《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）
一.选择题
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二
B.三
C.四
D.五
2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于
B.等于
C.小于
3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变
B.空穴数增多，自由电子数基本不变
C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
D.自由电子数和空穴数都不变
4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子
B.空穴
C.离子
D.分子
5、PN结加正向电压时，空间电荷区将
A 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D. 无法确定
6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
D. 前者反偏、后者正偏
8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
D. 都有可能
9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83
B. 91
C. 100
D. 10
10、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流
B.电流控制电压
C.电压控制电压
D.电压控制电流
11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]
A.NPN 硅管
B.PNP 硅管
① 0V 5.7V 图
1 ① 9V 2.3V
图2
C.NPN锗管
D.
PNP锗管
12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流
B.电流控制电压
C.电压控制电压
D.电压控制电流
13、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路
B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化
C.保护信号源
D.防止输出电压被短路
14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是B。
A.限制集电极电流的大小
B.将输出电
流的变化量转化为输出电压的变化量
C.防止信号源被短路
D.保护直流电压源E C
15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o和晶体管集电极电压u c的波形，二者相位 A 。
A.相同
B.相反
C.相差90°
D.相差270°
16、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b失真消除，这种失真一定是 B 失真。
A.饱和
B.截止
C.双向
D.相位
17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B=20μA，I C=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则
I
和I C分别是 A 。
B
A. 10μA，1mA
B. 20μA，2mA
C. 30μA，3mA
D. 40μA，4mA
18、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的 B 。
A.输入电阻大
B.输入电阻小
C.输出电阻大
D.输出电阻小
19、要求组成的多级放大电路体积最小，应选 B 耦合方式。
A.阻容
B.直接
C.变压器
D.阻容或变压器
20、放大电路的三种组态（ C ）。
A. 都有电压放大作用
B. 都有电流放大作用
C. 都有功率放大作用
D. 都不是
21、一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（C ）。
A. 30dB
B. 40dB
C. 70dB
D. 1200dB
二.填空
1、PN结中扩散电流的方向是：从P区到N区，漂移电流的方向是从N区到P区。
2、PN结的最大特点是单向导电性。
3、使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。
4、PN结正偏时，有利于多数载流子的运动，阻碍少数载流子的运行。
5、PN结反偏时，内电场与外电场的方向相同，空间电荷区变宽，有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
6、P型半导体中的多数载流子是空穴，N型半导体中的多数载流子是电子。以上为第一章习题
7、从基极输入，从集电极输出的是共射极电路，从基极输入，从发射极输出的是共
