基于PCB罗氏线圈的SiCMOSFET短路保护研究

格式：pdf
大小：304.23 KB
文档页数：4

和法较长的检测时间容易对ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ造成严重冲击。印制电路板（ＰＣＢ）罗氏线圈高带宽交变电流检测及反应灵敏的特性，使其适用于功率器件短路的快速检测。在ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ发生短路时，利用ＰＣＢ罗氏线圈配合
ｆａｓｔｓｈｏｒｔｃｉｒｃｕｉｔｄｅｔｅｃｉｔｎｇｏｆＳｉＣＭＯＳＦＥＴ．ＷｈｅｎｓｈｏｒｔｃｉｒｃｕｉｔｏｃｃｕｒｓｉｎＳｉＣＭＯＳＦＥＴ．ｔｈｅＰＣＢＲｏｇｏｗｓｋｉｃｏｔｔＩｌｉｔｓ
ｃｏｍｐｏｕｎｄｉｎｔｅｇｒａｉｔｏｎｃｉｒｃｕｉｔｉｓｕｉｔｌｉｚｅｄｔｏｅｘｔｒａｃｔｔｒｎｓａｉｅｎｔｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｇｉｖｅｆｅｅｄｂａｃｋｓｉｇｎｌａｔｏｔｈｅｇａｔｅｄｉｒｖｅｒｔｈａｔ
测法能在短路发生第一时间迅速可靠地关断ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ，实现短路保护。关键词：晶体管：印制电路板；短路保护；复合式积分电路中圈分类号：ＴＭ３２文献标识码：Ａ文章编号：１０００ — １００Ｘ（２０１７）０８ — ００２６ — ０４
ＴｈｅＰＣＢＲｏｇｏｗｓｋｉＣｏｉｌＢａｓｅｄｏｎＳｈｏｒｔ－ｃｉｒｃｕｉｔＰｒｏｔｅｃｔｉＯｎＯｆＳｉＣＭｏＳＦＥＴ
ＺＨＡＮＧＪｉｎｇ — ｗｅｉ，ＬＩＸｉａｏ — ｈｕｉ，ｒＡＮＧｕｏ－ｊｕｎ
张经纬，李晓辉，谭国俊
（中国矿业大学，电气与动力工程学院，江苏徐州２２１０００）摘要：ＳｉＣ金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）过短的短路承受时间增大了短路保护的难度，传统退饱
（ＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＭｉｎｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｕｚｈｏｕ２２１０００，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｓｈｏｒｔａｇｅｏｆＳｉＣｍｅｔａｌｌｉｃｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｉｆｅｌｄｅｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｏｔｒ（ＭＯＳＦＥＴ） ’ Ｓｓｈｏｒｔｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｓｔｎｄａ
第５１卷第８期２０ｌ７年８月
电力电子技术
ＰｏｗｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｖｏ１．５１．Ｎｏ．８Ａｕｇｕｓｔ２０１７
基于ＰＣＢ罗氏线圈的ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ短路保护研究
复合式积分电路提取瞬态变化电流，进行反馈控制，有效缩短短路保护的延迟时间。通过软关断，减小关断过
程中过高的电流变化率导致的过压对ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ造成过大的冲击。实验结果表明，采用ＰＣＢ罗氏线圈电流ｔａｎｄｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｉｒｓｉｔｃｏｆｓｅｎｓｉｉｔｖｅｒｅｓｐｏｎｓｅｍａｋｅｐｉｒｎｔｅｄｃｉｃｕｒｉｔｂｏａｒｄ（ＰＣＢ）Ｒｏｇｏｗｓｋｉｃｏｉｌｓｕｉｔａｂｌｅｆｏｒ
ｔｉｍｅｉｎｃｒｅａｓｅｓｔｈｅｄｉｆｉｃｕｌｔｏｆｓｈｏｒｔ — ｃｉｒｃｕｉｔｐｒｏｔｅｃｉｔｏｎ．ＴｈｅｒａｔｄｉｔｉｏｎａｌｄｅｓａｔｐｒｏｔｅｃｉｔｏｎｍｅｈｏｔｄｉｓｐｒｏｎｅｔｏｃａｕｓｅｓｅｉｒｏｕｓｉｍｐａｃｔｔｏＳｉＣＭＯＳＦＥＴａｓｉｔｓｌｏｎｇｂｌｎｋａｉｔｍｅａｎｄｈｉｇｈｄｅｔｅｃｉｔｏｎｔｈｅｓｒｈｏｌｄ．Ｔｈｅｆｕｎｃｔｉｏｎｆｏｈｉｇｈｆｒｅｑｕｅｎｃｙｌｔａｅｒｎａｔｉｎｇ

1200v sic mosfet 比导通电阻典型值

1200v sic mosfet 比导通电阻典型值
比导通电阻典型值是指1200V SiC MOSFET的典型导通电阻值。

SiC（碳化硅）MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的
金属氧化物半导体场效应晶体管。

它具有较低的导通电阻和更高的耐压能力，适用于高压和高功率应用。

通常，SiC MOSFET的导通电阻（Rds(on)）在规格书中给出，单位为欧姆（Ω）。

对于1200V的SiC MOSFET，典型导通电
阻的数值通常在几个毫欧姆或更低范围内。

需要注意的是，具体的导通电阻值取决于SiC MOSFET的设计、封装和制造工艺等因素。

因此，最准确的值应通过查阅相关产品的规格书来获取。

SiC MOSFET多管并联均流方案及IVCR1412驱动芯片应用

SiC MOSFET多管并联均流方案及IVCR1412驱动芯片应用佚名
【期刊名称】《变频器世界》
【年(卷),期】2024(27)2
【摘要】在大功率变换系统中,多管并联能提升电流承载能力,增加输出功率,常用
于电机驱动、电动汽车、电力传输等场景。

但多管并联均流是一大挑战,这影响了
系统中器件的温度分布,进而影响系统可靠性,最终成为限制系统功率和效率的瓶颈。

为了实现多管并联均流,瞻芯电子基于SiC MOSFET和SiC专用·比邻驱动TMIVCR1412芯片开展了均流研究,在不同均流驱动方案和不同条件下,测试影响均流的因子,以提供均流方案建议。

【总页数】5页(P38-42)
【正文语种】中文
【中图分类】TN3
【相关文献】
1.多管并联SiC MOSFET驱动电路设计
2.多管并联SiC MOSFET驱动电路串扰抑制方法
3.仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
4.基于动态栅极电阻的SiC MOSFET主动并联均流方法
5.SiC MOSFET功率模块的并联均流研究
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

工艺仿真+器件仿真助力SiC基TrenchMOSFET模型的开发与机理研究

工艺仿真+器件仿真助力SiC基TrenchMOSFET模型的开发
与机理研究
SiC 基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器、双有源桥双向直流变换器、电动汽车充电器、三相电机驱动器、固态断路器等领域；通过减小无源元件体积，可降低损耗和散热器体积，并极大程度上提高变换器的功率密度和工作频率。

Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路，起到了去除两相邻PN结间的JFET电阻作用，从而减小了器件的导通电阻；同时，Trench MOSFET可有效抑制源极短路问题，减小PN结电容，避免产生寄生效应。

基于此，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队通过工艺仿真的手段搭建了Trench MOSFET的器件架构，并结合器件仿真的设计平台成功开发出SiC基Trench MOSFET模型，可以得到准确的输入输出特性曲线、转移特性曲线/跨导及击穿曲线，具体见图1-3。

此模型可直观展示SiC基MOSFET内部工作过程，为分析器件物理提供了重要的参考价值，对于研发高性能的SiC基MOSFET有着重要的指导意义。

图1 SiC基Trench MOSFET的输入输出特性曲线
图2 SiC基Trench MOSFET的转移特性曲线及跨导
图3 SiC基Trench MOSFET的击穿电压曲线（Vg=0V）。

一种高精度罗氏线圈的设计与校准方法研究

在实际应用中，往往对罗氏线圈体积有限制。为了减小PCB罗氏线圈的体积，同时保证千安级电流的导线能够通过，设计PCB罗氏线圈内径为20mm。尽可能增大外内径之比，设计外径为60mm。
由于生产工艺的影响，单块PCB罗氏线圈上的匝数过多，会导致铜线易断。因此，可采用多个PCB罗氏线圈串联的方式，相当于增加了PCB罗氏线圈的厚度和匝数。串联时相邻两个PCB罗氏线圈按照布线相反方向放置，抵消外界磁场引起的感应电动势，既增大了互感系数，也提高了抗电磁干扰的性能。由于高频响应的要求，线圈匝数也不应过多。
量系统的误差小于0.3%，解决了罗氏线圈在该频带和电流条件下的测量精度不足的问题。
关键词：宽频带；大电流；PCB罗氏线圈；曲线拟合校准
中图分类号：TH12；TP212
文献标识码：A
文章编号：1009-0134(2021)07-0009-05
0 引言
随着脉冲电能源在电磁弹射，电磁炮，高功率激光等领域的广泛应用，脉冲大电流技术得以迅速发展。脉冲大电流具有频带宽，幅值大以及上升沿陡峭等特性[1]。因此，测量比较困难。目前，通常采用多个电流互感器分段测量的方法。但是存在稳定性不足，精度不高，测量范围有限等问题。
䱦䏳૽ᓄ
ᑵᓖ
(b) PCB罗氏线圈无气隙时
图2 PCB罗氏线圈有无气隙磁场仿真对比图
当无气隙时，磁场分布均匀，载流导体通过PCB罗【10】第43卷第7期 2021-07
ᰦ䰤
图4 不同匝数的阶跃响应图
图4中可得，匝数N越少，响应时间越快，到达稳态的时间越短。由式(1)可得，线圈匝数越多，线圈的互感系数越大，测量的准确性越高。因此，需要合理选择 PCB罗氏线圈的匝数。 1.2 PCB罗氏线圈的设计与性能分析

下载提示

1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

基于PCB罗氏线圈的SiCMOSFET短路保护研究

合集下载

1200v sic mosfet 比导通电阻典型值

SiC MOSFET多管并联均流方案及IVCR1412驱动芯片应用

工艺仿真+器件仿真助力SiC基TrenchMOSFET模型的开发与机理研究

一种高精度罗氏线圈的设计与校准方法研究

文档推荐

最新文档