《模电》复习题库
1.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )AI( )Ap( )；
2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为（ ）；
答案：1. 46dB 40dB 43dB ；2. R。=100Ω
一、选择判断题
1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_______B__ 载流子。
A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数
2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_____D____。
A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对
3、半导体中的载流子为___D______。
A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴
4、N型半导体中的多子是______A___。
A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
5、P型半导体中的多子是______B___。
A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_______A_漂移电流。
A. 大于 B. 小于 C. 等与
7、当PN结外加反向电压时，扩散电流___B_____漂移电流。
A. 大于 B. 小于 C. 等于
8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ A ）。
a：:多数载流子扩散形成 b：多数载流子漂移形成 c：少数载流子漂移形成
9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（C ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变
模电
1 第1章 常用半导体器件
自测题
三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3
解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a) (b)
图T1.4
解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V，=100，UBE=0.7V。
试问：
(1)Rb=50k时，Uo=?
(2)若T临界饱和，则Rb=?
解：(1)26BBBEBbVUIAR，
2.6CBIImA,
2OCCCcUVIRV。 图T1.5 模电
2 (2)∵2.86CCBECScVUImAR， /28.6BSCSIIA
∴45.5BBBEbBSVURkI
习题
1.2电路如图P1.2 所示，已知10siniut(V)，试画出iu与ou的波形。设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2
解：iu与ou的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知tuisin5(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出iu与ou的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3
解：波形如解图Pl.3所示。
模电
3 第2章 基本放大电路
第一章复习题
一、填空
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 （ 五） 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 （ 自由电子 ） 。
2、PN结正向偏置时，内、外电场方向（ 相反）。
3、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 （ R×1k ）档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 （ 阴 ）极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通。
4、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有 （ 发射） 结和 ( 集电)
结及向外引出的三个铝电极。
5、二极管的伏安特性曲线上可分为 ( 死 ) 区、正向导通 区、 (反向截止)
区和（反向击穿 ） 区四个工作区。
6、双极型三极管简称晶体管，属于（ 电流） 控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于 （电压 ） 控制型器件。MOS管只有 （ 多数）流子构成导通电流。
二、判断
1、P型半导体中空穴多于自由电子，说明P型半导体带正电.。 （ × ）
2、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。 （ × ）
3、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。 （ × ）
4、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。 （ × ）
5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （ × ）
三、单选
1、单极型半导体器件是（ C ）。
A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。
2、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。
A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、正向死区状态。
3、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。
1 一、
半导体器件
1． N型半导体，在本征半导体中掺入五价元素，它的多数载流子是电子，少数载流子是空
穴。
2． P型半导体。在本征半导体中掺入三价元素，它的多数载流子是空穴，少数载流子是电
子。
3． 半导体中载流子的运动方式：漂移运动、扩散运动。
4． PN结及基单向导电性
① PN结外加正向电压,即P型区接外加电源正极,
N型区接外加电源负极,PN结导通当PN结外加正向电压时,扩散电流
增加,漂移电流减小扩散电流由N型区,P型区多数载流子产生
漂移电流由N型区,P型区少数载流子形成
② PN结外加反向电压,即P型区接外加电源负极,N型区接外加电源正极,PN结截止,P
结呈高阻抗.PN结反向偏置时,扩散电流趋于零,反向漂移电流很少
5.二极管
二极管由一个PN结组成，二极管的伏安特性由正向伏安特性、反向伏安特性及击穿特性
三部份组成
① 正向特性
当外加电压大于其阀值电压(Si:
thV
=0.5V, Ge:
thV
=0.1V)时,
流过二极管的电流由零显著增加.
② 反向特性
二极管外加反向电压时,其反向电流很少
③ 击穿特性
当二极管承受的反向电压大于其本身的击穿电压时,反向电流急剧增大
例:二极管电路如图示,试判断图4中二极管是导通还是截止,并求出
0A
二端的电压
0AV
,设
二极管是理想的.
解: 对于图4a）
首先断开二极管D,求
AV
、
BV
此时,
AV=－12V,
BV
=－6V,
则
BAV
=
BV
－
AV
＝－６－（－１２）＝６Ｖ
这样，二极管是正向导通的
由理想模型,
FV
＝０．
由此 ＋６－１２＋３Ｉ＝０
Ｉ＝２mA
0AV
＝２×３－１２＝－６Ｖ．
解：对于图b），当D断开时，
BV
＝－１５Ｖ，
AV
＝－１２Ｖ NP
图1.PN结外加正向电压
NP
图2.PN结外加反向电压
正
向
特
性反
向
特
性
Vth0I
击穿特性
图3.二极管的伏案特性
6V12V3KAB
O
a)6V
12V3K
IAD
2 BAV
=
BV
－
AV
