一种提高交叉极化隔离度的16元微带阵列天线_刘藤
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一种提高交叉极化隔离度的16元微带阵列天线
刘藤1,2,罗勇1,李莎莎2,李旭哲1
(1.电子科技大学,四川成都610054;2.中国东方红卫星股份有限公司,陕西西安710061)
摘要:在现代通信中,特别是卫星通信,有时需要比较高的交叉极化隔离度。对于传统的微带阵列天线来说,由于其馈电网络与阵元均处于同一侧,不仅会产生互耦,影响增益,并且交叉极化隔离度也不能满足广大用户的要求。在此提出
一种新型的馈电结构,旨在提高其交叉极化隔离度。从仿真中可以看出,交叉极化隔离度能达到40dB以上,为实现更大型微带阵列天线网络做出一定的理论实践和工程指导。关键词:微带阵列天线;交叉极化隔离度;馈源网络;开槽线中图分类号:TN823文献标识码:A文章编号:1004-373X(2010)14-0114-03
16-elementMicrostripArrayAntennaforEnhancingCross-polarizationIsolation
LIUTeng1,2,LUOYong1,LISha-sha2,LIXu-zhe1(1.UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,China;2.ChinaSpacesatCo.Ltd.,Xian710061,China)
Abstract:Ahighcross-polarizationisolationissometimesneededinmoderncommunications,especiallyinsatellitecom-munications.Anewfeederstructureisproposedtoenhancethecross-polarizationisolationbecausethearrayelementsandthe
feednetworkareatthesamesideinthetraditionalmicrostriparrayantenna,andthestructurecancauselowcross-polarizationisolationandco-couplingwhichaffectsthegain.ItisfoundfromthesimulationresultcalculatedbyHFSSofAnsoftthatthecross-polarizationisolationishigherthan40dB.Thisconclusioncanprovideagoodreferencetothepracticalengineering.Keywords:microstriparrayantenna;cross-polarizationisolation;feedsourcenetwork;slotline
收稿日期:2010-03-120引言
微带阵列天线具有体积小,重量轻,制作简单,安装
方便,容易与有源器件集成,外观美观,受环境影响小等
优点,因此越来越受到人们的欢迎。目前,微带阵列天
线已经成功地用于机载雷达,卫星通信,移动通信和卫
星电视等系统中。
关于微带阵列天线的馈电问题,前人已做了大量的
工作。一般都是辐射片与微带线馈源网络处于同一侧,
如文献[1-2]所述。这种方式由于馈源网络本身会产生
一定的辐射,所以总的辐射场就是各辐射单元的辐射场
与馈源网络辐射场的叠加。由于馈源网络布线并不一
定规则,这无疑会影响天线整体的交叉极化隔离度性
能;同时,由于微带线与辐射贴片存在有互耦,这样还会
进一步使天线交叉极化隔离度性能降低,影响主瓣增
益[3]。在某些特定的应用场合(如卫星通信),要求天线
的交叉极化隔离度性能是比较高的(30dB以上)[4],对
于一般阵元数目比较少的天线阵,还能够满足要求,但
是对于大型或者超大型阵列,以上的馈电方式就很难满足要求了。关于抑制交叉极化隔离度的馈电方式,前人
也做了大量的工作,如文献[5]所述,文章中提到将辐射
单元与馈源网络隔离的方式,能有效提高交叉极化隔离
度;类似的做法再如文献[6]所述;而文献[7]提出一种
用开槽线耦合馈电的方式将能量耦合给辐射单元,亦取
得了良好地效果。本文在总结了前面优秀工作的基础
上,提出一种全新的馈电结构:天线辐射单元与馈源网
络分别处于接地板两侧,通过接地板的开槽线把馈源网
络上的能量耦合到辐射单元上,通过HFSS软件仿真,
得到了比较好的结果,说明此种馈电方式确有比较好的
提高交叉极化隔离度的作用,并为进一步组建大型或超
大型阵列做出指导。
1辐射单元
辐射单元采用嵌入式微带边馈贴片[8](如图1所
示),这样可以很容易地实现阻抗匹配。对于介质基片
厚度为h=1.5mm,天线工作的中心频率为f0=
12.5GHz,采用相对介电常数为r=2.2的Rogers
RT/duroid5880介质作为基片,辐射贴片宽度为:
Wp=c2f
0r+12-12
(1)114科学计算与信息处理刘藤等:一种提高交叉极化隔离度的16元微带阵列天线式中:c为真空中的光速。确定了宽度,就可以计算其
相对介电常数为:
re=r+12+r-121+10hwp-12(2)
天线边缘引起的等效长度为:
L=0.412h(re+0.3)(w/h+0.264)(re-0.258)(w/h+0.8)(3)
所以矩形微带片的实际长度一般采用下面的结果:
L=e/2-2L(4)
式中:
e=0/re(5)
式(5)中:0为真空中波长。为了使天线与馈线匹配,
要给天线馈源口开槽,槽深的设计公式是:
Ls=(L/)arccosZin/ZL(6)
而槽长Ws对天线输入阻抗的影响不是很大,只要大于
馈线一定尺寸即可。用HFSS软件对天线尺寸进行优
化,得到各个尺寸如图1所示,Wp=9.4mm,Lp=
7.3mm,Ws=2.8mm,Ls=2.2mm,馈线长度Lf=
8.25mm,输入阻抗Z=50。
图1辐射单元图示
222微带阵列天线提高交叉极化隔离度原理
关于此类22微带阵列天线提高交叉极化隔离度
的原理,文献[7]已经做过详细的描述,这里不再过多讨
论,只给出相应结论。它是先将馈线上的能量耦合到开
槽线上,在开槽线上经过一段距离传输之后,再次耦合
到辐射贴片上,4个辐射贴片2个成一对并行排列。可
以看出,产生交叉极化电场的磁流在远场无论是在E面
或是在H面,都相互抵消了,而传统的馈电方式(馈电
方向均朝向一侧[1]),在H面内由于磁流在其中心两侧
产生的交叉极化电场在远场不能完全抵消,因此会影响
其交叉极化隔离度性能。
文献[7]所提出的馈电方式仍然是将馈线与微带辐
射单元处于同一侧。如果稍加改动,将馈线与辐射单元
分别处于接地板两侧,如图2所示。这样做有2个好
处:能将馈线产生的其他场降至最小,这样在组建大型微带阵列时是非常有必要的;在组建大型微带阵列时,
由于馈源网络与辐射单元处于不同侧,我们就不用再考
虑辐射单元与馈源网络之间的互耦问题,这样,馈源网
络就可以得到很大程度的简化。
基于这样的分析,用电磁仿真软件HFSS进行仿
真实验。图3显示的是图2中E面与H面主极化与交
叉极化在角[-90,90]范围内的结果。可以看出,
这样的馈电方式在中心以及1dB以内仍然能获得很好
的交叉极化隔离度特性。
图2改动后的辐射单元图示
图3仿真结果
344微带阵列天线
有了上面的基础,我们进一步扩大阵元数目。由于
此时不用再考虑馈源网络与辐射单元之间的相对距离,
所以我们将馈源网络设计的越简单越好,以便于工程应
用图[4]。有人担心馈源网络与辐射单元共用一块金属
板,中间的金属板会不会漏电,导致天线无法正常工作。
对此我们知道,金属在电场中具有静电平衡作用,当
金属处于平衡状态时,金属体内是没有净电荷的,这样
就不会有电流存在。这样就不用担心通过中心接地板
上下走电的问题。但是馈源网络与开槽线一定要保
持一定距离,不然会有很强的互耦。因此,首先想到的
是图4(a)所示的馈源网络,同轴线的输入阻抗是50,
经过阻抗变换到馈源网络的特性阻抗。在第一功分处
分开要有路径上g/2的差值,在3处T型功分器处都
选取g/4阻抗变换(具体设计方法见文献[9-10]),这
样能使网络本身的驻波降到很低,使能量最大限度的进
115现代电子技术2010年第14期总第325期计算机应用技术入开槽线,进而耦合到天线辐射单元。实验结果如
图5(a)所示。主极化增益为17.33dBi,交叉极化为
-13.44dBi,交叉极化隔离度在1dB范围内为30dB
左右,符合工程要求。
如果采用图4(b)的馈源网络进行馈电,会得到
图5(b)所示的结果,交叉极化隔离度在40dB左右。
因此可以得出这样一个结论:如果将馈源网络在第一功
分入口隔开的话,交叉极化隔离度性能就会更加良好;
如果牵扯到工程,只需要引入一个事先做好的微带3dB
电桥或者功分器即可[11]。
图5中角范围内曲线不是很对称,这是由于馈源网络的不对称结构引起的。
图4反馈网络
图5幅射方向图
图4(b)所示结构相比图4(a)性能更加良好一些,
这个可以通过图6来加以解释。图6所示为用两个相
位相差的激励波端口来模拟第一功分口的两路信号,
此时交叉极化隔离度达到50dB以上。当然,这是一个
理想结果,在实际中还要视3dB或者功分器的性能优劣而定。
图6相位相差元的两个激励波端口得出的辐射方向图
4结语
本文在总结了前人优秀工作的基础之上,提出一种
新的给微带阵列天线馈电的馈源网络结构,通过HFSS
软件仿真,说明这种馈电结构确实有助于提高天线的交
叉极化隔离度性能。
参考文献
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