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发光二极管测试有关的术语和定义

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1 前 言 半导体发光二极管是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员会)TC2-34小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997文件. 中国光学光电子行业协会光电器件专业分会根据国内及行业内部的实际情况,初步制定了行业标准"发光二极管测试方法",2002年起在行业内部试行.本文叙述了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求,以期收到抛砖引玉之效果. 本文涉及的测试方法适用于紫外/可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测试可以参照进行. 2 术语和定义 2.1发光二极管 LED 除半导体激光器外,当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管.严格地讲,术语LED应该仅应用于发射可见光的二极管;发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管(IRED,Infrared Emitting Diode);发射峰值波长在可见光短波限附近,由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管;但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管. 2.2光轴 Optical axis 最大发光(或辐射)强度方向中心线. 2.3正向电压VF Forward voltage 通过发光二极管的正向电流为确定值时,在两极间产生的电压降. 2.4反向电流IR Reverse current 加在发光二极管两端的反向电压为确定值时,流过发光二极管的电流. 2.5反向电压VR Reverse voltage 被测LED器件通过的反向电流为确定值时,在两极间所产生的电压降. 2.6总电容C Capacitance 在规定正向偏压和规定频率下,发光二极管两端的电容. 2.7开关时间 Switching time 涉及以下概念的最低和最高规定值是10%和90%,除非特别注明. 2.7.1开启延迟时间td(on) Turn-on delay time 输入脉冲前沿最低规定值到输出脉冲前沿最低规定值之间的时间间隔. 2.7.2上升时间tr Rise time 输出脉冲前沿最低规定值到最高规定值之间的时间间隔. 2.7.3开启时间ton Turn-on time 器件所加输入脉冲前沿的最低规定值到输出脉冲前沿最高规定值之间的时间间隔. ton= td(on)+tr 2.7.4关闭延迟时间td(off) Turn-off delay time 器件所加输入脉冲后沿的最高规定值到输出脉冲后沿最高规定值之间的时间间隔. 2.7.5下降时间tf Fall time 输出脉冲后沿最高规定值到最低规定值之间的时间间隔(见图1).

图1 开关时间 延迟时间 2.7.6关闭时间toff Turn-off time 器件所加输入脉冲后沿的最低规定值到输出脉冲后沿最低规定值之间的时间间隔. toff =td(off)+tf 2.8光通量Φv Luminous flux 通过发光二极管的正向电流为规定值时,器件光学窗口发射的光通量. 2.9辐射功率Φe Radiant power 通过发光二极管的正向电流为规定值时,器件光学窗口发射的辐射功率. 2.10辐射功率效率ηe Radiant power efficiency 器件发射的辐射功率 与器件的电功率(正向电流 乘以正向电压 )的比值: ηe =Φe/(IF·VF) 注:在与其它术语不会混淆时,可简称为辐射效率 (Radiant efficiency). 2.11光通量效率ηv Luminous flux efficiency 器件发射的光通量Φv 与器件的电功率(正向电流 IF乘以正向电压 VF)的比值: ηv =Φv/(IF·VF) 注:在与其它术语不会混淆时,可简称为发光效率(Luminous efficiency). 2.12发光(或辐射)空间分布图及相关特性 2.12.1发光(或辐射)强度Iv Luminous(or Radiant) intensity 光源在单位立体角内发射的光(或辐射)通量,可表示为Iv =dΦ/dΩ.发光(或辐射)强度的概念要求假定辐射源是一个点辐射源,或者它的尺寸和光探测器的面积与离光探测器的距离相比是足够小,在这种情形,光探测器表面的光(或辐射)照度遵循距离平方反比定理,即E=I/d2 .这里I是辐射源的强度,d是辐射源中心到探测器中心的距离.把这种情况称为远场条件. 然而在许多应用中,测量LED时所用的距离相对较短,源的相对尺寸太大,或者探测器表面构成的角度太大,这就是所谓的近场条件.此时,光探测器测量的光(或辐射)照度取决于正确的测量条件. 2.12.2平均LED强度 Averaged LED intensity 照射在离LED一定距离处的光探测器上的通量Φ与由探测器构成的立体角Ω 的比值,立体角可将探测器的面积S除以测量距离d的平方计算得到. I=Φ/Ω=Φ/(S/d2) CIE推荐标准条件A和B(见7.2.1.2)来测量近场条件下的平均LED强度,可以分别用符号ILED A和ILED B来表示,用符号ILED Ae和ILED Av分别表示标准条件A测量的平均LED辐射强度和平均LED发光强度. 2.12.3发光(或辐射)强度空间分布图 Luminous(or Radiant)diagram 反映器件的发光(或辐射)强度空间分布特性(见图2): Iv(或Ie)=f(θ)

图2 辐射图和有关特性 注1:除非另外规定,发光(或辐射)强度分布应该规定在包括机械轴Z的平面内. 注2:如果发光(或辐射)强度分布图形有以Z轴为旋转对称特性,发光(或辐射)强度空间分布图仅规定一个平面. 注3:如果没有以Z轴为旋转对称特性,各种角度θ的发光(或辐射)强度分布应有要求,X、Y、Z方向要求可有详细规范定义. 2.12.4半强度角θ1/2 Half-intensity angle 在发光(或辐射)强度分布图形中,发光(或辐射)强度大于最大强度一半构成的角度(见图2). 2.12.5偏差角Δθ Misalignment angle 在发光(或辐射)强度分布图形中,最大发光(或辐射)强度方向(光轴)与机械轴Z之间的夹角(见图2). 2.13光谱特性 2.13.1峰值发射波长λp Peak-emission wavelength 光谱辐射功率最大的波长. 2.13.2光谱辐射带宽Δλ Spectral radiation bandwith 光谱辐射功率大于等于最大值一半的波长间隔. 2.13.3光谱功率(能量)分布P(λ) Spectral power distribution 在光辐射波长范围内,各个波长的辐射功率分布情况. 3 最大额定值 3.1 最低和最高储存温度(Tstg ) 3.2 最低和最高工作环境温度或管基温度(Tamb 或Tcase ) 3.3 最大反向电压(VR ) 注:不可用于相互首尾相接的双管器件. 3.4 在25℃环境或管基温度时的最大连续正向电流(IF )和减额定值曲线或减额定值系数. 3.5 在适当地方,在规定脉冲条件下,在25℃环境或管基温度时的最大峰值正向电流(IFM ) 4 主要光电特性(见表1)

5 一般要求 5.1 试验条件 除非另有规定,器件的光电参数测试应按本标准规定试验条件进行. 5.1.1 标准大气条件 温度:15℃~35℃ 相对湿度:20%~80% 气压:86kPa~106kPa 5.1.2 仲裁试验的标准大气条件 温度:25℃±1℃; 相对湿度:48%~52%; 气压:86kPa~106kPa 5.1.3 环境条件 a) 测试环境应无影响测试准确度的机械振动和电磁干扰;. b) 除非另有规定,器件全部光电参数均应在热平衡下进行; c) 测试系统应接地良好. 5.2 参数要求 除非另有规定,器件测试应采取预防措施和保持下述公差.虽然在有关文件中规定的测试条件严于下述公差,但在一般情况下,应遵循下述规定的条件. a) 偏置条件应在规定值的±3%以内; b) 输入脉冲特性,重复频率和频率等的误差应在±10%以内; c) 测量开关参数的误差应在±5%以内; d) 测量直流电参数误差不大于±2%; e) 测量辐射功率的误差不大于5%; f) 测量峰值辐射波长的误差不大于±2nm; g) 测量半强度角误差不大于10%; h) 测量发光强度误差不大于25%. 6 测试方法 测试方法分为: a) 1000类 电特性测试方法 --方法1001 正向电压 --方法1002 反向电压 --方法1003 反向电流 --方法1004 总电容 b) 2000类 光特性测试方法 --方法2001 平均LED强度 --方法2002 半强度角和偏差角 --方法2003 光通量和发光效率 --方法2004 辐射通量和辐射效率 --方法2005 峰值发射波长,光谱辐射带宽和光谱功率分布 c) 3000类 光电特性测试方法 --方法3001 开关时间 6.1 1000类 电特性测试方法 6.1.1 方法1001:正向电压 6.1.1.1 目的 测量LED器件在规定正向工作电流下,两电极间产生的电压降. 6.1.1.2 测试框图(见图3)

图3 方法1001测试框图 D--被测LED器件; G--恒流源; A--电流表; V--电压表.  6.1.1.3 测试步骤 a) 按图3原理连接测试系统,并使仪器预热; b) 调节恒流源,使电流表读数为规定值,这时在直流电压表上的读数即为被测器件的正向电压. 6.1.1.4 规定条件 环境或管基温度; 电源电压; 正向偏置电流. 6.1.2 方法1002:反向电压 6.1.2.1 目的 测量通过LED器件的反向电流为规定值时,在两电极之间产生的反向电压. 6.1.2.2 测试框图(见图4)

图4 方法1002测试框图 D--被测LED器件; G--稳压源; A--电流表; V--电压表. 

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--LED专业术语你了解多少_照明工业

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LED专业术语你了解多少led 的基本术语VF、IV、WL、IR 解释及光通量换算关系V 代表电压。

F 代表正向。

I 代表电流。

R 代表反向。

WL 代表波长。

故：VF代表正向电压，一般小功率led红、黄、橙、黄绿的vf是1.8-2.4v，纯绿、蓝、白的vf是3.0-3.6v。

IF是正向电流，一般小功率led的IF都是20mA。

IR 是反向电流，一般是在5v的反向电压下面测量，分小于10uA（微安），小于5uA和0uA几个档次。

WL是光的波长，可见光分别有各自的波长，不同的波长对应不同的颜色，如红光一般是615-650nm（纳米），蓝光一般是450-475nm。

白光由于是蓝色芯片＋荧光粉调制而成，所以无波长，以色温来衡量（3000k以下偏黄。

3000k——7000k正白，7000k以上偏蓝）。

LED的Vf值是什么意思？它的大小对LED有什么影响？vf是正向电压的意思，但是不一定正向电压越大，正向电流越大。

你看只要是小功率led的承认书上面都会有一个vf值，有一个If值，不管vf值是多大，（红、黄、黄绿、橙一般为1.8v——2.4v，白、蓝、翠绿一般为3.0v-3.6v）。

If都是20mA。

这两者是相辅相成的。

比如2颗白光，一颗是3.0v，20mA，一颗是3.4v，20mA，意思就是说第一颗灯，你给它3.0v的电压，流过它的电流就是正常额定电流20mA，但是第二颗灯，你要给它3.4v的电压，流过它的电流才是20mA。

在这里Vf和If没有成正比；但是一颗黄灯和一颗白灯比，比如黄灯的电压是2.0v，白灯的电压是3.3v，这颗黄灯在2.0v的电压下和这颗白灯在3.3v的电压下流过它们的电流是一样的，都是20mA，在这里Vf和If并不成正比。

所以只有是专指同一颗灯的情况下Vf和If才是绝对成正比的。

你在使用的时候不管Vf是多大，只要控制流过所有灯的电流为20mA就ok了。

LED基本术语光通量（lm）：光源每秒钟发出可见光量之总和。

led-半导体照明术语对照表

led-半导体照明术语对照表

半导体照明术语对照表
中文 发光二极管； LED 固态照明 半导体照明 英文 light-emitting diode solid state lighting semiconductor lighting 定义 当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激 辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。 采用固体发光材料， 如发光二极管 （LED） 场致发光 、 （EL） 、 有机发光（OLED）等作为光源的照明方式。 采用 LED 作为光源的照明方式。 具有 PN 结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的 分立半导体晶片。 由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、 控制电路封装 在一起、 带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体 单元。 由 LED 或 LED 模块和电子元器件组合在一起， 具有一定功 能并可维修或拆卸的组合单元。
3
中文
英文
定义
ηe
发光效能； luminous efficacy 光源的光视效能 luminous efficacy of a source ηV 辐射的光视效能 luminous efficacy of radiation K 眩光 光轴 glare optical axis 光源发射的光通量ФV 与其消耗的电功率 P 的比值，单位 为 lm/W。 光源发射的光通量ФV 与其发射的辐射功率Фe 的比值，单 位为 lm/W。 由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度太强，而引起 不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。 关于主辐射能分布中心的一条直线。
中文 bond) 烧结 引线键合； 压焊 LED 封装 灌封 塑封 点胶封装 sinter
英文 应的位置上。
定义
通过高温加热，使银胶固化。 为了形成欧姆接触用金属引线连接 LED 芯片电极与支架 （框架）的引出端。 将 LED 芯片和焊线包封起来，并提供电连接、出光和散热 通道、机械和环境保护及外形尺寸。 采用模条灌装成型的封装方式。 采用模压成型的封装方式。 采用点胶成型的封装方式，也称软包封。
简述发光二极管判断方法

简述发光二极管判断方法

发光二极管（LED）是一种半导体发光元器件，具有小巧、耐久、节能、环保等优点。

在使用过程中，有时候需要判断发光二极管是否正常工作。

常用的判断方法有以下几种：
1.电流检测法：使用电流表或电流二极管测量LED的电流值，如果LED的电流值与标准值
相差较大，则可能是LED出现故障。

2.光强度检测法：使用光照度计测量LED的光强度值，如果LED的光强度值与标准值相差
较大，则可能是LED出现故障。

3.电压检测法：使用万用表测量LED的正极电压和负极电压，如果LED的正极电压和负极
电压相差较大，则可能是LED出现故障。

4.光色检测法：观察LED的光色是否与标准值相符，如果光色与标准值相差较大，则可能
是LED出现故障。

通过以上方法可以判断发光二极管是否正常工作，并且在发现问题后及时处理，以保证LED 的正常使用。

LED_百度百科（可编辑）

LED_百度百科（可编辑）

LED_百度百科LED百科名片LED英文单词的缩写，主要含义：LED = Light Emitting Diode，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光；LED = Large Electronic Display，大型电子展示；LED = Lupus erythematosus disseminatus，播散性红斑狼疮，一种慢性、特发性自身免疫病；led是lead的过去式和过去分词，意为“领导，带领”；俄罗斯Pulkovo机场的IATA代码。

本词条主要介绍发光二极管。

目录LED产品和相关小常识组成光通量发光强度亮度色温基本信息LED应用LED照明颜色 LED优点一、体积小二、耗电量低三、使用寿命长四、高亮度、低热量五、环保六、坚固耐用七、多变幻八、技术先进LED 缺点 LED显示技术发展 LED设计理念 LED的发光原理照明用白光LED LED的调光控制运作参数和效率参数测量标准 LED显示屏控制系统LED分类 LED应用于路灯有先天优势和劣势 LED应用的相关产品 LED产品“贵”的三大原因 1.国内企业没有核心技术 2.LED应用产品散热难 3.LED应用电源管理LED驱动电源九大性能特点要求 LED封装技术介绍 LED产业目前面临的一些问题 LED与LED可见光通讯技术 LED的重要参数释疑 LED焊接技术要求及操作注意事项 LED透镜填充硅胶过程LED产业链构成应用范围照明无线传输发展历史 LED照明国家标准LED产品和相关小常识组成LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。

LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。

半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。