半导体激光器驱动电路设计_图文(精)
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半导体激光器驱动电路设计(两款半导体电路设计)一。
半导体激光器驱动器输出电路的设计随着科学技术的飞速发展,半导体激光器技术已深入到国民经济和国防建设的各个领域。
半导体激光器具有其它激光器无法比拟的特性,比如:常见的激光器如He-Ne激光器,采用高压激发(约1500V),而半导体激光器采用3~5V的低电压激发,相比之下,半导体激光器的激励方式较为安全,并且效率比普通激光器高数十倍;在一些测量仪器中,选用半导体激光器照明,能满足单色性好,相干性好,光束准直,精度高等要求,在远距离通讯、激光雷达、数字信号的存储和恢复、激光测距、机器人、全息应用、医学诊断等方面都有广泛的应用。
但半导体激光器对工作条件要求苛刻,在不适当的工作或存放条件下,会造成性能的急剧恶化乃至失效。
所以,使激光器正常工作的激光器驱动电源就显得尤为重要。
因而在实际应用中对激光器驱动器的性能有着很高的要求。
半导体激光器(LD)具有体积小、重量轻、转换效率高、工作寿命长等优点,在工业、军事、医疗等领域得到了广泛应用。
LD是以电流注入作为激励方式的一种激光器,其使用寿命、工作特性在很大程度上取决于所用驱动电源的性能好坏。
半导体激光器本身的性质决定其抗浪涌冲击能力差,这就要求驱动电源的稳定度高,浪涌冲击小,因此驱动电源中需要各种保护电路以满足实际要求。
通常用慢启动电路、TVS(瞬态抑制器)吸收电路、限流电路等来防止浪涌冲击及电流过大。
但大功率半导体激光器的工作电流较大,并且半导体激光器比较脆弱,传统的慢启动电路、TVS 吸收电路不能很好地满足实际要求。
1 半导体激光器驱动器的理论分析半导体激光器的应用广泛,因而其相应的驱动技术也显得越来越重要。
半导体激光器的驱动技术通常采用恒电流驱动方式,在此工作方式中,通过电学反馈控制回路,直接提供驱动电流电平的有效控制,由此获得最低的电流偏差和最高LD(Laser Diode)输出的稳定性。
整体的设计思想是运用负反馈原理稳定输出电流,由此获得最低的电流偏差和最高的电流输出稳定性。
半导体激光器驱动电路设计
1、确定参数:首先,根据所采用的半导体激光器进行相应参数的确定,主要包括输入电压、电流以及恒流模块的参数,根据具体的需要可以完成相应的参数确定。
2、结构设计:根据参数确定进行激光器驱动电路的结构设计,结构设计应考虑激光输出能力、负荷及恒流模块的输出的特性,满足激光器输出功率的要求;
3、计算电阻:对于激光驱动电路来说,为保持电流稳定,应据恒流模块的输入电流和输出电压计算电路上的各种电阻值,以便达到设计要求。
4、电路测试:经过上述步骤确定激光驱动电路的参数,在完成电路的组装后应对原装驱动电路进行相应的测量,在测量的时候需要考虑负载的幅值、波形及相位等因素,最后,验证激光输出的功率是否满足设计要求,同时检查电路中各部分是否运行正常。
5、微调激光器参数:最后,产品上线前将对激光器的参数进行微调,确保激光器的输出参数满足所设定的要求,同时可以调节激光的输出功率等参数,以规避在实际使用中出现的误差。
以上就是关于半导体激光器驱动电路设计的介绍,希望对大家有所帮助。
半导体激光管驱动电源电路原理图半导体激光管(LD)和普通二极管采用不同工艺,但电压和电流特性基本相同。
在工作点时,小电压变化会导致激光管电流变化较大。
此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。
二极管激光器对它的驱动电源有十分严格的要求;输出的直流电流要高、电流稳定及低纹波系数、高功率因数等。
随着激光器的输出功率不断加大,需要高性能大电流的稳流电源来驱动。
为了保证半导体激光器正常工作,需要对其驱动电源进行合理设计。
并且随着高频、低开关阻抗的MOSFET技术的发展,采用以MOSFET为核心的开关电源出现,开关电源在输出大电流时,纹波过大的问题得到了解决。
由于大电流激光二极管价格昂贵,而且很容易受到过电压,过电流损伤,所以高功率仅仅有大电流开关模块还不能满足高功率二极管激光器的要求,还需要相应的保护电路。
要保证电压、电流不要过冲。
因此,需要提出一整套切实可行的技术措施,来满足高功率二极管激光器的需要。
1系统构成装置输入电压为24V,输出最大电流为20A,根据串联激光管的数量输出不同电压。
如果采用交流供电,前端应该采用AC/DC作相应的变换。
该装置主要部分为同步DC/DC变换器,其原理图如图1所示。
Vin为输入电压,VM1、VM2为MOSFET,VM1导通宽度决定输出电压大小,快恢复二极管和VM2共同续流电路,整流管的导通损耗占据最主要的部分,因此它的选择至关重要,试验中选用通态电阻很低的M0SFET。
电感、电容组成滤波电路。
测量电阻两端电压与给定值比较后,通过脉冲发生器产生相应的脉宽,保持负载电流稳定。
VM1关断,快恢复二极管工作,快恢复二极管通态损耗大,VM2接着开通续流,减少系统损耗。
2工作原理VM1导通ton时,可得:公式,电流纹波为:公式,VM1关断,电流通过VD续流,接着VN2导通。
由于VM2的阻抗远小于二极管阻抗,因此通过VM2续流。
VMl、VN2触发脉冲如图2所示。
图2中td为续流二极管导通时间。
8/2832-35长春工程学院学报(自然科学版)2020年第21卷第2期J.Changchun Inst.Tech.(Nat.Sci.Edi.),2020,Vol.21,No.2ISSN 1009-8984CN 22-1323/Ndoi:10.3969/j.issn.1009-8984.2020.02.008高稳定度半导体激光器恒流驱动电路设计收稿日期:2020-6-12基金项目:吉林省教育厅“十三五”科学技术研究项目(JJKH20180984KJ)长春市科技计划项目(18SS008)作者简介:黄丫(1978-),女(汉),长春人,讲师,博士主要研究高速光电子学。
黄 丫1,3,田小建2,于 兰1,卢 虹1,李胜男1,孟 瑜1(1.长春工程学院能源动力工程学院,长春130012;2.吉林大学电子科学与工程学院,长春130012;3.吉林省建筑能源供应及室内环境控制工程研究中心,长春130012)摘 要:设计了一种半导体激光器恒流驱动电路,使用金属—氧化物半导体场效应晶体管作为电流控制元件,通过反馈网络稳定电流,提高驱动电路输出模块的驱动能力和稳定性。
电路中设有限流保护和软起动保护,使半导体激光器驱动电路在提供大输出电流的同时,保证其稳定性、可靠性和安全性。
经实际测试,该驱动电路能够满足设计需求,为其他类似电路的设计提供了参考。
关键词:半导体激光器;恒流驱动;稳定度;软启动中图分类号:TN29文献标志码:A 文章编号:1009-8984(2020)02-0032-040 引言半导体激光器又称为激光二极管,是采用半导体材料作为工作物质的激光器。
半导体激光器是最实用最主要的一类激光器。
它体积小、寿命长,可采用简单的注入电流的方式来泵浦,其工作电压和电流与集成电路兼容,因而可与之单片集成。
基于这些优点,半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面获得了广泛的应用[1-2]。
随着半导体激光器需求量的增加,其驱动电源的重要性也不断提高。
半导体激光器LD 脉冲驱动电路的设计与实验进行脉冲驱动电路的设计主要是由于,半导体激光器在脉冲驱动电路驱动 时,其结温会在半导体激光器不工作的时刻进行散热, 因此半导体激光器在脉冲 电源驱动下,对半导体激光器的散热要求不高。
在设计半导体激光器的脉冲驱动 电源时,也是先仿真后设计的思想,在电路选型上也是力求简单。
1脉冲电源的仿真在进行脉冲电源仿真时,同样选用的 NI 公司的这款MultisimIO 这款电路仿 真软件。
选用的器件是IRF530,信号源是5V ,占款比为50%,频率为50Hz 的 方波信号源;用电阻 R i代替半导体激光器、且将 R i的阻值设置为 1 Q ,用脉冲电源仿真在仿真电路设计的过程中,选用了功率管IRF530作为主开关,对电阻R i上 的电压进行采样,信号源选取的是输出5V 方波的、频率是50Hz 、占款比是50% 的信号源。
在进行仿真前、将示波器的 A 通道接在电阻R i的两端,对整个电路 的电流信号进行监测。
将示波器的 B通道接在信号源的两端,对信号源的输出MultisimIO 的自带示波器对电阻R i两端的电信号进行测量12V VGCMIL........ X SC1A ETinw ______ • 7訂 _________________ 計旷 ____________________ | Triggr SaihpOTi Diu ::-i■< ■ Suli [TvCi; \ Edgt |T" ijp":电信号进行采样,这样通过A、B两通道的电信号进行对比,看脉冲驱动电路能否满设计要求。
根据仿真示波器监测到的数据显示,电阻R i两端的电信号完全是跟信号源的电信号同步变化的,而且波形完全一致。
仿真结果显示电阻R i的峰值电压是为1.145V,说明电路的峰值电流也是1.145A。
在仿真过程中,通过不断的调整信号源的特性,发现电阻R i两端的电压值的大小只与信号源的电压值大小有关系,而与信号源的频率和占空比关系不大,这说明此脉冲仿真电路输出电流值的大小只与信号源输出的电压值大小有关。
半导体激光器LD 开关电源驱动电路的设计和实验开关电源相比线性电源它的转换效率高、电能利用率高,但纹波系数较大,本节将讨论半导体激光器在开关电源驱动下特性分析,并设计出一款稳定的半导体激光器的开关电源驱动电路。
首先应从半导体激光器工作特性出发,分析出开关电源驱动半导体激光器所应具备的条件,而结温、结电压、结电流是直接决定半导体激光器的工作特性的参量,因此分析开关电源驱动半导体激光器的特性、实际就是分析在开关电源驱动下半导体激光器结温、结电压、结电流这三者之间的关系。
1 恒流模式下的结温与工作特性研究根据半导体物理学理论,PN 结在小注入条件下的正向电流与电压近似满足下式:0exp qU I I kT ⎛⎫= ⎪⎝⎭很明显,正向电流和PN 结的节电压不是线性关系。
当载流子大注入时即半导体激光器满足载流子反转,开始向外输出激光时的工作条件,PN 结的电流-电压特性将会发生变化,不在遵从电流和PN 结结电压之间的关系式。
因为P 区为阻止空穴的扩散维持电中性,必然建立一个电场,成为自建电场,这样势必使加载在PN 上的结电压有一部分电压加在P 区。
此时PN 结的电流和结电压的关系公式需加以修正:0exp 2qU I I kT ⎛⎫= ⎪⎝⎭()320exp 2g E I f T T kT -⎛⎫= ⎪⎝⎭I :正向电流;0I :反向饱和电流;U :pn 结正向电压;T :绝对温度;k :波尔兹曼常数; q :为基本电荷电量;其中g E 为温度为0K 时的禁带宽度。
又由()K f T T =,函数()T f 含有32T -,这样K 是一个与温度无关的量,当半导体结在恒流状态时,PN 结的结电压和温度的关系如下式:()2g E kT U InK InI q q=--()2dU k InK InI dT q=-- 由上式可得,在恒流模式下结电压与温度是成线性变化的,随着温度的升高结电压是减小。
当工作在恒流模式下时,dU dT 是恒定的,说明半导体工作在横流模式下的输出状态影响因素少,整个工作状态易于控制。
查阅相关文献资料,设计半导体激光器驱动电路,说明设计思路和电路模块的功能
图1
在半导体激光器的设计中,为了便于对光功率进行自动控制,通常激光器内部是将LD 和背向光检测器PD集成在一起的,见图1。
其中LD有两个输出面,主光输出面输出的光供用户使用,次光输出面输出的光被光电二极管PD接收,所产生的电流用于监控LD的工作状态。
背光检测器对LD的功率具有可探测性,可设计适当的外围电路完成对LD的自动光功率控制。
激光器电路的设计框图如图所示,将电源加在一个恒压电路上,得到恒定的电压,再通过一个恒流电路得到恒定的电流以驱动LD工作.
其中恒压电路如图2,由器件XC9226以及一个电感和两个电容组成。
XC9226是同步整流型降压DC/DC转换器,工作时的消耗电流为15mA,典型工作效率高达92%,只需单个线圈和两个外部连接电容即可实现稳定的电源和高达500IllA的输出电流。
其输出纹波为10mV,固定输出电压在0.9v到4.0V范围内,以loomv的步阶内部编程设定。
该电路中,输出的恒定电压设定为2.6v。
图2
恒流电路如图3,主要由LMV358、三极管以及一些电阻和电容共同组成.LMv358是一个低电压低功耗满幅度输出的低电压运放,工作电压在2.7v到5.5v之间。
从恒压电路输出的2.6V电压经过Rl、RZ分压后,在LMv35s的同相输入端得到恒定电压Up,Up加在一个电压串联负反馈电路上,得到一个输出电压Uo。
Uo再通过一个电阻和电容组成的LR滤波
电路上,得到恒定的直流电压uol,将uol作用在由三极管8050组成的共射级放大电路上,得到恒定的集电极电流Ic,k又通过一个滤波电容得到恒定的直流工作电压。
图3。
第9卷第21期2009年11月167121819(2009 2126532204科学技术与工程Science Technol ogy and EngineeringVol 19No 121Nov . 2009Ζ2009Sci 1Tech 1Engng 1通信技术半导体激光器驱动电路设计何成林(中国空空导弹研究院, 洛阳471009摘要半导体激光驱动电路是激光引信的重要组成部分。
, , 并设计了一款低功耗、小体积的驱动电路, 对类似电路设计有很好的借鉴作用。
关键词激光引信中图法分类号T , 主要由发射系统和接收系统组成。
发射系统产生一定频率和能量的激光向弹轴周围辐射红外激光能量, 而接收系统接收处理探测目标漫反射返回的激光信号, 而后通过信号处理系统, 最终给出满足最佳引爆输出信号。
由此可见, 激光引信的探测识别性能很大程度上取决于激光发射系统的总体性能, 即发射激光脉冲质量。
而光脉冲质量取决于激光器脉冲驱动电路的质量。
因此, 半导体激光器驱动电路设计是激光引信探测中十分重要的关键技术。
图1驱动电路模型放电, 从而达到驱动激光器的目的。
由于激光引信为达到一定的探测性能, 通常会要求激光脉冲脉宽窄, 上升沿快, 一般都是十几纳秒甚至几纳秒的时间。
因此在选择开关器件时要求器件开关速度快。
同时, 由于激光器阈值电流、工作电流大[1]1脉冲半导体激光器驱动电路模型分析激光器驱动电路一般由时序产生电路、激励脉冲产生电路、开关器件和充电元件几个部分组成, 如图1。
图1中, 时序产生电路生成驱动所需时序信号, 一般为周期信号。
脉冲产生电路以时序信号为输入条件。
根据其上升或下降沿生成能够打开开关器件的正激励脉冲或负激励脉冲。
开关器件大体有三种选择:双极型高频大功率晶体管、晶体闸流管电路和场效应管。
当激励脉冲到来时, 开关器件导通,充电元件通过开关器件和激光器构成的回路2009年7月14日收到, 需要在开关器件导通一瞬间, 充电元件所存储的电能瞬间释放, 因此要求开关器件寄生参数小, 而且充电元件自身能够迅速充放电。
第8卷 第4期信息与电子工程Vo1.8,No.4 2010年8月INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Aug.,2010文章编号:1672-2892(2010)04-0441-04大功率半导体激光器驱动电路马良柱,宋志强,刘统玉,王 昌,陈汝波(山东科学院激光研究所山东省光纤传感器重点实验室,山东济南 250014)摘要:为实现30W连续掺Yb光纤激光器,设计一种大功率(10A)半导体激光器(LD)的驱动电路,该恒流源电路采用功率场效应管作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流,正向电流0A~10A连续可调,纹波峰值为10mV,输出电流的短期稳定度达到1×10-5,具有过流保护、防浪涌冲击的功能。
实际应用在30W连续掺Yb光纤激光器中,结果表明该驱动电路工作安全可靠。
关键词:半导体激光器;驱动电路;场效应管中图分类号:TN248 文献标识码:APower driving circuit of Laser DiodeMA Liang-zhu,SONG Zhi-qiang,LIU Tong-yu,WANG Chang,CHEN Ru-bo (Shandong key laboratory of optic fiber sensing,Laser Institute,Shandong Academy of Sciences,Tsinan Shandong 250014,China)Abstract:This paper introduces a power driving circuit for Laser Diode(LD). It adopts power Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(MOSFET) as adjust device,and apply current negativefeedback to ensure constant current output. The output current is a forward current adjustable in 0A–10Arange with ripple less than 10mV,whose short-term stability has reached 1×10-5. This circuit also bearsfunctions including maximum current,surge current limitation and slow start. It has been applied as pumpsource for a Yb doped optic fiber laser,and the experimental results has proved its reliability and safety.Key words:Laser Diode;driving circuit;Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor半导体激光器(LD)具有尺寸小、重量轻和低电压驱动、直接调制等特点,还具有高单色性、高相干性、高方向性和准直性的优良特性,广泛应用于国防、科研、医疗、光通信和光传感等领域[1]。
第9卷第21期 2009年11月1671 1819(200921 6532 04科学技术与工程Science T echno logy and Eng i neeringV o l9 N o 21 N ov .2009 2009 Sci T ech Engng通信技术半导体激光器驱动电路设计何成林(中国空空导弹研究院,洛阳471009摘要半导体激光驱动电路是激光引信的重要组成部分。
根据半导体激光器特点,指出设计驱动电路时应当注意的问题,并设计了一款低功耗、小体积的驱动电路。
通过仿真和试验证明该电路能够满足设计需求,对类似电路设计有很好的借鉴作用。
关键词激光引信半导体激光器窄脉冲中图法分类号 TN 242; 文献标志码A2009年7月14日收到作者简介:何成林(1982 ,男,湖北利川人,助理工程师,硕士,研究方向:激光引信技术,Emai:*******************。
激光引信大部分采用主动探测式引信,主要由发射系统和接收系统组成。
发射系统产生一定频率和能量的激光向弹轴周围辐射红外激光能量,而接收系统接收处理探测目标漫反射返回的激光信号,而后通过信号处理系统,最终给出满足最佳引爆输出信号。
由此可见,激光引信的探测识别性能很大程度上取决于激光发射系统的总体性能,即发射激光脉冲质量。
而光脉冲质量取决于激光器脉冲驱动电路的质量。
因此,半导体激光器驱动电路设计是激光引信探测中十分重要的关键技术。
1 脉冲半导体激光器驱动电路模型分析激光器驱动电路一般由时序产生电路、激励脉冲产生电路、开关器件和充电元件几个部分组成,如图1。
图1中,时序产生电路生成驱动所需时序信号,一般为周期信号。
脉冲产生电路以时序信号为输入条件。
根据其上升或下降沿生成能够打开开关器件的正激励脉冲或负激励脉冲。
开关器件大体有三种选择:双极型高频大功率晶体管、晶体闸流管电路和场效应管。
当激励脉冲到来时,开关器件导通,充电元件通过开关器件和激光器构成的回路图1 驱动电路模型放电,从而达到驱动激光器的目的。
由于激光引信为达到一定的探测性能,通常会要求激光脉冲脉宽窄,上升沿快,一般都是十几纳秒甚至几纳秒的时间。
因此在选择开关器件时要求器件开关速度快。
同时,由于激光器阈值电流、工作电流大[1],需要在开关器件导通一瞬间,充电元件所存储的电能瞬间释放,因此要求开关器件寄生参数小,而且充电元件自身能够迅速充放电。
2 脉冲半导体激光器驱动电路设计2.1 时序产生电路设计在激光探测技术中,激光探测信号的发送需要遵循探测系统的时序需求,因此,激光探测信号的发送,需要时序信号来控制。
现有的激光探测系统中,一类是由时序电路自身产生,另一类是对外部输入时钟进行分频或倍频产生,一般采用简单的反相器、移位寄存器等器件就可实现。
本电路采用第一类形式,使用CPLD 自身产生时序信号,信号时序满足探测系统需求,而信号特征根据后续脉冲产生电路输入需求而设计。
由于后续脉冲产生电路需要生成脉宽几十纳秒的正脉冲,因此,时序电路产生的信号占空比极低,信号高电平也仅为几十纳秒。
高电平为VCC1。
另外,通过调整占空比,能够有效控制开关电路的开断时间。
通过使用CPLD 还能够有效减小电路体积。
2.2 脉冲产生电路设计由于开关电路要求前一级电路有较强的驱动能力,因此,对脉冲产生电路的要求是:能够产生开关电路所需的激励信号,并且电路输出端有较强的驱动能力。
传统方法是,使用快速触发器如74hc123对时序信号快速触发,时序信号下降沿来到时,通过74hc123触发生成所需要的脉冲,其宽度可以通过调整C 3、R 2来实现,通过一个反向放大器对脉冲反向放大,而射随电路能够增强电路对后级的驱动能力。
图2 传统脉冲产生电路另一类方法是,选用现有的驱动芯片如I XD _414系列芯片,驱动MOSFET,产生激励脉冲信号。
较之传统方法此类电路设计简单方便、占用空间小。
I XD_414系列芯片分为翻转和非翻转两类,其中I X DN 414为非翻转类芯片。
当前级输入的时序信号为正脉冲(VCC1时,输出激励信号转化为值为VCC2的正向脉冲;当输入的时序信号为低电平时,输出激励信号也为低电平。
可见,I XDN414能够很好的将输入时序信号转化为更高电平的激励信号,提高驱动能力,满足后续开关电路需求。
图3 驱动芯片脉冲产生电路2.3 开关电路设计开关电路由开关器件、充电元件、脉冲半导体激光器以及其它相关电阻电容等元件组成。
其组成示意图如图1虚线框图部分。
当开关器件打开后,开关电路等效于图4所示。
其中,L 1为激光器寄生电感和放电回路杂散电感的总和;C 1为激光器等效电容,C 2为储能电容;R 2为激光器内阻、开关元件内阻、放电回路电阻之和;R 1为激光器等效内阻;R 0为供电电源内阻。
VCC2是激光器供电高电压。
图4 开关电路等效电路图由等效电路图以及文献[2]的电路模型,可以得出结论:需要选择封装电感小、内阻极小的激光器。
要保证充电元件快速放电,要求充电电容本身高频特性好,以及放电回路的杂散参数小。
因此,充电电容选择瓷介质电容以及在PCB 布线时优化布线、在线、过孔,尽量减小回路寄生电感电容的产生。
653321期何成林:半导体激光器驱动电路设计半导体激光器驱动电路所用开关器件,大体有三种:双极型高频大功率晶体管由于电路复杂、效率低,很少采用;晶体闸流管电路简单方便且有负阻区,适合激光器选用,但受到开关速度的限制,在低电压下获得几十纳秒的大电流窄脉冲也较难实现;选用场效应管,则使得设计简单易行。
在选择场效应管时,所选场效应管内阻R须满足:R V CC2-(U TO+I op!R sI op(1式(1中,V CC2 电路正向供电电压;U TO 激光二极管阈值电压(1.5V~2V;I op 激光二极管最大导通电流;R s 激光二极管导通电阻。
试验证明,图5为可以在较低电压的情况下,能够产生大电流驱动脉冲半导体激光器的开关电路,此电路可以产生脉宽为几十纳秒,上升沿为几纳秒的大电流信号。
当输入脉冲为低电平时,电源VCC2对充电电容C2充电到电源电压。
而当输入脉冲为高电平时,场效应管导通,充电电容C2通过漏极、源极、激光器放电,产生几十纳秒的瞬态大电流。
二极管D1起到保护激光器的作用,防止激光器两端电压接反时,损坏激光器。
另外文献[3],由于场效应管的开关速度快, MOS管打开时,由于瞬态耗电流极大,电源电压瞬态拉低;当MOS管关断时,同样会产生过电压。
因此,在设计开关电路时,为防止对共地电源的干扰,需要对电源加入滤波电路或吸收电路,以及在PCB 布板时,优化布局尽量减少电路板分布电感。
图5 开关电路3 试验仿真结果图6的仿真条件是:VCC1电压为+5V、VCC2电压为+25V,时序信号为10k H z 的周期信号,激光器使用理想模型即0.5 电阻,仿真工具为PS i c e,测量对象为激光器瞬态工作电流。
从仿真图上可以看出,激光器电流上升时间约为7ns,峰值为14.2A。
图6 理想模型激光器瞬态电流仿真信号图7的仿真条件是:VCC1电压为+5V、VCC2电压为+25V,时序信号为10k H z 的周期信号,激光器采用图4所示的激光器等效模型(为提高对比效果考虑,仿真采用较大杂散参数,激光器寄生电感20n H,电阻0.5 ,激光器等效电容1nF,从仿真图上可以看出电流上升时间约为18ns,峰值约为14.2A。
通过仿真对比图6、图7,可以知道:激光器的杂散参数会很大程度影响激光器电流的上升速图7 实际模型激光器瞬态电流仿真信号6534科学技术与工程9卷度,为提高激光引信探测性能和探测精度,尽量选择杂散参数小的激光器。
图8为实际设计电路的测试结果(横坐标每格50ns ,纵坐标每格5V ,所测试项目为激光器两端电压。
测试条件是:VCC1电压为+5V 、VCC2电压为+25V,时序信号为10kH z 的周期信号。
电压信号上升沿约为4ns ,幅值约为21.5V 。
考虑到激光器内阻小于1 ,电流能够满足使用要求。
图8 激光器实测电压信号4 结论根据激光引信设计需求,设计了一种半导体激光器驱动电路,经过试验仿真分析,该电路能够产生上升时间小于10ns ,脉宽几十ns ,电压大于20V 的驱动电压。
该激光器驱动电路功耗和体积小,通过对相关电气参数的修改,可以很方便的应用到相关激光引信中,具有一定的参考意义。
参考文献1 黄德修,刘雪峰.半导体激光器及其应用.北京:国防工业出版社,20012 陈炳林,张河,孙全意.微型大电流窄脉宽半导体激光器电源的研究。
仪器仪表学报,2004;25(4:491 4933 H u Chunsheng ,Q i n Sh i q i ao ,W ang X i ngshu.An extre m el y f ast andh i gh pow er laser d i ode dri verm odu le .Proceed i ng of SP I E V o.l 5628.SPI E,B elli ngha m,W A ,2005D esi gn of D rivi ng C ircuit of LDHE Cheng li n(Ch i na A irborneM is s ileA cad e m y ,Luoyang 471009,P .R .Ch i na[Abstract] Driv i n g c ircuit of LD is an i m portan t part of the laser fuse .Pointing to the features o f LD,so m e is sues that should be pay atten ti o n to are discussed.Then a s m all and lo w po w er driving c ircu it is designed .Through PSp ice si m u lation and experi m en,t the circuit can m eet t h e desi g n requ ire m ents .The w ork m ay offer so m e positi v e re ferences for the research area .[Key words] laser fuse LD narro w pu lse653521期何成林:半导体激光器驱动电路设计。