12A SERIES STANDARD
The BT151S-650R SCR is suitable to fit modes of control found in applications such as voltage
regulation circuits for motorbikes,over-voltage crowbar protection,motor control circuits in power tools and kitchen aids , inrush current limiting circuits ,capacitive discharge ignition.The insulated fullpack package allows a back toback configuration.
DESCRIPTION
FEATURES
?Repetitive Peak Off-State Voltage : 650V ?R.M.S On-State Current ( I = 12 A )?Low On-State Voltage (1.7V(Max.)@ I )?RoHS Compliant
T(RMS)TM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ()
T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED J SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
Symbol Parameter Value Unit I T(RMS)RMS on-state current Tc =109°C 12A I T(AV)Average on-state current
Tc =109°C
7.5A I TSM Non repetitive surge peak on-state current tp =8.3ms
Tj=25°C
132
A tp =10ms
120
I2t I2t Value for fusing
tp =10ms Tj=25°C 72A2S dI/dt Critical rateof rise of on-state current I G =2x I GT ,tr ≤100ns F =60Hz Tj=125°C 50A/μs I GM Peak gate current
tp =20μs
Tj=125°C 2A P G(AV)Average gate power dissipation Tj=125°C
0.5W T stg Storage junction temperature range -40to +150
°C
T j Operating junction temperature range -40to +125
V RGM
Maximum peak reverse gate voltage
5
V
V DRM Repetitive Peak off -State Voltage 650V V RRM Repetitive Peak Reverse Voltage
650
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TC = 25 °C UNLESS OTHERWISE NOTED )
VOLTAGE CURRENT CHARACTERISTIC OF SCR
Symbol Test Conditions
Min.Typ.Max.Unit I GT V D =12V R L =140ohm
-315mA V GT -0.6 1.5V V GD V D =V DRM R L =3.3kohm T j =125°C
--0.2V I H I T =500mA -830mA I L I G =1.2I GT
-1040mA d /d V t V D =67%V DRM Gate open T j =125°C 200400-V/μs V TM I TM =23A t p =380μs T j =25°C -- 1.7V I DRM V D =V DRM
V R =V RRM
T j =25°C --10μA I RRM
T j =125°C --0.5
mA
PACKAGE MECHANICAL DATA TO-252(DPAK)
晶闸管及其应用 课程目标 1 了解晶闸管结构，掌握晶闸管导通、关断条件 2 掌握可控整流电路的工作原理及分析 3 理解晶闸管的过压、过流保护 4 掌握晶闸管的测量、可控整流电路的调试和测量 课程内容 1 晶闸管的结构及特性 2 单相半波可控整流电路 3 单相半控桥式整流电路 4 晶闸管的保护 5 晶闸管的应用实例 6 晶闸管的测量、可控整流电路的调试和测量 学习方法 从了解晶闸管的结构、特性出发，掌握晶闸管的可控整流应用，掌握晶闸管的过压和过流保护方式，结合实物和实训掌握晶闸管管脚及好坏的判断，通过应用实例，了解晶闸管的典型应用。 课后思考 1晶闸管导通的条件是什么？导通时，其中电流的大小由什么决定？晶闸管阻断时，承受电压的大小由什么决定？ 2为什么接电感性负载的可控整流电路的负载上会出现负电压？而接续流二极管后负载上就不出现负电压了，又是为什么？ 3 如何用万用表判断晶闸管的好坏、管脚？ 4 如何选用晶闸管？
晶闸管的结构及特性 一、晶闸管外形与符号： 图5.1.1 符号 图5.1.2 晶闸管导通实验电路图 为了说明晶闸管的导电原理，可按图5.1.2所示的电路做一个简单的实验。 （1）晶闸管阳极接直流电源的正端，阴极经灯泡接电源的负端，此时晶闸管承受正向电压。控制极电路中开关S断开(不加电压)，如图5.1.2(a)所示，这时灯不亮，说明晶闸管不导通。 （2）晶闸管的阳极和阴极间加正向电压，控制极相对于阴极也加正向电压，如图5.1.2(b)所示.这时灯亮，说明晶闸管导通。 （3）晶闸管导通后，如果去掉控制极上的电压，即将图5.1.2(b)中的开关S断开，灯仍然亮，这表明晶闸管继续导通，即晶闸管一旦导通后，控制极就失去了控制作用。 （4）晶闸管的阳极和阴极间加反向电压如图5.1.2(C)，无论控制极加不加电压，灯都不亮，晶闸管截止。 （5）如果控制极加反向电压，晶闸管阳极回路无论加正向电压还是反向电压，晶闸管都不导通。 从上述实验可以看出，晶闸管导通必须同时具备两个条件： (1) 晶闸管阳极电路加正向电压； (2) 控制极电路加适当的正向电压(实际工作中,控制极加正触发脉冲信号)。
12A SERIES STANDARD The BT151S-650R SCR is suitable to fit modes of control found in applications such as voltage regulation circuits for motorbikes,over-voltage crowbar protection,motor control circuits in power tools and kitchen aids , inrush current limiting circuits ,capacitive discharge ignition.The insulated fullpack package allows a back toback configuration. DESCRIPTION FEATURES ?Repetitive Peak Off-State Voltage : 650V ?R.M.S On-State Current ( I = 12 A )?Low On-State Voltage (1.7V(Max.)@ I )?RoHS Compliant T(RMS)TM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS () T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED J SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Symbol Parameter Value Unit I T(RMS)RMS on-state current Tc =109°C 12A I T(AV)Average on-state current Tc =109°C 7.5A I TSM Non repetitive surge peak on-state current tp =8.3ms Tj=25°C 132 A tp =10ms 120 I2t I2t Value for fusing tp =10ms Tj=25°C 72A2S dI/dt Critical rateof rise of on-state current I G =2x I GT ,tr ≤100ns F =60Hz Tj=125°C 50A/μs I GM Peak gate current tp =20μs Tj=125°C 2A P G(AV)Average gate power dissipation Tj=125°C 0.5W T stg Storage junction temperature range -40to +150 °C T j Operating junction temperature range -40to +125 V RGM Maximum peak reverse gate voltage 5 V V DRM Repetitive Peak off -State Voltage 650V V RRM Repetitive Peak Reverse Voltage 650 V
单向可控硅的原理及测试 可控硅的意思：可控的硅整流器，其整流输出电压是受控的，常与移相或过零触发电路配合，应用于交、直流调压电路。可控硅是在晶体管基础上发展起来的一种集成式半导体器件。单向可控硅的等效原理及测量电路见下图1： A K G P N P N K G G K G A 图1 可控硅器件等效及测量电路 单向可控硅为具有三个PN 结的四层结构，由最外层的P 层、N 层引出两个电极——阳极A 和阴极K ，由中间的P 层引出控制极G 。电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极——控制极或触发极G 。SCR 或MCR 为英文缩写名称。 从控制原理上可等效为一只PNP 三极管与一只NPN 三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。一旦从G 、K 回路输入NPN 管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。控制信号U GK 的作用仅仅是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。 单向可控硅的导通需要两个条件： 1）、A 、K 之间加正向电压； 2）、G 、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。 若欲使可控硅关断，也有两个关断条件： 1）、使正向导通电流值小于其工作维持电流值； 2）、使A 、K 之间电压反向。 可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流的话，则可控硅会一直保持开通状态。除非将电源开断一次，才能使其关断。若用于交流电路，则在其承受正向电压期间，若接受一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到来，因无流通电流而自行关断。在承受反向电压期间，即使送入触发信号，可控硅也因A 、K 间电压反向，而保持于截止状态。
单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法 可控硅的检测 1.单向可控硅的检测 万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏
。 2.双向可控硅的检测 用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻
值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。然而对其工作原理和结构的描述，以我们可以查悉的资料都只是很浅显地提及，大部分都是对它的外围电路的应用和工作方式、参数的选择等等做了比较多的描述，更进一步的--哪怕是内部方框电路--内容也很难找到。 由于可控硅所有的电子部件是集成在同一硅源之上，我们根本是不可能通过采用类似机械的拆卸手段来观察其内部结构。为了深入了解和运用可控硅，依据现有可查资料所给P 型和N型半导体的分布图，采用分离元器件--三极管、电阻和电容--来设计一款电路，使该电路在PN的连接、分布和履行的功能上完全与双向可控硅类似，从而通过该电路来达到深入解析可控硅和设计实际运用电路的目的。 1 双向可控硅工作原理与特点 从理论上来讲，双向可控硅可以说是有两个反向并列的单向可控硅组成，理解单向可控硅的工作原理是理解双向可控硅工作原理的基础[2-5]。 1.1单向可控硅 单向可控硅也叫晶闸管，其组成结构图如图1-a所示，可以分割成四个硅区P、N、P、N和A、K、G三个接线极。把图一按图1-b 所示切成两半，就很容易理解成如图1-c所示由一个PNP三极管和一个NPN三极管为主组成一个单向可控硅管。
单向可控硅最筒单电路图大全 （四款模拟电路设计原理图详解） 单向可控硅最筒单电路图（一） 触摸一下金属片开，SCR1导通，负载得电工作。触摸一下金属片关，SCR2导通，继电器J得电工作，K断开，负载失电，SCR2关断后，电容对继电器J放电，维持继电器吸合约4秒钟，故电路动作较为准确。如果将负载换为继电器，即可控制大电流工作的负载。 单向可控硅最筒单电路图（二） 触摸式台灯电路原理图
触摸式台灯电路见图，它分四档控制灯泡的亮度。通电后灯泡不亮，第一次轻轻触摸一下灯罩外壳，灯泡便发出低亮度的光，第二次触摸灯泡发出中亮度的光，第三次触摸灯泡变为全亮，第四次触摸灯泡熄灭，依次循环。此电路易出现的故障是双向可控硅９７Ａ６坏及灯罩金属外壳与电路触摸输入端子之间接触不良。 小编调试电路时，TT6061用GS6061代替，１Ｎ４００４用１Ｎ４００７代替，其余元件与图中相同。经验证，电路工作可靠，能实现方中所述功能。但双向可控硅易损坏，建议读者制作时在可控硅两端并联一电阻电容串联所组成的保护电路。 单向可控硅最筒单电路图（三） 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原理图如下图所示。从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。 当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，
单向晶闸管的基本结构及工作原理 晶闸管有许多种类，下面以常用的普通晶闸管为例，介绍其基本结构及工作原理。 单向晶闸管内有三个PN 结，它们是由相互交叠的4 层P区和N区所构成的.如图17-1(a) 所示。晶闸管的三个电极是从P1引出阳极A，从N2引出阳极K ，从P2引出控制极G ，因此可以说它是一个四层三端 半导体器件。 为了便于说明.可以把图17-1 (a) 所示晶闸管看成是由两部分组成的[见图17-1(b)]，这样可以把晶闸管等效为两只三极管组成的一对互补管.左下部分为NPN型管，在上部分为PNP 型管[见图17-1 (c)]。 当接上电源Ea后，VT1及VT2都处于放大状态，若在G 、K 极间加入一个正触发信号，就相当于在V T1基极与发射极回路中有一个控制电流IC，它就是VT1的基极电流IB1。经放大后，VT1产生集电极电流ICI。此电流流出VT2 的基极，成为VT2 的基极电流IB2。于是， VT2 产生了集电极电流IC2。IC2再流入VT1 的基极，再次得到放大。这样依次循环下去，一瞬间便可使VT1和VT2全部导通并达到饱和。所以，当晶闸管加上正电压后，一输入触发信号，它就会立即导通。晶闸管一经导通后，由于导致VT1基极上总是流过比控制极电流IG大得多的电流，所以即使触发信号消失后，晶闸管仍旧能保持导通状态。只有降低电源电压Ea，使VT1、VT2 集电极电流小于某一维持导通的 最小值，晶闸管才能转为关断状态。 如果把电源Ea反接，VT1 和VT2 都不具备放大工作条件，即使有触发信号，晶闸管也无法工作而处于关断状态。同样，在没有输入触发信号或触发信号极性相反时，即使晶闸管加上正向电压.它也无法导通。 上述的几种情况可参见图17-2 。
CBB规范 可控硅驱动线路 (VER: V1.0) 拟制：辉时间：2010- 4-15 批准：波时间：2010- 4-15 文件评优级别：□A优秀□B良好□C一般 1 功能介绍 本电路为可控硅门极触发电路，SCRDRV为控制信号，当SCRDRV信号为高电平时，光耦PC1导通，CN1两端为高电平，SCRDRV信号为低电平时光耦PC1截止，CN1两端为低电平。本电路的关键在于电路的输出信号能保证可控硅可靠触发。 2 详细原理图
3 器件功能 ?限流电阻R1、R2、R3，当SCRDRV信号为高电平时，限制流过光耦PC1的原边电流,以防止PC1因过流而可能损坏； ?光耦PC1，实现电气隔离，同时起信号传输作用； ?开关管Q1, 通过控制Q1的开通与关断控制光耦PC1的导通与截止； ?R6的作用是确保没有输入信号时Q1处于截止，R5的作用是限制基极电流。 ?稳压二极管Z1，电压箝位，防止可控硅门极电压过高； ?R10,R11为限流电阻，限制流过可控硅门极的电流，并起到分压作用。 ?Q2为PNP型晶体管，起放大作用。 ?Q3,Q4为对管，推挽输出，起功率放大作用。 ?LED1为发光二极管，当光耦导通时点亮LED1，光耦截止时熄灭LED1，起指示作用。 4 参数计算 ?光耦PC1及R1,R2,R3的选取： 流过光耦副边电流为（8V-0.6V-0.3V）/4.7K=1.5mA，选型号为PS2501的光耦，其Ic=50mA，If=80mA，Vfmax=1.2V，CTR的范围为200%-400%。R1,R2的大小应时SCRDRV信号为高电平时光耦饱和导通， R1和R2选510Ω并联，此时光耦原边电流约为（5-1.2-0.3）/255=13.8mA，R1、R2功率约等于(0.0138/2)2*510=0.02W，选1\10W的电阻，满足降额要求，R3取2K,流过R3电流约为1.2V/2K=0.6mA ?R4,LED1的选取： 按发光管通过1mA的电流计算，若Q1的饱和压降为0.5V，LED1的正向压降为 1V，则通过LED1的电流为（5V-1V-0.5V）/R4=1mA，计算出的R4=3.5K，实际
特殊的晶闸管 双向晶闸管TRIAC：TRIode AC semiconductor switch 双向可控硅为什么称为“TRIAC”? 三端：TRIode(取前三个字母) 交流半导体开关：ACsemiconductor switch (取前两个字母)
以上两组名词组合成“TRIAC” 中文译意“三端双向可控硅开关”。 由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。 双向：Bi-directional(取第一个字母) 控制：Controlled(取第一个字母) 整流器：Rectifier(取第一个字母) 再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。 双向：Bi-directional(取第一个字母) 三端：Triode(取第一个字母) 由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。 代表型号如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅； Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。 而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如： 三象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等； 四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等； ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。 至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表含义如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA， 型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA； PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。 意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明 一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值
双向可控硅MAC97A6 (SOT23-3L) MAC97A6(SOT23-3L)双向可控硅 n特点: l先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，具有通态压 降低，门极逻辑电平触发，耐电流冲击能力强，全循环交流导通，在所 有四个象限中触发，兼容正栅极触发电路，出色的可靠性和产品质量， 可直接应用IC驱动。 n用途: l广泛应用于调光、调温、调速等调压电路；微波炉、洗衣机、空调、电 风扇、饮水机、夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控、斩波器、逆 变器和变频器等电路；阻性负载；不苛刻的电机负载；虚假触发干扰并 非首要关注点的负载；灯具调光器；电阻加热和照明负载；低成本电器。 n极限参数: 名称符号数值单位条件 重复峰值阻断电压V DRM≥600 V I DRM=20μA 通态均方根电流I T(RMS) 1 A所有导通角 通态浪涌电流I TSM 10 A t=10ms 12 A t=16.7ms 门极峰值电流I GM 1.2 A T j=125℃ 结温范围T j－40～125 ℃--- 贮存温度T stg－40～150 ℃--- n电特性（T j=25℃）: 名称符号测试条件Min Max Type 单位正向断态峰值电流I RRM T j=125℃V RRM=V DRM---- 0.1 ---- mA 通态峰值电压V TM I TM=6A t=380μs---- 1.5 ---- V 门极触发电流Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ I GT V D=12V R L =100Ω ---- 5 ---- mA Ⅳ---- 7 ---- mA 门极触发电压V GT V D=12V R L =100Ω---- 2 0.8 V 门极不触发电压V GD V D=1/2 V DRM T J=125℃0.2 ---- ---- V 断态电压临界上升率dV/dt V DM=67%V DRM Gate open Tj=110℃ 10 ---- ---- V/μs 通态电流临界上升率dI/dt I G=0.2A I T=1A d I G/dt=0.2 A/μs50 A/μs 维持电流I H V D=24V I GT=50m A≤25 mA SZJBL 1
简易可控硅交流调压器原理图及工作原理介绍 本文介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。 可控硅交流调压器电路原理： 电路图如下可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C 充电。当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过零点时，可控硅自关断。当交流电在负半周时，电容 。 C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了 调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其佘的都用功率为1/8W 的碳膜电阻。D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例。
可控硅工作原理 一种以硅单晶为基本材料的Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２四层三端器件，创制于１９５７年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅Ｔ。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅ＳＣＲ。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称死硅）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。 可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 １、可控硅元件的结构 不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由Ｐ型硅和Ｎ型硅组成的四层Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２结构。见图１。它有三个ＰＮ结（Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３），从Ｊ１结构的Ｐ１层引出阳极Ａ，从Ｎ２层引出阴级Ｋ，从Ｐ２层引出控制极Ｇ，所以它是一种四层三端的半导体器件。 ２、工作原理 可控硅是Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２四层三端结构元件，共有三个ＰＮ结，分析原理时，可以把它看作由一个ＰＮＰ管和一个ＮＰＮ管所组成，其等效图解如图１所示 图１、可控硅结构示意图和符号图 当阳极Ａ加上正向电压时，ＢＧ１和ＢＧ２管均处于放大状态。此时，如果从控制极Ｇ输入一个正向触发信号，ＢＧ２便有基流ｉｂ２流过，经ＢＧ２放大，其集电极电流ｉｃ２＝β２ｉｂ２。因为ＢＧ２的集电极直接与ＢＧ１的基极相连，所以ｉｂ１＝ｉｃ２。此时，电流ｉｃ２再经ＢＧ１放大，于是ＢＧ１的集电极电流ｉｃ１＝β１ｉｂ１＝β１β２ｉｂ２。这个电流又流回到ＢＧ２的基极，表成正反馈，使ｉｂ２不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于ＢＧ１和ＢＧ２所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极Ｇ的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表１
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Silicon
Controlled
Rectifier
HCR2C60
█ 主要用途
单向可控硅, 用于继电器与灯控制、小型马达控制、较大晶闸管的门极 驱动、传感与检测电路等
对应国外型号 SCN2C60,MCR22-8
█ 极限值（Ta=25℃）
Tstg ——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃ Tj ——结温 …………………………………………………………-40~125℃ VDRM ——重复峰值断态电压…………………………………………… 600V IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）…………………………… 1.5A IT(AV) ——平均通态电流（半正弦波，TC=45℃）…………………… 1.0A
█ 外形图及引脚排列
ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 15A
VRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V IFGM ——正向峰值门极电流 ……………………………………………1.0A PGM——峰值门极功耗……………………………………………………2W
█ 电参数（Ta=25℃）
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
IDRM
重复峰值断态电流 10 200 uA uA V uA V 0.8 1.2
VAK=VDRM, RKG=1000 ohm Ta=25℃ Ta=125℃
VTM IGT
峰值通态电压（1） 门极触发电流（2）
1.2
1.7 200 500
ITM=3.0A, 峰值
VAK =6V, RL=100 ohm Ta=25℃
Ta=-40℃
VAK =6V, RL=100 ohm Ta=25℃
VGT
门极触发电压（2）
Ta=-40℃ V mA
VAK =12V, RL=100 ohm
VGD
门 极 不 触 发 电 压 0.2 （1） 维持电流 2 5 10
50.0 160
Ta=125℃
VAK =12V，门极开路 Ta=25℃
IH
Ta=-40℃
℃/W ℃/W
Rth(j-c) Rth(j-a)
热阻 热阻
结到外壳 结到环境
1 单向可控硅 MCR100-6 (SOT-23) MCR100-6(SOT-23)单向可控硅 l 特点: l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，单面台面 结构，半循环交流和脉冲直流导通，门极灵敏触发，触发电流一致性佳，耐电流冲击能力强，出色的可靠性和产品质量。 l 用途: n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏；稳压器 - 例如摩托车；安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器；断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等；浪涌保护电路 - 例如离线式电源；小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。 l 极限参数: l 电特性（T.=25℃）: 名 称 符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流 I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A ---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM 0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dt V DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃ 10 ---- V/μs 名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >400 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压 V DRM >400 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 0.8 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ 结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度 Tstg -40~150 ℃ ---- 1 2 SOT-23,SOT-23-3L 3 1=K 2=G 3=A 2015/9/28 Mon 17:31:20 共 1 页 第 1 页
网址：https://www.doczj.com/doc/037075068.html,/buyer/offerdetail/672293940.html 可控硅(晶闸管)交流调压模块-450A 数量(PCS) 价格(元/PCS) ≥1 4470.00元/PCS 成为该供应商会员可享受折优惠. 请登录后进行申请 ?供应商支持：混批 ?发货地：山东淄博临淄区 ?供货总量：200PCS ?诚信保障：诚保可用保障金：￥2000.00(详细说明) 诚保 签订保障合同后，可保障买家采购的资金，运费等安全，查看详情。签订保障合同什么是签订保障合同？ ?想了解产品详情，请 ?给我留言 ?或 ?查看联系方式
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一、产品简介 本说明书所述晶闸管集成移相控制模块，最大优点是采用了抗老化设计，控制电路与晶闸管主电路集成为一体。模块的输出对称性高，无直流分量。模块具有对电力进行自动控制，调节的强大功能。 1、用途 各行业应用广泛，如；电解、电镀、调温、调光、电焊、蓄电池充放电、直流电机调速、交流电机软起动、稳压电源装置、励磁等。 2、特点 ①采用进口玻璃钝化方芯片，模块导通压降小，功耗低，节能效果显着。 ②控制触发电路采用进口贴片元器件组装，全部元器件进行高温老化筛选，可靠性高。 ③采用陶瓷覆铜工艺，焊接工艺独特，绝缘强度高，导热性能好，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍。 ④控制触发电路，主电路，导热底板之间相互绝缘，介电强度≥2500ⅤAC 导热底板不带电，安全可靠。 ⑤控制端口输入0-10V直流信号，可对主电路输出进行平滑调节。 ⑥控制方式可为：手动电位器控制；仪表控制；微机控制；PLC控制等。
单项可控硅mcr100 6 2009-12-31 20:51 就拿MCR100-6（贴片可控硅）来说 0.6A 塑封单向可控硅-SCRs 管脚排列：K-G-A 很容易看啊一侧只有一个脚的是g脚啊平贴在板子上啊～^_^ 如何用万用表测试单向可控硅 2008-05-10 02:45 可控硅又叫晶体闸流管，在强电和弱电领域都有极为广泛的应用。其中在弱电领域中应用的可控硅功率比较小，外形像三极管，是电子爱好者常遇到的元件之一。 正确测试可控硅是电子爱好者必须具备的基本技能。如何来测试可控硅呢? 由于万用表是电子爱好者必配工具，这里介绍如何用万用表来测试单向可控硅。单向可控硅的测试包括两个方面：一是极性的判定；二是触发特性的测试。 一、可控硅极性的判定 单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成，其基本结构、符号及等效电路如图1所示。 可控硅有三个电极：阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。从等效电路上看，阳极(A)与控制极(G)之间是两个反极性串联的PN结，控制极(G)与阴极(K)之间是一个PN结。 根据PN结的单向导电特性，将指针式万用表选择适当的电阻档，测试极间正反向电阻(相同两极，将表笔交换测出的两个电阻值)，对于正常的可控硅，G、K
之间的正反向电阻相差很大；G、K分别与A之间的正反向电阻相差很小，其阻值都很大。这种测试结果是唯一的，根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。用万用表R×1K档测量可控硅极间的正反向电阻，选出正反向电阻相差很大的两个极，其中在所测阻值较小的那次测量中，黑表笔所接为控制极(G)，红表笔所接的为阴极(K)，剩下的一极就为阳极(A)。 通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。如果在测试中任何两极间的正反向电阻都相差很小，其阻值都很大，说明G、K之间存在开路故障；如果有两极间的正反向电阻都很小，并且趋近于零，则可控硅内部存在极间短路故障。 二、单向可控硅触发特性测试 单向可控硅与二极管的相同之处在于都具有单向导电性，不同之处是可控硅的导通还要受控制极电压控制。 也就是说使可控硅导通必须具备两个条件：阳极(A)与阴极(K)之间应加正向电压，控制极(G)与阴极(K)之间也应加正向电压。当可控硅导通以后，控制极就失去作用。单向可控硅的导通过程可用图2所示的等效电路来说明：PNP管的发射极相当可控硅的阳极(A)，NPN管的发射极相当可控硅的阴极(K)，PNP管的集电极与NPN管的基极相联后相当于可控硅的控制极(G)。 当在A、K之间加上允许的正向电压时，两只管子均不导通，此时当在G、K之间加上正向电压便形成控制电流流入V2的基极，如此循环直至两管完全导通。当导通后，即使Ig=O，由于V2有基极电流，且远大于Ig，因此两管仍然导通。要使导通的可控硅截止，必须把A、K正向电压降低到一定值，或反向，或断开。根据可控硅的导电特性，可用万用表的电阻档进行测试。对小功率可控硅可按图3(a)所示联接电路，在可控硅A、G之间联接一只轻触开关(以便于操作)，用万用表的R×1Ω档，黑表笔接A极，红表笔接K，此时给可控硅加上一正向电压(通过万用表内附的干电池)，万用表的指针不动，可控硅不导通，当按下开关，A、G接通，在G、K之间加上触发电压，可控硅才导通，万用表的指针偏转，指向一个较小的值；当G、A断开后，失去了控制电压，如果万用表的指针位置不变，可控硅仍处于导通状态，说明该可控硅的触发特性良好， 如果G、A断开后，万用表指针随即偏转，指向∞。即可控硅不导通，则说明该可控硅的触发特性不好，或已损坏。对功率较大的可控硅，由于导通电压降较大，维持电流难以维持，引起导通状态欠佳，此时应在可控硅的阳极(A)上串接一节干电池，如图3(b)所示电路进行测试，以免引起误判。对于大功率可控硅应在图3(b)的电路上再串上一节干电池，使测试效果明显。一般来说在测试10A 以下的单向可控硅用图3(a)所示联接电路；10A一100A的可控硅用图3(b)所示联接电路，测试100A以上的单向可控硅应在图3(b)上再串一节干电池。 在测试单向可控硅的基础上，对其它类型的可控硅，根据其基本结构，也可用万用表对其进行测试。
一、单向可控硅工作原理 可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。 二、单向可控硅的引脚区分 对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。 三、单向可控硅的性能检测 可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。 用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。 用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。 用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。 万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 四、可控硅的使用注意事项 选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。 1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。 2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即
晶闸管及其应用
晶闸管及其应用 课程目标 1 了解晶闸管结构，掌握晶闸管导通、关断条件 2 掌握可控整流电路的工作原理及分析 3 理解晶闸管的过压、过流保护 4 掌握晶闸管的测量、可控整流电路的调试和测量 课程内容 1 晶闸管的结构及特性 2 单相半波可控整流电路 3 单相半控桥式整流电路 4 晶闸管的保护 5 晶闸管的应用实例 6 晶闸管的测量、可控整流电路的调试和测量 学习方法 从了解晶闸管的结构、特性出发，掌握晶闸管的可控整流应用，掌握晶闸管的过压和过流保护方式，结合实物和实训掌握晶闸管管脚及好坏的判断，通过应用实例，了解晶闸管的典型应用。
课后思考 1晶闸管导通的条件是什么？导通时，其中电流的大小由什么决定？晶闸管阻断时，承受电压的大小由什么决定？ 2为什么接电感性负载的可控整流电路的负载上会出现负电压？而接续流二极管后负载上就不出现负电压了，又是为什么？ 3 如何用万用表判断晶闸管的好坏、管脚？ 4 如何选用晶闸管？
晶闸管的结构及特性 一、晶闸管外形与符号： 图 5.1.1 符号 图5.1.2 晶闸管导通实验电路图 为了说明晶闸管的导电原理，可按图5.1.2所示的电路做一个简单的实验。 （1）晶闸管阳极接直流电源的正端，阴极经灯泡接电源的负端，此时晶闸管承受正向电压。控制极电路中开关S断开(不加电压)，如图
5.1.2(a)所示，这时灯不亮，说明晶闸管不导通。 （2）晶闸管的阳极和阴极间加正向电压，控制极相对于阴极也加正向电压，如图5.1.2(b)所示.这时灯亮，说明晶闸管导通。 （3）晶闸管导通后，如果去掉控制极上的电压，即将图5.1.2(b)中的开关S断开，灯仍然亮，这表明晶闸管继续导通，即晶闸管一旦导通后，控制极就失去了控制作用。 （4）晶闸管的阳极和阴极间加反向电压如图5.1.2(C)，无论控制极加不加电压，灯都不亮，晶闸管截止。 （5）如果控制极加反向电压，晶闸管阳极回路无论加正向电压还是反向电压，晶闸管都不导通。 从上述实验可以看出，晶闸管导通必须同时具备两个条件： (1) 晶闸管阳极电路加正向电压； (2) 控制极电路加适当的正向电压(实际工作 中,控制极加正触发脉冲信号)。 二、伏安特性
课题：8.1 晶闸管 8.2 晶闸管触发电路 授课时数：2 教学目标：1．掌握晶闸管的结构和工作原理。 2．了解晶闸管触发电路。 教学重点：1．晶闸管的分类、结构、型号、参数和工作特性。 2．单结晶体管的特性及晶闸管触发电路的工作原理。 教学难点：1．晶闸管的工作特性。 2．单结晶体管触发电路的工作原理。 A．引入 晶闸管俗称可控硅。具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、使用方便等优点。它广泛应用于无触点开关电路及可控整流设备中。 B．复习 三端集成稳压器的分类。 C．新授课 8.1 晶闸管 8.1.1 单向晶闸管 1．单向晶闸管的结构和符号 （1）外形 平面型、螺栓型和小型塑封型等几种。 （2）符号及内部结构 三个电极：阳极A、阴极K、控制极G 4层半导体： P—1N—2P—2N 1 P—引出线为控制极；1P—引出线为阳极；2N—引出线为阴极 2
3个PN结（ J，2J，3J） 1 文字符号：一般用SCR、KG、CT、VT表示。 2．单向晶闸管的工作原理： （1）实验演示： ①正向阻断：A－K加正向电压，G无电压－不导通。 ②反向阻断：A－K加反向电压，G无论是否加控制电压－不导通。 ③触发导通：A—K加正向电压，G，K加正向电压—导通。 ④导通后控制极失去控制作用：晶闸管一旦导通，降低或去掉控制极电压仍导通。 （2）工作特点： ①单向晶闸管导通必须具备两个条件：一是晶闸管阳极与阴极间接正向电压；二是控制极与阴极之间也要接正向电压。 ②晶闸管一旦接通后，去掉控制极电压时，晶闸管仍然导通。 ③导通后的晶闸管若要关断时，必须将阳极电压降低到一定程度。 ④晶闸管具有控制强电的作用，即利用弱电信号对控制极的作用，就可使晶闸管导通去控制强电系统。 3．单向晶闸管主要参数 （1）额定正向平均电流 在规定环境温度和散热条件下，允许通过阳极和阴极之间的电流平均值。 （2）维持电流 在规定环境温度、控制极断开的条件下，保持晶闸管处于导通状态所需要的最小正向电流。 （3）控制极触发电压和电流 在规定环境温度及一定正向电压条件下，使晶闸管从关断到导通，控制极所需的最小电压和电流。 （4）正向阻断峰值电压 在控制极开路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 （5）反向阻断峰值电压 在控制极断开时，可以重复加在晶闸管上的反向峰值电压。 4．晶闸管的型号及含义 （1）型号 3 表示额定电压为500 V 表示额定正向平均电流为5 A 表示晶闸管元件 表示N型硅材料