LED芯片的制造工艺流程

LED芯片的制造工艺流程

LED 芯片的制造工艺流程：

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图

形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去

胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离

→研磨→切割→芯片→成品测试。

外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝

石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开

始对led 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割LED 外延片（以前切割LED 外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，如图所示：

1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30 倍数的显微镜下进行目测。

3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

4、最后对LED 芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000 粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000