磁性材料、超导材料和器件
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TM28，TQ1742006060033 D y2O3掺杂（B a，S r）T i O3基电容器陶瓷的研究/黄新友，高春华，潘美琴，管浩，朱兴涛(江苏大学材料科学与工程学院)//仪器仪表学报.―2005，26（11）.―1127～1129，1190.采用单因素变量法研究了（Ba，Sr）TiO3基电容器陶瓷中掺杂稀土氧化物Dy2O3对材料介电性能的影响，得到了Dy2O3影响其性能的规律，即随着Dy2O3加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减少，当W （Dy2O3）=0.5%时介电常数最大，而介质损耗逐渐减少。
得到了介电常数为5245，介质损耗为0.0026，耐压为5.5kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料。
利用SEM分析了不同Dy2O3加入量样品的表面形貌。
结果表明：Dy2O3有强烈的偏析晶界、抑制晶粒生长和细晶、形成固溶体等来影响BST性能。
该结果为Dy2O3掺杂改性（Ba，Sr）TiO3基电容器陶瓷提供依据。
图1表4参8TM2822006060034铬掺杂对PZN-PZT陶瓷微观结构和电学性能的影响/路朋献，侯育冬，朱满康，严辉(北京工业大学材料科学与工程学院)//功能材料与器件学报.―2005，11（3）.―303～307.研究了Cr2O3掺杂对0.2Pb（Zn1/3Nb2/3）O3-Pb（Ti0.5Zr0.5）03（PZN-PZT）陶瓷结构和电学性能的影响。
结果表明，Cr2O3掺杂量小于0.3wt％时，Cr2O3能引起三方-四方相变，四方相含量诸加，晶粒尺寸和烧结密度上升；掺杂量高于0.3wt％时，Cr2O3掺杂能抑制晶粒长大并降低烧结密度。
同时，C r2O3掺杂表现出硬性掺杂特征：εr变小，Q m值增加。
而t anδ，k p 和d33随Cr2O3掺杂量增加而表现出极值特征。
最佳的压电性能出现在Cr2O3掺杂量为0.3wt％处。
图6表0参14TM2822006060035圆盘型非接触超声波马达定子的振动模拟与测试/杨斌，刘景全，周广华，陈迪，方华斌，蔡炳初(上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室)//功能材料与器件学报.―2005，11（3）.―352～356.介绍一种圆盘型非接触超声波马达的结构。
利用有限元法计算了超声波马达定子在不同振动模态下的固有频率，并用激光测振仪对定子进行了测试，结果两者吻合较好。
由于振幅和非接触马达的声辐射压力密切相关，因此通过谐响应分析计算了定子的振幅与定子驱动电压的关系，从而为马达的实验研究提供了理论依据。
在最优模态B21下进行转子转速测试，测得最高转速为1600rpm。
图7表0参114、磁性材料、超导材料和器件O48，TN42006060036自旋晶体管的最新研究进展/钟智勇，刘爽，唐晓莉，石玉，刘颖力，张怀武(电子科技大学微电子与固体电子学院)//微纳电子技术.―2005，42（12）.―546～553.自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。
对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述，并对其发展前景做了展望。
图6表0参35O4812006060037第一性原理拟合氦钛两体作用势/吴仲成，彭述明，孙铁英，杨茂年，刘琼(中国工程物理研究院核物理与化学研究所)//原子能科学技术.―2005，39（6）.―492～494.分子动力学研究氦钛两体相互作用涉及3种体系势能函数的表述。
文章讨论其中氦氦相互作用势及氦钛相互作用势，分析不同势能函数形式描述氦与金属作用势的区别。
Lennard-Jones势较好描述分子晶体特别是惰性固体之间的作用势，在金属钛与氦原子之间的相互作用时，在小于平衡位置的条件下，B orn-Mayer势的排斥势太强，未较好反映实际氦钛原子作用，而采用量子化学第一性原理的方法，并结合相关的实验参数拟合氦钛两体相互作用势在近程作用上存在明显的优势。
图2表0参2O4812006060038 3H e对LaN i5储氚性能影响的第一性原理/平飞林，蒋刚，张林，朱正和(中国工程物理研究院激光聚变研究中心)//原子能科学技术.―2005，39（6）.―487～491.基于第一性原理的密度泛函理论研究LaNi5储氚过程中T衰变为3He前后晶体的几何结构和能量变化，计算得到了在平衡态时3He在储氚的LaNi5合金中的最可几占位为八面体位置和十二面体位置。
进一步分析了衰变前后的材料能带结构、电子态密度（DOS）分布。
氦的惰性不溶使LaNi5合金晶格膨胀和电子态密度分布发生变化是影响LaNi5储氚过程中坪台压降低、斜坪增大的主要原因。
在氦原子周围形成的深势阱是形成氚尾效应的主要原因之一。
图4表1参11O481.12006060039 X光滤片制备方法研究/杜英辉，许国基，王瑞兰，卢子伟，张宏斌(中国原子能科学研究院核物理研究所)//原子能科学技术.―2005，39（6）.―552～554.研究了采用轧制、电阻加热、电子枪和C弧等制备X光滤片的方法，采用天平称重、α测厚仪和光学法等测量X光滤片厚度。
分析了各种方法的适用范围及其优缺点，成功地制备了多种X光滤片。
图2表2参4O481.12006060040 C u n A u m（n＋m＝4）类晶结构团簇电子结构性质的第一性原理计算/李喜波，唐永建，王红艳，平飞林，师红丽，杨向东(中国工程物理研究院激光聚变研究中心)//原子能科学技术.―2005，39（6）.―482～486.用基于第一性原理的密度泛函理论计算分析了Cu n Au m（n＋m＝4）类晶结构团簇的电子结构性质。
计算得到的晶格参数与实验值吻合较好。
体系能带结构和态密度分析表明，对能级的贡献主要来自d轨道的电子，且在费米能级附近出现较强的峰，此处的光吸收作用显著增强。
电荷密度分布说明，体系的键结构致密度较大，其中存在共价键和金属键，金属键主要由d轨道电子的共有化运动而形成。
图13表1参5O482.22006060041一种硅基集成PC R微芯片的传热数值分析/陈飞，邹志清，周洪波，金庆辉，赵建龙(中国科学院上海微系统与信息技术研究所生物芯片实验室)//功能材料与器件学报.―2005，11（4）.―471～475.设计和制作了一种基于MEMS技术的硅基集成PCR（聚合酶链式反应）微芯片，采用有限容积法，边界条件考虑自然对流换热和辐射换热，对PCR微芯片的传热过程进行了数值模拟。
主要分析了样品的升、降温速度和样品内部的温度均一性。
分析结果表明芯片具有较高的升、降温速度，而且样品内部的温度均一性也满足PCR反应的要求。
芯片在温度控制系统下进行了热循环反应，实现了GUS基因的扩增，获得了良好的实验结果。
图6表0参3O482.32006060042 I n0.2G a0.8A s-G aA s复合应力缓冲层上的1.3μm I nA s/G aA s自组织量子点/方志丹，龚政，苗振华，牛智川，沈光地(北京工业大学光电子技术实验室)//红外与毫米波学报.―2005，24（5）.―324～327.用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2nm In0.2Ga0.8As和x MLGaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形祝．采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层，由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109cm-2显著增加到约3.8×109cm-2。
同时，复合层也有利于提高量子点中In的组份，使量子点的高宽比增加，促进量子点发光峰红移。
对于x=10ML的样品室温下基态发光峰达到1350nm。
图4表0参6O482.312006060043 Y P O4：T b荧光粉的制备及其V U V激发下的发光性能/狄卫华，王晓君，陈宝玖，谢宜华，赖华生，赵晓霞(中国科学院激发态物理重点实验室)//发光学报.―2005，26（5）.―592～596.采用共沉淀法制备了PDP用的绿色荧光粉YPO4：Tb。
XRD、SEM等测试手段表明用该方法制备的YPO4：Tb相纯度高，所需的烧结温度低、颗粒分散性好、颗粒尺寸分布窄，且表面质量好。
研究了YPO4：Tb在真空紫外光（VUV）激发下的发光性能，并对VUV激发下的发光机理进行初步探索。
图6表0参15O482.312006060044掺钙、钡苯甲酸铕配合物的红外光谱和荧光性能/温孝春，赵永亮(内蒙古大学化学化工学院)//发光学报.―2005，26（6）.―799～803.将苯甲酸钠分别加入到氯化钙和氯化铕以及氯化钡和氯化铕混合溶液中反应，制备了苯甲酸铕-钙和苯甲酸铕-钡两个系列的三元固体配合物，其化学组成式为（Eu1-x Ca x）L3-x和（Eu1-x Ba x）L3-x（其中L为苯甲酸根，x=0～1.0），研究了它们的红外光谱和荧光性能。
由红外数据表明，配合物中对称和反对称伸缩振动吸收峰发生了分裂，而且羧基伸缩振动随钙离子（钡离子）含量的增加发生规律性变化。
荧光光谱实验结果表明，在一定范围内，用不发光的钙离子或者钡离子取代苯甲酸铕中部分Eu3＋离子，可以使Eu3＋离子的特征荧光发射增强，表明碱土金属可以敏化Eu 离子。
图1表2参9O482.312006060045 980nmLD激发下Y b3＋，Er3＋：Y2O3纳米晶粉体的上转换发光/章健，王士维，安丽琼，刘敏，陈立东(中国科学院上海硅酸盐研究所)//发光学报.―2005，26（6）.―789～793.用共沉淀法合成出Yb3＋，Er3＋离子双掺杂的Y2O3粉体，X射线衍射结果表明所制备粉体为立方Y2O3结构。
场发射扫描电镜照片显示其颗粒形状为球形，粒径为60～80nm；该粉体在波长为980nm的半导体激光器激发下发射出中心波长为562nm的绿色和660nm的红色上转换荧光，分别对应于Er3＋离子的4S3/2/2H11/2→4I15/2跃迁和4F9/2→4I15/2跃迁。
发光强度和激发功率关系的研究揭示其均为双光子过程，能量传递和激发态吸收是上转换发光的主要机制。
由于其高效的上转换发光性能，该材料有可能应用于荧光标记和红外探测方面。
图5表0参10O482.312006060046纳米M EH-PPV阵列的光致发光/孔凡，黄高山，杨益民，杨昌正，吴兴龙，鲍希茂，袁仁宽(南京大学物理系)//发光学报.―2005，26（6）.―785～788.以多孔氧化铝为模板，将可溶性发光聚合物聚（2-甲氧基-5-（2’-乙基己氧基）-1，4-对苯乙炔）（MEH-PPV）镶嵌在纳米孔中，制备出高发光效率的纳米发光聚合物阵列，其光学特性与MEH-PPV薄膜显著不同。
