最少,且每个乘积项的变量个数最少 变量个数最多 3、 用逻辑函数卡诺图化简中,四个相邻项可合并为一项 A :消去1个表现形式不同的变量,保留相同变量 B:消去2个表现形式不同的变量,保留相同变量 C :消去3个表现形式不同的变量,保留相同 D:消去4个表现形式不同的变量,保留相同变量 4、 已知真值表如表 1所示,则其逻辑表达式为: A: A ? B ? C B: AB + BC C: AB + BC D: ABC (A+B+C ) 5、 函数 F(A , A: F(A,B,C)= B: F(A,B,C)= C: F(A,B,C)= D: F(A,B,C)= B ,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为: E m E m E m E m (0, (3, (0, (2, 2, 5, 2, 4, 4) 6, 3, 6, 7) 4) 7) 6、 欲将一个移位寄存器中的二进制数乘以( A: 32 B : 10 7、 已知74LS138译码器的输入三个使能端( E 1=1, 是:(C ) A :::: (c 69.71 ,它能: 变量 32) 10需要 n 1 n = Q ,JK 触发器的J 、K 取值应是: B: J=0, K=1 (B ) B :集电极开路门 D : 54.56 B :表达式中乘积项最少,且每个乘积项的 D:表达式中乘积项最多,且每个乘积项的 (B ) (B ) ( C : _ E 2A =E 2B = 0 ) )个移位脉冲。 D : 6 _ _ A 2A 1A O =011,则输岀 丫厂?丫0 时,地址码 8、 要实现Q =Q A: J=0, K=0 9、 能够实现线与功能的是: A: TTL 与非门 10、 个四位串行数据,输入四位移位寄存器,时钟脉冲频率为 输岀。 A : 8ms B : 4ms 11、 表2所列真值表的逻辑功能所表示的逻辑器件是: A B C D (D ) C: J=1, K=0 D : J=1, K=1 C :三态逻辑门 1kHz ,经过 D : CMOS 逻辑门 B )可转换为4位并行数据 译码器 选择器 优先 编码器 比 较器 输入 I 7 I 6 I 5 I 4 I 3 I 2 I 1 12、 A: B: C: D: 图1所示为2个4位二进制数相加的串 11000 11001 10111 10101 接全力X 器逻辑电路图X 运算后 的 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 X 1 0 0 图 31 0 0 (A )

晶胞计算习题答案

创作编号: GB8878185555334563BT9125XW 创作者:凤呜大王* 1、【答案】(1)mol-1(2)①8 4 ②48③ 【解析】(1)铜晶胞为面心立方最密堆积,1个晶胞能分摊到4个Cu原子;1个晶胞的体积为a3cm3;一个晶胞的质量为a3ρ g;由=a3ρ g,得N A=mol -1。 (2) ①每个Ca2+周围吸引8个F-,每个F-周围吸收4个Ca2+,所以Ca2+的配位数为8,F-的配位数为4。②F-位于晶胞内部,所以每个晶胞中含有F-8个。含有Ca2+为×8+×6=4个。 ③ρ===a g·cm-3, V=。 2、【解析】 试题分析:本考查学生对知识综合利用能力,要求对晶胞知识能够融会贯通。依题意画出侧面图,设正立方体边长为a,则体积为a3。,AC=4r, 故原子半径,根据均摊法得,每个正立方体包括金属原子 8×1/8+6×1/2=4(个),球体体积共

4×空间利用率为:. 考点:均摊法计算 点评:本题考查相对综合,是学生能力提升的较好选择。 3、(1)34.0% (2)2.36 g/cm3 【解析】(1)该晶胞中Si原子个数=4+8×1/8+6×1/2=8,设Si原子半径为xcm,该晶胞中硅原子总体积=,根据硬球接触模型可知,体对角线四分之一处的原子与顶点上的原子紧贴,设晶胞边长为a,所以,解得a=,晶胞体积=()3,因此空间利用率=×100%=34.0%。(2)根据以上分析可知边长=,所以密度==2.36g/cm3。 4、【答案】(1)4(2)金属原子间相接触,即相切 (3)2d3(4) 【解析】利用均摊法解题,8个顶点上每个金原子有属于该晶胞,6个面上每个金原子有属于该晶胞,故每个晶胞中金原子个数=8×+6×=4。假设金原子间相接 触,则有正方形的对角线为2d。正方形边长为d。所以V晶= (d)3=2d3,V m=N A=d3N A,所以ρ==。 5、【答案】(1)YBa2Cu3O7(2)价n(Cu2+)∶n(Cu3+)=2∶1 【解析】(1)由题图所示晶胞可知:一个晶胞中有1个Y3+,2个Ba2+。晶胞最上方、最下方分别有4个Cu x+,它们分别被8个晶胞所共用;晶胞中间立方体的8个顶点各有一个Cu x+,它们分别被4个晶胞共用,因此该晶胞中的Cu x+为n(Cu x+)=(个)。晶胞最上方、最下方平面的棱边上共有4个氧离子,分别被4个晶胞共用;又在晶胞上的立方体的竖直棱边上和晶胞下方的立方体的竖直棱

(完整版)数电试题及答案

通信 071~5 班 20 08 ~20 09 学年 第 二 学期 《数字电子技术基 础》 课试卷 试卷类型: A 卷 一、 单项选择题(每小题2分,共24分) 1、8421BCD 码01101001.01110001转换为十进制数是:( ) A :78.16 B :24.25 C :69.71 D :54.56 2、最简与或式的标准是:( ) A :表达式中乘积项最多,且每个乘积项的变量个数最多 B :表达式中乘积项最少,且每个乘积项的变量个数最多 C :表达式中乘积项最少,且每个乘积项的变量个数最少 D :表达式中乘积项最多,且每个乘积项的变量个数最多 3、用逻辑函数卡诺图化简中,四个相邻项可合并为一项,它能:( ) A :消去1个表现形式不同的变量,保留相同变量 B :消去2个表现形式不同的变量,保留相同变量 C :消去3个表现形式不同的变量,保留相同变量 表1 D :消去4个表现形式不同的变量,保留相同变量 4、已知真值表如表1所示,则其逻辑表达式为:( ) A :A ⊕B ⊕C B :AB + BC C :AB + BC D :ABC (A+B+C ) 5、函数F(A ,B ,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为:( ) A :F(A,B,C)=∑m (0,2,4) B :F(A,B,C)=∑m (3,5,6,7) C :F(A,B,C)=∑m (0,2,3,4) D :F(A,B,C)=∑m (2,4,6,7) 6、欲将一个移位寄存器中的二进制数乘以(32)10需要( )个移位脉冲。 A :32 B : 10 C :5 D : 6 7、已知74LS138译码器的输入三个使能端(E 1=1,E 2A =E 2B =0)时,地址码A 2A 1A 0=011,则输出Y 7 ~Y 0是:( ) A :11111101 B :10111111 C :11110111 D :11111111 8、要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应是:( ) A :J=0,K=0 B :J=0,K=1 C :J=1,K=0 D :J=1,K=1

数字电路试题五套含答案

《数字电子技术》试卷一 一、 填空(每空1分,共25分) 1、(10110)2=( )10=( )16 (28)10=( )2=( )16 (56)10=( )8421BCD 2、最基本的门电路是: 、 、 。 3、有N 个变量组成的最小项有 个。 4、基本RS 触发器的特征方程为_______ ,约束条件是 __. 5、若存储器的容量是256×4RAM,该RAM 有 ___存储单元,有 字,字长 _____位,地址线 根。 6、用N 位移位寄存器构成的扭环形计数器的模是________. 7、若令JK 触发器的J=K=T 则构成的触发器为_______. 8、如图所示,Y= 。 9、如图所示逻辑电路的输出Y= 。 10、已知Y=D AC BC B A ++,则Y = ,Y/= 。 11、组合逻辑电路的特点是_________、___________;与组合逻辑电路相比,时序逻辑电路的输出不仅仅取决于此刻的_______;还与电路 有关。 二、 化简(每小题5分,共20分) 1、公式法化简 (1)Y=ABC ABC BC BC A ++++ (2)Y ABC A B C =+++

2、用卡诺图法化简下列逻辑函数 =+++ (1)Y BCD BC ACD ABD Y=∑+∑ (2)(1,3,4,9,11,12,14,15)(5,6,7,13) m d 三、设下列各触发器初始状态为0,试画出在CP作用下触发器的输出波形(10 分) 四、用74LS161四位二进制计数器实现十进制计数器(15分)

五、某汽车驾驶员培训班结业考试,有三名评判员,其中A 为主评判员,B 、C 为副评判员,评判时,按照少数服从多数原则,但若主评判员认为合格也可以通过。试用74LS138和与非门实现此功能的逻辑电路。(15分) P Q A Q B Q C Q D C T 74LS161 LD CP Q A 、Q B 、Q C 、Q D :数据输出端; A 、B 、C 、D :数据输入端; P 、T :计数选通端; r C :异步复位端; CP :时钟控制输入端; D L :同步并置数控制端;

晶胞结构及计算

晶胞结构及计算 一、键数与配位数的判断 1.下列说法中正确的是() A.金刚石晶体中的最小碳原子环由6个碳原子构成 B.晶体中只要有阳离子,就有阴离子 C.1 mol SiO2晶体中含2 mol Si—O键 D.金刚石化学性质稳定,即使在高温下也不会和O2反应 2.下列叙述正确的是() A.分子晶体中的每个分子内一定含有共价键 B.原子晶体中的相邻原子间只存在非极性共价键 C.离子晶体中可能含有共价键 D.金属晶体的熔点和沸点都很高 3.(2015·湖北黄石9月调研)晶体硼的结构如右图所示。已知晶体硼结构单元是由硼原子组成的正二十面体,其中有20个等边三角形的面和一定数目的顶点,每个顶点上各有1个B原子。下列有关说法不正确的是() A.每个硼分子含有12个硼原子 B.晶体硼是空间网状结构 C.晶体硼中键角是60° D.每个硼分子含有30个硼硼单键 4.冰晶石(Na 3AlF6)是离子化合物,由两种微粒构成,冰晶石晶胞结构如图所示,“”位于大立方体顶点和面心,“”位于大立方体的12条棱的中点和8个小立方体的体心,那么大立方体的体心处“”所代表的微粒是________(填具体的微粒符号)。

5.某离子晶体的晶胞结构如图所示。 试回答下列问题: (1)晶体中每一个Y同时吸引着________个X,每个X同时吸引着________个Y,该晶体的化学式是________________。 (2)晶体中在每个X周围与它最接近且距离相等的X共有________个。 (3)晶体中距离最近的2个X与一个Y形成的夹角(∠XYX)为__________。 二、晶胞中的综合计算 6.(2017·成都七中高三上10月阶段测试)已知单质钒的晶胞为,则V 原子的配位数是__________,假设晶胞的边长为d cm,密度为ρg·cm-3,则钒的相对原子质量为______________。 7.(2017·临汾一中高三上学期期中)K2S的晶胞结构如图所示。其中K+的配位数为________,S2-的配位数为________;若晶胞中距离最近的两个S2-核间距为a cm,则K2S晶体的密度为________ g·cm-3(列出计算式,不必计算出结果)。

数字电路试题五套(含答案)

《数字电子技术》试卷一 一、填空(每空1分,共25分) 1、(10110)2=()10=()16 (28)10=()2=()16 (56)10=()8421BCD 2、最基本的门电路是:、、。 3、有N个变量组成的最小项有个。 4、基本RS触发器的特征方程为_______,约束条件是__. 5、若存储器的容量是256×4RAM,该RAM有___存储单元,有字,字长 _____位,地址线根。 6、用N位移位寄存器构成的扭环形计数器的模是________. 7、若令JK触发器的J=K=T则构成的触发器为_______. 8、如图所示,Y=。 9、如图所示逻辑电路的输出Y=。 /10、已知Y=ABBCACD,则Y=,Y =。 11、组合逻辑电路的特点是_________、___________;与组合逻辑电路相比,时序逻辑电路的 输出不仅仅取决于此刻的_______;还与电路有关。

二、化简(每小题5分,共20分) 1、公式法化简 (1)Y=ABCABCBCBCA (2)YABCABC 2、用卡诺图法化简下列逻辑函数 (1)YBCDBCACDABD (2)(1,3,4,9,11,12,14,15)(5,6,7,13) Y md 三、设下列各触发器初始状态为0,试画出在CP作用下触发器的输出波形 (10分)

四、用74LS161四位二进制计数器实现十进制计数器(15分) PQAQBQCQDC T74LS161LD CP ABCDCr C r QA、Q B、Q C、Q D:数据输出端; A、B、C、D:数据输入端; P、T:计数选通端; C:异步复位端; r CP:时钟控制输入端; L:同步并置数控制端; D C:位输出端; 五、某汽车驾驶员培训班结业考试,有三名评判员,其中A为主评判员,B、C为副评判员,评判时,按照少数服从多数原则,但若主评判员认为合格也可以通过。试用74LS138和与非门实现此功能的逻辑电路。(15分)

试题卷(14数电A)

注意事项:1.答案一律做在答题卷上; 2.请写上系别、班级、学号和姓名。 一、填空题(每空1分,共10分) 1.(61. 5)10 == ( )16 = ( )5421BCD ; 2.已知某8位二进制DAC ,输入的数字量D 为无符号二进制数。当D =(01001100)2时,输出的模拟电压V A =1.48V ,当D =(10011000)2时的输出的模拟电压V A 为( )V ; 3.D 触发器的次态方程是( ); 4.已知某74ls00为2输入4与非门,I OL =22mA ,I OH =2mA , I IL =2mA , I IH =40μA ,则其低电平输出的扇出系数N OL =( ),其高电平输出的扇出系数N OH =( ); 5.函数F=A()B C +的最小项表达式为F=( ),最大项表达式为( ) 6.某SRAM 芯片有11条地址线和8条数据线,则其存储容量为 bit ; 7.=⊕1A ( ) 二、单选题(每题2分,共20分) 1.下面4个逻辑表达式中,可以实现同或运算的表达式是( ) A A B B A F += B B A B A F += C B A B A F += D B A F = 2.下列逻辑函数中,与(A+B )(A+C)等价的是( ) A F=AB B F=A+B C F=A+BC D F= B+C 3.图示TTL 门电路中,F=A 的逻辑功能图为( ) 4. 当三态门输出高阻状态时,输出电阻可认为是( ) 电子科技大学中山学院考试试题卷 课程名称: 数字逻辑设计基础与应用 试卷类型: A 卷 2013—2014学年度第 二 学期 考试方式: 闭卷 拟题人: 审 题 人: 系别: 班 级: 学号: 姓 名:

模拟电子技术试卷五套含答案精选版

模拟电子技术试卷五套 含答案 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】

模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管 的主要特性是___________ 。2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。二、选择正确答案填空(24分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V, V,则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。 A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。 B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。 C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。 D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。 4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。 A.减小C,减小Ri B.减小C,增大Ri C.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri 6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后 的 b 约为( )。A.1500 B.80 C.50 D.307.RC桥式正弦波振荡电 路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。A.基本共射放大 电路 B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算 电路8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可 能是( )。A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞 回比较器 三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。 1.分别指出V1、V2的电路组态; 2.画出图示电路简化的H参数微变等效电路; 3.计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)

晶胞计算习题

1、回答下列问题 (1) 金属铜晶胞为面心立方最密堆积,边长为acm。又知铜的密度为p g ? Cm阿伏加德罗常 数为_______ 。⑵下图是CaF2晶体的晶胞示意图,回答下列问题: ①Ca2+的配位数是 ______ , 的配位数是_______ 。② 该晶胞中含有的CsT数目是______ , F 数目是_____ ,③CaF 2晶体的密度为ag c m 3,则晶胞的体积是 ____________ (只要求列出算式)。 2、某些金属晶体(Cu、Ag、Au)的原子按面心立方的形式紧密堆积,即在晶体结构中可以划 出一块正立方体的结构单元,金属原子处于正立方体的八个顶点和六个侧面上,试计算这类 金属晶体中原子的空间利用率。 3、单晶硅的晶体结构与金刚石一种晶体结构相似,都属立方晶系晶胞,如图: (1)将键联的原子看成是紧靠着的球体,试计算晶体硅的空间利用率(计算结果保留三位 有效数字,下同)。(2)已知S—Si键的键长为234 pm,试计算单晶硅的密度是多少g/cm3。 4、金晶体的最小重复单元(也称晶胞)是面心立方体,如图所示,即在立方体的8个顶点各有一个金 原子,各个面的中心有一个金原子,每个金原子被相邻的晶胞所共有。金原子的直径为d,用N A表示阿伏加德罗常数,M表示金的摩尔质量。请回答下列问题: (1)金属晶体每个晶胞中含有________ 个金原子。 (2)欲计算一个晶胞的体积,除假定金原子是刚性小球外,还应假定____________________ 。 (3)—个晶胞的体积是____________ 。 (4)金晶体的密度是_____________ 。

数电试题及答案

通信 071~5 班 20 08 ~20 09 学年第二学 期《数字电子技术基础》课试卷试卷类型: A 卷 一、单项选择题(每小题2分,共24分) 1、8421码01101001.01110001转换为十进制数是:( c ) A:78.16 B:24.25 C:69.71 D:54.56 2、最简与或式的标准是:( c ) A:表达式中乘积项最多,且每个乘积项的变量个数最多 B:表达式中乘积项最少,且每个乘积项的变量个数最多 C:表达式中乘积项最少,且每个乘积项的变量个数最少 D:表达式中乘积项最多,且每个乘积项的变量个数最多 3、用逻辑函数卡诺图化简中,四个相邻项可合并为一项,它能: (B ) A:消去1个表现形式不同的变量,保留相同变量 B:消去2个表现形式不同的变量,保留相同变量 C:消去3个表现形式不同的变量,保留相同变量 表1 D:消去4个表现形式不同的变量,保留相同变量

4、已知真值表如表1所示,则其逻辑表达式为:( A ) A B : + C : + D :() 5、函数F(A ,B ,C)的最小项表达式为: ( B ) A :F()=∑m (0,2,4)B :F()=∑m (3,5,6,7) C :F()=∑m (0,2,3,4) D :F()=∑m (2,4,6,7) 6、欲将一个移位寄存器中的二进制数乘以(32)10需要( C )个移位脉冲。 A :32 B :C : 5 D : 6 7、已知74138译码器的输入三个使能端 (E 1=1,E 220)时,地址码A 2A 1A 0=011则输出Y 7 ~Y 0是:( C ) A :11111101 B : 10111111 C :11110111 D : 8、要实现n 1n Q Q =+,触发器的J 、K 取值应是:(D ) A :0,0 B :0,1 C :1,0 D :1,1 9、能够实现线与功能的是:( B ) A : 与非门 B :集电极开路门 C :三态逻辑门 D : 逻辑门

数电试题及答案(五套)学习资料

数电试题及答案(五套)

《数字电子技术基础》试题一 一、填空题(22分每空2分) 1、A 0 _________ , A 1 _____ 。 2、JK触发器的特性方程为:___________o 3、单稳态触发器中,两个状态一个为—态,另一个为—态?多谐振荡器两个状态都为 态,施密特触发器两个状态都为______ 态? 4、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的____ 有关,而与无关。 5、某数/模转换器的输入为8位二进制数字信号(D7~D O),输出为0~25.5V的模拟电压。若数字信号的最低位是“ 1其余各位是“0”则输出的模拟电压为 _______ o 6、一个四选一数据选择器,其地址输入端有_____ 个。 二、化简题(15分每小题5分) 用卡诺图化简逻辑函数,必须在卡诺图上画出卡诺圈 1) Y (A,B,C,D) =Em (0,1,2,3,4,5,6,7,13,15 2) L(A,B,C,D) m(0,13,14,15) d(1,2,3,9,10,11) 利用代数法化简逻辑函数,必须写出化简过程 3) F(A,B,C) AB ABC A(B AB) 三、画图题(10分每题5分) 据输入波形画输出波形或状态端波形(触发器的初始状态为0)

er 15—Q CP TC1 |_ 0 ! f k i ■■■■ Q 四、分析题(17分) 1、分析下图,并写出输出逻辑关系表达式,要有分析过程(6分) 2、电路如图所示,分析该电路,画出完全的时序图,并说明电路的逻辑功能,要有分析过程 (11 分) 五、设计题(28分) 1、用红、黄、绿三个指示灯表示三台设备的工作情况:绿灯亮表示全部正常;红灯亮表示有一台不 正常;黄灯亮表示两台不正常;红、黄灯全亮表示三台都不正常。列出控制电路真值表,要求用74LS138和适当的与非门实现此电路(20分) 2、中规模同步四位二进制计数器74LS161的功能表见附表所示;请用反馈预置回零法设计个六进制加法计数器。(8分) 2、

数字电路试题五套含答案汇总

数字电路试题五套含答 案汇总 TTA standardization office【TTA 5AB- TTAK 08- TTA 2C】

《数字电子技术》试卷一 一、 填空(每空1分,共25分) 1、(10110)2=( )10=( )16 (28)10=( )2=( )16 (56)10=( )8421BCD 2、最基本的门电路是: 、 、 。 3、有N 个变量组成的最小项有 个。 4、基本RS 触发器的特征方程为_______ ,约束条件是 __. 5、若存储器的容量是256×4RAM ,该RAM 有 ___存储单元,有 字,字长 _____位,地址线 根。 6、用N 位移位寄存器构成的扭环形计数器的模是________. 7、若令JK 触发器的J=K=T 则构成的触发器为_______. 8、如图所示,Y= 。 9、如图所示逻辑电路的输出Y= 。 10、已知Y=D AC BC B A ++,则Y = ,Y/= 。 11、组合逻辑电路的特点是_________、___________;与组合逻辑电路相比,时序逻辑电路的输出不仅仅取决于此刻的_______;还与电路 有关。 二、 化简(每小题5分,共20分) 1、公式法化简 (1)Y=ABC ABC BC BC A ++++ (2)Y ABC A B C =+++ 2、用卡诺图法化简下列逻辑函数 (1)Y BCD BC ACD ABD =+++ (2)(1,3,4,9,11,12,14,15)(5,6,7,13)m d Y =∑+∑

三、设下列各触发器初始状态为0,试画出在CP 作用下触发器的输出波形(10分) 四、用74LS161四位二进制计数器实现十进制计数器(15分) A 为主评判员, B 、 C 为副74LS138和与非门实现此功能的逻辑电路。(15分) 六、试分析如图电路的逻辑功能,设各触发器的初始状态为0(15分) 《数字电子技术》试卷一参考答案 一、 填空(每空1分,共25分) 1、10(22)、16(16);2(11100)、16(1)C ;8421(01010110)BCD 。 2、与、或、非。 3、2N 。 4、10 n n Q S RQ RS +=+= 5、1024、25 6、4位、8根。 6、2N 。 7、T 触发器。 8、Y=A+B 。 9、Y AB CD =+ 10、()()()Y A B B C A C D =++++;Y/=()()()A B B C A C D ++++ 11、即刻输入、即刻输出;输入信号、原来状态。 二、 化简(每小题5分,共20分) Q A A P 、T :计数选通端; r C :异步复位端; CP :时钟控制输入端;

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