准谐振反激的原理、应用及参数计算
时间：2010-09-07 17:23:42 来源：作者：
如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关(Valley Switching) 或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。
准谐振QR
Q(Quasi)
R( resonant)
主要是降低mosfet的开关损耗，而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。
从上图中，大家可以讨论一下，一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内，寄生电容将会跟VDC周围的主要电感产生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化，但始终具有相当大的数值。当下一个周期MOSFET导通时间开始时，寄生电容会通过MOSFET放电，产生很大的电流尖峰。由于这个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压,该电流尖峰因此会做成开关损耗。
从上面的图可以看到，准谐振跟一般的传统反激原理基本一样。
Lleak是初级漏感，Rp是初级电阻，Cp是谐振电容;
当副边绕组中的能量释放完毕之后(即变压器磁通完全复位)，在开关管的漏极出现正弦波振荡电压，振荡频率由LP、CP决定，衰减因子由RP决定。
对于传统的反激式变换器，其工作频率是固定的，因此开关管再次导通有可能出现在振荡电压的任何位置(包括峰顶和谷底)。
