厚膜集成电路丝网印刷工艺技术
摘要重点介绍了厚膜集成电路的丝网印刷工艺技术和影响印刷质量因素，并以厚膜电阻器为例，简述其制作工艺过程，以及丝网印刷缺陷对厚膜电路的影响。
关键词厚膜集成电路厚膜丝印厚膜电阻器丝印缺陷
前言
丝网印刷作为一种古老的印刷方法，在我国电子工业、陶瓷贴花工业、纺织印染行业得到广泛的应用。随着60年代电子时代的到来，丝网印刷被广泛地应用于印刷线路板、厚膜集成电路、太阳能电池、电阻、电容、压电元件、光敏元件、热敏元件、液晶显示元件等等的制造中，特别是进入80年代以来，各种新型材料和新技术的不断应用，与国外不断开展的技术交流，以及高精密自动化新设备的不断发展，大大提高了丝网印刷技术水平。下面仅介绍采用丝网印刷厚膜技术，制作厚膜集成电路的工艺技术。
1集成电路概述
集成电路大体上可分为两大类：半导体集成电路和混合集成电路，而混合集成电路又可分为两种，一种是薄膜混合集成电路，它是应用真空喷射法的薄膜技术制造。另一种是厚膜集成电路，是应用丝网印刷厚膜技术制造。
所谓薄膜是指1 μm左右的膜层厚度，厚膜是指10～25 μm的膜层厚度，无论是薄膜还是厚膜都有各自的优点。比如说，薄膜技术，不论是有源元件还是无源元件都是根据其各自的技术特点直接加工成集成电路。但现在厚膜技术还不能把有源元件直接加工到电路上，因此，只好把这些元件进行焊接，随着今后研究工作的进展是会实现直接加工的。此外，就成本而言，厚膜比薄膜要低得多，利用丝网印刷方法形成导体及厚膜电阻、电容，与用薄膜形成技术制作的电阻、电容器比较，用厚膜技术制造容易，可靠性好，而且所需生产设备投资少。
2厚膜集成电路丝网印刷工艺
2.1陶瓷板
使用90%～96%的氧化铝陶瓷基板，是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的材料，有较好的传导性、机械强度和耐高温性。制作厚膜时应注意陶瓷板的材质、尺寸、粗糙度、翘曲以及表面的缺陷与污染等，并在净化间进行超声波清洗。
2.2浆料
有导体浆料、电阻浆料和绝缘浆料3种，浆料一般由贵金属和低熔点玻璃组成。制作浆料时要注意浆料的材质、粘度和膨胀系数等。
印刷厚膜电路所使用的浆料，其成分有金、银、铂、钯等。上述金属粉末分散在有机树脂粘合剂中调成糊状，然后通过丝网印版印在陶瓷基板上。经高温烧制，有机树脂粘合剂被燃烧掉，剩下的几乎都是纯粹的贵金属，由于玻璃质的作用而密合在基板上。这层膜可作为厚膜线路、厚膜电阻、厚膜电容及半导体集成电路用的底层金属片。
(1)用银做导电材料其电阻是很低的，因此有时也使用银—钯、银—钯—铂的混合物做导电材料。
(2)为了在基板上形成电阻膜，所用的电阻材料主要是银、金、钯、铙等金属粉末。
(3)小型电容器的导电体、电极等是由重叠印刷法制造出来的。电极材料以铂—金、钯—金、银等为主体组成。
2.3丝网印版的制作
(1)网框：印刷厚膜电路的丝网网框多采用硬铝及铝合金，网框规格一般为100 mm×150 mm和150 mm×200 mm。网框形状通常为矩形。
(2)丝网：印刷厚膜电路的丝网多采用不锈钢丝网或尼龙丝网。一般电路印刷200～300目丝网；多层布线或要求精度更高时，可采用300目以上的丝网。
(3)感光胶：由于厚膜电路丝印要求得到较厚的墨膜(浆料膜)，所以要求使用能将光膜涂至20～30 μm 厚的感光胶，但显影后不得出现边缘缺陷。
2.4厚膜丝印
集成电路的丝网印刷图像是微型的，要求印刷精度高，所以印刷机、印板、承印物(基板)、油墨等都需要高精度，印刷场所也一定要保持恒温，并清除尘埃。
刮板材料一般为聚胺脂橡胶或氟化橡胶，硬度为邵氏A70°～A80°。另外，选择刮板的形状及硬度时，应考虑电路板上欲印什么图案这个因素。一般情况下，刮板刃部为90°或60°，刮板角为70°～75°。
印刷厚膜集成电路的丝印机有半自动和全自动两类。半自动丝印机只有基板供给是用手工完成的，其它工序自动完成，如信息产业部电子第四十五研究所开发研制的WY-155型、WY-203型等精密丝网印刷机，具有印刷精度小于0.01 mm，刮板压力和印刷速度可以调节，真空工作台x、y、θ三维精密调整，整机PLC控制等，各项指标均达到或超过国外同类设备技术水平，是国内厚膜集成电路生产厂家的首选设备。
2.5厚膜电路的印后加工
一般印刷厚膜电路板，首先进行导体印刷，再反复印刷电阻2～3次，有时根据情况可适当交叉进行玻璃涂层的印刷，在印刷后还要进行下述加工或处理。
(1)摊平过程：印刷后将印刷品放置5～7 min至网纹消失为止。
(2)干燥处理：用100 ℃左右的温度进行干燥。
(3)烧制：用约650～670 ℃的温度进行烧制。这一道工序非常重要，所以要随时调整炉温，保持适合浆
料烧结的温度。
(4)调整：调整电阻值，一般采用向电路板喷砂或用激光调整电阻体的方法进行调整。
(5)包封：对制成的内接元件起到保护作用。
2.6厚膜电阻器丝印制作工艺
厚膜印刷与一般丝网印刷相似，只是厚膜印刷的产品是厚膜电阻器、电容器等电路元件。厚膜电阻器的精度、电气稳定性和可焊性等技术指标，与厚膜丝印质量有关，墨膜厚度有微小变化，产品就不能使用。因此，厚膜电阻器膜厚的均匀性将直接影响产品的成品率。
普通的厚膜电阻器是厚度约20 μm的立方体，如果控制其厚度一定，则可用长宽之比来决定该电阻器的电阻值。厚膜电阻器的长宽比以最大10∶1至最小1∶10，对电阻值相同的印刷油墨(电阻浆料)，其面电阻只能在10～1/10范围内变化。要想获得这一范围以外的电阻值，则必须改用电阻值不同的浆料。厚膜电阻，如图3所示。
2.7丝印缺陷对厚膜电路的影响
在制作厚膜印刷电路时，丝印缺陷对成品质量的影响是很大的。表1列出了丝印缺陷对成品质量的影响。
3结束语
目前，我国丝印技术的应用虽然越来越广泛，但与国外先进技术水平相比，还有较大差距，本文较详细地论述了厚膜集成电路丝网印刷工艺技术的全过程，当然，优良的丝网印刷产品除了工艺技术因素之外，还得鉴于先进的机械设备，希望本文在印刷工作者中起到参考或借鉴作用，力求促进我国丝网印刷事业的大发展。
厚膜集成电路 用丝网印刷和烧结等厚膜工艺在同一基片上制作无源网络，并在其上组装分立的半导体器件芯片或单片集成电路或微型元件，再外加封装而成的混合集成电路。厚膜混合集成电路是一种微型电子功能部件。 1.特点和应用 与薄膜混合集成电路相比，厚膜混合集成电路的特点是设计更为灵活、工艺简便、成本低廉，特别适宜于多品种小批量生产。在电性能上，它能耐受较高的电压、更大的功率和较大的电流。厚膜微波集成电路的工作频率可以达到4吉赫以上。它适用于各种电路，特别是消费类和工业类电子产品用的模拟电路。带厚膜网路的基片作为微型印制线路板已得到广泛的应用。 2.主要工艺 根据电路图先划分若干个功能部件图,然后用平面布图方法转化成基片上的平面电路布置图，再用照相制版方法制作出丝网印刷用的厚膜网路模板。厚膜混合集成电路最常用的基片是含量为96％和85％的氧化铝陶瓷；当要求导热性特别好时，则用氧化铍陶瓷。基片的最小厚度为0.25毫米，最经济的尺寸为35×35～50×50毫米。在基片上制造厚膜网路的主要工艺是印刷、烧结和调阻。常用的印刷方法是丝网印刷。 丝网印刷的工艺过程是先把丝网固定在印刷机框架上，再将模版贴在丝网上；或者在丝网上涂感光胶，直接在上面制造模版,然后在网下放上基片,把厚膜浆料倒在丝网上，用刮板把浆料压入网孔,漏印在基片上,形成所需要的厚膜图形。常用丝网有不锈钢网和尼龙网，有时也用聚四氟乙烯网。 在烧结过程中，有机粘合剂完全分解和挥发，固体粉料熔融，分解和化合，形成致密坚固的厚膜。厚膜的质量和性能与烧结过程和环境气氛密切相关，升温速度应当缓慢，以保证在玻璃流动以前有机物完全排除；烧结时间和峰值温度取决于所用浆料和膜层结构。为防止厚膜开裂，还应控制降温速度。常用的烧结炉是隧道窑。 为使厚膜网路达到最佳性能，电阻烧成以后要进行调阻。常用调阻方法有喷砂、激光和电压脉冲调整等。 3.厚膜材料 厚膜是指在基片上用印刷烧结技术所形成的厚度为几微米到数十微米的膜层。制造这种膜层的材料，称为厚膜材料。 厚膜材料是一类涂料或浆料，由一种或几种固体微粒（0.2～10微米）均匀悬浮于载体中而形成。为了便于印刷成形，浆料必须具有合适的粘度和触变性（粘度随外
厚膜集成电路丝网印刷工艺技术 摘要重点介绍了厚膜集成电路的丝网印刷工艺技术和影响印刷质量因素，并以厚膜电阻器为例，简述其制作工艺过程，以及丝网印刷缺陷对厚膜电路的影响。 关键词厚膜集成电路厚膜丝印厚膜电阻器丝印缺陷 前言 丝网印刷作为一种古老的印刷方法，在我国电子工业、陶瓷贴花工业、纺织印染行业得到广泛的应用。随着60年代电子时代的到来，丝网印刷被广泛地应用于印刷线路板、厚膜集成电路、太阳能电池、电阻、电容、压电元件、光敏元件、热敏元件、液晶显示元件等等的制造中，特别是进入80年代以来，各种新型材料和新技术的不断应用，与国外不断开展的技术交流，以及高精密自动化新设备的不断发展，大大提高了丝网印刷技术水平。下面仅介绍采用丝网印刷厚膜技术，制作厚膜集成电路的工艺技术。 1集成电路概述 集成电路大体上可分为两大类：半导体集成电路和混合集成电路，而混合集成电路又可分为两种，一种是薄膜混合集成电路，它是应用真空喷射法的薄膜技术制造。另一种是厚膜集成电路，是应用丝网印刷厚膜技术制造。 所谓薄膜是指1 μm左右的膜层厚度，厚膜是指10～25 μm的膜层厚度，无论是薄膜还是厚膜都有各自的优点。比如说，薄膜技术，不论是有源元件还是无源元件都是根据其各自的技术特点直接加工成集成电路。但现在厚膜技术还不能把有源元件直接加工到电路上，因此，只好把这些元件进行焊接，随着今后研究工作的进展是会实现直接加工的。此外，就成本而言，厚膜比薄膜要低得多，利用丝网印刷方法形成导体及厚膜电阻、电容，与用薄膜形成技术制作的电阻、电容器比较，用厚膜技术制造容易，可靠性好，而且所需生产设备投资少。 2厚膜集成电路丝网印刷工艺 2.1陶瓷板 使用90%～96%的氧化铝陶瓷基板，是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的材料，有较好的传导性、机械强度和耐高温性。制作厚膜时应注意陶瓷板的材质、尺寸、粗糙度、翘曲以及表面的缺陷与污染等，并在净化间进行超声波清洗。 2.2浆料 有导体浆料、电阻浆料和绝缘浆料3种，浆料一般由贵金属和低熔点玻璃组成。制作浆料时要注意浆料的材质、粘度和膨胀系数等。 印刷厚膜电路所使用的浆料，其成分有金、银、铂、钯等。上述金属粉末分散在有机树脂粘合剂中调成糊状，然后通过丝网印版印在陶瓷基板上。经高温烧制，有机树脂粘合剂被燃烧掉，剩下的几乎都是纯粹的贵金属，由于玻璃质的作用而密合在基板上。这层膜可作为厚膜线路、厚膜电阻、厚膜电容及半导体集成电路用的底层金属片。 (1)用银做导电材料其电阻是很低的，因此有时也使用银—钯、银—钯—铂的混合物做导电材料。 (2)为了在基板上形成电阻膜，所用的电阻材料主要是银、金、钯、铙等金属粉末。 (3)小型电容器的导电体、电极等是由重叠印刷法制造出来的。电极材料以铂—金、钯—金、银等为主体组成。 2.3丝网印版的制作 (1)网框：印刷厚膜电路的丝网网框多采用硬铝及铝合金，网框规格一般为100 mm×150 mm和150 mm×200 mm。网框形状通常为矩形。 (2)丝网：印刷厚膜电路的丝网多采用不锈钢丝网或尼龙丝网。一般电路印刷200～300目丝网；多层布线或要求精度更高时，可采用300目以上的丝网。
集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多
混合集成电路介绍 混合集成电路（又叫厚膜集成电路）。是利用如丝网印刷机，膜厚测试仪，烧结炉，激光修调机，自动贴片机等设备在基片上以膜的形式印刷导体、电阻、包封釉等浆料，并通过烘干烧结等工序，再将各种弱电的电子元器件用表面贴装技术高密度地进行组装，然后再行数据写入、调整测试、封装等后期工作做成一个局部电路。 同时还可再采用表面贴装技术（SMT）将各种微型元器件进行二次集成，以及采用裸芯片装配技术制造多芯片电路（MCM）。 它的优点是： 1．由于混合集成电路可以使用各种电气元件，一般都采用为它专门生产的电阻、电容、集成电路、继电器、传感器等，这些元器件往往体积小，重量轻，性能千变万化。使得这种电路具有体积很小，重量很轻，又可实现其强大的功能。 2．可应用各种电路基板，例如印制电路板、电气绝缘塑料板、陶瓷基片等而具有不同的机械性能。 3．能使用各种不同的包装，例如塑封、金属、半金属封装、胶封或裸封等。因而具有不同的外形、体积和防护性能。 4．通常在自动生产的流水线上生产的，因此它的生产速度快、成本低、性能的一致性好、更适宜于大批量生产。 5．它可应用到不同的领域，例如宇航、军事、汽车行业、电视、程控交换机、通讯、雷达导航、炮弹引信、游戏娱乐设备、移动通信、汽车、摩托车、计算机、数据处理等点火电路、DC/DC电源模块、变频电路、调速电路、网路电路。 1、电路介绍： （1）制造导体串联电阻小，线条间距小（最小达0.2㎜）电阻温度系数低（最低为 50ppm），电阻精度高（达万分之五）。 （2）多层，高密度、高精度、低漂移、体积小、寿命长。 （3）厚膜电路产品性能：基板:96-99%氧化铝，导体:钯银,铂银,金,钯金 2、电阻： （1）阻值范围:100毫欧至20兆欧 （2）阻值误差:可低至+0.05% （3）温度系数: +50ppm (-55℃~+125℃) （4）稳定性: ≤0.4% (70%满负荷1000小时) （5）功率损耗: 100W/平方英寸 3、介质： （1）绝缘电阻: ≥1011Ω （2）介质常数: 9 贴装器件: 芯片或各类表面贴装型器件. 组装方法: 芯片线焊及回流焊接. 包封: 环氧树脂裹封. 混合集成技术经过三十多年的发展，已成为微电子技术的两重要组成部分之一。混合集成电路（HIC）与半导体集成电路相比具有独自的特点，不仅可弥补半导体集成电路的不足，而且能充分发挥半导体集成电路高集成度、高速等特点，
电子元件基础认识第三章：各种集成电路简介 电子元件基础认识(三) ［作者：华益转贴自：本站原创点击数：7832 更新时间：2005-3-27 文章录入：华益］ 第三章：各种集成电路简介 第一节三端稳压IC ? ? 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。 ? ? 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，790 9表示输出电压为负9V。 ? ? 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识） ? ? 有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为10 0mA， 78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。 79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。 ? ? 因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 ? ? 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 ? ? 在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，
集成电路制造工艺流程 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多
厚膜电路的封装 厚膜电路在完成组装工序后，通常还需要给予某种保护封装，以免受各种机械损伤和外界环境的影响，并提供良好的散热条件，保证电路可靠地工作，封装除对混合电路起机械支撑、防水和防磁、隔绝空气等的作用外，换具有对芯片及电连线的物理保护、应力缓和、散热防潮、尺寸过度、规格标准化等多种功能。电路可以采用金属、陶瓷、玻璃和树脂等封装。厚膜电路的一个优点就是它能在封装保护较差的条件下正常地工作。 金属封装 按外壳的材料分类 陶瓷封装 塑料封装 气密性封装：是对工作环境气密的保护，金属封装和陶瓷封装属该封装。 非气密性封装：则是可以透气的，塑料封装一般为该封装。 一、封装材料： 厚膜集成电路封装的作用之一就是对芯片进行环境保护，避免芯片与外部空气接触。因此必须根据不同类别的集成电路的特定要求和使用场所，采取不同的加工方法和选用不同的封装材料，才能保证封装结构气密性达到规定的要求。 按外壳材料分为金属封装、陶瓷封装、塑料封装、树脂封装等。 集成电路早起的封装材料是采用有机树脂和蜡的混合体，用充填或灌注的方法来实现封装的，显然可靠性很差。也曾应用橡胶来进行密封，由于其耐热、耐油及电性能都不理想而被淘汰。目前使用广泛、性能最为可靠的气密密封材料是玻璃-金属封接、陶瓷-金属封装和 按气密性分类
低熔玻璃-陶瓷封接。处于大量生产和降低成本的需要，塑料模型封装已经大量涌现，它是以热固性树脂通过模具进行加热加压来完成的，其可靠性取决于有机树脂及添加剂的特性和成型条件，但由于其耐热性较差和具有吸湿性，还不能与其他封接材料性能相当，尚属于半气密或非气密的封接材料。 全密封封装适合于高可靠性应用。通常，全密封的漏气率应不大于10-8cm3/S。为了保证密封的高质量，首先必须可靠地气密密封全部外引线，待电路板接入外壳后，再要求对壳底和壳盖进行优质焊接。 在气密封装中，典型的密封组合主要有金属之间、金属和陶瓷之间、金属和玻璃之间及陶瓷之间的密封。 序号形式方法 1 金属-金属封接如金属外壳，目前最常用的方法是电路熔焊法，此外还可用锡焊、冷压焊和电子束、激光熔焊等。 2 金属-陶瓷间封 装要求陶瓷上密封部分进行金属氧化，可采用Mo-Mn导体浆料在陶瓷表面涂敷金属化层，然后选择适当的焊料，使金属与陶瓷的金属化部位相封接。 3 金属-玻璃的封 装主要应用在以金属为主体的封装结构中，作为封接材料的金属与玻璃，其热膨胀系数必须匹配。 4 陶瓷-陶瓷封装陶瓷间的密封主要采用低熔点玻璃封装或用焊锡法，焊接 已金属化的陶瓷。 二、厚膜电路的封装技术 厚膜电路的封装有气密封装和非气密封装两种。气密封装采用金属、陶瓷或玻璃做封装材料；非气密封装是用有机材料封装，也称树脂封装。 厚膜电路的主要封装技术 序号类型，项目密封方法密封材料 1 气密封装电阻熔焊（对焊）镍、金属 软焊法 金-锡、金-硅焊料 金-锗焊料 低熔点玻璃法硼硅酸铅玻璃、硼硅酸锌玻璃 2 非气密封装树脂粘接法双酚系环氧树脂 局部封装法 热固性（液态、固态）环氧树 脂、硅酮树脂 凝胶状硅酮树脂 灌注法热固性（液态、固态）环氧树
厚膜混合集成电路 产品名称：厚膜混合集成电路规格：产品备注：产品类别：集成电路 产品说明 厚膜混合集成电路 一。概述 集成电路是微电子技术的一个方面，也是它的一个发展阶段。微电子技术主要是微小型电子元件器件组成的电子系统。集成电子则是为了完成电子电路功能，以特定的工艺在单独的基片之上(或之内)形成无源网络并互连有源器件，从而构成的微型电子电路。 随着半导体技术。小型电子元器件及印制板组装技术的进步，电子技术在近年来取得了飞速发展。然而，过多的连线。焊点和接插件严重地阻碍了生产率和可靠性的进一步提高。此外，工作频率和工作速度的提高进一步缩短信号在系统内部的传输延迟时间。所以这些都要求从根本上改革电子系统的结构和组装工艺。 从上世纪六十年代开始，厚膜混合集成电路就以其元件参数范围广。精度和稳定度高。电路设计灵活性大。研制生产周期短。适合于多种小批量生产等特点，与半导体集成电路相互补充。相互渗透，业已成为集成电路的一个重要组成部分，广泛应用于电控设备系统中，对电子设备的微型化起到了重要的推动作用。 虽然在数字电路方面，半导体集成电路充分发挥了小型化。高可靠性。适合大批量低成本生产的特点，但是厚膜混合集成电路在许多方面，都保持着优于半导体集成电路的地位和特点： ?低噪声电路?高稳定性无源网络?高频线性电路?高精度线性电路 ?微波电路?高压电路?大功率电路?模数电路混合 随着半导体集成电路芯片规模的不断增大，为大规模与厚膜混合集成电路提供了高密度与多功能的外贴元器件。利用厚膜多层布线技术和先进的组
装技术进行混合集成，所制成的多功能大规模混合集成电路即为现在和将来的发展方向。一块大规模厚膜混合集成电路可以是一个子系统，甚至是一个全系统。 二。工艺过程 厚膜混合集成电路通常是运用印刷技术在陶瓷基片上印制图形并经高 温烧结形成无源网络。制造工艺的工序包括： ?电路图形的平面化设计：逻辑设计。电路转换。电路分割。布图设计。平面元件设计。分立元件选择。高频下寄生效应的考虑。大功率下热性能的考虑。小信号下噪声的考虑。 ?印刷网板的制作：将平面化设计的图形用显影的方法制作在不锈钢或尼龙丝网上。 ?电路基片及浆料的选择：制作厚膜混合集成电路通常选择96%的氧化铝陶瓷基片(特殊电路可以选择其它基片),浆料一般选择美国杜邦公司。美国电子实验室。日本田中等公司的导带。介质。电阻等浆料。 ?丝网印刷：使用印刷机将各种浆料通过制作好电路图形的丝网印刷在基片上。 ?高温烧结：将印刷好的基片在高温烧结炉中烧结，使浆料与基片间形成良好的熔合和网络互连，并使厚膜电阻的阻值稳定。 ?激光调阻：使用厚膜激光调阻机将烧结好的电路基片上印刷厚膜电阻阻值修调到规定的要求。 ?表面贴装：使用自动贴装机将外贴的各种元器件和接插件组装在电路基片上，并经再流焊炉完成焊接，包括焊接引出线等。 ?电路测试：将焊接完好的电路在测试台上进行各种功能和性能参数的测试。 ?电路封装：将测试合格的电路按要求进行适当的封装。 ?成品测试：将封装合格的电路进行复测。 ?入库：将复测合格的电路登记入库。 三。材料 在厚膜混合集成电路中，基片起着承载厚膜元件。互连。外贴元件和以及包封等作用，在大功率电路中，基片还有散热的作用。厚膜电路对基片的要求包括：平整度。光洁度高；有良好的电气性能；高的导热系数；有与其它材料相匹配的热膨胀系数；有良好的机械性能；高稳定度；良好的加工性能；价格便宜。通常厚膜电路选择96%的氧化铝陶瓷基片，如果需要散热条件更好的基片则可选择氧化铍基片。 在厚膜混合集成电路中，无源网络主要是在基片上将各种浆料通过印刷成图形并经高温烧结而成。使用的材料包括：导体浆料。介质浆料和电阻浆料等。 厚膜导体是厚膜混合集成电路中的一个重要组成部分，在电路中起有源器件的互连线。多层布线。电容器电极。外贴元器件的引线焊区。电阻器端头材料。低阻值电阻器。厚膜微带等作用。导体浆料中，通常的厚膜混合集
STK系列音响厚膜集成电路 https://www.doczj.com/doc/054558894.html,/ 2008-11-9 19:35:51 STK系列音响厚膜集成电路 STK系列音响厚膜集成电路 STK系列大功率音响厚膜集成电路是日本三洋公司的产品。该系列厚膜集成电路具有精度高，电路设计灵活，音响效果好，输出功率大，失真小，性能稳定，耐热性高和外围电路简单等优点，在音频大功率电路中颇为流行。本文集锦了五十余个型号厚膜功放集成电路，按其电路构成及电源供给方式介绍其主要参数与典型应用电路。转载请注明转自“维修吧-https://www.doczj.com/doc/054558894.html,” STK系列音响厚膜集成电路参数表 STK430I STK430II STK433 STK435 STK436 STK437 STK439 sTK441 STK443 STK457 STK459 STK460 STK461 STK463 sTK465 STK4017 sTK4019 STK402l STK4023 sTK4025 STK4024 STK4026 STK4028 STK4036 sTK4024II STK4030II STK4036II STK4040II STK4036XI STK4038XI STK4040XI STK4042XI STK4048XI STK41O1II
STK4111II STK4121II sTK4131II STK4141II STK4151II STK4161II STK4171II STK4181II sTK4191II STK4773 STK4793 STK4803 STK4813 STK4833 STK4843 STK4853
C M O S集成电路制造工艺 流程 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
陕西国防工业职业技术学院课程报告 课程微电子产品开发与应用 论文题目CMOS集成电路制造工艺流程 班级电子3141 姓名及学号王京（24#） 任课教师张喜凤 目录
CMOS集成电路制造工艺流程 摘要：本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程，主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素，及CMOS器件的应用。 引言：集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间，于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术，并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比，MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高，但工作速度较慢。由于它们各具优劣势，且各自有适合的应用场合，双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。 关键词：工艺技术，CMOS制造工艺流程 1.CMOS器件 CMOS器件，是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构，电流小，功耗低，早期的CMOS电路速度较慢，后来不断得到改进，现已大大提高了速度。 分类 CMOS器件也有不同的结构，如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别，是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS，则是在n型硅衬底上制造p沟管，在p阱中制造n沟管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS，是在p型硅衬底上制造n沟晶体管，在n阱中制造p沟晶体管，其阱一般采用离子注入方法形成。该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化，适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D－NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。双阱CMOS，是在低阻n＋衬底上再外延一层中高阻n――硅层，然后在外延层中制造n 阱和p阱，并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管，从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成，有利于降低寄生电容，增加跨导，增强p沟和n沟晶体管的平衡性，适用于高性能电路的制造。
第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220的标准封装，也有9013样子的TO-92封装。 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产，80年代就有了，通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。（点击这里，查看有关看前缀识别集成电路的知识） 有时在数字78或79后面还有一个M或L，如78M12或79L24，用来区别输出电流和封装形式等，其中78L调系列的最大输出电流为100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1．5A。它的封装也有多种，详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点，因此用得比较多。79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外，命名方法、外形等均与78系列的相同。 因为三端固定集成稳压电路的使用方便，电子制作中经常采用，可以用来改装分立元件的稳压电源，也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错，不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V，否则不能输出稳定的电压，一般应使电压差保持在4-5V，即经变压器变压，二极管整流，电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 在实际应用中，应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器（当然小功率的条件下不用）。当稳压管温度过高时，稳压性能将变差，甚至损坏。 当制作中需要一个能输出1．5A以上电流的稳压电源，通常采用几块三端稳压电路并联起来，使其最大输出电流为N个1．5A，但应用时需注意：并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品，以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量，以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。 第二节语音集成电路 电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路，一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封，即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作，它们可直接焊到这块电路板上。
超大规模集成电路及其生产工艺流程 现今世界上超大规模集成电路厂（Integrated Circuit, 简称IC，台湾称之为晶圆厂）主要集中分布于美国、日本、西欧、新加坡及台湾等少数发达国家和地区，其中台湾地区占有举足轻重的地位。但由于近年来台湾地区历经地震、金融危机、政府更迭等一系列事件影响，使得本来就存在资源匮乏、市场狭小、人心浮动的台湾岛更加动荡不安，于是就引发了一场晶圆厂外迁的风潮。而具有幅员辽阔、资源充足、巨大潜在市场、充沛的人力资源供给等方面优势的祖国大陆当然顺理成章地成为了其首选的迁往地。 晶圆厂所生产的产品实际上包括两大部分：晶圆切片（也简称为晶圆）和超大规模集成电路芯片（可简称为芯片）。前者只是一片像镜子一样的光滑圆形薄片，从严格的意义上来讲，并没有什么实际应用价值，只不过是供其后芯片生产工序深加工的原材料。而后者才是直接应用在应在计算机、电子、通讯等许多行业上的最终产品，它可以包括CPU、内存单元和其它各种专业应用芯片。 一、晶圆 所谓晶圆实际上就是我国以往习惯上所称的单晶硅，在六、七十年代我国就已研制出了单晶硅，并被列为当年的十天新闻之一。但由于其后续的集成电路制造工序繁多（从原料开始融炼到最终产品包装大约需400多道工序）、工艺复杂且技术难度非常高，以后多年我国一直末能完全掌握其一系列关键技术。所以至今仅能很小规模地生产其部分产品，不能形成规模经济生产，在质量和数量上与一些已形成完整晶圆制造业的发达国家和地区相比存在着巨大的差距。 二、晶圆的生产工艺流程： 从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两面大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 多晶硅——单晶硅——晶棒成长——晶棒裁切与检测——外径研磨——切片——圆边——表层研磨——蚀刻——去疵——抛光—（外延——蚀刻——去疵）—清洗——检验——包装 1、晶棒成长工序：它又可细分为： 1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度多晶硅置石英坩锅内，加热到其熔点1420℃以上，使其完全融化。2）、颈部成长（Neck Growth）：待硅融浆的温度稳定之后，将，〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此真径并拉长100---200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）、晶冠成长（Crown Growth）：颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈直径逐渐加响应到所需尺寸（如5、6、8、12时等）。 4）、晶体成长（Body Growth）：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5、）尾部成长（Tail Growth）：当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2、晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection）：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3、外径研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本序里，采用环状、其内径边缘嵌有钻石颗粒的薄锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5、圆边（Edge profiling）：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，单晶硅又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6、研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。
CMOS集成电路制造工艺 从电路设计到芯片完成离不开集成电路的制备工艺，本章主要介绍硅衬底上的CMOS 集成电路制造的工艺过程。有些CMOS集成电路涉及到高压MOS器件（例如平板显示驱动芯片、智能功率CMOS集成电路等），因此高低压电路的兼容性就显得十分重要，在本章最后将重点说明高低压兼容的CMOS工艺流程。 1.1基本的制备工艺过程 CMOS集成电路的制备工艺是一个非常复杂而又精密的过程，它由若干单项制备工艺组合而成。下面将分别简要介绍这些单项制备工艺。 1.1.1 衬底材料的制备 任何集成电路的制造都离不开衬底材料——单晶硅。制备单晶硅有两种方法：悬浮区熔法和直拉法，这两种方法制成的单晶硅具有不同的性质和不同的集成电路用途。 1悬浮区熔法 悬浮区熔法是在20世纪50年代提出并很快被应用到晶体制备技术中。在悬浮区熔法中，使圆柱形硅棒固定于垂直方向，用高频感应线圈在氩气气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴，这两个棒朝相反方向旋转。然后将在多晶棒与籽晶间只靠表面张力形成的熔区沿棒长逐步向上移动，将其转换成单晶。 悬浮区熔法制备的单晶硅氧含量和杂质含量很低，经过多次区熔提炼，可得到低氧高阻的单晶硅。如果把这种单晶硅放入核反应堆，由中子嬗变掺杂法对这种单晶硅进行掺杂，那么杂质将分布得非常均匀。这种方法制备的单晶硅的电阻率非常高，特别适合制作电力电子器件。目前悬浮区熔法制备的单晶硅仅占有很小市场份额。 2直拉法 随着超大规模集成电路的不断发展，不但要求单晶硅的尺寸不断增加，而且要求所有的杂质浓度能得到精密控制，而悬浮区熔法无法满足这些要求，因此直拉法制备的单晶越来越多地被人们所采用，目前市场上的单晶硅绝大部分采用直拉法制备得到的。 拉晶过程：首先将预处理好的多晶硅装入炉内石英坩埚中，抽真空或通入惰性气体后进行熔硅处理。熔硅阶段坩埚位置的调节很重要。开始阶段，坩埚位置很高，待下部多晶硅熔化后，坩埚逐渐下降至正常拉晶位置。熔硅时间不宜过长，否则掺入熔融硅中的会挥发，而且坩埚容易被熔蚀。待熔硅稳定后即可拉制单晶。所用掺杂剂可在拉制前一次性加入，也可在拉制过程中分批加入。拉制气氛由所要求的单晶性质及掺杂剂性质等因素确定。拉晶时，籽晶轴以一定速度绕轴旋转，同时坩埚反方向旋转，大直径单晶的收颈是为了抑制位错大量地从籽晶向颈部以下单晶延伸。收颈是靠增大提拉速度来实现的。在单晶生长过程中应保持熔硅液面在温度场中的位置不变，因此，坩埚必须自动跟踪熔硅液面下降而上升。同时，拉晶速度也应自动调节以保持等直生长。所有自动调节过程均由计算机控制系统或电子系统自动完成。 1.1.2 光刻 光刻是集成电路制造过程中最复杂和关键的工艺之一。光刻工艺利用光敏的抗蚀涂层（光刻胶）发生光化学反应，结合刻蚀的方法把掩模版图形复制到圆硅片上，为后序的掺杂、薄膜等工艺做好准备。在芯片的制造过程中，会多次反复使用光刻工艺。现在，为了制造电
薄膜混合电路的制造工艺 吴亚军 (陕西国防工业职业技术学院电子信息学院微电3101班西安市户县 710300) 摘要：薄膜混合电路（HIC）是微电子技术的一个方面，微电子技术主要是微小型电子元件器件组成的电子系统。主要依靠特定的工艺在单独的基片之上(或之内)形成无源网络并互连有源器件，从而构成的微型电子电路。薄膜电路以其元件参数范围宽、精度高、稳定性能好、温度频率特性好，并且集成度较高、尺寸较小，但工艺设备昂，生产成本高。它与半导体集成电路相互补充、相互渗透，已成为集成电路的一个重要组成部分，广泛应用于低频微波电路等众多领域，对电子设备的微型化起到了重要的推动作用。 Thin film hybrid circuit ( HIC ) is an aspect of microelectronic technology, microelectronics technology is mainly small electronic components devices composed of electronic system. Mainly depends on the specific process on a separate substrate ( or within ) the passive network interconnection formed and active devices, thus constituting the miniature electronic circuit. Thin film circuit element parameters to its wide range, high precision, good stability, temperature good frequency characteristic, and high integration level, small size, but the process equipment expensive, high production cost. It and semiconductor integrated circuit mutual complement, mutual penetration, has become integrated circuit is an important component, is widely applied in many fields such as low frequency microwave circuit, the electronic equipment miniaturization played an important role in promoting 关键词：薄膜混合电路（HIC）、微电子技术(microelectronic technology)、微型电子电路(miniature electronic circui t) 引言：集成电路电路分为薄厚膜集成电路、半导体集成电路和混合集成电路。而近年来随着半导体技术和微电子技术的蓬勃发展，电子信息技术日益向微型化、高集成化、高速数据传输和高电流、高频化微波化等众多领域发展。这对电子元器件提出了尺寸微小、高频、高可靠性和高集成度的要求，工作频率和速度的提高进一步缩短信号在系统内部的传输延迟时间，小型电子元器件及印制板组装技术制造工艺的不断更新，电子技术取得了飞速的发展。厚膜混合电路的优势在于性能可靠，设计灵活，投资小，成本低，多应用高电压、大电流、大功率的场合。厚膜混合电路采用的是丝网印刷和高温烧结形成无源网络。薄膜混合电路元件参数范围宽、精度高、稳定性能好、温度频率特性好、集成度较高多用于低频微波场合。薄膜电路采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。
摘要 集成电路广泛应用于生活生产中，对其深入了解很有必要，在此完论文中整的阐述集成电路原理及其制造工艺本报告从集成电路的最初设计制造开始讲起全面讲述了集成电路的整个发展过程制造工艺以及集成电路未来的发展前途。集成电路广泛应用于生活的各个领域，特别是超大规模集成电路应用之后，使我们的生活方式有了翻天覆地的变化。各种电器小型化智能化给我们生活带来了各种方便。所以对于电子专业了解集成电路的是发展及其制造非常有必要的。关键词集成电路半导体晶体管激光蚀刻 集成电路的前世今生 说起集成电路就必须要提到它的组成最小单位晶体管。1947 年在美国的贝尔实验室威廉·邵克雷、约翰·巴顿和沃特·布拉顿成功地制造出第一个晶体管。晶体管的出现使电子元件由原来的电子管慢慢地向晶体管转变，是电器小型化低功耗化成为了可能。20 世纪最初的10 年，通信系统已开始应用半导体材料。开始出现了由半导体材料进行检波的矿石收音机。1945 年贝尔实验室布拉顿、巴丁等人组成的半导体研究小组经过一系列的实验和观察，逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。布拉顿发现，在锗片的底面接上电极，在另一面插上细针并通上电流，然后让另一根细针尽量靠近它，并通上微弱的电流，这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化，会对另外的电流产生很大的影响，这就是“放大”作用。第一次在实验室实际验证的半导体的电流放大作用。不久之后他们制造出了能把音频信号放大100 倍的晶体管。晶体管最终被用到了集成电路上面。晶体管相对于电子管着它本身固有的优点： 1.构件没有消耗：无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐老化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100 到1000 倍。2.消耗电能极少：耗电量仅为电子管的几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管的收音机只要几节干电池就可以半年。 3.不需预热：一开机就工作。用晶体管做的收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。电子管设备就做不到这一点。4.结实可靠：比电子管可靠100 倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。光有了晶体管还是不够，因为要把晶体管集成到一片半导体硅片上才能便于把电路集成把电子产品小型化。那怎么把晶体管集成呢，这便是后来出现的集成芯片。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性化。集成电路经过30 多年的发展由开始的小规模集成电路到到大规模集成电路再到现在的超大规模乃至巨大规模的集成电路，集成电路有了飞跃式的发展集成度也越来越高，从微米级别到现在的纳米级别。模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路，如运算放大器、模拟乘法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈 电路、基准源电路、开关电容电路等。数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号）。而集成电路的普及离不开因特尔公司。1968 年：罗伯特·诺
开关电源厚膜集成电路各引脚的功能大全 在这里搜集了一些常用厚膜集成电路各引脚的功能： STR51213、STR50213、STR50103 引脚号引脚功能 1接地，内接稳压基准电路 2开关管基极 3开关管集电极 4开关管发射极 5误差比较电压信号输入，兼待机控制 STR3302、STR3202 引脚号引脚功能
1内部半桥变换电路场效应管工作电源输入300V 2空脚 3高端场效应管触发信号输入 4高端激励触发信号输出 5空脚 6接地 7控制振荡器频率的定时电容外接端 8稳压与直流待机控制信号输入 9控制振荡器频率的定时电阻外接端 10软启动阻容器件外接端 11延迟关断控制端，外接欠压保护监控电路 12内部振荡及其信号处理电路供电端 13低端激励触发信号输出 14过流保护检测输入端，高于0.7V时起控 15低端场效应管触发信号输入 16接地 17空脚 18半桥式场效应管变换控制输出端 19高端触发激励电路自举升压端 STR5741、STR5941 引脚号引脚功能 1开关管集电极 2开关管发射极 3开关管基极 4内接反馈量自动调整管的集电极 5内接反馈量自动调整管的基极 6软启动保护控制电压输入 7接地 8稳压控制电路误差取样电压输入 9基准电压比较输入 STR-6307、STR6308、STR6309 引脚号引脚功能 1内接开关管集电极 2内接开关管发射极 3内接开关管基极 4反馈兼恒流驱动端 5反馈信号激励控制 6软启动保护控制信号输入
7接地端 8稳压控制/保护控制输入 9稳压控制电路电源输入端 STR-6707、STR6708、STR6709 引脚号引脚功能 1内接开关管集电极 2内接开关管发射极 3内接开关管基极 4开关管基极驱动电流输入端，内接驱动5开关管基极驱动电流输出端 6内部过电流保护检测电压输入端 7稳压控制信号反馈输入端 8开关管导通、截止时间的控制端 9内等效电路的电源电压输入兼保护输入STR5707、STR5708 引脚号引脚功能 1内接开关管集电极 2内接开关管发射极 3内接开关管基极 4线性驱动电路反馈信号输入端 5过电流保护检测电压输入端 6内部运放同相工作电压输入端 7稳压控制取样信号输入 8开关管工作状态控制脉冲输出 9内等效电路的电源电压输入兼保护输入STR54041、STR59041 引脚号引脚功能 1基准电压比较输入 2启动脉冲输入，内接开关管基极 3脉冲电源输入，内接开关管集电极 4内部电路接地，内接开关管发射极STR6601