建设项目基本情况 项目名称 光电科技有限公司LED产业化项目一期 建设单位 光电科技有限公司 法人代表 联系人 通讯地址 湖 联系电话 02 传 真 4 邮政编码 建设地点 立项审批部门 批准文号 建设性质 □新建 ■改扩建 □技术改造 行业类别 及代码 C3971 占地面积 （平方米） 3000 绿化面积 （平方米） 510
总投资 （万元） 7200 其中：环保投 资（万元） 200 环保投资占 总投资比例 2.8%
评价经费 1.2万元 预期投产日期 2007年5月 一、工程内容及规模： 1.1项目背景 目前，国内外商用白光LED发光效率在30~40流明/瓦，比白炽灯的光效15流明/瓦高出1倍以上，因此LED目前适用于以指示为主的应用领域，如手机背光源，全彩屏显示，交通指示灯，电器指示，城市景观亮化等。
国际LED行业的市场表现平稳并稳步上升。我国的LED水平虽然在某些领域内已经取得重大突破，但我国现阶段的整体行业水平与世界先进水平相比较还有很大的差距。主要表现在，我国LED技术大部分是跟踪国际水平，超高亮度的LED关键技术有待掌握，在产业上还没有形成规模化，产品在国际市场上所占的比例比较低，没有充分打开市场，中低档产品所占份额较大，高档产品少，尤其是新产品研发能力比较弱，需要加强。
我国在提高LED产业上有不少优势。首先，在市场拉动需求上，我国巨大的照明市场为LED产业的提升打下了良好的基础，具有扩大国内市场开发的潜力。其次，在我国的LED产业体系已经有了一定的基础。具备了生产、开发大规模尖端LED产品的条件，已经初步形成从外延片生产、芯片制备、器件封装、集成应用的比较完整的产业链，产品封装在国际市场上占有较大的份额。第三，我国已经具有较强的LED研发能力，863计划已经使LED技术有了较大的突破，目前需要进一步将其转化为现实生产力。
光电科技有限公司成立于2006年4月。公司专业从事用于路灯、手机闪光灯和LCD背光源的半导体照明功率型发光二极管（LED）芯片的制造和销售，成为国内首家专业从事研发和生产照明瓦级功率芯片的企业。公司是由行业专家领军、留美归国博士成功团队组成。该团队核心成员曾在美国LED公司AXT从事研发和生产，并曾成功将国内LED公司上海蓝光扭亏为盈。他们对LED产业有深刻的认识，具备企业经营、市场、研发、生产和销售丰富的实际操作经验。公司通过与国内外功率芯片封装厂如美国LedEngin、台湾亿光、南京汉德森光电、韩国Luxpid密切合作，以性价比优异的产品奠定企业市场地位。公司除拥有国际一流水准的人才团队外，还具有良好的国际合作基础，与美国、新加坡、英国等及国内的相关研究机构和公司，建立了密切的产学研合作关系；目前拥有两项专有技术和四项发明专利。 LED产品的技术特点如下： (1)电压：LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。 (2)效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80%。 (3)适用性：每个单元LED小片是3-5mm的正方形，体积很小，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境。 (4)稳定性：10万小时，光衰为初始的50%。 (5) 响应时间：一般白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级。 (6).对环境污染：无有害金属汞。 (7)颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带隙，实现红黄绿兰橙多色发光。如小电流时为红色的LED，随着电流的增加，可以依次变为橙色，黄色，最后为绿色。 (8)价格：相对于白炽灯，LED的价格较贵，几只LED的价格可以与一只白炽灯的价格相当，而通常每组信号灯需由300～500只二极管构成。
根据《中华人民共和国环境保护法》和《环境影响评价法》的有关规定， 光电科技有限公司于2006年11月27日委托中钢集团武汉安全环保研究院承担有关“ 光电科技有限公司LED产业化项目一期”的环境影响评价工作，并编制环境影响报告表。
1.2 项目建设概况 1.2.1项目建设地点 该项目拟在武汉光电国家实验室内建设，武汉光电国家实验室坐落于喻家山东麓，毗邻风景秀丽的东湖磨山，南接珞喻东路，西临喻家湖路，北枕喻家山东路。是由教育部、湖北省和武汉市共建，其依托单位是华中科技大学，另有三个组建单位：武汉邮电科学研究院、中国科学院武汉物理与数学研究所、华中光电技术研究所。实验大楼总建筑面积45000平方米，其造型具有时代气息。已于2005年秋季开始投入使用。武汉光电国家实验室是国家科技创新体系的重要组成部分，也是“武汉·中国光谷”的创新研究基地。
1.2.2建设规模与内容 本项目拟引进国外生产设备、技术和国内的配套设备，采用先进的生产工艺及加工方式，项目一期拟建立一条瓦级LED生产线，进行研发和初试，预计年产量为12000只（每只上含LED300—500粒）。项目投资总额为7200万元人民币，其中资金投入4200万元人民币，同时由国家光电实验室无偿提供折合3000万元人民币的设备及厂房，包括2000平方米的超净实验室。
项目所需的外延片采取外购方式，其后续制备工艺主要是在基底上通过沉积或生长等方法制备一层掩模层，然后通过光刻等手段将需要在基底上刻蚀出的图形先加工到掩模上，接着使用刻蚀液进行刻蚀，最后去除掩模层，在基底上得到所需的图形和结构。经薄膜、磨片、划片、裂片并经老化测试后，分拣出合格的芯片包装入库，生产出的芯片约为50~1000nm，检测合格后外销。
该项目符合《外商投资产业指导目录》（2004年修订）鼓励类第三类制造业第（二十）条第3款：大屏幕彩色投影显示器用光学引擎、光源、投影屏、高清晰度投影管和LCOS（硅基液晶，一种数码成像技术）模块等关键件制造。
1.2.3主要生产工艺
图1 主要生产工艺流程图 1.2.4主要生产设备选型
清 洗 薄 膜 磨 片 测 试 分 拣 包 装 O2、Cl2、Ar、N2等 裂 片 入 库
划 片 光 刻
研磨液 酸、碱、丙
酮、乙醇等
光刻胶 显影液 超纯水 LED项目生产过程中所使用的主要设备详见下表： 表1 LED生产用主要设备一览表
序号 设备名称 规格型号 台数 产地 1 ICP-RIE等离子刻蚀系统 Cirie-200 1 台湾 2 ITO电子束蒸发台 Peva-6001 1 台湾 3 Metal电子束蒸发台 Peva-600E 1 台湾 4 PECVD气相辅助沉积系统 Cede-100 1 台湾 5 研削机 SGM-6301 1 日本 6 抛光机 SW07 2 日本 7 贴片压力机 SKM100 1 日本 8 激光划片机 OLSM-90TP-Y 1 日本 9 裂片机 OBM-90YP-Y 1 日本 10 6”晶粒扩张机 6”晶粒扩张机 1 台湾 11 大功率LED测试仪 LED Tester 617HC 4 台湾 12 半自动点测机（Probe Station） LEDA-8SEVA-3G 4 台湾 13 LED Mapping Sorter LS-325C 4 台湾 1.2.5 项目建设主要原辅材料及动力消耗 表2 主要原辅材料表 序号 材料名称 单位 消耗量 供应及协作厂家 1 外延片 片/天 184 进口 3 金 g/d 48 国产 4 光刻胶 kg/d 0.12 国产 6 显影剂 kg/d 16.7 国产 7 硫酸 l/d 10 国产 8 硝酸 l/d 3 国产 10 去胶剂 cc/d 500 国产 12 抛光液 l/d 2.8 国产 13 扩展膜 m2/d 5.28 国产 14 乙醇 l/d 30 国产 15 丙酮 l/d 15 国产 16 盐酸 l/d 5 国产 17 特种气体 kg/d 0.2 国产
表3 动力消耗表 动力名称 单位 用量 质 量 指 标 备注 电 kW 600 220/380V，50HZ 本期 氮气 Nm3/h 5 压力0.6～0.7MPa，纯度99.995% 本期
纯水 m3/h 2 电阻率＞18MΩ·cm 颗粒＜50个/ml（0.1μm） 细菌＜1个/100ml 压力：0.35±0.05 Mpa 使用温度：22±2℃ 本期
1.2.6 车间平面布置 本项目建设地点位于国家光电实验室内，生产过程中所需要水电依托武汉国家光电实验室现有设施。生产车间主要使用国家光电实验室内大约2000平方米的超净实验室，其详细布置图见附图2。
1.2.7公用工程 (1)给排水 本项目可依托国家光电实验室现有的公用设施工程，因此，供水直接使用光电实验室的供水管网。本项目运营期间产生一定量废水，经处理后与国家实验室污水一起排入城市污水管网，最终由龙王咀污水处理厂处理后排入南湖。
拟建项目产生的废水主要有工艺废水及生活污水。工艺废水先后进入均质池、中和池和沉淀池进行絮凝沉淀，上清液与生活污水一起排入城市污水管网，由龙王咀污水处理厂处理达标后排放。
(2)供电工程 直接使用国家光电实验室现有的供电设施，本项目建设年电消耗量为18万千瓦时。
1.2.8 劳动定员与工作制度 拟建项目建成后，劳动定员为46人，其中办公管理人员为14人，车间工作人员为32人。年工作制度为300天 。
1.2.9投资估算 项目投资总额为7200万元人民币，其中资金投入4200万元人民币，同时由国家光电实验室无偿提供折合3000万元人民币的设备及厂房。
