(完整版)电路基础复习题带答案

1 高职计算机电路复习题一 一、填空题 1、根据导电的程度，物质可分为导体、绝缘体和 半导体 。 2、半导体的导电性能具有两个显著特点是 敏感性 和 掺杂性。 3、半导体按导电类型可分为 P型半导体和 N型半导体。 4、带有一定 电量 且能在电场力作用 自由运动 称为载流子。 5、物体的导电能力取决于该物体内载流子的 浓度 和 运动速度 。 6、半导体的重要特点是 自由电子 和 空穴 同时参加导电。 7、N型半导体是在本征半导体中加入微量的 五 价元素，它的多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 ，产生的电流主要是 电子流 。 8、P型半导体是在本征半导体中加入微量的 三 价元素，它的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 ，产生的电流主要是 空穴电流 。 9、PN结的最基本的性质是 单向导电性 性。 10、反向连接：PN结的外加电源正极接 N型区，负极接 P区 11、正向连接：PN结的外加电源正极接 型区，负极接 区 12、二极管是具有 单向导电性 性的 两 极器件。 13、PN结的单向导电性： （1）当PN结两端加上正向电压时，PN结处于 导通 状态。此时形成 正向的电流，呈现的电阻阻值 小。 （2）当PN结两端加上反向电压时，PN结处于 截止 状态。此时形成 反向 的电流，呈现的电阻阻值 较大 。 14、P型半导体上引出的电极叫 正极 或 阳极 ，用符号 “+”表示。 15、N型半导体上引出的电极叫 负极 或 阴极 ，用符号“-”表示。 16、二极管的符号是 。 17、二极管按材料分 锗二极管、 硅 二极 按结构分 点接触 型二极管、 面接触 型二极管。 18、点接触型二极管由于PN结的面积很 小 ，故适用于 高 频信号的检波，适合微 小 电流的整流及脉冲电路。 19、面接触型二极管由于PN结的面积 大 ，能承受较 大的电流，适用于整流，不适用于 高 频电路。 20、二极管的伏安特性，是指加到二极管两端的 电压 与流过二极管的 电流 之间的关系 2

曲线。 21、二极管的伏安特性： （1）正向特性 ： a、分两个区分别是 导通 区、 死 区。 b、死区：外加 正 向电压很 小 时， 正 向电流很小，二极管表现 出有 较大 的电阻，我们把这个基本截止状态的区域称为“死区”。 c、死区电压：硅管 0.5 V，锗管 0.2 V。 d、正向导通区：当加在二极管两端的电压超过一定的数值以后，二极管的电阻变得很 小 ，正向电流开始显著增加，二极管处于 正向导通 时，其正向电压变化不大。 e、导通电压：硅 0.6～0.7 V，锗管 0.2～ 0.3 V。 (2)反向特性 ： a、分两个区分别是 反向饱和 区、 反向击穿区 区。 b、二极管两端加反向电压时，外加电压在一定范围内变化，反向电流很 小 ，且基本维持不变，且和反向电压的数值无关、反向电流随温度的上升 增长 很快。 c、在同样温度下，硅管的反向电流比锗管 小得多 。 d、反向电流也称为 反向饱和电流 ，它的大小是衡量二极管质量好坏的一个重要标志。 反向电流越大，说明二极管单向导电性能 越差 。 e、反向击穿：当 反向 电压增大到一定数值后，反向电流会突然 增大 ，这时二极管失去 单向导电性 ，这种现象称为 反向击穿 。 f、发生击穿时的电压称为 反向击穿电压 ，二极管反向击穿后，反向电流很大，会导致PN结 烧坏 。 g、二极管的电阻不是一个 常数 ，它的伏安特性曲线不是一条直线，二极管是一个 非线性 电阻器件。 22、晶体二极管的主要参数 它是反映器件性能的质量指标，是正确选择和使用管的依据。 （1） 最大整流电流 ：是指二极管允许通过 的 最大正向平均电流 ，是为了保证二极管的 温升 不超过允许值而规定的限制。 （2）最高反向工作电压；二极管反向电压高时会引起二极管 反向击穿 ，因此要限制反向工作的电压。 （3） 反向饱和电流 ：是指管子 未击穿 时的反向电流值，它越小说明管子的单向导电性能越好，它受 温度 影响很大。 3

二、综合题 1、PN结的单向导电性。 2、二极管的反向击穿。 高职计算机电路复习题二 一、填空题 1、导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为 半导体 2、在N型半导体中，主要依靠 自由电子 导电，在P型半导体中主要依靠 空穴 导电。 3、PN结具有 单向导电性 性能。 4、PN结的正向接法是电源的正极接 P 区，电源的负极接 N区。 5、硅二极管的死区电压约为 0.5 V，锗二极管的死区电压为约为 0.2 V。 6、二极管导通后，硅管管压降约为 0.7 伏，锗管压降为 0.3 伏。 7、三极管是由 两 个PN结及其划分为 三 区组成。 8、三极管的两个结分别称为 发射结 和 集电结 。 9、三极管具有 电流 放大作用。 10、三极管具有电流放大作用的条件是 发射结正向偏置，集电结反向偏置 。 11、三极管的β值太小，则其 电流放大能力 较差。 12、场效应管这是 电压 控制型器件。 13、PN结加 正 偏电压时导通，加 反 偏电压时截止，这就是PN结的 单向导电性 导电性。 14、三极管具有 电流放大 的作用，即 Ib 的微小变化控制了 Ic 的较大变化。 15、三极管的三种工作状态即 饱和状态，截止状态，放大状态 。 16、三极管构成放大器时，有三种基本连接方式，即 共射极连接，共集电极连接，共基极连接。 17、二极管的单向导电性，即正偏 导通 ，反偏 截止 ；导通后，硅管的管压降约为 0.7 v锗管的管压降约为 0.3 V。 18、三极管集电极输出电流IC=9mA,该管的电流放大系数β=50，则其输入电流IB= 0.18mA。 19、在硅或锗单晶片上经过特殊的工艺加工，在P型区和N型区的结合部有一个特殊的薄层，称为 PN结 。 20、由半导体二极管的伏安特性曲线可知：二极管的导电性能可分为 和 两部分，前者又可分为 区和 区，后者分为 区和 区。 21、要求导通电压低时应选用 锗 管，要求反向电流小时应选用 硅 管， 22、工作在放大状态的NPN管三个电极的电位关系是 Uc>Ub>Ue 。工作在放在状态的PNP管 4

三个电极的电位关系是Uc23、三极管的结构有两种形式分别为 双极 型和 场效应 型。 24、三极管的两个结分别是 发射 结和 集电 结。

25、三极管的三个区分别是 发射 区、 集电 区、 基 区。 26、三极管的三个极分别是 发射极 、 基极 、 集电极 。 27、NPN晶体管的符号是 28、PNP晶体管的符号是 29、三极管 并不是 两个PN结的简单组合，它 不能 用两个二极管代替。 30、一般 不可以 将发射结和集电极互换。 31、目前国产晶体三极硅管多为 NPN 型平面管，锗管多为 PNP 型合金管。 32、三极管放大的外部条件： 一、必须给发射结施加一个 正向 EB， 硅管一般为 0.6-0.8 v ，锗管一般为 0.2-0.3 v 。 二、还应给集电结施加一个 反向 Ec 。 33、三极管三个电极中的电流分配关系为Ie=Ic+Ib 。因为 基 极电流最小，所以 Ie≈Ic 。 34、直流电流放大系数为 β 。 35、三极管的共射极交流放大系数为 β= 。 36、β和β在意义上虽然为 不同 但数值较 相似 。 37、当IB=0时，IC=IE=ICEO,这里ICEO称为 穿透电流 ，ICEO越小管子的性能越稳定。 38、三极管具有 电流放大 作用。一个 Ib 的变化，可以换来一个 大 的 Ic 变化，从而实现 以小控制大 的目的。 39、三极管有三种连接方式分别是 共射极 、 共集电极 、 共基极 连接，无论哪种连接方式，为了保证管子具有放大作用，电路必须满足 发射结正向偏置 、 集电结反向偏置 条件。 40、三极管输出特性曲线的三个区分别是 饱和区 、放大区 、 截止区 。 41、截止区：在IB =0时，这条曲线以下的区域称其为 截止区 。特点是：两结都处于 反向或零 偏置，如果IB再增大， Ic 将增加很小，甚至不再增加。饱和区的电压UCE称为 饱和压降 ，记作 Uces 。

42、放大区：发射结 正偏 ，集电结 反偏 ，电流 Ib 对 Ic控制作用。

43、 交流电流放大系数 是衡量三极管放大能力的重要指标，β太小，则电流放大能力差 ；β太大，则 稳定性 性差，一般β值在20—200之间为宜。 44、ICE、ICB 愈小的管子其稳定性能愈 大 ， 硅 管的温度稳定性比 锗 管好。 45、三极管的极限参数 5

（1） 集电极最大允许电流Icm 当三极管的IC增加到一定数值时，放大系数β值将显著 下降 当IC超过极限值太多，极可能烧坏管子。 （2） 集电极—基极击穿电压BUceo 这是指 发射极 开路时， 集电极 、 基极 间所能承受的最在反向电压。 （3） 集电极 –发射极击穿电压BUceo 这是指 基极 开路时， 集电极 、 发射极 间所能承受的最大反向电压、否则甚至烧坏管子。 （4） 集电极最大允许功率损耗Pcm 是指 集电极电压Uce 和流经 电流Ic 的乘积，功率损耗将引起管子发热、结温上升。最终将烧坏管子。 46、场效应管：利用输入 电压 产生的电场效应来控制输出 电流 而得名。 47、场效应管只依靠 自由电子 或 空穴 中的一种 多数载流子 形成电流。 48、场效应管按结构不同可分为 结型FET 和 绝缘栅FET 。 49、发光二极管即LED能把 电 能直接快速地转换成 光能 管，当给它的PN结注入一定的 正 向电流时，就会发光，发光的颜色分为 红橙黄绿 等。 50、双极型晶体管是 电流 控制型器件，而效应晶体管则是 电压 控制型器件。 51、在同样的温度下，硅管的反向电流比锗管 小 。 52、二极管是一个 非线性 性电阻器件。它的伏安特性曲线是一条曲线. 53、 反向电流 大小是衡量二极管质量好坏的一个重要标志， 54、已知某三极管的IB1=10μA时IC1=0.8mA,当IB2=40μA时IC2=2.4mA,该三极管的β值为 53.3 55、测得工作在放大电路中的PNP型三极管两个电极的电压分别为：U1=3.5V、U2=2.8V、 U3=15V。则三极管是_________， U1_____极、U2____极、 U3=_____极。 56、一个放大器的输入信号为75mV，其输出信号为5V，其电压放大倍数是__________ 二、选择题

1、在P型半导体，主要依靠 B 来导电。 A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 2、PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为 B 偏置接法。 A、正向 B、反向 C、零 3、在二极管正向导通时，二极管呈现 A 电阻。 A、较小 B、较大 C、不确定 4、二极管正向导通的条件是其正向电压值 C A、大于0 B、大于0.3V C、大于死区电压 5、二极管的正极电位是20V，负极电位是10V，则二极管处于 A