电子技术基础(上)(I)第二次作业答案

（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案

模拟电⼦技术基础习题答案

电⼦技术课程组2018.8.15

⽬录

第1章习题及答案 (1)

第2章习题及答案 (14)

第3章习题及答案 (36)

第4章习题及答案 (45)

第5章习题及答案 (55)

第6章习题及答案 (70)

第7章习题及答案 (86)

第8章习题及答案 (104)

第9章习题及答案 (117)

第10章习题及答案 (133)

模拟电⼦技术试卷1 (146)

模拟电⼦技术试卷2 (152)

模拟电⼦技术试卷3 (158)

第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。A. 五价

B. 四价

C. 三价

（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。A. 增⼤

B. 不变

C. 减⼩

（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。A. 正向导通

B.反向截⽌

C.反向击穿

解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）

图P1.2.1

解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）

图P1.2.2

解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1

解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。设⼆极管正向导通电压可忽略不计。

第2章

正弦交流电路习题解答

习

2.1

题

π⎞ ⎛ 电流 i = 10sin ⎜100πt − ⎟ ，问它的三要素各为多少？在交流电路中，有两个负载， 3⎠ ⎝ π⎞ π⎞ ⎛ ⎛ 已知它们的电压分别为 u1 = 60sin ⎜ 314t − ⎟ V， u2 = 80sin ⎜ 314t + ⎟ V，求总电压 u 的瞬时值 6⎠ 3⎠ ⎝ ⎝

表达式，并说明 u、u1、u2 三者的相位关系。 解：(1)最大值为 10（V） ，角频率为 100 π rad/s，初相角为-60°。 （2） U1m = 60 / − 30° （V）

U 2 m = 80 / 60° （V） 则 U m = U1m + U 2 m = 60 / − 30° + 80 / 60°

= 100 / 23.1° （V）

u = 100 sin(314t + 23.1°) （V）u 滞后 u2，而超前 u1。

2.2

两个频率相同的正弦交流电流，它们的有效值是 I1=8A，I2=6A，求在下面各种情况 下，合成电流的有效值。 （1）i1 与 i2 同相。 （2）i1 与 i2 反相。 （3）i1 超前 i2 90º角度。 （4）i1 滞后 i2 60º角度。

解： 1） I = I1 + I 2 = 8 + 6 = 14 （A） （ （2） I

= I 1 − I 2 = 8 + 6 （A）

I1 + I 2 = 82 + 62 = 10 （A）

2 2

（3） I = （4）设 I1 = 8/ 0° （A）则 I 2 = 6 / 60° （A）

I = I1 + I 2 = 8/ 0° + 6/ 60° = 12.2/ 25.3° （A） I = 12.2 （A）

2.3 把下列正弦量的时间函数用相量表示。

（1） u = 10 2 sin314t V 解：(1) U =10/0º (V) （2） i = −5 sin(314t –

第三部分 习题与解答

习题1

客观检测题

一、填空题

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度

有很大关系。

2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题

1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ × ）

2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（ √ ）

3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ）

4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ）

5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ）

6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（ × ）

7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ）

三．简答题

1、PN结的伏安特性有何特点？

答：根据统计物理理论分析，PN结的伏安特性可用式)1e(IITVVsD表示。

式中，ID为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q，为温度的电压当量（其单位与V的单位一致），其中玻尔兹曼常数k.J/K2313810，电子电量)(C1060217731.1q19库伦，则)V(2.11594TVT，在常温（T=300K）下，VT=25.875mV=26mV。当外加正向电压，即V为正值，且V比VT大几倍时，1eTVV，于是TVVseII，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN结为正向导通状态.外加反向电压，即V为负值，且|V|比VT大几倍时，1eTVV，于是sII，这时PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。PN结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图1.1.1所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1特性曲线（实线部分）可见：PN结真有单向导电性和非线性的伏安特性。

模拟电子技术基础试卷及参考答案

试卷五（本科）及其参考答案

试卷五

一、填空和选择题（每小题2分

共16分）

1．半导体二极管的重要特性之一是 。

（A）温度稳定性 （B）单向导电性 （C）放大作用 （D）滤波特性

2．在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

失真。

（A）截止失真 （B）饱和v失真 （C）双向失真 （D）线性失真

3．多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带 。

（A）变宽 （B）变窄 （C）不变 （D）与单级放大电路无关

4．电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻 。

（A）等于零 （B）比直流等效电阻小

（C）等于直流等效电阻 （D）远远大于直流等效电阻

5．放大电路产生零点漂移的主要原因是 。

（A）采用了直接耦合方式 （B）采用了阻容耦合方式

（C）采用了正、负双电源供电 （D）增益太大

6．二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为 。

（A）20dB/十倍频程 （B）-20dB/十倍频程

（C）40dB十倍频程 （D）-40dB/十倍频程

7．当有用信号的频率低于100Hz时，应采用 滤波电路。

（A）低通 （B）高通 （C）带通 （D）带阻

8．在图1-8所示电路中，稳压管DZ的稳定电压VZ = 6V，最小稳定电流Izmin = 5mA，输入电压VI = 12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下IL的数值最大不应超过 。

（A）40mA （B）45mA （C）55mA （D）60mA

图1-8

二、（14分） 分压式射极置共射放大电路如图2所示，已知BJT的β =100，VBE = 。电路处于正常放大状态。

（1）估算电路的静态工作点；