天线效应解决方案
篇一：天线效应及解决方法
干蚀刻（etch）需要使用很强的电场驱动离子原浆，在蚀刻gate poly和氧化层边的时候，电荷可能积累在gate poly上，并产生电压足以使电流穿过gate的氧化层，虽然这种状况通常不会破坏gate氧化层，但会降低其绝缘程度。这种降低程度于gate氧化层面积内通过的电荷数成正比。每一poly区积累的正电荷与它的面积成正比，如果一块很小的gate氧化层连接到一块很大的poly图形时，就可能造成超出比例的破坏，因为大块的poly区就像一个天线一样收集电荷，所以这种效应称为天线效应，天线效应也会发生在source/drain的离子植入时。天线效应与poly和gate氧化层的面积之比成正比（对于 pmos和nmos,要分开计算gate氧化层的面积，因为它们的击穿电压不同）。当这个比值达到数百倍时，就可能破坏氧化层。大多数的layout中都可能有少数这样大比值的poly图形。
下图为一个可能产生天线效应的例子：mos M1的gate 由 poly连接至M2，当M1和M2距离够长造成poly和M1 gate 氧化层面积之比太大，从而可能破坏M1的gate氧化层。
消除天线效应的方法主要是设法降低接到gate的
poly面积。见右图，在poly接至gate增加一个metal
跳线，即减小了接至gate的poly与gate氧化层的面积之比，起到消除天线效应的作用。
天线效应产生的静电破坏也会发生在metal蚀刻时。如果metal接到diffusion时，极少会产生静电破坏，因为diffsion可以卸掉静电，所以top metal 一般不用考虑天线效应的问题（基本上每条top
metal都会接到diffusion上）。对于下层metal则不然，没有接到diffusion的下层metal当其接至gate 时，如面积过大，就极易产生天线效应。解决方
法：在下层metal上加一个top metal的跳线，如无法加top metal跳线，可以连接一个最小size的
Nmoat/P-epi或Pmoat/nwell的二极管，原则上这个二极管不可以影响线路的正常工作
篇二：PCB 中集成电路的天线效应
PCB 中集成电路的天线效应
如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不断减少，超大规模集成电路中常见的多种效应变得原来越重要并难以控制。天线效应便是其中之
当采用异步电机供水时，异步电机在全压起动时，从静止状态加速到额定转速所需时间极短。这就意味着在极短的时间里，水的流量从零猛到额定流量。由于流体具有具有动能和一定程度的压缩性，因此在极短的时间内流量的巨大变化将引起对管道的压强过高和过低的冲击。压力冲击将使管壁受力而产生噪声，犹如锤子敲击管道一样，故称为水锤效应。 水锤效应有极大的破坏性：压强过高，将引起管子的破裂，反之，压强过低又会导致管子的瘪塌，还会损坏阀门和固定件。 水力发电厂的水轮机在进水叶动作时也会发生这种现象.据我老师说他还碰到过进水叶因关闭过快而引起压水管爆裂的事故. 水锤效应是一种形象的说法.它是指给水泵在起动和停车时，水流冲击管道，产生的一种严重水击。由于在水管内部，管内壁是光滑的，水流动自如。当打开的阀门突然关闭或给水泵停车，水流对阀门及管壁，主要是阀门或泵会产生一个压力。由于管壁光滑，后续水流在惯性的作用下，水力迅速达到最大，并产生破坏作用，这就是水利学当中的“水锤效应”，也就是正水锤。相反，关闭的阀门在突然打开或给水泵启动后，也会产生水锤，叫负水锤，但没有前者大。 另一种关于水锤效应的说法:异步电动机在全压启动时,从静止状态加速到额定转速,水的流量从零猛增到额定流量.由于流体具有动量和一定程度的可压缩性,因此,在极短时间内流量的巨大变化将引起对管道的压强过高或过低的冲击,并产生空化现象.压力冲击将使管壁受力而产生噪音,就像锤子敲击管子一样,称为水锤效应. 采用恒压供水,可以通过对时间的预置来延长启动和停车过程,使动态转矩大为减小,从而从根本上消除水锤效应. 实际上，水锤出现在起泵和停泵两种情况下。停泵时，如果是扬程很高，泵通过关断电源自然停止，水会逆向砸下来，形成水锤。解决的办法是采用变频器或软起动器，用变频器最好，要多舒缓都可以，但是如果不需要调速，成本就高了，用软起动器就可以了，大多数软起动器具有软起和软停双重功能。 水锤产生的另一个原因是水管中有空气，空气柱在突然降压时会膨胀，推动水柱运动，这样气推水，水推气，形成水锤，形成大的破坏力。特别是第一次试水，必须排气，排气完了再停水。 水锤现象 在有压力管路中，由于某种外界原因（如阀门突然关闭、水泵机组突 然停车）使水的流速突然发生变化，从而引起压强急剧升高和降低的交替 变化，这种水力现象称为水击或水锤。 因开泵、停泵、开关闸阀过于快速，使水的速度发生急剧变化，特别 是突然停泵引起水锤，可以破坏管道、水泵、阀门、并引起水泵反转，管 网压力降低等，所以，预防水锤发生极为重要，平时预防水锤发生的措施 主要有以下几个方法： a. 开关阀门过快引起的水锤： （1）延长开阀和关阀时间。
天线效应解决方案 篇一：天线效应及解决方法 干蚀刻（etch）需要使用很强的电场驱动离子原浆，在蚀刻gate poly和氧化层边的时候，电荷可能积累在gate poly上，并产生电压足以使电流穿过gate的氧化层，虽然这种状况通常不会破坏gate氧化层，但会降低其绝缘程度。这种降低程度于gate氧化层面积内通过的电荷数成正比。每一poly区积累的正电荷与它的面积成正比，如果一块很小的gate氧化层连接到一块很大的poly图形时，就可能造成超出比例的破坏，因为大块的poly区就像一个天线一样收集电荷，所以这种效应称为天线效应，天线效应也会发生在source/drain的离子植入时。天线效应与poly和gate氧化层的面积之比成正比（对于 pmos和nmos,要分开计算gate氧化层的面积，因为它们的击穿电压不同）。当这个比值达到数百倍时，就可能破坏氧化层。大多数的layout中都可能有少数这样大比值的poly图形。 下图为一个可能产生天线效应的例子：mos M1的gate 由 poly连接至M2，当M1和M2距离够长造成poly和M1 gate 氧化层面积之比太大，从而可能破坏M1的gate氧化层。 消除天线效应的方法主要是设法降低接到gate的 poly面积。见右图，在poly接至gate增加一个metal
跳线，即减小了接至gate的poly与gate氧化层的面积之比，起到消除天线效应的作用。 天线效应产生的静电破坏也会发生在metal蚀刻时。如果metal接到diffusion时，极少会产生静电破坏，因为diffsion可以卸掉静电，所以top metal 一般不用考虑天线效应的问题（基本上每条top metal都会接到diffusion上）。对于下层metal则不然，没有接到diffusion的下层metal当其接至gate 时，如面积过大，就极易产生天线效应。解决方 法：在下层metal上加一个top metal的跳线，如无法加top metal跳线，可以连接一个最小size的 Nmoat/P-epi或Pmoat/nwell的二极管，原则上这个二极管不可以影响线路的正常工作 篇二：PCB 中集成电路的天线效应 PCB 中集成电路的天线效应 如摩尔定律所述，数十年来，集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知，这种高速增长的趋势总有一天会结束，人们只是不知道当这一刻来临时，集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，集成电路密度不断增加，而栅氧化层宽度不断减少，超大规模集成电路中常见的多种效应变得原来越重要并难以控制。天线效应便是其中之
冷热水系统中的水锤现象 意大利卡莱菲公司北京办事处舒雪松 冷热水管道中的水锤现象指管道中的水流在极短的时间内迅速地停止或加速，因此所造成的有力的冲击。比如说，在迅速关闭水龙头，或水泵起停时，经常听到‘嘭’一声短暂的闷响。这就是典型的‘水锤现象’。这种冲击的能量来自于管道内水流速度突然的改变。 ‘水锤’这一名词来源于古代的一种兵器‘攻城槌’，它运用于攻克城墙或城门，它造成的冲击力与水锤现象类似。 图1 ‘攻城槌’由一个长木棒制成，在木棒的顶端有一个铁锤，它能产生的冲击力大小取决于操作武器的士兵的力量。（见图1） 而水锤力量的大小却由很多因素决定。 管道中静止的水只具有‘潜能’，即由它的定额所决定的能量。当定额降低并接近海平面时，其潜能减弱并消失。如果假定海平面为‘0’，高于海平面的海拔高度‘z’,物体质量为m,那么它所具备的能量为mgz：其中‘g’为重力加速度（9.81m/s2）。 如果管道中的水以一定的速度‘v’流动，在潜能上又加入了动能，约为1/2 mv2。这种运行的能量来源于mv, 它代表了水的运动量，即组成水的每一滴水的运动量总和。 就如前面提到的一样，当猛然关闭阀门或水泵时，水的流速突然变为零（v=0），其动能也消失（1/2 mv2=0）同样它的运动量也消失（mv=0）。
但是，水所具备的能量不可能就这样瞬间溶解，它改变为‘压力波’，以声速在管道内传送。这就是‘水锤现象’。它所产生的高压能超过100bar ，而其延续的时间也就仅百分之几秒。由于其速度如此快捷，管道上的压力表根本无法显示出管道系统内这种瞬间弹性的压力波动。 理论上说，水不能被压缩，但为了更好地解释高压的产生，我们必须承认水是能被压缩的，如同气体一样。根据Hoorce 定律，如果将1立方米水压缩1bar ，它体积将减少 50cm 3。当关闭一段管道末端的阀门时（如图2所示）。与阀门接触的水受到压缩，通俗地说, 水‘缩短’了。因此它的部分动能改变为压力能量。这时，其压力由P 变为P+△P ，△P 即是超出的压力。压力波沿着管道相反的方向传送到管道的起点，如水箱。在这儿，水箱的水受到膨胀。如果管道长度L （m ）为阀门上游管道长度，c 为运动速度（m/s ）（紊流传送的速度）。压力波到达管道起点的时间t=L/c (s)。这种情况下，管道内的水流是静止的（v=0）而且是被压缩的。 我们假设管道的起点为一个水箱的入口处，当压力波到达这个假定的入口处截面时，在入口处的水箱一端压力为Px+△P 。一部分可以忽略不计的水从管道回到水箱，这样一来，在水箱至阀门之间产生了负压一△P 。这个负压经过同样的L/c 的时间到达阀门。因此从关闭阀门到负压回到阀门共用时间tc=2 L/c ，称为‘持续时间’。 但是在阀门这儿又出现了一△P 的不平衡，此负压向上游方向延伸。因此在水箱与阀门之间又产生了压力波。这个时间段为3 L/C 。所有这些往返的压力波都在约百分之几秒内完成，如同前面讲到的一样。 如何界定关闭阀门的方式是否会造成水锤呢？我们将关闭的方式分为‘猛烈’式和‘平缓式’。通常说来, ‘猛烈关闭’的方式会带来水锤使压力升高。 当关闭的时间tc<2 L/c 时，这属于‘猛烈’关闭，当tc>2 L/c 时属于‘平缓’关闭。如果是猛烈关闭，超压（或负压）的最高值并不是出现在整个管道长度L （即水箱至阀门关闭处），而是出现在从阀门关闭处开始的Lx=L —（ctc/2）。经过这一段长度后，超压（或负压）将沿程逐渐降低（或增加）。（如图2所示）。如果关闭是‘瞬间的’，以上的压力值将会出现在整个管道内。 值得注意的是，猛烈地关闭阀门会造成超压，猛烈地开启阀门会造成降压。两者都会产生水锤现象。 区别只
谈水锤产生原因 、危害和预防措施 水锤产生原因、 我公司施工的绿城千岛湖度假公寓1#楼工程，空调管道中连接风机盘管的不锈钢软接出现多处断裂，造成吊顶泡水的严重后果。另外杭州金沙港旅游文化村度假用房某楼也发生了给水铜管管件断裂的事故，同样造成了吊顶泡水的严重后果。这二起事故都造成较大经济损和负面影响，经现场踏勘和相关情况的了解分析，造成这二起事故的原因为“水锤”。 先说说什么叫水锤、产生水锤的原因及其危害：水锤是在突然停泵或者在阀门关闭或打开太快时,由于压力水流的惯性,产生的水流冲击波,由于象锤子敲打一样,所以叫水锤。水锤产生的原因是： 1、阀门突然开启或关闭。由于管道内壁光滑，水流动自如，当阀门突然关闭，水流对阀门及管壁，主要是阀门会产生一个压力，后续水流在惯性的作用下，使压力迅速达到最大，并产生破坏作用，这是正水锤。相反，关闭的阀门在突然打开时，也会产生水锤，叫负水锤，也有一定的破坏力，但没有前者大。2、水泵突然停止或开启。水泵起动时，在不到1s的时间内，即可从静止状态加速到额定转速，管道内的流量则从零增加到额定流量。由于流体具有动量和一定程度的可压缩性，所以，流量的急剧变化将在管道内引起压强过压或过低的冲击，以及出现“空化”现象；水泵停止时，管道中的水靠惯性以逐渐减慢的速度继续向用水点流动，然后流速降到零，管道中的水在重力水头作用下，又开始向水泵倒流，速度由零逐渐增大。由于管道中水的流速变化，从而引起水锤的发生。3、管道中存在空气。空气柱在突然降压或升压时会膨胀或压缩推动水柱运动，这样气推水、水推气，形成水锤。另外管道向高处输水（高差超过20米）；水泵总扬程（或工作压力）大；
天线一般理论简介 为了有效斯将能量从发射机馈送到天线,需要解决如下三个问题：1、有效地进行能量转换，提高辐射功率或提高天线系统的信噪比，天线作为传输线的终端负载，要求天线与传输线匹配；2、天线作为一种辐射或接受器件，应具有向所需方向辐射无线电波的能力；3、天线作为一种极化器件，可分为线极化，圆极化和椭圆极化。在同一系统中收发天线应具有相同的极化形式。天线一般都是可逆的，即同一副天线即可用做接收天线，也可用作发射天线。天线按结构形式分为两大类：一类是导线，金属棒或金属板构成的天线，称为线天线；另一类是似声学或光学设备，由金属面或介质面构成的面天线。 一、基本元的辐射: 1、电基本振子的辐射 给出在球坐标原点沿z 轴放置的电基本振子在各向同性理想均匀无限大自由空间的表达式： 3202 32022 cos 41sin 41 sin 40 jkr A r jkr A jkr A r I l j k E e r r I l j k jk E e r r r I l jk H e r r H H E θ?θ?θπωεθπωεθπ---? ?= -+ ?????=-+- ?????= + ??? ===注：9 02 2 000 010 362/E 120H k k θ? εεπ πλωεμηπ-== === =相移常数；波阻抗（远区场） （1）近区场
当kr<<1时称为近区场，此时 2 3 3 sin 42 cos 41 sin 40 A A r A r I l H r I l E j r I l E j r H H E ?θθ?θ πθωεπθ ωεπ= =-=-=== 不难看出，上述表达式和稳态场的公式完全相符，因此，近区场又称为似稳区。场随距离的增大而迅速减少。电场滞后于磁场90度，因此复坡印延矢量是虚数(12S E H =?),每周平均 辐射的功率为零。这种没有能量向外辐射的场称之为“感应场”。 （2）远区场 当kr>>1时称为远区场，此时60sin e sin e 20 jkr A jkr A r r I l E j r I l H j r E H H E θ? θ?πθλθλ--==≈=== 此时，有电场和磁场两个分量在空间相互垂直且与r 矢径方向垂直，三者构成右手螺旋系统。电场、磁场在时间上同相，其复坡印延矢量* 12S E H =?是实数，为有功功率且指向r 增加的 方向上。二者比值为一实数0 120η π =，所以仅需讨论二者之一。 且电基本振子远区场是沿着径向向外传播的横电磁波TEM 。在0180 o o θ =、方向上辐射为0，在90 o θ =方向辐射最强。方向图： E 面（包含振子轴）为一个8字形，H 面（垂直振子轴）为一个圆。 （3）辐射功率
什么是水锤效应? 当采用异步电机供水时，异步电机在全压起动时，从静止状态加速到额定转速所需时间极短。这就意味着在极短的时间里，水的流量从零猛到额定流量。由于流体具有动能和一定程度的压缩性，因此在极短的时间内流量的巨大变化将引起对管道的压强过高和过低的冲击。压力冲击将使管壁受力而产生噪声，犹如锤子敲击管道一样，故称为水锤效应。 另一种说法是指给水泵在起动和停车时，水流冲击管道，产生的一种严重水击。由于在水管内部，管内壁是光滑的，水流动自如。当打开的阀门突然关闭或给水泵停车，水流对阀门及管壁，主要是阀门或泵会产生一个压力。由于管壁光滑，后续水流在惯性的作用下，水力迅速达到最大，并产生破坏作用，这就是水利学当中的“水锤效应”，也就是正水锤。相反，关闭的阀门在突然打开或给水泵启动后，也会产生水锤，叫负水锤，但没有前者大。 水锤产生的另一个原因是水管中有空气，空气柱在突然降压时会膨胀，推动水柱运动，这样气推水，水推气，形成水锤，形成大的破坏力。特别是第一次试水，必须排气，排气完了再停水。 水锤效应的危害： 因开泵、停泵、开关阀门过于快速，使水的速度发生急剧变化，特别是突然停泵引起的水锤，可以破坏管道、水泵、阀门，并引起水泵反转，管网压力降低等。水锤效应有极大的破坏性：压强过高，将引起管子的破裂，反之，压强过低又会导致管子的瘪塌，还会损坏阀门和固定件。 水锤效应的预防： 采用恒压供水，可以通过对时间的预置来延长启动和停车过程，使动态转矩大为减小，从而从根本上消除水锤效应。 （1）管线内空气未能排出易产生水锤。管线有高低起伏之情况，管线较高之位置，容易积存空气，因空气受压后，体积会被压缩，内压会大幅度的增加，导致产生水锤。水锤则造成壁承受瞬间加压。 防止措施：管线较高之位置装设“自动排气阀”自动排气阀上方有浮动球，当水未达满或没有水时，浮球自动掉落，空气可由此孔排出，当管内有水，此浮球会浮起，满管时此浮球会浮上堵塞上方之圆孔，上述功能可排出管内高处遗留的
水锤现象的解决方案 1.概述 当采用异步电机供水时，异步电机在全压起动时，从静止状态加速到额定转速所需时间极短。 这就意味着在极短的时间里，水的流量从零猛到额定流量。由于流体具有具有动能和一定程 度的压缩性，因此在极短的时间内流量的巨大变化将引起对管道的压强过高和过低的冲击。 压力冲击将使管壁受力而产生噪声，犹如锤子敲击管道一样，故称为水锤效应。 水锤效应有极大的破坏性：压强过高，将引起管子的破裂，反之，压强过低又会导致 管子的瘪塌，还会损坏阀门和固定件。 水力发电厂的水轮机在进水叶动作时也会发生这种现象。进水叶因关闭过快而引起压水 管爆裂的事故。 2.水锤效应现象 水锤效应是一种形象的说法 . 它是指给水泵在起动和停车时，水流冲击管道，产生的一种 严重水击。由于在水管内部，管内壁是光滑的，水流动自如。当打开的阀门突然关闭或 给水泵停车，水流对阀门及管壁，主要是阀门或泵会产生一个压力。由于管壁光滑，后续 水流在惯性的作用下，水力迅速达到最大，并产生破坏作用，这就是水利学当中的“水锤 效应”，也就是正水锤。相反，关闭的阀门在突然打开或给水泵启动后，也会产生水锤， 叫负水锤，但没有前者大。 另一种关于水锤效应的说法:异步电动机在全压启动时,从静止状态加速到额定转速,水的流量从零猛增到额定流量.由于流体具有动量和一定程度的可压缩性,因此 , 在极短时间内流量的巨大变化将引起对管道的压强过高或过低的冲击 ,并产生空化现象 .压力冲击将使管壁受力而产 生噪音 , 就像锤子敲击管子一样 ,称为水锤效应。 3.水锤解决方法 采用恒压供水 , 可以通过对时间的预置来延长启动和停车过程 , 使动态转矩大为减小 ,从而从根本上消除水锤效应 . 实际上，水锤出现在起泵和停泵两种情况下。停泵时，如果是扬程很高，泵通过关断电源 自然停止，水会逆向砸下来，形成水锤。解决的办法是采用变频器或软起动器，用变频 器最好，要多舒缓都可以，但是如果不需要调速，成本就高了，用软起动器就可以了，大 多数软起动器具有软起和软停双重功能。 水锤产生的另一个原因是水管中有空气，空气柱在突然降压时会膨胀，推动水柱运动，这 样气推水，水推气，形成水锤，形成大的破坏力。特别是第一次试水，必须排气，排气完 了再停水。
水锤的产生与消除 水锤是在突然停电或者在阀门关闭太快时,由于压力水流的惯性,产生水流冲击波,就象锤子 敲打一样,所以叫水锤。水流冲击波来回产生的力，有时会很大，从而破坏阀门和水泵。“水锤效应”是指在水管内部，管内壁光滑，水流动自如。当打开的阀门突然关闭，水流对阀门及管壁，主要是阀门会产生一个压力。由于管壁光滑，后续水流在惯性的作用下，迅速达到最大，并产生破坏作用，这就是水利学当中的“水锤效应”，也就是正水锤。在水利管道建设中都要考虑这一因素。相反，关闭的阀门在突然打开后，也会产生水锤，叫负水锤，也有一定的破坏力，但没有前者大。 电动水泵合电压起动时，在不到1s的时间内，即可从静止状态加速到额定转速，管道内的流量则从零增加到额定流量。由于流体具有动量和一定程度的可压缩性，所以，流量的急剧变化将在管道内引起压强过压或过低的冲击，以及出现“空化”现象。压力的冲击将使管壁受力而产生噪声，犹如锤子敲击管子一般，称为“水锤效应”。 水锤效应只和水本身的惯性有关系，和水泵没有关系。 水锤效应的危害 水锤效应有极大的破坏性：压强过高，将引起管子的破裂，反之，压强过低又会导致管子的瘪塌，还会损坏阀门和固定件。 当切断电源而停机时，泵水系统的势能将克服电动机的惯性而命名系统急剧地停止，这也同样会引起压力的冲击和水锤效应。 为了消除水锤效应的严重后果，在管路中需要受到一系列缓冲措施和设备。 水锤消除器 水锤消除器能在无需阻止流体流动的情况下，有效地消除各类流体在传输系统可能产生的水外锤和浪涌发生的不规则水击波震荡，从而达到消除具有破坏性的冲击波，起到保护之目的。水锤消除器的内部有一密闭的容气腔，下端为一活塞，当冲击波传入水锤消除器时，水击波作用于活塞上，活塞将往容气腔方向运动。活塞运动的行程与容气腔内的气体压力、水击波大小有关，活塞在一定压力的气体和不规则水击双重作用下，做上下运动，形成一个动态的平衡，这样就有效地消除了不规则的水击波震荡。 水锤效应的消除 要想消除水锤，必须加装水锤吸纳器或缓闭止回阀。只有缓闭功能的碟形止回阀才有防止水锤的作用。
第九章水电站的水锤与调节保证计算 第一节概述 一、水电站的不稳定工况 机组在稳定运行时，水轮机的出力与负荷相互平衡，这时机组转速不变，水电站有压引水系统(压力隧洞、压力管道、蜗壳及尾水管)中水流处于恒定流状态。 在实际运行过程中，电力系统的负荷有时会发生突然变化(如因事故突然丢弃负荷，或在较短的时间内启动机组或增加负荷)，破坏了水轮机与发电机负荷之间的平衡，机组转速就会发生变化。此时水电站的自动调速器迅速调节导叶开度，改变水轮机的引用流量，使水轮机的出力与发电机负荷达到新的平衡，机组转速恢复到原来的额定转速。由于负荷的变化而引起导水叶开度、水轮机流量、水电站水头、机组转速的变化，称为水电站的不稳定工况。其主要表现为： (1) 引起机组转速的较大变化 由于发电机负荷的变化是瞬时发生的，而导叶的启闭需要一定时间，水轮机出力不能及时地发生相应变化，因而破坏了水轮机出力和发电机负荷之间的平衡，导致了机组转速的变化。丢弃负荷时，水轮机在导叶关闭过程中产生的剩余能量将转化为机组转动部分的动能，从而使机组转速升高。反之增加负荷时机组转速降低。 (2) 在有压引水管道中发生“水锤”现象 当水轮机流量发生变化时，管道中的流量和流速也要发生急剧变化，由于水流惯性的影响，流速的突然变化使压力水管、蜗壳及尾水管中的压力随之变化，即产生水锤。导叶关闭时，在压力管道和蜗壳中将引起压力上升，尾水管中则造成压力下降。反之导叶开启时，在压力管道和蜗壳内引起压力下降，而在尾水管中引起压力上升。 (3) 在无压引水系统(渠道、压力前池)中产生水位波动现象。无压引水系统中产生的水位波动计算在第八章已介绍。 二、调节保证计算的任务 水锤压力和机组转速变化的计算，一般称为调节保证计算。调节保证计算的任务及目的是： (1) 计算有压引水系统的最大和最小内水压力。最大内水压力作为设计或校核压力管道、蜗壳和水轮机强度的依据之一；最小内水压力作为压力管道线路布置、防止压力管道中产生负压和校核尾水管内真空度的依据。
灌溉系统中水锤的防治办法 供水管道总会产生一阵阵有节奏的异响，作为工程人员我们应知道，这是水锤现象会危害我们的管网及设备，必须尽早处理及时预防。 一、何为水锤现象？ 在有压力管路中，由于某种外界原因（如阀门突然关闭、水泵机组突然停机）使水的流速突然发生变化，从而引起水击，这种水力现象称为水击或水锤。液体在管内流动时，它具有动能，当液体突然停止，它的运动能量必须被消除。这时能量变成自停止点开始的高压波，以近声音的传播速度沿管路系统来回传递，使管内液体膨胀并撞击管路，发出刺耳的噪声。 也就是说：快速地开泵、停泵、开关阀门，使水的流速发生急剧变化，就是产生水锤现象的基本原因。 二、水锤的危害 水锤效应有极大的破坏性：由于水锤的产生，使得管道中压力急剧增大至超过正常压力的几倍甚至十几倍、几十倍，其危害很大，严重时会引起管道的破裂，影响生产和生活。压强过高，将引起管子的破裂，反之，压强过低又会导致管子的瘪塌，还会损坏阀门和固定件。 水锤现象可以破坏管道、水泵、阀门、并引起水泵反转，管网压力降低等。 三、常见水锤现象的原因分析及对策 既然管道系统内水的流速的急剧变化是产生水锤的基本原因，我们有必要对此展开深入地探讨，以便寻求应对之策。 1.各种阀门突然开启或关闭，水泵机组突然停机或开启 将响应太快调整为响应迟钝，比如延长开阀和关阀时间，选择开关动作迟钝的阀门，或者选择关键点位安装止回阀。 2.输水管道中水流速度过大；管道过长，且地形变化大 降低输水管线的流速，可在一定程度上降低水锤压力，但会增大输水管管径，增加工程投资。 输水管线布置时应考虑尽量避免出现驼峰或坡度剧变。 减少输水管道长度，管线愈长，水锤值愈大。高山地区灌溉可选择截断管道减压的方式，解决管道铺设过长的问题。也可采用增加专用阀门的方式进行水锤的消除。 采用水力控制阀：一种采用液压装置控制开关的阀门，一般安装于水泵出口，该阀利用机泵出口与管网的压力差实现自动启闭，阀门上一般装有活塞缸或膜片室控制阀板启闭速度，通过缓闭来减小水锤冲击，从而有效消除水锤。 采用快闭式止回阀：该阀结构是在快闭阀板前采用导流结构，停泵时，阀板同时关闭，依靠快闭阀板支撑住回流水柱，使其没有冲击位移，从而避免产生停泵水锤。
屏蔽技术 1 概述 电磁兼容设计应达到两个目的：一是通过优化电路和结构方案的设计，将干扰源本身产生的电磁噪声减低到能接受的水平；一是通过各种干扰抑制技术，将干扰源与被干扰电路之间的耦合减弱到能接受的程度。屏蔽技术是达到上述目的的最重要的手段之一。 按要屏蔽的电磁场性质分类，屏蔽技术通常分为三大类：电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。电场屏蔽一般针对静电场和低频交变电场的屏蔽，磁场屏蔽主要针对直流磁场屏蔽和低频交流磁场屏蔽，电磁场屏蔽主要针对同时存在电磁及磁场的高频辐射电磁场的屏蔽。 按屏蔽体的结构分类，可以分为完整屏蔽体屏蔽（屏蔽室或屏蔽盒等）、非完整屏蔽体屏蔽（带有孔洞、金属网、波导管及蜂窝结构等）以及编织带屏蔽（屏蔽线、电缆等）。 2 屏蔽的基本原理 2.1 电场屏蔽 我们知道，当一个带有正电或负电的物体靠近一个导体时，就会在该导体上产生感应电荷，当电荷平衡时，靠近物体的一边产生和该物体极性相反的等量电荷，另外一边产生和该物体极性相同的等量电荷，这个就是静电感应现象。倘若感应的电场很强，且物体距离很近，就会发生静电放电。静电放电是有危害的，比如人体接触一块电路板或电子装置的某个部位时，就可能造成静电放电，尽管放电电流我们可能感觉不到，但一些器件或许就会因为这次放电而损坏。 表2-1 常见半导体器件的静电放电易损电压参考值 是否处于外电场中，必定为等势体，其内部场强为零，这是静电屏蔽的理论基础。因为封闭导体壳内的电场具有典型意义和实际意义，我们以封闭导体壳内的电场为例对静电屏蔽作一些讨论。 若壳内无带电体而壳外有电荷q，则静电感应使壳外壁带电，静电平衡时壳内无电场。这并不是说壳外电荷不在壳内激发电场。由于壳外壁感应出异号电荷，它们与q在壳内空间任一点激发的合场强为零，因而导体壳内部不会受到壳外电荷q或其他电场的影响。壳外壁
第一节水锤现象和研究水锤的目的 一、水锤现象 《水力学》这门课程告诉我们，当压力管道末端的流量发生变化时，管道内将出现非恒定流现象，其特点是随着流速的改变压强有较显著的变化，这种现象称为水锤（亦称水击）。 图14-1为一压力管道的示意图。管道末端有一节流阀A；阀门全开时管道中的恒定流速为Vo,若忽略水头损失，管末水头为Ho ,管道直径为do，水的密度为ρo。 当阀门突然关闭（关闭时间 =0)后，阀门处的流速为零，管道中的水体由于惯性作用，仍以流速Vo 流向阀门，首先使靠近阀门dx长的一段水体受到压缩，如图14- 1（a），在该段长度内，流速减为零，水头增至Ho +△H,水的密度增至ρo+△ρ,管径增至do +△d。由于dx上游水体未受到阀门关闭的影响，仍以流速Vo流向下游，使靠近dx上游的另一段水体又受到压缩，其结果使流速、压强、水的密度和管径变化与dx段相同。这样，整个压力管道中的水体便逐步被压缩。水头变化△H称水锤压强，其前峰的传播速度c称水锤波速。 当时间t=L/c（L为管长）时，水锤波传到B点。B点的左边为水库，压强不变，右边的压强比左边高△H,不能平衡，管道中的水体被挤向水库，其流速为Vo,使管道进口的压强恢复到初始状态Ho ,水的密度和管径也恢复到初始状态ρo和do.可以看出，水锤波在B点发生了反射，反射波的绝对值与入射波相同，均为△H,但符号相反，即由升压波反射为降压波，故B点的反射规律为异号等值反射，这是水库对水锤波反射的特点。 B点的反射波以速度c向下游传播，反射波所到之处，消除了升压波的影响，使管道中水的压强、密度和管径都恢复到初始状态，但流速方向与初始状态相反，见图14-1(b)。 当t=2L/c时，管道中的压强虽恢复正常，但其中的水体仍以流速Vo 向上游流动，由于阀门是关闭的，要求流速为零，故此向上游的流速Vo必然在阀门处引起一个压降△H，可以看出，水库反射波在阀门处再一次发生反射，其数值和符号均不变，即降压波仍反射为降压波，故A 点的反射规律为同号等值反射，这是阀门完全关闭状态下的反射特点。
微波技术与天线复习题选 微波基本概念： 微波通常是指波长为至的电磁波。 微波通常是指频率以到的电磁波。 以波长划分，微波通常分为波，波，波，波。 在微波工程中，C波段是指厘米波，χ波段是指厘米波。L 波段是指厘米波，S波段是指厘米波。 微波炉是利用某些物质吸收微波能所产生的效应进行的。 微波波段中的mm和mm波可以无阻地通过大气游离层，是电磁波通讯的宇宙窗口。 传输线参量特性： 当负载阻抗为时，无耗传输线为行驻波状态，此时传输线上反射系数的模驻波比为。当负载阻抗为时，无耗传输线为行波状态，此时传输线上反射系数的模驻波比为。 当负载阻抗为时，无耗传输线为纯驻波状态，此时传输线上反射系数的模驻波比为。传输线终端短路时，其反射系数的模|Г（）|= ，驻波比= ，离负载λ/4处的输入阻抗 只有当负载为时，才能产生行驻波状态，此时传输线上的反射系数的模介于和之间 传输线上的负载给定后，沿无损耗传输线移动时，其反射系数Г（）按下列规律变化：模，辐角按而变。 传输线处于行波工作状态时，沿线电压和电流具有相相位，它们各自的振幅保持，输入阻抗亦是个量，且等于阻抗。 传输线终端短路时，其反射系数的模|Г（）|= ；传输线终端接匹配负载时，其反射系数的模|Г（）
|= 。（设传输线为无损耗线） 在阻抗圆图上沿等驻波比圆旋转时；顺时针旋转，代表传输线上参考面向方向移动，通时针旋转代表传输线上参考面向方向移动。 对串联等效短路应用圆图，对并联等效电路应用圆图。 当负载阻抗为时，传输线上为行驻波状态，此时传输线上的驻波比为。 求图示传播线电路A，B端的输入阻抗。 圆图基本概念： 试画一阻抗圆图简图。並标出感性半圆。容性半圆、可调匹配圆及纯电抗圆。 在复平面上作出阻抗圆图的简图，并在上面标出短路点、开路点、匹配点、可调匹配圆。 在阻抗圆图上沿等圆旋一周，相当于在传输线上移动。 在阻抗圆图上，归一化电阻= 的圆称为可调圆。 在阻抗圆图上，归一化电抗= 的线称为纯线。 在阻抗圆图上，归一化电阻= 的点称为短路点，归一化电抗=的点称为开路点。 在阻抗圆图上，归一化电阻= 的圆称为圆。 圆图应用： 一无耗传输线的负载阻抗为50+50 ，传输线特性阻抗为50 ，试用公式方法求出其反射系数和驻波比。已知平行双线传输线的特性阻抗为250Ω，负载阻抗为500—j150Ω，求距离终端4.8λ处的输入导纳。
Antenna Effect 天线效应： 当大面积的金属1直接与栅极相连，在金属腐蚀过程中，其周围聚集的离子会增加其电势，进而使栅电压增加，导致氧化层击穿。大面积的多晶硅也有可能出现天线效应。 打个简单的比方，在宏观世界里，广播、电视的信号，都是靠天线收集的，在我们芯片里，一条条长的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，当有游离的电荷时，这些“天线”便会将它们收集起来，天线越长，收集的电荷也就越多，当电荷足够多时，就会放电。 那么，哪里来的这么多的游离电荷呢？IC现代制程中经常使用的一种方法是离子刻蚀（plasma etching），这种方法就是将物质高度电离并保持一定的能量，然后将这种物质刻蚀在wafer上，从而形成某一层。理论上，打入wafer的离子总的对外电性应该是呈现中性的，也就是说正离子和负离子是成对出现，但在实际中，打入wafer的离子并不成对，这样，就产生了游离电荷。另外，离子注入（ion implanting）也可能导致电荷的聚集。可见，这种由工艺带来的影响我们是无法彻底消除的，但是，这种影响却是可以尽量减小的。这些电要放到哪里去呢？我们知道，在CMOS工艺中，P型衬底是要接地的，如果这些收集了电荷的导体和衬底间有电气通路的话，那么这些电荷就会跑到衬底上去，将不会造成什么影响；如果这条通路不存在，这些电荷还是要放掉的，那么，在哪放电就会对哪里造成不可挽回的后果，一般来讲,最容易遭到伤害的地方就是gate oxide。通常，我们用“antenna ratio”来衡量一颗芯片能发生“antenna effect”的几率。
“antenna ratio”的定义是：构成所谓“天线”的导体（一般是metal）的面积与所相连的gate oxide的面积的比率。这个比率越大，就越容易发生antenna effect。这个值的界定与工艺和生产线有关，经验值是300：1。我们可以通过DRC来保证这个值。随着工艺技术的发展，gate的尺寸越来越小，metal的层数越来越多，发生antenna effect的可能性就越大，所以，在0.4um/DMSP/TMSP以上工艺，我们一般不大会考虑antenna effect，而在0.25um以下工艺，我们就不得不考虑这个问题了。 避免措施： 减小与栅连接的多晶硅和金属一面积，令其在所接栅面积的100倍以下： 采用第二层金属过渡。
水锤理论及其应用综述 对封闭管道水力瞬变主题的理论和现实利益的研究已超过一百多年的历史。虽然管网的一维性研究是简单的，但是瞬态流体流动的完整描述是流体动力学理论中一个有趣的问题。例如，目前对管道中瞬态的波湍流结构和强度响应和管道中由于水动力不稳定因素引起的流轴对称损失尚无法了解。然而，这种了解对于瞬态管子流动中的能量耗散和水质模型是重要的。这篇文章在历史发展状况以及目前在水利瞬边领域的研究和实践两个方面做了回顾。特别是，这篇文章论述了一维流动的质量和动量方程，波速，数值求解一维问题，以及一维问题的壁面剪应力模型；二维流动的质量和动量方程，湍流模型，数值求解二维问题，边界条件，瞬态分析软件，和水锤理论和实践未来的研究方向。报告着重介绍了各种方程的假设和限制条件，从而阐明了这些方程运动的范围以及这些方程运用的局限性。了解这些方程是局限性是非常重要的（1）可以用来解释结果，（2）判断从他们获得的数据的可靠性，（3）尽量减少在研究和实践的滥用水锤模型，和（4）可以划分影响数值结果和水锤模型物理过程的影响因素。 1 引言 实际上物理知识方面的增长不能被当做一个积累的过程。这种知识的基本格式改变是不时的……，在累计期间，科学家按照他们知道的方法去研究，除了缺少细节和精度的改进。他们依照自然界的规律
思考问题，例如在一定的时间里用简单的模型去解释他们现实的经验。后来的科学家通常发现这些现实体现某些隐含的假设和假设的观念，后来验证竟然是不正确的。范德堡。 中国古代，中部美洲玛雅印第安人，美索不达米亚文明，尼罗河，底格里斯河和幼发拉底河系统接壤，和整个历史上的许多其他社会已经开发出传达的水，主要用于农业灌溉用途广泛的系统，但也为国内旅游业议会供水。古人在“传统，”文化为基础的高科技技术的背景下理解和运用流体流动的原则。随着科学时代的到来和数学中牛顿的原理的发展，我们对流体流动理论有了一个抽象飞跃。到二十世纪中叶，这一飞跃已推动整个水利工程的发展。高速计算机的出现，促使了另一种流体工程原理的研究和应用的离散改造。今天，在液压系统等领域，工程师发现随着技术的迅速进入一个前所未有的知识和信息的积累阶段，他们的任务有了更大的广度和深度。 引述科学革命的结构中的话，库恩称这样激进的时期和我们物理观念的迅速改变真的是一种革命和非累积的过渡时期。而他所持有的科学的观念是真实的，他的言论也同样适用于我们运用的技术能力去涉及一个修改过的或更复杂的物理领域。正是在这种情况下，封闭管道瞬态流动，甚至更普遍，液压分析，设计，管道系统的运作，才会被发现。 计算机时代充满着希望，它带来了巨大的发展和新知识和新技术的应用。以前接受的设计方法，标准和准则正在受到挑战，在某些情况下，过时和修订也在被挑战。计算机辅助分析和设计造成这些改变的主要
版图设计中的天线效应！ 最近做版图设计中，经常要考虑到天线效应，常用插入二极管的方法来消除天线效应，下面给出天线效应的解释： 打个简单的比方，在宏观世界里，广播、电视的信号，都是靠天线收集的， 在我们芯片里，一条条长的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是 一根根天线，当有游离的电荷时，这些“天线”便会将它们收集起来，天线 越长，收集的电荷也就越多，当电荷足够多时，就会放电。 那么，哪里来的这么多的游离电荷呢？IC现代制程中经常使用的一种方法 是离子刻蚀（plasma etching），这种方法就是将物质高度电离并保持一定的 能量，然后将这种物质刻蚀在wafer上，从而形成某一层。理论上，打入 wafer的离子总的对外电性应该是呈现中性的，也就是说正离子和负离子是 成对出现，但在实际中，打入wafer的离子并不成对，这样，就产生了游离 电荷。另外，离子注入（ion implanting）也可能导致电荷的聚集。可见，这 种由工艺带来的影响我们是无法彻底消除的，但是，这种影响却是可以尽量 减小的。 这些电要放到哪里去呢？我们知道，在CMOS工艺中，P型衬底是要接地 的，如果这些收集了电荷的导体和衬底间有电气通路的话，那么这些电荷就 会跑到衬底上去，将不会造成什么影响；如果这条通路不存在，这些电荷还 是要放掉的，那么，在哪放电就会对哪里造成不可挽回的后果，一般来讲， 最容易遭到伤害的地方就是gate oxide。 通常，我们用“antenna ratio”来衡量一颗芯片能发生“antenna effect”的几 率。“antenna ratio”的定义是：构成所谓“天线”的导体（一般是metal） 的面积与所相连的gate oxide的面积的比率。这个比率越大，就越容易发生antenna effect。这个值的界定与工艺和生产线有关，经验值是300：1。我们 可以通过DRC来保证这个值。随着工艺技术的发展，gate的尺寸越来越 小，metal的层数越来越多，发生antenna effect的可能性就越大，所以，在 0.4um/DMSP/TMSP以上工艺，我们一般不大会考虑antenna effect，而在 0.25um以下工艺，我们就不得不考虑这个问题了。
1.何谓水锤？水锤会产生哪些危害？如何预防或减轻水锤的危害？能否加以利用，试举 例说明？． K=水锤：在有压管路中流动的液体，由于某种外界原因（如阀门突然关闭、水泵或水轮机组突然停车等）使得液体流速发生突然变化，并由于液体的惯性作用，引起压强急剧升高和降低的交替变化，这种水力现象称为水击。升压和降压交替进行时，对于 管壁或阀门的作用如同锤击一样，因此水击也称水锤。 水锤引起的压强升高，其大小与速度变化过程的快慢及流动质量和动量的大小有关，轻微时表现为噪声和管路振动，严重时则造成阀门损坏、管路接头断开，甚至管路爆裂等重大事故。 预防方法：（1）缓慢关闭阀门；（2）缩短管路长度；（3）在管路上装置空气室、安全阀或调压塔。 。K=不是；“大气压”是一种压强单位，其值是固定的，如1个工程大气压（1ata）即指1kgf/cm2。而大气压强则是指某空间大气的压强，其量随此空间的地势与温度而变化。“大气压强”可高于大气压，也可低于大气压。 3.雷诺实验揭示了哪些流动现象和一般规律？ K=雷诺实验提示了流体运动有不同的运动状态：层流与紊流及过渡态。 通过雷诺实验科学工作者较好地研究得出了流动状态与水头损失的关系：即，层流运动时的沿程阻力损失与流速的一次方成正比；紊流运动时的沿程阻力损失与流速的平方成正比；而介于层流与紊流之间的流动的沿程阻力损失与流速的m（=1.75~2）次幂成正比。 叶轮的流量。（5）采用较粗的吸水管径；（6）尽量采用水面高于水泵的压入式布置方式。（7）吸水管路应少用弯头及闸门等管路附件，管道长度应尽量缩短，并尽量减小滤水器
和底阀的阻力（或取消底阀 4.何谓水泵的汽蚀？有哪些危害？如何预防？ K=当水泵的叶轮入口处的最低压力等于或低于当时水温的饱和蒸汽压力p V时，则将有蒸汽及溶解在液体中的气体大量在逸放出来，形成很多由蒸汽与气体混合的小气泡。这些气泡随液体至高压区，由于气泡周围的压强大于气泡内的汽化压强，气泡受压而破裂，并重新凝结；液体质点从四周向气泡中心加速冲来。在凝结的一瞬间，质点相互撞击，产生很高的局部压强。而这些气泡在靠近金属表面的地方破裂而凝结，则液体质点将似小弹头打击金属表面，此金属表面在高压强、高频率的连续打击下，逐渐疲劳而破坏，形成机械剥蚀。而且，气泡中还杂有一些活泼气体（如氧），当气泡凝结放出热量时，就对金属进行化学腐蚀。 金属在机械剥蚀与化学腐蚀的作用下，加速损坏的现象，叫做汽蚀现象。 汽蚀发生时，一般伴有因高频冲击引起的噪声和振动；泵的流量减少、扬程和效率明显降低，甚至造成液流间断；严重时甚至吸不上水，且发生汽蚀的部位，很快就被破坏成蜂窝状或海绵状，甚至可使叶轮报废。 可采用下述方法防止汽蚀的发生与发展：（1）泵的安装位置尽可能低些，以增加有效吸入水头。（2）降低泵的转速；（3）尽量减小吸水管的阻力损失（尤其是局部阻力损失）；（4）减少通过 叶轮的流量。（5）采用较粗的吸水管径；（6）尽量采用水面高于水泵的压入式布置方式。（7）吸水管路应少用弯头及闸门等管路附件，管道长度应尽量缩短，并尽量减小滤水器和底阀的阻力（或取消底阀）。 5.画图说明离心式水泵工况点的确定方法。 K=当离心水泵在某一管道上工作时，水泵的流量必然 管道的流量，水泵产生的扬程等于管道需要的扬程。 管道需要的扬程和通过的流量则服从管道特性 6．简述组成离心式水泵的主要零部件及各自作用。 K=离心式水泵的主要部件有叶轮、吸水室（进水段）、螺壳（出水段）以及多级分段式水泵中的导水圈和返水圈，这些部件统称为通流部件。除此之外，还有密封环、填料箱和平衡盘等重要的辅助部件。 叶轮——是传递能量的部件；吸水室——是把进入吸水法兰口的水引到叶轮入口；螺壳——是把叶轮散流出来的水收集起来，由一个圆形断面的出口送出；导水圈——主要起导流和扩散的作用；返水圈——将导水圈导流过来的水喟入次级叶轮；密封环——减少泄漏损
天线效应：在芯片生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一 根根天线，会收集电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高。天线越长，收集的电荷也就越多，电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅，那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效，这种现象我们称之为"天线效应"。随着工艺技术的发展，栅的尺寸越来越小，金属的层数越来越多，发生天线效应的可能性就越大。 消除方法： 1) 跳线法。又分为"向上跳线"和"向下跳线"两种方式。跳线即断开存在天线效应的金属层，通过通孔连接到其它层(向上跳线法接到天线层的上一层，向下跳线法接到下一层)，最后再回到当前层。这种方法通过改变金属布线的层次来解决天线效应，但是同时增加了通孔，由于通孔的电阻很大，会直接影响到芯片的时序和串扰问题，所以在使用此方法时要严格控制布线层次变化和通孔的数量。 在版图设计中，向上跳线法用的较多，此法的原理是:考虑当前金属层对栅极的天线效应时，上一层金属还不存在，通过跳线，减小存在天线效应的导体面积来消除天线效应。现代的多层金属布线工艺，在低层金属里出现PAE 效应，一般都可采用向上跳线的方法消除。但当最高层出现天线效应时，采用什么方法呢?这就是下面要介绍的另一种消除天线效应的方法了。 2) 添加天线器件，给"天线"加上反偏二极管。通过给直接连接到栅的存在天线效应的金属层接上反偏二极管，形成一个电荷泄放回路，累积电荷就对栅氧构不成威胁，从而消除了天线效应。当金属层位置有足够空间时，可直接加上二极管，若遇到布线阻碍或金属层位于禁止区域时，就需要通过通孔将金属线延伸到附近有足够空间的地方，插入二极管。 3) 给所有器件的输入端口都加上保护二极管。此法能保证完全消除天线效应，但是会在没有天线效应的金属布线上浪费很多不必要的资源，且使芯片的面积增大数倍，这是VLSI 设计不允许出现的。所以这种方法是不合理，也是不可取的。 4) 对于上述方法都不能消除的长走线上的PAE，可通过插入缓冲器，切断长线来消除天线效应。 在实际设计中，需要考虑到性能和面积及其它因素的折衷要求，常常将法1、法2 和法4 结合使用来消除天线效应。