第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正

半导体器件试题库常用单位：在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3电荷的电量q= 1.6×10-19C µn =1350 2cm /V s ⋅ µp =500 2cm /V s ⋅ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主

第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正

第5章 常用半导体元件 习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于 和 之间，二极管是将 封装起来，并分别引出 和 两个极。2．二极管按半导体材料可分为 和 ，按内部结构可分为＿ 和 ，按用途分类有 、 、 四种。3．二极管有 、 、 、 四种状态，PN 结具有 性，即 。4．用万用表（R ×1K 档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度 ，

半导体器件物理复习题一．平衡半导体：概念题：1.平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。2.本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。3.受主（杂质）原子：形成P 型半导体材料而掺入本征半导体

题库(一)半导体物理基础部分1、计算分析题已知：在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C µn =1350 2cm /V s ⋅ µp =500 2cm /V s ⋅ 半导体硅材料在室温的条件下，测得 n 0 = 4.5×104/cm 3，N D =5×1015/cm

第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ）5、N 型半导体

第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n S D x x qN dxd ≤≤-=εψ 0),

第1章半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（）2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（）3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（）4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电

第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。5．使用二极管时

第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ）5、N 型半导体的

第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0)

第7章 常用半导体器件 习题参考答案7-1 计算图所示电路的电位U Y （设D 为理想二极管）。（1）U A ＝U B ＝0时；（2）U A ＝E ，U B ＝0时；（3）U A ＝U B ＝E 时。解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。当A 、B 两点

第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0)

作业三答案一、名词解释(1) 单边突变结：若pn 结面两侧为均匀掺杂，即由浓度分别为a N 和d N 的p 型半导体和n 型半导体组成的pn 结，称为突变结。若一边掺杂浓度远大于另一边掺杂浓度，即d a N N >>或a d N N >>，这种pn 结称为单边突变结。(2) 大注入：注入的非平衡载流子浓度与平衡多子浓度相比拟甚至大于平衡多子浓度的情况称为大注

习题2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。（3）PN结的结电容包括和。（4）晶体管的三个工作区分别是、和。在放大电路中，晶体管通常工作在区。（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和

第1章半导体器件习题(精)

第 7 章 常用半导体器件习题参考答案7-1 计算图所示电路的电位U Y （设 D 为理想二极管） 。（ 1） U A ＝ U B ＝ 0 时；（ 2） U A ＝E ， U B ＝ 0 时；（ 3） U A ＝ U B ＝ E 时。解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出 A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和 D B 两

第——早1 一个硅p - n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm 4, n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3X 1014cm 3-16I FA*J s =1.0*10 A 。 + 0.7V 时，I = 49.3 卩 A, —0.7V 时，I = 1.0*10 -16A，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8卩m 解:求零偏压下的总耗尽层宽度、

第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n S D x x qN dx d ≤≤-=εψ0),(2)