基于其他二维材料的光电探测器
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二维材料的制备及其器件应用近年来,随着纳米科技的快速发展,二维材料逐渐成为科研领域的热门话题。
二维材料,顾名思义,是一种在纳米尺度下只具备两个维度的材料,例如石墨烯和黑磷等。
由于其特殊的结构和优异的性质,二维材料在各种领域都具备着广阔的应用前景。
那么,我们来探讨一下二维材料的制备过程以及其在器件中的应用。
首先,让我们来了解一下二维材料的制备方法。
在过去的几十年里,科学家们通过不断的研究和尝试,成功开发出了多种制备二维材料的方法。
其中,机械剥离是最早发现的一种方法。
通过使用胶带将二维材料与基底分离,可以得到单层的二维材料。
这种方法简单易行,但受到制备规模的限制。
为了满足大规模生产的需求,化学气相沉积和化学溶液方法也被广泛采用。
例如,石墨烯的CVD制备方法就得到了广泛研究和应用,其可以在大规模的晶体硅衬底或金属衬底上生长单晶石墨烯膜。
接下来,让我们来看看二维材料在器件中的应用。
由于其独特的结构和性质,二维材料在能源、电子学、光学和催化等领域都发挥着重要作用。
在能源领域,二维材料被广泛应用于太阳能电池、储能设备和催化剂等方面。
石墨烯、硫化钼和二硫化钼等二维材料在太阳能电池中的应用令人期待,其高电导率和光吸收能力使其成为优良的透明电极材料。
同时,二维材料也可以作为储能设备中的电极材料,如电容器和锂离子电池的正负极材料。
其高比表面积和电容能够提高电池的能量密度和循环稳定性。
在电子学领域,二维材料被广泛应用于晶体管、柔性电子和传感器等器件中。
由于石墨烯的高载流子迁移率和超薄结构,它成为代替硅基材料的有力候选者。
石墨烯晶体管拥有更高的开关速度和更低的功耗,能够满足未来电子设备不断提升的要求。
此外,柔性电子器件是发展方向之一,石墨烯和二硫化钼等二维材料的柔韧性使其成为制备柔性传感器、超级电容器等器件的理想候选材料。
除此之外,二维材料在光学和催化等领域也有着广泛应用。
二维材料的带隙和吸收能力可以在光学器件中发挥作用,例如制备光电探测器和激光器等。
二维材料的发展前景二维材料,作为一种新兴材料,具有许多独特的物理和化学性质,展现出了广泛的应用前景。
从最早被发现的石墨烯到目前各种各样的二维材料,其独特的结构和性质使之成为材料科学领域备受关注的研究方向之一。
随着人们对二维材料的深入研究,其在许多领域的应用前景也变得愈加清晰。
首先,二维材料在电子领域有着巨大的潜力。
由于其优异的导电性能,二维材料被认为是未来电子器件的理想候选材料之一。
例如,石墨烯的高载流子迁移率和独特的热导率使之成为高性能晶体管和热管理材料的理想选择。
此外,其他二维材料如二硫化钼、硒化铟等也具有优异的电学性能,为电子器件的发展带来了新的可能性。
其次,二维材料在光电领域也有着广阔的应用前景。
由于其单原子厚度的特性,二维材料表现出卓越的光学性能,具有优秀的光学吸收和发射特性。
这使得二维材料在太阳能电池、光电探测器以及光传感器等领域展现出了巨大的应用潜力。
同时,二维材料在光电器件中的应用也为可穿戴设备、人工智能等领域的发展提供了新的可能性。
此外,二维材料还在催化和能源领域展现出了独特的优势。
由于其高比表面积和丰富的表面活性位点,二维材料在催化反应中具有极高的催化活性和选择性,为节能环保的绿色化学技术提供了新的途径。
同时,二维材料在能源存储和转换领域也有着广泛的应用,如锂离子电池、超级电容器等。
其高电导率和电化学稳定性使二维材料在能源领域发挥着重要作用,为实现能源高效利用和碳中和做出了重要贡献。
综上所述,二维材料作为一种新兴材料,具有着广泛的应用前景。
在电子、光电、催化和能源等领域,二维材料展现出了许多独特的优势,为材料科学和相关领域的发展带来了新的机遇和挑战。
随着对二维材料研究的不断深入和技术的不断进步,相信二维材料必将在未来发展中发挥越来越重要的作用,为人类社会的可持续发展和科技进步做出更大的贡献。
2DMATERIAL二维材料二维材料是一种具有纳米级厚度的材料,可以看作是仅由单层原子或分子组成的材料。
由于其独特的结构和性质,二维材料在材料科学和纳米技术领域展现出了巨大的潜力。
本文将着重介绍石墨烯,其在二维材料中的重要性和应用。
石墨烯是最著名的二维材料之一,由于其出色的导电性、热导性和力学性能,石墨烯备受关注。
它是由碳原子以蜂窝状排列形成的单层薄片,厚度约为0.34纳米。
石墨烯的独特结构使其具有很多引人注目的性质,例如高载流子迁移率、高热稳定性和高强度。
由于这些特性,石墨烯被广泛应用于电子学、光学、能源存储和传感等领域。
在电子学领域,石墨烯可以作为晶体管的替代材料,用于制造更小、更快的电子器件。
石墨烯的高载流子迁移率使其可以实现高速电子传输,从而提高了电子器件的性能。
此外,石墨烯还可以用于制造柔性电子器件,如柔性显示屏和可穿戴设备。
这些器件通常需要材料具有高强度和弯曲性,而石墨烯在这方面表现出色。
在光学领域,石墨烯可以用于制造超薄光学器件,如光调制器和光传感器。
石墨烯的单层结构使其具有优异的透明性,可以用于制作高效的光学器件。
此外,石墨烯的光学性质与其厚度有关,通过改变其厚度,可以调控其光学特性。
这种特性使得石墨烯在纳米光学和光电子学中有着广泛的应用前景。
在能源存储领域,石墨烯可以用于制造高性能的电池和超级电容器。
由于石墨烯的高载流子迁移率和大表面积,可以提高电池和超级电容器的性能。
此外,石墨烯还可以用于制造光伏电池和燃料电池,以提高其能量转换效率和稳定性。
除了石墨烯,还有其他一些具有独特性质的二维材料,如二硫化钼(MoS2)、二硒化钼(MoSe2)和石墨烯氮化物(Graphene nitride)。
这些材料具有不同的电子结构和性质,可以用于不同的应用。
例如,MoS2可以用于制造柔性电子器件和光电探测器,而Graphene nitride具有优异的气敏性能,可以用于制造气体传感器。
虽然二维材料在科学研究和应用中展现出了许多潜力,但目前仍面临一些挑战。
单层2H-MoTe_2光电效应的理论研究单层2H-MoTe2是一种重要的二维材料,在光电领域有广泛的应用前景。
本文将对2H-MoTe2的光电效应进行理论研究,探究其在光电器件中的潜在应用。
首先,我们对2H-MoTe2的晶体结构进行简要介绍。
2H-MoTe2是一种层状结构的材料,具有三角晶格,并且每层由一个Mo原子和两个Te原子组成。
在晶体中,Mo原子和Te原子通过共价键结合在一起,形成一个桥式键。
这种结构使得2H-MoTe2在电学和光学性质上有很特殊的表现。
接下来,我们研究2H-MoTe2的光电效应。
光电效应是指在光线照射下,原子或分子吸收了能量去激发电子从低能级跃迁到高能级,电子光致发射遵循着光强与光子能量的正比关系。
2H-MoTe2在可见光和紫外光范围内有较高的吸收率,并且其带隙在1.0eV左右,因此可以作为一种有效的光电探测材料。
在光电探测器中,2H-MoTe2的电荷传输机制也很重要。
在2H-MoTe2中,价带和导带在K点和K'点处交叉,呈现出半金属性。
由于弱的van der Waals相互作用,2H-MoTe2表现出较高的载流子迁移率,使其成为一种可行的载流子传输材料。
此外,由于2H-MoTe2的超薄厚度,在光电探测器中可以实现较高的光响应速度。
另外,在太阳能电池中,2H-MoTe2也可以作为一种高效的光吸收材料。
2H-MoTe2具有较窄的带隙和高吸收率,可以将太阳能转化为更高的电压。
此外,由于2H-MoTe2在可见光和紫外光范围内有较高的吸收率,因此可以通过层叠或复合的方式将其与其他光电材料结合使用,形成复合光电材料。
总的来说,2H-MoTe2在光电领域有很大的应用前景,可以作为光电探测器和太阳能电池的有效材料。
本文通过对其光电效应的理论研究,为2H-MoTe2在光电器件中的应用提供了重要的科学支持。
超宽禁带二维半导体材料与器件研究摘要:针对于半导体来讲,其只有七十多年的历史,但对社会发展的影响极大,半导体技术发展与其材料的物理性质有较大关联。
半导体材料可以应用到诸多领域,如晶体管、集成电路、电力电子器件及光电子器件等等,是国家科技发展的关键标志。
基于此,本文主要分析超宽晋禁带二维半导体材料与器件,希望可以为相关人士提供参考和借鉴。
关键词:超宽带隙二维半导体材料和器件分析目前,超宽禁带二维半导体材料的研发与应用掀起了一股浪潮,其具有较高光电转化能力、高频功率特性、高温稳定及低能量损耗等优势,可以为诸多领域发展提供帮助。
超宽禁带二维半导体材料与器件不仅发展空间大,并且市场前景也相对较好,需要细致分析材料支配方式,并且思考其在器件中的运用和性能展现。
一、超宽禁带二维半导体概述禁带宽度即为的一个能带宽度,单位为eV(电子福特),但需要注意的是,固体中的电子能量并不能连续取值,这样能带的连续性就会受到影响[1]。
想要导电就应有自由电子来作为支撑,自由电子能带可称之为导带(能导电),同时已经被束缚的电子想要转变成为自由电子,就应有充足的能量,这样才可以跃迁到导带,其能量的最小值即为禁带宽度。
另外,针对于半导体材料的基本物理性质来讲,其与禁带宽度有较大关联,禁带宽度较窄则说明材料属性的金属比例较大,较宽则说明其倾向于绝缘体。
目前,半导体材料通常都是依照禁带宽度来进行划分,即为窄禁带半导体材料、宽禁带半导体材料、超宽禁带半导体材料、超窄禁带半导体材料。
超宽禁带半导体的全称为Ultra-wide bandgap semiconductors,其带隙普遍大于3.4eV(GaN的禁带宽度),性质即为高击穿电场、热导率、电子迁移率等等[2]。
同时超宽禁带半导体的优势高于宽禁带半导体,耐高温、耐高压、高频及抗辐射能力较强,可以高效运用到多个领域,如在超高压电力电子期间、量子通信与极端环境等领域的应用空间都相对较大。
二维材料的特性与研究近年来,随着纳米科技的快速发展,二维材料逐渐进入了科学界和工业界的视野。
二维材料,顾名思义,就是只有两个维度的材料。
与传统的三维材料相比,二维材料具有许多独特的特性,引起了科学家们的广泛关注。
本文将探讨二维材料的一些特性以及在研究领域的应用。
首先,二维材料的最显著特点是其特殊结构。
二维材料仅有几个原子层厚度,可以形成类似于薄膜的结构。
最著名的二维材料之一就是石墨烯。
石墨烯是由一层层排列有序的碳原子构成的,具有优异的导电性和热导性。
除了石墨烯,还有诸如磷化氮、过渡金属二硫化物等多种二维材料被发现并引起了广泛研究。
其次,二维材料的垂直尺度也具有独特的特性。
因为其厚度非常薄,二维材料在垂直方向上的物理特性会受到极大影响。
例如,薄膜的弯曲半径会对其机械性能产生显著影响。
这种特性给予了研究人员在制备纳米器件时更大的灵活性和设计空间。
此外,二维材料的表面效应也是其研究的重要方向之一。
由于表面自由能的改变,二维材料表面上的原子具有更活跃的特性。
这使得二维材料在催化、电子输运、传感器等领域有着广泛的应用前景。
例如,基于二维材料的气敏传感器可以实现对环境中微量气体的高灵敏度检测,有望应用于环境监测和疾病检测等领域。
此外,二维材料的电子传输特性也备受关注。
由于其碳原子密集排列的结构,石墨烯具有极高的电子迁移率,使其在电子学领域具有广阔的应用前景。
石墨烯晶体管作为新一代超高速电子器件已成为研究热点,并有望在高频电子器件和柔性电子器件领域取得突破。
此外,许多其他二维材料也具有优异的电学特性,如硼硼石、二硫化钼等,为能量储存、光电器件等领域的研究提供了新的思路。
从实际应用的角度来看,二维材料也具有广泛的潜力。
例如,二维材料的光学性质受到厚度和结构的限制,以高吸光系数和导电率而闻名。
这使得二维材料在太阳能电池、光电探测器等领域有着重要的应用价值。
此外,二维材料的灵活性和可塑性也为柔性电子器件、柔性显示器件等的发展提供了新的可能性。
弹道二维硒化铟晶体管结构近年来,随着纳米科技的快速发展,二维材料作为一种新型材料引起了广泛的关注。
其中,二维硒化铟作为一种半导体材料,具有优异的电学性能和光学性能,被广泛应用于电子器件领域。
而弹道二维硒化铟晶体管结构则是二维硒化铟材料在晶体管器件中的一种重要应用形式。
弹道二维硒化铟晶体管结构是一种基于二维硒化铟材料制备的晶体管器件。
它的结构主要由源极、漏极和栅极组成。
其中,源极和漏极是用金属电极制备的,而栅极则是用二维硒化铟材料制备的。
这种结构的特点是栅极与二维硒化铟材料之间没有衬底层,使得电子在栅极和二维硒化铟材料之间的传输更加顺畅,减小了电子的散射损失,提高了器件的电学性能。
弹道二维硒化铟晶体管结构的制备过程相对简单。
首先,通过机械剥离法或化学气相沉积法制备出单层或多层的二维硒化铟材料。
然后,利用光刻技术和金属蒸发技术制备出源极和漏极。
最后,通过电子束蒸发技术在二维硒化铟材料上制备出栅极。
制备完成后,将源极、漏极和栅极连接到外部电路中,即可实现对器件的控制和测量。
弹道二维硒化铟晶体管结构具有许多优异的性能。
首先,由于二维硒化铟材料的特殊结构,电子在其中的传输呈现出弹道传输的特点,即电子在材料中的传输过程中几乎没有散射损失,使得器件的电流传输效率非常高。
其次,二维硒化铟材料具有较高的载流子迁移率和较低的漏电流,使得器件的开关速度和功耗都得到了显著的提高。
此外,二维硒化铟材料还具有较宽的能带隙和较高的光吸收能力,使得器件在光电器件领域有着广阔的应用前景。
弹道二维硒化铟晶体管结构在电子器件领域有着广泛的应用。
例如,在高速电子器件中,弹道二维硒化铟晶体管结构可以用于制备高频放大器、混频器和振荡器等器件,以实现高速信号的放大和处理。
在光电器件中,弹道二维硒化铟晶体管结构可以用于制备光电探测器、光电开关和光电传感器等器件,以实现光信号的转换和控制。
此外,弹道二维硒化铟晶体管结构还可以应用于柔性电子器件和生物传感器等领域。
二维材料的合成与光电性能研究过去几十年来,二维材料的研究在纳米科技领域取得了巨大的进展。
二维材料具有独特的结构和性质,对光电器件的开发具有潜在的应用前景。
本文将介绍二维材料的合成方法以及其光电性能的研究。
一、二维材料的合成方法二维材料是由单层原子或分子组成的薄膜,在尺寸上只有纳米级别。
由于其独特的结构和性质,二维材料的合成方法是研究的重点之一。
1. 机械剥离法机械剥离法是最早用于合成二维材料的方法之一。
这种方法通过机械去除多层材料的上层来制备单层材料。
最典型的例子就是以石墨烯为代表的二维材料,通过机械剥离石墨晶体来获得单层石墨烯。
2. 化学气相沉积法化学气相沉积法是一种常用的合成二维材料的方法。
该方法通过将气相中的前驱物分解沉积在基底上形成二维材料。
例如,通过将二氧化硅和金属薄膜一起加热,可以得到二氧化硅的二维形态。
3. 水热法水热法是利用水的溶解性和温度控制来合成二维材料的方法。
通过控制反应温度和压力,在水中溶解材料的前驱物,然后通过水热反应合成二维材料。
例如,氧化钙和硅酸盐在高温高压的条件下,会形成二维结构的钙硅酸盐。
4. 电化学剥离法电化学剥离法通过在电解液中加入合适的电势,将多层材料剥离成单层或者少层材料。
这种方法通常用于合成过渡金属二硫化物等二维材料。
二、二维材料的光电性能研究二维材料由于其特殊的结构和性质,在光电器件中具有广泛的应用前景。
在研究二维材料的光电性能时,以下几个方面是需要重点关注的。
1. 光学性能光学性能是指二维材料对光的吸收、透射、散射等特性。
通过研究二维材料在不同波长下的光学响应,可以了解其光吸收能力和能带结构等信息。
2. 电学性能电学性能是指二维材料的电导率、电阻率、载流子迁移率等电子传输特性。
这些性能对于二维材料在光电器件中的应用非常关键。
3. 光催化性能光催化性能是指二维材料的在光照条件下催化反应的活性。
研究二维材料的光催化性能可以用于制备高效的光催化剂,应用于环境污染治理、能源转换等领域。
二维材料及其电子器件研究进展分析在过去几年里,二维材料的研究引起了广泛的关注。
这些材料具有独特的结构和性能,被认为是下一代电子器件的潜在候选材料。
本文将对二维材料及其电子器件研究的进展进行分析。
首先,我们来了解一下什么是二维材料。
二维材料是指具有纳米尺度厚度的材料,通常仅由一层或几层原子组成。
最著名的二维材料之一是石墨烯(graphene),它由碳原子构成的单层晶格组成。
石墨烯具有惊人的电子迁移率和很高的机械强度,因此被广泛认为是未来电子器件的理想材料之一。
除了石墨烯,还有许多其他具有独特性质的二维材料,如二硒化钝化钯(PdSe2)和二硒化钛(TiSe2)。
这些材料具有不同的能带结构和电子性质,为电子器件的设计和应用提供了更多的选择。
在二维材料的研究中,最令人兴奋的进展之一是制备技术的发展。
过去,二维材料的制备通常是通过机械剥离、化学气相沉积和溶液剥离等方法实现的。
然而,这些方法存在一些限制,如低产率、难以控制结构和质量等。
最近,许多研究人员致力于开发新的二维材料制备技术,如化学气相沉积、减压蒸发和分子束外延等。
这些新技术的发展使得制备出更高质量、更可控的二维材料成为可能。
另一个重要的发展是关于二维材料性质的研究。
由于二维材料的尺度效应,其在电子结构、光学性质和热学等方面表现出与三维材料不同的特点。
例如,二维材料的带隙通常较大,具有较高的载流子迁移率和较短的载流子寿命。
这些独特的性质使得二维材料成为研究新型电子器件的理想平台。
在二维材料的应用方面,电子器件是其中最受关注的领域之一。
石墨烯晶体管是最早被研究的二维材料器件之一,具有很高的开关速度和低噪声特性。
其他的二维材料器件包括光电探测器、光伏电池、超级电容器和柔性电子器件等。
这些器件基于二维材料的特殊性质和结构,具有优异的性能和潜在的应用前景。
然而,二维材料在电子器件中的应用仍然面临着一些挑战和限制。
一方面,二维材料的制备仍然存在一些技术上的难题,如可扩展性、一致性和稳定性等。
二维半导体材料二维材料是指在一个或两个维度上具有纳米尺度的材料,它们通常表现出与其它材料不同的电学、光学、力学和热学性质。
二维半导体材料由于其独特的结构和性能,在纳米电子学、光电子学和纳米器件等领域具有广泛的应用前景。
首先,二维半导体材料具有优异的电学性能。
由于其在一个维度上具有纳米尺度,电子在这一维度上的运动受到限制,从而表现出与体材料不同的电学特性。
例如,石墨烯是一种典型的二维半导体材料,其电子在一个维度上的运动受到限制,因此表现出高载流子迁移率和优异的电导率。
这使得石墨烯在柔性电子器件和高频器件等领域具有广泛的应用前景。
其次,二维半导体材料具有优异的光学性能。
由于其纳米尺度的结构,二维半导体材料表现出与体材料不同的光学特性。
例如,二硫化钼是一种典型的二维半导体材料,其能带结构和光学吸收特性使得其在光电探测器和光电调制器等领域具有广泛的应用前景。
此外,二维半导体材料还具有优异的光电转换效率和光学非线性特性,这使得其在太阳能电池和光通信器件等领域具有广泛的应用前景。
最后,二维半导体材料具有优异的力学和热学性能。
由于其纳米尺度的结构,二维半导体材料表现出与体材料不同的力学和热学特性。
例如,二维硒化钼是一种具有优异弹性和柔韧性的材料,其在柔性电子器件和柔性传感器等领域具有广泛的应用前景。
此外,二维半导体材料还具有优异的热导率和热稳定性,这使得其在热管理器件和热电转换器件等领域具有广泛的应用前景。
综上所述,二维半导体材料由于其独特的结构和性能,在纳米电子学、光电子学和纳米器件等领域具有广泛的应用前景。
随着二维材料研究的不断深入,相信二维半导体材料将会在未来的科技发展中发挥越来越重要的作用。
二维材料的应用研究二维材料,指的是只有一层原子厚度的材料。
这些材料具有独特的物理、化学和机械属性,因此在科学研究和技术应用中具有巨大潜力,引起了广泛的研究兴趣。
近年来,二维材料的研究成果不断涌现,其应用范围也不断扩大。
首先,二维材料在电子器件领域中具有广泛的应用前景。
由于二维材料的电学性质是三维材料的极限,其中最著名的是碳纳米管和石墨烯。
石墨烯具有良好的导热和导电性,可用于制造高性能的场效应晶体管、光电探测器、超快光学调制器等器件。
石墨烯还可制作透明导电膜,在柔性电子器件、柔性光电显示器等领域具有广泛应用前景。
碳纳米管具有优异的力学、电学、光学性能,可应用于纳米电子器件、化学和生物传感器、存储介质等领域。
其次,二维材料还可广泛应用于能源储存和转换。
锂离子电池、超级电容器、太阳能电池等能源储存和转换装置的性能和稳定性受到电极材料的制约。
而二维材料由于具有大表面积和低维度特性,因此可能在未来的能源储存和转换技术中扮演关键角色。
硫化钼、氧化钛、石墨烯等二维材料已被考虑作为电极材料在能源储存领域中得到了广泛研究,其高比表面积和与离子相互作用的电极化学性质使得它们成为理想的电化学电极材料。
此外,二维材料还可应用于生物医学领域。
二维材料的化学稳定性、表面活性和化学反应性使其具有广泛的生物医学应用潜力。
石墨烯氧化物,氧化钼、二硫化钼和氧化钒等材料在生物成像、药物递送、细胞间互作研究、癌症诊断等方面均有广泛的应用前景。
二维材料对生物体的生物相容性、生物安全性和毒性机制等方面的研究正在积极推进。
总之,二维材料因其独特的物理、化学和机械属性已经成为全球研究的热点。
它们在电子器件、能源储存和转换、生物医学等领域中具有广泛的应用前景。
二维材料的研究还处于起步阶段,但未来将会有更多的发现和创新。
基于其他二维材料的光电探测器
正是由于石墨烯的出现,其他的2维材料才重获新生。这里还有数百种层状
材料,能在单层状态下保持稳定,其性能对于石墨烯是一定的补充。过渡金属氧
化物(TMOs)和过渡族金属二硫属化物(TMDs)都有层状的结构。
Mo光电探测器
大多数TMDs的性能已被研究过许多年,而生产二维薄膜的追求开始于Frindt
与Yoffe在1963年的开创性工作。自从1980年代单层Mo的结构和光学性能
就已被探究过的。
(a) (b)
图3.1 (a)2维晶体的能带图,其考虑了到小的肖特基势垒和偏压;(b)光电导探测器的
能带图,其考虑到了空穴陷阱
Mo有一个很大的1.3eV间接带隙,这在1维的Mo中却变成了一
个1.8eV直接带隙[77,78]。这改变了其光学性能,例如其吸收光谱和光致发光的特
性。[77]中,与大块的Mo相比,1维Mo的发冷光量子区域有1000倍
的增强。在1维Mo中光抽运控制的谷极化已被验证过,其极化过程持续时
间超过了1ns。
与典型的直接带隙的半导体相比,TMDs可以具有额外的光电优势,这是因
为它的机械柔韧性和简单的加工过程。大多的基于TMD s的光电探测器工作在偏
压下,像一个光电二极管或者光电导体(如图3.1(a)(b))一样。举个例子,
光电导的1维Mo探测器被发现有880A 的光响应频率([80];图3.2
(b)(d)),但是有一个长的响应时间(约9s),还有GeTe探测器被报道有
=A 和6ms的响应时间。此外,通过变换层数来调整能
隙的能力可允许对不同波长的光的探测。这些器件的局限性——很大的暗电流和
低于1Hz的响应频率——被通过运用在1维W下可实现一个光电二极管的
pn结的分离门电极解决了。基于其他众多层状材料的光电材料,包括Mo
(=0.57A ),GaSe(=2.8A ),GaS(=19A
), (=3.95A ),黑磷和
W(=22μA ),它们都应经被报道过。在金属-TMD结上的
强PTE效应可以用于产生热能的应用上。
(a) (b)
(c) (d)
图3.2 (a)SLG/ W/SLG半导体异质结器件的示意图;(b)一维Mo光电探测器示意 图;
(c)SLG/ W/SLG半导体异质结器件在不同门电压下的I-V关系曲线;(d)有无光照下Mo
光电探测器光响应频率((a)、(c)引自[79],(b)、(d)引自[80])
一个通过把Mo与石墨烯结合起来的新颖混合器件已被验证,其中
Mo层提供可见光的吸收和载流子的俘获,其室温下约为
5A ,其QE约为32%。其速度被限制在约1Hz,这是由于约1s
的俘获寿命。一种包含了一对被一窄隧道结分离的堆叠的SLG相关的器件,其显
示了很强的通道电导率的光选性和宽频带之外的(可见光到MIR)光响应特性
(>1A ,在MIR中)。新晶体管基于被六方氮化硼分隔的两层
石墨烯电极之间垂直输送的机制上,Mo或 W层都已被报道(如图
3.2(a)(b))。同样的混合器件显示出潜在的光电探测器的性能(约为
0.1A ,EQE约为30%)。在这些器件当中,石墨烯层被用来当做功函数
可调的电极,而强光相互作用和光子俘获的TMD被用作光敏材料。
SnS纳米带探测器
SnS可固体化、薄膜化、廉价、无毒、有很好的环境相容性,因此成为太阳
能电池吸收层材料的最佳选择[81-89]。
图3.3 (a) SnS光电探测器的结构示意图,插图是SnS纳米带的SEM;(b)SnS纳米带中
的光生载流子产生;(c)在有/无光照情况下的电流密度-电压曲线;(d) SnS纳米带和颗粒
在瞬态光照下的电流密度随时间的变化曲线(引自[90])
SnS纳米薄膜的载流子浓度约为-,电导率较低为–
s ,载流子迁移率较低约为10-。
陈等人通过多元醇回流作用合成的硫化锡(SnS)纳米带,具有10-20纳米的
厚度和几个微米的长度,通过把SnS纳米带组装成光电传导器件测试了纳米带的
光电导性能,如图3.3(a)(b)。在AM 1.5 G 光照下发现其具有出色的光敏性,
快速的响应和恢复时间的特点,和稳定的开/关循环性能,计算发现平均光电流
密度约87 A ,光响应度约为0.87 mA ,图3.3(c)(d)。
表 性能常数
参考 描述 响应度 探测器类型 带宽 波长
IQE(%) EQE
(%)
18,19 石墨烯-金属结 6.1mA 光电流(PV/PTE) >40GHz 可见光,近红外 10 0.5
30,37,52 石墨烯p-n结 10m A 光电流(PTE) 可见光 35 2.5
20-22 集成波导管石墨烯 0.13 A 光电流(PV/PTE) >20GHz 1.3-2.75μm 10 10
90 石墨烯-硅异质结 0.435A 肖特基光电二极管 1kHz 0.2-1μm 65
31 室温偏压下的石墨烯 0.2m A 测辐射热 可见光,红外
94 低温下双通道双层石墨烯 V 测辐射热 >1GHz 10μm
105 混合石墨烯-量子点 A 光电晶体管 100Hz 0.3-2μm 50 25
63 有THz触角的石墨烯 1.2V 过阻尼等离子体波 1,000μm
120 有交叉触角的石墨烯 5n A 光伏和光诱导光电二极管i 20GHz 2.5THz
147,148 石墨烯-TMD-石墨烯异质结构 0.1 A 垂直光电二极管 <650nm 30
130 偏压下的Mo 880 A 光电导体 0.1Hz <700nm
143 石墨烯双层异质结构 >1 A 光电晶体管 1Hz 0.5-3.2μm
7,8,134 Wp-n结 16m A p-n光电晶体管 <750nm 60 3
136 GaS纳米带 19.1 A 光电导体 >10Hz 0.25-0.5μm