混合生长法提高栅氧化物质量
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江 兴 摘
混 合生 长 法提 高 栅氧 化 物 质量
美国麻省理工学院的研究人员首次用MO CVD 外延炉原位原子层淀积出 � 2� 氧化物。 这种 新 方法 可 有 助于 研 制因 缺 乏高 品 质 氧化 物 而受 到 阻 碍的 � 2� 过去几年内, 非原位原子层淀积将G aA s 氧化物的中带隙界面缺陷密 M O SF E T。 12 - 1 - 2 度减至 10 e V c m , 非原位转成原位原子层淀积工艺将这一关键品质因素 (Q
安森 美 半导 体 推 出
R GB L ED
像素 驱 动 器
安 森美半 导体 扩充因 收购 C ataly st 半导 体而得 的恒 流低压 降驱 动器 (LDD TM ) 产品线, 推出两款新的高亮度红绿蓝三原色 (R GB ) 发光二极管 (L ED ) 像素驱动器。 CA T4103 和CA T 4109 是三通道线性恒流L ED 驱动器, 应用于新 兴的高亮度、 高视觉冲击力L ED 建筑物照明中的R GB L ED 像素控制。 CA T 4103 为高端、 多色彩、 “智能” L ED 建筑物照明应用而设计。 它具有高速串行接口, 能 够支持达 25 兆赫 (M H z) 的数据率, 提供完全缓冲的数据输出, 确保在分布式 ( 长 距离)、 菊花链型照明系统中维持最高的数据完整性。CA T 4109 使用并行接口, 每条通道具有专门的脉宽调制 ( PWM ) 控制, 非常适合更常规的 L ED 视觉效果 应用, 如混色和建筑物重点照明。CA T4103 和CA T 4109 都支持每通道达 175 毫 安 (m A ) 的宽广范围L ED 恒流驱动, 电流为 60 mA 时压降电平至 0. 3 伏 (V ) , 确 保在驱动长串L ED 时提供最高性能。这些驱动器每通道支持 25 V 的电压电平, 能够以超过 10 瓦 (W ) 的高亮度功率电平支持 R GB 像素。
10
陈裕权译自 Com pound Sem iconducto r, 2008, 14 ( 8)
1
长电 科 技整 体
U盘
上 市
据 《中国电子报》 2009 年元月 13 日报道, 为应对当前国际金融危机给企业 造成的困难, 江苏长电科技股份有限公司加大力度研发创新产品, 取得突破性 进展。近日该公司自行创新开发的 “新潮” 牌整体U 盘在南京首发上市销售。新 潮品牌整体U 盘, 采用世界上最先进的高温整体封装技术, 对内部芯片和电子 元器件一次进行 100% 塑封, 构筑成整 水蒸气、 不良气体、 空气中的杂质等接触。
刘广荣 摘
多 光谱 成 像 用
GaN
基 光电 探 测器 进 展 顺利
瑞士、 澳地利和法国的研究人员联合开发出一种单片集成紫外 (UV ) 和近 红外 ( IR ) 光电探测器。该器件的A lN � GaN 超晶格用于 1 . 4Λ m 探测, A lGaN 缓 冲层用于在 250 Λ m 传感, 这是向开发多光谱成象用的单传感器阵列迈出的一大 步。 使用一个以上的传感器阵列用于多色成象, 其缺点是庞大笨重, 价格高昂, 原因是光元件数增多。 这还减小了它对机械冲击的强度。 上述研究小组的瑞士纳沙特尔大学的研究人员表示, 多光谱摄象机正引起 不同应用领域的兴趣。
9
值) 又减小了四倍。 研究人员放弃常用的氧源—水, 而采用异丙醇。 这就避免了水在M O CVD 生长过程中降低� 2� 化合物膜的质量。他们采用A ix tro n 公司的一台冷壁外延 炉, 用MO CVA 方法在650° C 下淀积了一层掺 ZnGaA s 层。然后用异丙醇和三甲 基铝源在 500° C 下生长了一层 11. 5 Λ m 厚的A l2O 3。 X 射线光电子谱显示, 没有有害的A s 2O 3 和A s2O 5 , 这两者会牵制费米能级。 不过, A l2O 3 层氧欠缺, 并有一个铝团。 采用电导—频率法测得界面中带隙的结果表明, 缺陷密度为 2. 5×10 12 eV - 2 cm 。
希 雷
In ven Sen se 成 功
研 发世 界 上 最小 的 双轴 陀 螺 仪
InvenSen se 研发的双轴陀螺仪结合了M EM S、 谐振结构和硅晶圆级 CM O S
电路, 比市场现有的螺旋仪器小 25% 。 I D G 21100 系列产品用于对成本敏感和规 格受限的袖珍消费品, 如数字静态相机 (D SC ) 、 视频图像高稳定性摄像机、 GPS 信号不稳时用于航位推算的便携式导航系统 ( PND ) 和三维运动传感器件, 如飞 行鼠标、 用于电视�多媒体中心和游戏控制器的音频�视频遥控。
混 合生 长 法提 高 栅氧 化 物 质量
美国麻省理工学院的研究人员首次用MO CVD 外延炉原位原子层淀积出 � 2� 氧化物。 这种 新 方法 可 有 助于 研 制因 缺 乏高 品 质 氧化 物 而受 到 阻 碍的 � 2� 过去几年内, 非原位原子层淀积将G aA s 氧化物的中带隙界面缺陷密 M O SF E T。 12 - 1 - 2 度减至 10 e V c m , 非原位转成原位原子层淀积工艺将这一关键品质因素 (Q
安森 美 半导 体 推 出
R GB L ED
像素 驱 动 器
安 森美半 导体 扩充因 收购 C ataly st 半导 体而得 的恒 流低压 降驱 动器 (LDD TM ) 产品线, 推出两款新的高亮度红绿蓝三原色 (R GB ) 发光二极管 (L ED ) 像素驱动器。 CA T4103 和CA T 4109 是三通道线性恒流L ED 驱动器, 应用于新 兴的高亮度、 高视觉冲击力L ED 建筑物照明中的R GB L ED 像素控制。 CA T 4103 为高端、 多色彩、 “智能” L ED 建筑物照明应用而设计。 它具有高速串行接口, 能 够支持达 25 兆赫 (M H z) 的数据率, 提供完全缓冲的数据输出, 确保在分布式 ( 长 距离)、 菊花链型照明系统中维持最高的数据完整性。CA T 4109 使用并行接口, 每条通道具有专门的脉宽调制 ( PWM ) 控制, 非常适合更常规的 L ED 视觉效果 应用, 如混色和建筑物重点照明。CA T4103 和CA T 4109 都支持每通道达 175 毫 安 (m A ) 的宽广范围L ED 恒流驱动, 电流为 60 mA 时压降电平至 0. 3 伏 (V ) , 确 保在驱动长串L ED 时提供最高性能。这些驱动器每通道支持 25 V 的电压电平, 能够以超过 10 瓦 (W ) 的高亮度功率电平支持 R GB 像素。
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陈裕权译自 Com pound Sem iconducto r, 2008, 14 ( 8)
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长电 科 技整 体
U盘
上 市
据 《中国电子报》 2009 年元月 13 日报道, 为应对当前国际金融危机给企业 造成的困难, 江苏长电科技股份有限公司加大力度研发创新产品, 取得突破性 进展。近日该公司自行创新开发的 “新潮” 牌整体U 盘在南京首发上市销售。新 潮品牌整体U 盘, 采用世界上最先进的高温整体封装技术, 对内部芯片和电子 元器件一次进行 100% 塑封, 构筑成整 水蒸气、 不良气体、 空气中的杂质等接触。
刘广荣 摘
多 光谱 成 像 用
GaN
基 光电 探 测器 进 展 顺利
瑞士、 澳地利和法国的研究人员联合开发出一种单片集成紫外 (UV ) 和近 红外 ( IR ) 光电探测器。该器件的A lN � GaN 超晶格用于 1 . 4Λ m 探测, A lGaN 缓 冲层用于在 250 Λ m 传感, 这是向开发多光谱成象用的单传感器阵列迈出的一大 步。 使用一个以上的传感器阵列用于多色成象, 其缺点是庞大笨重, 价格高昂, 原因是光元件数增多。 这还减小了它对机械冲击的强度。 上述研究小组的瑞士纳沙特尔大学的研究人员表示, 多光谱摄象机正引起 不同应用领域的兴趣。
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值) 又减小了四倍。 研究人员放弃常用的氧源—水, 而采用异丙醇。 这就避免了水在M O CVD 生长过程中降低� 2� 化合物膜的质量。他们采用A ix tro n 公司的一台冷壁外延 炉, 用MO CVA 方法在650° C 下淀积了一层掺 ZnGaA s 层。然后用异丙醇和三甲 基铝源在 500° C 下生长了一层 11. 5 Λ m 厚的A l2O 3。 X 射线光电子谱显示, 没有有害的A s 2O 3 和A s2O 5 , 这两者会牵制费米能级。 不过, A l2O 3 层氧欠缺, 并有一个铝团。 采用电导—频率法测得界面中带隙的结果表明, 缺陷密度为 2. 5×10 12 eV - 2 cm 。
希 雷
In ven Sen se 成 功
研 发世 界 上 最小 的 双轴 陀 螺 仪
InvenSen se 研发的双轴陀螺仪结合了M EM S、 谐振结构和硅晶圆级 CM O S
电路, 比市场现有的螺旋仪器小 25% 。 I D G 21100 系列产品用于对成本敏感和规 格受限的袖珍消费品, 如数字静态相机 (D SC ) 、 视频图像高稳定性摄像机、 GPS 信号不稳时用于航位推算的便携式导航系统 ( PND ) 和三维运动传感器件, 如飞 行鼠标、 用于电视�多媒体中心和游戏控制器的音频�视频遥控。
