硅衬底上GaAlAsGaAs单量子阱激光器

梁骏吾：“永求创造”的非凡人生

作者：***

来源：《红岩春秋》2022年第07期 2022年6月29日，中国工程院院士、中国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾的追悼会在北京举行。笔者敬赠挽联“木兰山铭旌颂巨匠，烟波江溅泪吊梁公”，寄托同乡后学的哀思。

14年前，笔者与梁骏吾院士因传记写作结缘。重温那些故事，一代人的感奋历历可见。

怀揣科学梦“海归”效力

梁骏吾祖籍湖北省黄陂县（今武汉市黄陂区），1933年9月18日出生于汉口。受父母影响，梁骏吾自幼兴趣广泛、文理兼优。他平时喜欢吟咏新诗，曾到广播电台录制诗朗诵。

1945年，梁骏吾考入汉口市立第一中学（今武汉市第一中学）。1946年7月，中共中央南方局领导董必武、钱瑛派中共党员陈梅影到汉口一中担任地理教师，以职业为掩护做地下学运工作。不久，地下党员胡进吾、陈育和张师韩先后到一中任课并领导学运，张兆贺（张孟林）被发展为学校第一位学生地下党员。

在他们的影响下，进步教师常在教学中激发学生的爱国热情。梁骏吾的化学老师时常提及中国工业的落后，激励大家为振兴中华而读书。潜移默化中，梁骏吾许下心愿：一定要努力学习科学知识，将来科技报国，去改变这种落后的状况。他曾写道：“牛顿说，我好像不过是一个在海滨玩耍的小孩，不时为找到一个比通常更光滑的卵石或更好看的贝壳而感到高兴。但是，有待探索的真理海洋正展现在我的面前，我立志当一名科学海洋的探索者！”

高中毕业后，梁骏吾以优异成绩考取武汉大学化学系。

1955年，梁骏吾大学毕业。此时，基于1950年签订的《中苏友好同盟互助条约》，中国正大规模向苏联派遣留学生。20世纪50年代，国家派遣留苏学生，原本是从各岗位上抽调具有革命经历的青年知识分子。但到梁骏吾大学毕业时，大部分留苏学生是大学应届毕业生，甚至有部分是高中应届毕业生。梁骏吾因成绩优异，个人表现不错，加上“社会关系简单，历史清白”，得以入选。

第２５卷第６期　２０１３年６月　强　激　光　与　粒　子　束　ＨＩＧＨ　ＰＯＷＥＲ　Ｉ　ＡＳＥＲ　ＡＮＤ　ＰＡＲＴＩＣＬＥ　ＢＥＡＭＳ　Ｖｏ１．２５，ＮＯ．６　Ｊｕｎ．，２０１３　

文章编号：１００１—４３２２（２０１３）０６—１４０５—０４　

ＧａＡｓ／ＡＩ　Ｇａ１－ｘ　Ａｓ量子阱红外探测器微结构研究　

胡小英　，　刘卫国　

（１．西安电子科技大学微电子学院，西安７１００７１；　２．西安工业大学光电工程学院，西安７１００３２）　

摘　要：　采用金属有机物化学气相沉积法生长了两种不同结构参数ＧａＡｓ／Ａ１　Ｇａ　Ａｓ量子阱材料。利　用傅里叶光谱仪分别对势垒中Ａｌ组分为０．２０，０．３０的１＃，２＃样品进行７７　Ｋ液氮温度下光谱响应测试。结　果显示：ｌ＃，２＃峰值响应波长为８．３８，７．５９　ｒｎ，而根据薛定谔方程得到峰值波长为９．６９４，８．１３４　ｍ，二者误　差分别为１３．６　，６．６８　。针对误差过大及吸收峰向高能方向发生漂移的现象，利用高分辨透射扫描电镜对　样品微观界面结构进行分析，结果显示，样品存在不同程度的位错及不均匀性。结果表明：位错引起Ａ１ＧａＡｓ　与ＧａＡｓ品格不匹配，是造成ｌ＃误差较大的主要原因；峰值响应波长随势垒中Ａ１组分的降低而增大，说明Ａｌ　组分减小致使量子阱子带间距离缩小是导致峰值响应波长红移的原因。　关键词：量子阱红外探测器；高分辨透射扫描电镜；金属有机物化学气相沉积；　Ａｌ组分；　峰值响　应波长　中图分类号：　ＴＮ２１５　文献标志码：　Ａ　ｄｏｉ：１０．３７８８／ＨＰＩ　ＰＢ２０ｌ３２５０６．１４０５　

量子阱红外探测器（ＱＷＩＰ）是先进的薄膜生长技术和微电子学相结合的一种新型红外探测器件　］。具有　

成本低、大面积尺寸、均匀性高、容易制成大的凝视型红外探测器焦平面阵列（ＦＰＡ），而且容易实现双色及多色　

探测，因此成为第三代红外探测器的有效候选者【　。ＱＷＩＰ被广泛地应用于生物医疗成像、空间资源检测等　领域Ｅ５］。从２０世纪末报道ＱＷＩＰ的研究至今，其相关技术都得到了迅速发展，国外从单元器件到焦平面器件　

第１５卷第５期　

２００７年５月　光学精密工程　Ｏｐｔｉｃｓ　ａｎｄ　Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ｖ０１．１５　Ｎｏ．５　Ｍａｙ　２００７　

文章编号１００４—９２４Ｘ（２００７）０５—０６７８—０６　

ＧａＡｓ（１　１　０）量子阱材料生长和光学特性　

刘林　生　，刘　肃　，王文新　，赵宏鸣　，刘宝利　，蒋中伟　，　

高汉超　，王　佳　，黄庆安　。，陈　弘　，周均铭　

（１．兰州大学物理科学与技术学院，甘肃兰州，７３００００；　

２．中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室，北京，１ＯＯＯ８Ｏ；　

３．东南大学ＭＥＭＳ教育部重点实验室，江苏南京，２１００９６）　

摘要：ＧａＡｓ（１ｌＯ）衬底上生长ＧａＡｓ外延层时，不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式，对应反射高能电子衍射　（ＲＨＥＥＤ）强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜（ＴＥＭ）、室温和低温光荧光谱（ＰＬ谱）对两种生长模　式下的样品进行了测量。结果表明，量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差，单层生长模式下光学性能比较好，但　是量子阱界面会变得粗糙。利用这一特点，采用ＲＨＥＥＤ强度振荡技术，能够实现在ＧａＡｓ（１ｌＯ）衬底上生长高质量量子　阱。　关键词：光荧光谱；砷化镓；量子阱；分子束外延　中图分类号：ＴＮ３０４．２３　文献标识码：Ａ　

Ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ａｎｄ　ｍａｔｅｒｉａｌ　ｇｒｏｗｔｈ　ｏｆ　ＧａＡｓ（１　１　０）ｑｕａｎｔｕｍ　ｗｅｌｌｓ　

ＬＩＵ　Ｌｉｎ—ｓｈｅｎｇ　’　’。，ＬＩＵ　Ｓｕ　，ＷＡＮＧ　Ｗｅｎ—ｘｉｎ　，ＺＨＡＯ　Ｈｏｎｇ—ｍｉｎｇ　，ＬＩＵ　Ｂａｏ—ｌｉ　，ＪＩＡＮＧ　Ｚｈｏｎｇ—ｗｅｉ　，　

ＧＡＯ　Ｈａｎ—ｃｈａｏ　，ＷＡＮＧ　Ｊｉａ　，ＨＵＡＮＧ　Ｑｉｎｇ—ａｎ　，ＣＨＥＮ　Ｈｏｎｇ。，ＺＨＯＵ　Ｊｕｎ—ｒｕｉｎｇ　

（１．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｌａｎｚｈｏｕ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｌａｎｚｈｏｕ　７３００００，Ｃｈｉｎａ；　

离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片

李志锋;刘兴权;陈昌明;陆卫;沈学础;朱德彰;潘浩昌;胡军;李明乾

【期刊名称】《红外与毫米波学报》

【年(卷),期】2000(019)003

【摘 要】报道了用离子注入方法和组合技术制备的AlGaAs/GaAs单量子阱多波长发光集成芯片,利用量子阱界面混合原理在同一块GaAs衬底片上获得了20多个发光波长从787～724nm的GaAs量子阱发光单元,研究了不同剂量的As和H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响,采用了组合技术和离子注入技术大大简化了制备工艺过程,这种发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义.

【总页数】4页(P181-184)

【作 者】李志锋;刘兴权;陈昌明;陆卫;沈学础;朱德彰;潘浩昌;胡军;李明乾

【作者单位】中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海原子核研究所,核分析技术开放实验室,上海,201800;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海原子核研究所,核分析技术开放实验室,上海,201800;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海原子核研究所,核分析技术开放实验室,上海,201800;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海原子核研究所,核分析技术开放实验室,上海,201800;中国科学院上海原子核研究所,核分析技术开放实验室,上海,201800;中国科学院上海原子核研究所,核分析技术开放实验室,上海,201800;中国科学院上海原子核研究所,核分析技术开放实验室,上海,201800

【正文语种】中 文

【中图分类】O4