第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)在半导体行业的发展进程中，人们通常把Si和Ge元素半导体称为第一代电子材料，把GaAs、InP、InAs等化合物半导体称为第二代半导体材料，而把Ⅲ族氮化物（主要包括GaN、相关化合物InN、AIN及其合金）、SiC、InSe、金刚石等宽带隙的化合物半导体称为第三代半导体材料。 图1：半导体 半导体是一种

2020年常见的功率半导体类型及区别、主要应用领域、SIC、GAN发展现状和前景、功率半导体的市场格局目录1、常见的功率半导体类型及区别？ (5)2、功率半导体主要应用领域有哪些？ (12)3、S I C、G A N的发展现状和前景？ (23)4、功率半导体的市场格局如何？ (27)5、投资建议 (31)6、风险提示 (32)扬杰科技 (34)华润微 (36

功率半导体的革命：SiC与GaN的共舞功率半导体多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优于现在使用的Si（硅），作为节能王牌受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。将Si换成GaN或SiC等化合物半导体，可大幅提高产品效率并缩小尺寸，这

探讨碳化硅在电动汽车领域的应用 随着电动汽车、智能电网、核电、太阳能、风能等能源领域以及航海、航空、航天、高速轨道交通等技术的不断发展，对功率器件的性能提出了更高的要求。目前，基于硅基材料制作的功率器件已经随其结构设计和制造工艺的改进日趋完善，但受到材料本身的特点，限制了其进一步的完善。第三代半导体材料的出现满足了人们对于未来器件使用的更高需求，人们预测第三

射频氮化镓（GaN）技术正在走向主流应用网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件，这使得市场对于射频氮化镓（GaN）器件的需求不断升温。举个例子，现在的无线基站里面，已经开始用氮化镓器件取代硅基射频器件，在基站设备上，氮化镓器件的使用得越来越广泛。氮化镓受青睐主要是因为它是宽禁带（wide-bandgap）器件，与硅或者其他三五价器件

第三代半导体材料碳化硅一、第三代半导体发展简述半导体产业的基石是芯片。制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代：第一代半导体材料（主要为目前广泛使用的高纯度硅）、第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟）、第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化镓）。第三代半导体材料也称为禁带半导体材料，是指禁带宽度在2.3eV（电子伏特）及以上的半导体材料（硅的禁带宽度为1.12

广州创亚企业管理顾问有限公司第三代宽禁半导体材料GaN （氮化镓）研究分析目录contents一、5G应用的关键材料（一）认识第三代半导体材料1、半导体材料的由来2、第一代半导体材料3、第二代半导体材料4、第三代半导体材料（二）第三代半导体材料的特点1、碳化硅（SiC）2、氮化镓（GaN）二、氮化镓（GaN）（一）GaN技术的发展历史（二）GaN的优点1、G

氮化镓MOSFET应用及介绍 TPH3002PS

氮化镓和碳化硅在高频率电源开关中的应用前言对于宽带隙（宽禁带）材料和设备的研究工作已经持续许多年了，这些材料的特性令设计者非常满意，因为宽的带隙设备显著的性能改善超过了以硅为基础的其他材料。他们在高温度下、高功率密度下、高电压下和高频率下运转的能力，使他们在未来的电子系统中的使用非常令人关注。对未来的开关和高频功率应用方面大有前途的两种非常重要的宽带隙材料就

Qorvo：关于氮化镓的十个重要事实从下一代的国防和航天应用，到有线电视、VSAT、点对点(PtP)、基站基础设施，Qorvo 的GaN(氮化镓)产品和技术为您身边的各种系统提供领先的性能支持，让您能够随时联网并受到保护。这些领先性能包括：高功率密度、宽频性能、高功率处理阅读下面的氮化镓的十个重要事实，真正了解这个在我们的工作和生活中发挥重要作用的关键技术。

SiC和GaN功率器件发展中存在的问题近年来，Si功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。随着SiC和GaN外延材料和器件制造工艺技术取得重大进展，各种SiC和GaN功率器件的研究和开发蓬勃开展起来。尽管SiC和GaN功率器件取得了令人鼓舞的进展，已经有了许多实验室产品，而

Si：高纯的单晶硅是重要的半导体材料。单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，广泛应用于二极管、三极管、晶闸管、场效应管和各种集成电路熔点：1414℃，电导率：硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600

氮化镓在射频领域的优势氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。半导体物理学中，“能隙”是指使电子游离原子核轨道，并且能够在固体内自由移动所需的能量。能隙是

硅、碳化硅、氮化镓这就要求采用导热率更高的材料, 故最近正在研究S I C 等材料。SiC:化学性能稳定、热膨胀系数小、耐磨性能好，碳化硅硬度很大、导热系数高、高温时能抗氧化。碳化硅被广泛用于制造高温、高压半导体。熔点：2730 CGaN：它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能。GaN材料系列具有低

氮化镓和碳化硅概念股名单聚灿光电（300708）：公司目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术。乾照光电（300102）：公司在砷化镓和氮化镓光电器件领域研发和生产多年，已积极布局以砷化镓和材料为基础的化合物半导体方向。易事特（300376）：公司是国家第三代半导体产业技术基地第二大股东

1.3 宽禁带半导体比较宽禁带半导体（WBG）在国内目前也被称为第三代半导体，主要是和以硅半导体为主要代表的第一代半导体，和以砷化镓（GaAs）半导体为主要代表的第二代半导体相对应。目前碳化硅半导体功率器件已经在开关电源（SMPS）行业得到了广泛应用，碳化硅基的氮化镓射频器件也会在即将到来的 5G 射频功率放大器里大量应用。而硅基的氮化镓由于潜在的低成本因素

氮化镓和碳化硅在高频率电源开关中的应用前言对于宽带隙（宽禁带）材料和设备的研究工作已经持续许多年了，这些材料的特性令设计者非常满意，因为宽的带隙设备显著的性能改善超过了以硅为基础的其他材料。他们在高温度下、高功率密度下、高电压下和高频率下运转的能力，使他们在未来的电子系统中的使用非常令人关注。对未来的开关和高频功率应用方面大有前途的两种非常重要的宽带隙材料就