实验一加工方法及加工装备的归纳与调研
一．车削加工
1. 车削概述
在车床上，工件做旋转运动，刀具做平面直线或曲线运动，完成机械零件切削加工的过
程，称为车削加工。其中工件的旋转为主运动，刀具的移动为进给运动。
车削适合加工回转零件，其切削过程连续平稳，可以加工各种内外回转体表面及端平面。
所用刀具主要是车刀，还可以用钻头，铰刀，丝锥，滚花刀等。
图1.1 车削加工主要应用范围
车削加工的尺寸精度较宽，一般可达it12～it7，精车时可达it6～it5。表面粗糙度ra
数值的范围一般是6.3～0.8 2. 车床的组成
车床的种类有很多，主要有卧式车床，立式车床，转塔车床等。
我们这次实验主要调研了ca6140a型卧式车床
图1.2 卧式车床基本机构（1）
1-床头箱；2-进给箱；3-变速箱；4-前床脚；5-溜板箱；6-刀架；
7 -尾架；8-丝杠；9-光杠；10-床身；11-后床脚
图1.2 卧式车床基本机构（2）
12-中刀架；13-方刀架；14-转盘；15-小刀架；16-大刀架
车床的基本结构如图1.2所示。车床附件主要有三爪卡盘，四爪卡盘，顶尖，中心架和
跟刀架等。
二．铣削加工
1. 铣削概述
在铣床上用铣刀加工工件的工艺过程叫做铣削加工。铣削时，刀具作快速的旋转运动为
主运动，工件作缓慢的直线运动为进给运动。
铣削主要用于加工各种平面，沟槽和成形面等，还可以进行分度工作，以及钻孔和镗孔。
图2.1 铣削加工的应用范围
铣削可分为周铣和端铣，用端齿刀的端面刀齿加工平面称为端铣法，用圆柱铣刀的圆周
刀齿加工平面称为周铣法，周铣又有逆铣法和顺铣法之分。逆铣时，铣刀的旋转方向与工件
的进给方向相反；顺铣时，则铣刀的旋转方向与工件的进给方向相同。
铣床的加工精度一般为it9～it8；表面粗糙度一般为ra6.3～1.6μm。
3. 铣床的组成
铣床种类很多，常用的有卧式铣床、立式铣床、龙门铣床等。
我们这次实验主要调研了xk6125型卧式万能铣床
图2.2 卧式铣床基本机构
1-床身 2-电动机 3-变速机构 4-主轴 5-横梁 6-刀杆
7-吊架8-纵向工作台 9-转台 10-横向工作台 11-升降台
铣床的基本结构如图2.2所示，工作台可沿横，纵，垂直三个方向移动。主轴可根据需
要通过机械结构转变为垂直于工作台。
铣床的附件主要有分度头、平口钳、万能铣头、和回转工作台等。
三．磨削加工
1. 磨削概述
在磨床上用砂轮作为切削工具，对工件表面进行加工的方法称为磨削加工。
磨削加工是零件精加工的主要方法之一。它的应用范围很广，可以磨削难以切削的各种
高硬超硬材料。
外圆常用的方法有纵磨法、横磨法和综合磨法。平面磨削常用的方法有周磨和端磨。
2. 磨床的组成
磨床可分为万能外圆磨床，普通外圆磨床，内圆磨床，平面磨床等。我们这次实验主要
调研了m7120卧轴矩台平面磨床。
图3.1 平面磨床基本结构
1—驱动工作台手轮 2—磨头 3—滑板 4—横向进给手轮 5—砂轮修整器
6—立柱 7—行程挡块 8—工作台 9—垂直进给手轮 10—床身篇二：工艺实验报告
贵州大学
实验报告
微电子工艺实验报告
实验课程名称：微电子工艺实验日期：2009年7月14日
——17日
姓名：刘晓志学号：2008020959 同组人：李嘉辉，徐舒晓院系：
理学院专业：微电子学与固体电子学
指导老师：杨发顺老师实验地点：微电子工艺实验室一、实验项目名
称：硅二极管二、实验目的：
根据所学习的半导体物理与器件的知识，能够制作出晶体硅二极管，并对测量的反向特
性和正向特性进行分析。
三、实验主要仪器设备、器材、药品
四、实验原理：
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间
电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散
电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的
扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步
加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0。当外加的反向
电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到
临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，
称为二极管的击穿现象。
二极管的参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标。最大整流电流：指二
极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。最高反向工作电压：加在二极管两端的反
向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定最高反
向工作电压值。
反向电流：反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反
向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。
二极管的伏安特性曲线如上图所示，因为二极管加正向电压和反向电压时呈现出不同的
状态，所以分正向伏安特性和反向伏安特性来说明。
正向伏安特性曲线指纵轴右侧的部分，它可以分成三段。
os段：电压为零时电流也是零，电压从零开始增加时，电流不随之增加，电压增至0.6v
左右的，二报管内才出现微弱的电流。这段曲线所对应的电压区域，叫做二极管的死区或不
导通区，s点所对应的电压值叫死区电压，用us表示．在室温下，硅材料的三极管us在0.6v
左右，锗材料的二极管us在0.2v 左右．这段曲线告诉我们，在给二极管加小于死区电压us的正向电压时，二极管处于不
导通状态，其内部电流几乎为零．
