电力电子作业答案

第二章习题答案2. 使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或者U AK >0且U GK >03. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。4. 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电

2021-04-11
电力电子技术课后习题全部答案解析

电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力?答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低

2020-06-14
电力电子课后作业讲解

填空题电力电子技术包括电力电子器件、电力电子电路和控制技术 3个部分。现代电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和全控型器件三类。电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管三种。晶闸管的外形大致有塑封形、平板型和螺栓形三种。晶闸管额定电流与有效值电流的关系 IT=1.57IT(AV)。双向晶闸管的门极控制方式有两种:移向触发和过零触发。2

2024-02-07
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案

电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度

2024-02-07
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题答案

电力电子技术(王兆安第五版)课后习题答案

2024-02-07
电力电子课后作业

A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定6) 处于阻断状态的晶闸管,只有在阳极与阴极间加正向电压,且在门极与阴极间作(C)处理才能使其开通。A、并联一电容B、串联一电感C加正向

2024-02-07
电力电子技术第6章 习题 答案

第6章交流—交流变换电路课后复习题及答案第1部分:填空题1.改变频率的电路称为变频电路,变频电路有交交变频电路和交直交变频电路两种形式,前者又称为直接变频电路,后者也称为间接变频电路。2.单相调压电路带电阻负载,其导通控制角α的移相范围为0~180O,随 α 的增大,U o 减小,功率因数λ减小。3.单相交流调压电路带阻感负载,当控制角α<ϕ(ϕ=arcta

2024-02-07
电力电子课后习题作业讲解

第二章 电力电子器件4. 图1-1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。002π2π2ππππ4π4π25π4a)b)c)图1-430图1-1 晶闸管导电波形解:a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m

2024-02-07
电力电子技术课后习题答案

第一章电力电子器件使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或者U AK >0且U GK>0维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的

2024-02-07
电力电子技术第五版课后习题答案(王兆安)

Байду номын сангаас

2024-02-07
电力电子技术课后习题答案

电力电子技术课后习题答案Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】第一章 电力电子器件使晶闸管导通的条件是什么答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或者U AK >0且U GK >0维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为

2024-02-07
电力电子课后习题详解

2-18 三相半波可控整流电路,U2=100V,负载中 R=2Ω,L 值极大,反电动势 E=60V, 当α=30°时,要求:(1)画出 Ud、id、i2a、UV2 的波形; (2)

2024-02-07
电力电子技术课后习题及解答

《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两

2024-02-07
电力电子技术课后习题全部答案

电力电子技术课后习题全部答案

2024-02-07
电力电子技术(第五版)课后习题答案

电力电子技术第五版课后习题答案第二章 电力电子器件2-1 与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力?答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无

2024-02-07
电力电子课后习题答案 5

第五章 直流-直流交流电路1.简述图5-1a 所示的降压斩波电路工作原理。答:降压斩波器的原理是:在一个控制周期中,让V 导通一段时间t on ,由电源E 向L 、R 、M 供电,在此期间,u o =E 。然后使V 关断一段时间t off ,此时电感L 通过二极管VD 向R 和M 供电,u o =0。一个周期内的平均电压U o =E t t t ⨯+offo

2024-02-07
电力电子作业

电力电子作业Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】作业1指出常用器件可达的功率与频率能力SCR , GTO, IGBT , MOSFET,功率能力:SCR(10MW)>GTO(MW)>IGBT(百KW)>MOSFET(10KW)频率能力:MOSFT(百KHz)>IGBT(10KHz)>GTO(1KH

2024-02-07
电力电子课后习题答案-部分

2-11试列举你所知道的电力电子器件,并从不同的角度对这些电力电子器件进行分类。目前常用的控型电力电子器件有哪些?答:1. 按照器件能够被控制的程度,分为以下三类:(1)半控型器件:晶闸管及其派生器件(2)全控型器件:IGBT,MOSFET,GTO,GTR(3)不可控器件:电力二极管2. 按照驱动信号的波形(电力二极管除外)(1)脉冲触发型:晶闸管及其派生器

2024-02-07
(完整版)《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。1.2晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状

2024-02-07
电力电子技术课后习题全部答案

电力电子技术答案2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,

2024-02-07