1
3 51 k
2
R1 51 k
增 益 为R2 / R1, 图 中 约 为 40倍
R2 2M
2-
6
3+
Uo
TLO71
R2 2M
(a) 使 用 一 个 运 算 放 大 器 的 差 动 放 大 器
应强度B成正比。这就是霍尔效应检测磁场的原理。
B UH KHIH
固定控制电流,元件的开路霍 尔输出随磁场关系如图所示, 通 常,霍尔元件工作在0.5Wb/m2 以下时线性度较好 。
UH / mV 15 0
10 0
50
I= 60 mA 40 20
0 0.2 0.4 0.6
B / (Wb / m2)
〔2〕在一定的外磁场中,霍尔电压UH与通过霍尔片的电
或恒流条件下工作,其特性不一样。终
究应用采用哪种方式,要根据用途来
选择。 1V
TLO71 3+ 6 U c=1V
2
6V
TLO71
3+ 2
6 U c=6V
1.
-
Ic= U Rscr 2SH S210
- 4O H002
13
1
3
如下图,恒压4 工作U H 比恒流工作的性2 能U H
要差些,只适用于恒对压精工作度的霍要尔传求感不器电太路 高的
的电阻率和载流子迁移率。 一般金属材料载流子迁 移率很高,但电阻率很小;而绝缘材料电阻率极高, 但载流子迁移率极低,故只有半导体材料才适于制 造霍尔片。一般电子的迁移率大于空穴迁移率,所以 在实际应用中,一般都采用N型半导体材料做霍尔元 件。
• 假设设K HkH/d1/ned
•
那么有
UHKHIB
•
小愈好,因为这会导致元件的输入和输出电阻增加,锗元件 更是不希望如此。