第二版《光电子技术》课后习题答案

1・1可见光的波长.频率和光子的能量范围分别是多少？波长：380~780nm 400-760nm频率：385T~790THz 400T-750THz能量：l ・6~3・2cV1.2辐射度量与光度量的根本区别是什么？为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度 戢？为了泄量分析光与物质相互作用所产生的光电效应，分析光电敏感器件的光电特 性，以及用光电敏感器件进行光谱、光度的左量计算，常需要对光辐射给出相应的计量参 数和量纲。

辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。

根本区別在于：前者是物 理（或客观）的讣量方法，称为辐射度量学计量方法或辐射度参数，它适用于整个电磁辐 射谱区，对辐射量进行物理的计量：后者是生理（或主观）的计量方法，是以人眼所能看 见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算，称为光度参数。

因为光度参数只适用于 O.38~O.78um 的可见光谱区域，是对光强度的主观评价，超过这个谱区，光度参数没有任何 意义。

而量子流是在整个电磁辐射，所以量子流速率的il •算公式中不能出现光度量.光源在 给定波长入处，将入〜X+dX 范囤内发射的辐射通M d<Pe,除以该波长入的光子能量h V,就得到光源在入处每秒发射的光子数，称为光谱量子流速率。

1.3 -只白炽灯，假设齐向发光均匀，悬挂在离地而l ・5m 的髙处，用照度计测得正下方地 而的照度为301X,求出该灯的光通量。

0>=L*4 n R A 2=30*4*3.14* 1.5A 2=848.2引x1・4 一支氨■就激光器（波长为632.8nm ）发出激光的功率为2mW.该激光束的平而发散角 为lmrad,激光器的放电毛细管为1mm 。

求出该激光束的光通呈:、发光强度、光亮度、光出射度。

若激光束投射在10m 远的白色漫反射屏上，该漫反射屏的发射比为0.85,求该屏 上的光亮度。

= 683x0.265x2x107 = 0.3 62/,77 "令・(>1) _ 0.362 7lS _ XO.OOO52 Z = 10/zz » r = O.OOO5ZZ7 (P6), d /• 2 A7 = O.85^v = 0.85——:——— = 0.85 ・疋厶 — v v as cose v /2c 如0.85 £厶,升 r —= =1 55cd / m dGdS cos 3 dG 2兀 1.6从黑体辐射曲线图可以看书，不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长随温度T 的升2兀Rh s Q =-—— = 2兀(1 — cos △e、（几） 2兀（1 — cos &） 0.362 2兀(1 — cos 0.00 1) "40)= △e 。

)zXC " — 宁、・ △S cos 3 兀厂 2 cos O =1.46X1O 1 cd / 777 2=4.6x ion 肿dG US cos O高而减小。

试用普朗克热辐射公式导出订=常数式这一关系式称为维恩位移立律中，常数为2.898 10-3m K。

普朗克热辐射公式求一阶导数，令英等于0,即可求的。

教材P82.1什么是光辐射的调制？有哪些调制的方法？它们有什么特点和应用？光辐射的调制是用数字或模拟信号改变光波波形的幅度、频率或相位的过程。

光辐射的调制方法有内调制和外调制。

内调制：直接调制技术具有简单、经济、容易实现等优点。

但存在波长（频率）的抖动。

LD、LED外涮制：调制系统比较复杂、消光比髙、插损较大、驱动电压较高、难以与光源集成、偏振敏感、损耗大、而且造价也高。

但谱线宽度窄。

机械调制、电光调制、声光调制、磁光调制2.2说明利用泡克尔斯效应的横向电光凋制的原理。

画出横向电光调制的装置图，说明其中各个器件的作用。

若在KDP晶体上加调制电压U=Um , U在线性区内，请写出输出光通戢的表达式。

Pockels效应：折射率的改变与外加电场成正比的电光效应。

也称线性电光效应。

光传播方向与电场施加的方向垂直，这种电光效应称为横向电光效应。

2.3说明利用声光布拉格衍射调制光通量的原理。

超声功率Ps的大小决左于什么？在石英晶体上应加怎样的电信号才能实现光通疑的调制？该信号的频率和振幅分别起着什么作用？当超声波在介质中传播时，将引起介质的弹性应变作时间上和空间上的周期性的变化，并且导致介质的折射率也发生相应的变化。

当光朿通过有超声波的介质后就会产生衍射现象，这就是声光效应。

声光介质在超声波的作用下，就变成了一个等效的相位光柵，当光通过有超声波作用的介质时，相位就要受到调制，英结果如同它通过一个衍射光栅，光栅间距等于声波波长，光朿通过这个光栅时就要产生衍射，这就是声光效应。

布拉格衍射是在超声波频率较高，声光作用区较长，光线与超声波波而有一立角度斜入射时发生的。

2.4说明利用法拉第电磁旋光效应进行磁光强度调制的原理。

磁场使晶体产生光各向异性，称为磁光效应。

法拉第效应：光波通过磁光介质、平行于磁场方向传播时，线偏振光的偏振而发生旋转的现象。

电路磁场方向在YIG棒轴向，控制髙频线圈电流，改变轴向信号磁场强度，就可控制光的振动而的旋转角，使通过的光振幅随角的变化而变化，从而实现光强调制。

3.1热电探测器与光电探测器相比较，在原理上有何区别？光电探测器的工作原理是将光辐射的作用视为所含光子与物质内部电子的直接作用，而热电探测器是在光辐射作用下，首先使接收物质升温，由于温度的变化而造成接受物质的电学特性变化。

光电探测器响应较快，噪声小；而热电探测器的光谱响应与波长无关，可以在室温下工作。

3.2光电效应有哪几种？各有哪些光电器件？物质在光的作用下释放出电子的现象称为光电效应。

光电效应又分为外光电效应（如光电发射效应）和内光电效应（如光电导效应和光伏效应）。

当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的增大，因而导致材料电导率的增大，这种现象称光电导效应。

光敏电阻、光导探测器当半导体PN结受光照射时，光子在结区（耗尽区）激发电子-空穴对。

在自建场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，从而在势垒两边形成电荷堆积，使P区、N区两端产生电位差。

P端为正，N端为负。

这种效应称为光伏效应。

光电池、光电二极管、双光电二极管，光电三极管、光电场效应管、光电开关管、光电雪崩二极管某些金属或半导体受到光照时，物质中的电子由于吸收了光子的能疑，致使电子逸岀物质表而，这种现象称为光电发射效应，又称外光电效应。

光电倍增管，貞•空光电管、充气光电管。

3.3光电器件的光电特性（光照特性）有哪两种情况？每种特性的器件各自的用途是什么？当光电器件上的电压一左时，光电流与入射于光电器件上的光通疑的关系I=F（中）称为光电特性，光电流与光电器件上光照度的关系I=F（L）称为光照特性。

3.4什么是光电器件的光谱特性？了解它有何重要性？光电器件对功率相同而波长不同的入射光的响应不同，即产生的光电流不同。

光电流或输岀电压与入射光波长的关系称为光谱特性。

光谱特性决左于光电器件的材料。

应尽量使所选的光电器件的光谱特性与光源的光谱分布较接近。

由光电器件的光谱特性可决泄光电器件的灵敏度（响应率）一一光谱灵敏度和积分灵敏度。

3.5为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显的光电效应？结型光电器件必须工作在哪种偏置状态？因为p-n结在外加正向偏压时，即使没有光照，电流也随着电压指数级在增加，所以有光照时，光电效应不明显。

p-n结必须在反向偏压的状态下，有明显的光电效应产生，这是因为p-n结在反偏电压下产生的电流要饱和，所以光照增加时，得到的光生电流就会明显增加。

3.6若光电PN结在照度L1下开路电压为U ,求照度L2下的开路电压U。

3.7负电子亲和势光电阴极的能带结构如何？它有哪些特点？表面区域能带弯曲，真空能级降低到导带之下。

特点：1.量子效率髙2.光谱响应延伸到红外，光谱响应率均匀3热电子发射小4.光电发射小，光电子能量集中功率谱大小与频率无关的噪声，称白噪声。

功率谱与f成反比，称1/f噪声。

措施：1 •尽量选择通带宽度小的2•尽量选择电阻值小的电阻3•降低电阻周国环境的温度3. 9探测器的D*二1011cm • Hzl/2 • W-1,探测器光敏器的直径为0. 5cm,用于f=5xl03Hz的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为多少？3. 10应怎样理解热释电效应？热释电探测器为什么只能探测调制辐射？热电晶体的自发极化矢量随温度变化，从而使入射光可引起电容器电容改变的现象成为热释电效应。

由于热释电信号正比于器件的温升随时间的变化率，因此它只能探测调制辐射。

3. 13 -块半导体样品，有光照时电阻为50欧姆，无光照时电阻为5000欧姆，求该样品的光电导。

G光二G亮-G暗=1/50-1/5000=0. 0198 （s）该样品的光电导即为所求。

用Cds光敏电阻控制继电器。

灵敏度5, =2*10_6S/lx,继电器线圈电阻足4KQ,吸合电流是2mA,使继电器吸合所需的最小照度是多少？若使继电器在2001x时吸和，则需改变线圈电阻，问此时继电器电阻最大为多少？（弱光照射条件）。

（8分）CdS1)要使继电器吸合，光敏电阻上分配的电压D = 12 - 4 x 1x 2 x 1 CT? = 4伏/ 2x1()-'由光敏电阻的光电流I = SUL ，可得厶二——二 ------------ -- =250ZX黑 SQ 2X W 6X 42)要使继电器在2001X 时吸合，此时光敏电阻分配的电压为 匕=! = 2x10—3 二尹SL 2门(宀20() b这时继电器分配的电压为12-5=7伏，从而继电器的电阻最大为— 二 3.5AQ 2xlO~3(1) Ip=S g -U-L 代入数值得2・10刀=(2・10“)・U ・L① Uk= (2 • 10心)• (4 • 10'3) =8VU=12-U k =4V,带入①式得，厶=—^― = 250/x 2・10“・43. 16试问图3. 25和图3. 26分别属于哪一种类型的偏置电路？为什么？当光照变化dL 时，引起输出电压U0变化，分别写出这两种电路dUO 的表达式。

3.17叙述光电池的工作原理以及开路电压、短路电流与光照度的关系。

为什么光电池的输 出与所接的负载有关系？(1) 工作原理光电池是一个简单得PN 结。

当光线照射PN 结时，PN 结将吸收入射光子。

如果光子能量超 过半导体材料的禁带宽度，则由半导体能带理论可知，在PN 结附近会产生电子和空穴。

在 内电场的作用下，空穴移向P 区，电子移向N 区，使N 区聚集大疑的电子而带上负电，在f S ・L 可得，R=3500QP 区聚集大量的空穴而带上正电。

于是在P 区和N 区之间产生了电势，成为光生电动势。