爱德万测试发表DDR4与LPDDR4测试方案

1．时钟信号（1）差分布线，差分阻抗100欧姆，差分线误差±5mil。

（2）与其它信号的间距要大于25mil，而且是指edge to edge的间距（3）CLK等长，误差±10mil。

2．数据信号：（1）数据信号分为八组，每组单独分开走线，第一组为DDR_DQ[0：7]、DDR_DQSP0、DDR_DQSN0、DDR_DQM0，以此类推，同组信号在同一层走线。

（2）DQ和DQM为点对点布线，（3）DQS为差分布线。

差分线误差±5mil，差分阻抗100欧姆。

（4）组内间距要大于12mil，而且是指edge to edge的间距，同组内DQ与DQM以DQS为基准等长，误差±5mil。

（5）DQS与DDR2_CLKP等长，误差±5mil。

（6）不同组信号间距：大于20mil（edge to edge的间距）（7）DDR_CKN/P之间的并联100欧姆电阻，需要放置在信号一分二的分叉地方（8）尽可能减少过孔（9）叠层设计的时候，最好将每一层阻抗线宽，控制在差不多宽度（10）信号走线长度，不超过2500mil3．控制信号和地址信号：(1) 组内间距要大于12mil，而且是指edge to edge的间距(2) 所有控制线须等长，误差±10mil。

(3 不同组信号间距：大于20mil（edge to edge的间距）4．其它信号DDR_VREF走线宽度20mil以上。

无论是PCB上使用芯片还是采用DIMM条，DDR和DDRx（包括DDR2，DDR4等）相对与传统的同步SDRAM的读写，我认为主要困难有三点：1，时序。

由于DDR采用双沿触发，和一般的时钟单沿触发的同步电路，在时序计算上有很大不同。

DDR之所以双沿触发，其实是在芯片内部做了时钟的倍频（因为按照耐奎斯特准则，时钟频率应该至少是信号频率的2倍），对外看起来，数据地址速率和时钟一样。

为了保证能够被判决一组信号较小的相差skew，DDR对数据DQ信号使用分组同步触发DQS信号，所以DDR上要求时序同步的是DQ 和DQS之间，而不是一般数据和时钟之间。

PCI-Express硬件测试方法目录1PCI-E物理层概述 (5)PCI-E电气子块(Ver 1.0) (62)2.1电气子块规则 (6)2.1.1规则：时钟 (6)2.1.2规则：AC耦合 (7)2.1.3规则：互连 (7)2.1.4规则：终端匹配 (7)2.1.5规则：DC共模电压 (7)2.1.6规则：ESD (7)2.1.7规则：短路 (7)2.1.8规则：接收检测 (7)2.1.9规则：电气空闲态 (9)2.2电气信号规则 (9)2.2.1规则：信号定义 (9)2.2.2规则：损耗 (10)2.2.3规则：抖动Jitter和误码率BER (10)2.2.4规则：去加重De-emphasis (10)2.2.5规则：Beacon唤醒信号 (11)2.3发送端眼图模板 (12)接收端眼图模板.2.4 (12)一致性测试负载................................................................................................. 2.5 13 PHY电气测试项目......................................................................................................... 3 13 3.1通用测试项目.. (14)发送端测试项目 3.2 (14)接收端测试项目. 3.3 (16)共页第2, 27页3.4母板测试项目 (17)插卡测试项目..................................................................................................... 13.5 7TEK测试方案简介.4 (18)4.1两个SMA通道连接 (18)一个带4.2SMA输入差分探头P7350SMA测试 (18)两个单端有源探头P72604.3测试 (19)一个差分探头P73xx测试................................................................................... 4.4 195PHY电气测试用例 (20)5.1符合性_PCI-E时钟精度测试 (20)符合性_SSC扩频时钟测试................................................................................ 25.2 0符合性_PCI-E一致性测试 5.3 (21)符合性_PCI-E5.4眼图测试 (23)符合性_PCI-E抖动测试 5.5 (25)符合性_PCI-E通道间偏斜测试......................................................................... 2 5.66符合性_PCI-E插卡功耗测试 5.7 (26)6参考文档......................................................................................... 错误！未定义书签。

电流测试1电流测试简介功能测试是基于逻辑电平的故障检测，逻辑电平值通过测量原始输出的电压来确定，因此功能测试实际上是电压测试。

电压测试对于检测固定型故障特别是双极型工艺中的固定型故障是有效的，但对于检测CMOS工艺中的其他类型故障则显得有些不足，而这些故障类型在CMOS电路测试中是常见的对于较大电路，电压测试由于测试图形的生成相当复杂且较长，因而电流测试方法被提出来电流测试的测试集相当短，这种测试方式对于固定型故障也有效。

CMOS电路具有低功耗的优点，静态条件下由泄漏电流引起的功耗可以忽略，仅在转换期间电路从电源消耗较大的电流。

电源电压用V DD表示，Q代表静态（quiescent)，则IDDQ可用来表示MOS电路静态时从电源获取的电流，对此电流的测试称为IDDQ测试，这是一种应用前景广泛的测试。

IDDQ测试概念的提出时间并不很长，但自半导体器件问世以来，基于电流的测量一直是测试元器件的一种方法，这种方法即所谓的IDDQ测试，用在常见的短接故障检测中。

自从Wanlsaa于1961年提出CMOS概念,1968年RCA制造出第一块CMOSIC和1974年制造出第一块MOS微处理器以来，科研人员一直研究CMOS电路的测试，而静态电流测试则作为一项主要的参数测量1975年Nelson提出了IDDQ测试的概念和报告，1981年M.WLevi 首次发表了关于VLSICMOS的测试论文，这就是IDDQ测试研究的开端。

其后，IDDQ测试用来检测分析各种DM0S缺陷，包括桥接故障和固定型故障1988年W.Maly首次发表了关于电流测试的论文,Levi,Malaiya,C.Crapuchettes,M.Patyra,A.Welbers和S.Roy等也率先进行了片内电流测试的研究开发工作，这些研究奠定了IDDQ测试的基础、1981年Philipssemiconductor开始在SRAM产品测试中采用片内IDDQ检测单元，其后许多公司把片内IDDQ检测单元用在ASIC产品中，但早期的IDDQ 测试基本上只为政府、军工资助的部门或项目所应用。

I D D Q测试原理及方法-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1电流测试1 电流测试简介功能测试是基于逻辑电平的故障检测，逻辑电平值通过测量原始输出的电压来确定，因此功能测试实际上是电压测试。

电压测试对于检测固定型故障特别是双极型工艺中的固定型故障是有效的，但对于检测CMOS 工艺中的其他类型故障则显得有些不足，而这些故障类型在CMOS 电路测试中是常见的对于较大电路，电压测试由于测试图形的生成相当复杂且较长，因而电流测试方法被提出来电流测试的测试集相当短，这种测试方式对于固定型故障也有效。

CMOS 电路具有低功耗的优点，静态条件下由泄漏电流引起的功耗可以忽略，仅在转换期间电路从电源消耗较大的电流。

电源电压用V DD表示，Q 代表静态（quiescent) ，则IDDQ 可用来表示MOS电路静态时从电源获取的电流，对此电流的测试称为IDDQ 测试，这是一种应用前景广泛的测试。

IDDQ 测试概念的提出时间并不很长，但自半导体器件问世以来，基于电流的测量一直是测试元器件的一种方法，这种方法即所谓的IDDQ 测试，用在常见的短接故障检测中。

自从Wanlsaa 于1961 年提出CMOS 概念, 1968 年RCA 制造出第一块CMOS IC 和1974 年制造出第一块MOS 微处理器以来，科研人员一直研究CMOS 电路的测试，而静态电流测试则作为一项主要的参数测量1975 年Nelson 提出了IDDQ 测试的概念和报告，1981 年 Levi 首次发表了关于VLSI CMOS 的测试论文，这就是IDDQ 测试研究的开端。

其后，IDDQ 测试用来检测分析各种DM0S 缺陷，包括桥接故障和固定型故障1988 年首次发表了关于电流测试的论文, Levi, Malaiya, , , A .Welbers 和等也率先进行了片内电流测试的研究开发工作，这些研究奠定了IDDQ 测试的基础、1981 年Philips semiconductor 开始在SRAM 产品测试中采用片内IDDQ 检测单元，其后许多公司把片内IDDQ 检测单元用在ASIC产品中，但早期的IDDQ 测试基本上只为政府、军工资助的部门或项目所应用。