新型表面波等离子体源的诊断及不同工艺条件下的等离子体特性
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新型表面波等离子体源的诊断及不同工艺条件下的等离子体特性
徐均琪1,2*上坂裕之3梅原德次3刁东风41.西安工业大学光电工程学院西安710032;2.西北工业大学材料学院西安710072;3.名古屋大学大学院工学研究科名古屋4648603,日本;4.西安交通大学西安710049DiagnosisandPropertiesofNewlyDevelopedSurfaceWaveSustainedPlasma
XuJunqi1,2*,KousakaHiroyuki3,UmeharaNoritsugu3andDiaoDongfeng41.XianTechnologialUniversity,Xian,710032,China;2.NorthwesternPolytechnicalUniversity,Xian,710072,China;3.NagoyaUniversity,Furocho,Chikusaku,Nagoya,4648603,Japan;4.XianJiaotongUniversity,Xian,710049,ChinaAbstractAnoveltechniquehasbeendeveloped,usingasingleLangmuirprobe,todiagnosetheplasmageneratedwithanewlydevelopedsurfacewavesustainedplasma(SWP)sourceworkingunderdifferentconditions.PhysicalpropertiesoftheSWP,suchasitsdensity,itselectrontemperature,itspotentialanditsfloatingpotential,werestudied.Influenceofvariousfactors,includingmicrowavepower,targetvoltageandgaspressure,ontheplasmapropertiesindiamondlikecarbon(DLC)filmgrowthwasalsodiscussed.TheresultsshowthatthenewlydevelopedSWPsourceiscapableofgeneratingplasmawithanelectrondensityupto1.87 1011cm3evenatalowpressureof0.85Pa(atapressureof2.8Pa,itselectrondensityreaches2.1 1012cm3).KeywordsSurfacewavesustainedplasma,Experimentparameter,Electrondensity,DLC摘要表面波等离子体(Surfacewavesustainedplasma,SWP)是近年发展起来的一种新型低压、高密度等离子体。应用这种技术,很容易实现镀膜过程中的离子束辅助沉积(IBAD),从而制备出性能优异的类金刚石薄膜(DLC)。本文介绍了一种新型的SWP源,说明了朗缪尔探针等离子体诊断的基本原理,研究了微波功率、靶电压、真空度等对等离子体特性的影响。测试了不同工艺条件下的等离子体密度,电子温度,等离子体电位,悬浮电位。研究结果表明,微波功率、靶电压和真空度等参数对等离子体特性具有重要的影响。结果同时表明,这种表面波等离子体源即使在085Pa的真空度下也能够产生高达187 1011cm3的电子密度(在28Pa可达21 1012cm3)。关键词表面波等离子体工艺参数电子密度类金刚石薄膜中图分类号:O4845,O43414,O4536文献标识码:A文章编号:16727126(2006)03021405近年来,国内外的许多研究者越来越重视低压、高密度等离子体源的开发和应用,并且已经在机械、电子、半导体晶片加工和材料等领域取得了许多可喜的进展[1~5]。比如电子回旋共振等离子体(electroncyclotronresonance,ECR)、电感耦合等离子体(inductivelycoupledplasma,ICP)、螺旋波等离子体(heliconwaveplasma,HWP)、螺旋共振等离子体(helicalresonatorplasma,HRP)等等。这些等离子体具有放电稳定、再现性好、大面积均匀及高密度的特点(电子密度可达1011cm3~1013cm3)。表面波等离子体(surfacewavesustainedplasma,SWP)就是这样一种高密度等离子体。与其他相比,表面波等离子体不仅具有低压、高密度的特点,同时离子源结构简单,不需要外部磁场,操作方便,并且可以在很宽的微波频率范围内放电,其频率范围可以从几MHz到十几GHz[3]。因此,表面波等离子体具有更加广泛的应用前景。类金刚石薄膜(DLC)由于具有许多独特的特点收稿日期:20050617*联系人:讲师,博士生,Tel:(029)
83208210,Email:jqxu2210@163.com214真空科学与技术学报CHINESEJOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY第26卷第3期2006年5、6月而广泛地应用在各个领域。比如红外区透明、机械硬度高、电阻率高和化学性能稳定,鉴于此,研究者现已开发了多种制备DLC膜的工艺和方法[6~8]。然而,目前对DLC膜的应用仍局限在一定的范围和领域内,这主要是因为各种制备方法和手段还存在着这样那样的缺陷,DLC膜的特性在很大程度上依赖于沉积条件[9]。一些研究者报道了电子温度低于2.5eV时可以得到硬度较大的DLC薄膜[10],另一些则认为离子能量、靶偏压等都会对薄膜特性和结构产生极大的影响[11,12]。因此,有必要对不同工艺条件下的电子密度、电子温度等特性进行研究,以指导工艺研究的进行。本文详细介绍了朗缪尔探针等离子体诊断的基本理论,研究了微波功率、靶偏压和真空度对等离子
图1表面波等离子体实验装置简图Fig1Schematicdrawingofthesurfacewavesustainedplasmaexperimentalapparatus密度、电子温度、等离子体电位和悬浮电位的影响。
1实验装置及条件图1是表面波等离子体设备的结构简图。整个装置由微波发生器、波导管、真空反应室和真空系统组成。微波发生器产生频率为245GHz的微波,经过匹配器和波导管,进入石英窗,在真空室内激励等离子体。圆柱型真空室的直径是150mm,长度500mm。该设备不需要外部磁场就能产生高密度的等离子体。通过调节匹配器螺钉,可以将反射微波功率降低,从而获得最大的功率效率。靶材安置在真空室中心,是直径为10mm,长度188mm的高纯石墨棒(纯度99999%),基片放置在靶下方60mm处。靶上可以加0到1000V的直流负偏压。当高密度的等离子体产生后,一部分Ar+溅射靶材,使碳粒子沉积在基片表面,另一部分Ar+轰击基片,形成溅射过程中的离子束辅助沉积。实验装置的本底真空度为4 103Pa,工作气体为99999%的高纯氩气,用质量流量计来控制流量。微波发生器的功率范围在100W到500W时,可以得到稳定的等离子体。实验中,用朗缪尔探针测量伏安曲线,再用相应公式计算等离子体参数。其中,探针放置在距微波输入石英窗100mm,距离靶中心35mm处,如图1所示。真空系统由一个机械泵和一个扩散泵组成,抽气口位于真空室壁,而工作气体入口接近真空室微波入口的一端。在常规的表面波等离子体源中,高密度的等离子体通常产生于绝缘材料的表面,例如石英窗、石英管的表面[1~3]。然而,为了采用SWP技术利用PVD方法制备高性能的DLC膜,在我们的这种新型设备中,高密度的等离子体产生于导体(石墨)的表面。实验表明,起初微波的传播沿着入射石英窗表面进行,因而等离子体仅产生于石英窗表面,当在靶上加上一定的偏压后,等离子体随着靶偏压的升高而沿着靶扩散,微波沿着高密度等离子体和离子鞘层的界面传播,从而在靶表面产生高密度的等离子体。实验中,每次测试时,首先保证真空达到本底真空度,然后输入微波和工作气体产生等离子体,对基片清洗5min后再进行诊断。这一过程保证了测试
图2典型的朗缪尔探针伏安特性曲线Fig2TypicalcurrentvoltagecurveofaLangmuirprobe条件和沉积DLC膜的条件是一致的。2等离子体诊断原理朗缪尔探针(又称静电探针)是最早用来测试等离子体特性的一种诊断工具。它的理论相当复杂,但简单情况下,可以从探针的伏安特性曲线计算出等离子体的重要参数。典型的探针伏安特性曲线如图2所示。其中,VB是探针对地的电压,I是流经探针的电流。从这条曲线上,我们很容易就可以得到悬浮电位f(探针电流为0时的电压)和等离子体215第3期徐均琪等:新型表面波等离子体源的诊断及不同工艺条件下的等离子体特性电位p(探针伏安特性曲线上斜率最大点的横坐标)。对于圆柱型探针,根据Laframboise方程,鞘层边缘的电子(或离子)密度ns可以由下式得到[13],I=2enSad2e|P-VB|m1/2(1)其中,I是电子或离子电流,m是撞击到探针表面的粒子(电子或离子)质量。a和d是探针的直径和长度,分别为025mm和5mm,e是电子电荷。当探针电压VB<>Vf时,探针电流倾向电子饱和电流。由式(1)计算得到的电子密度(或离子密度)仅是鞘层边缘的密度,为了得到等离子体中的电子密度nb,需要运用玻尔兹曼关系,nS=nbeP/Te!0.61nb(2)电子温度可以从下式计算得到,lnIeIesat=VB-PTe(3)这里,Ie和Iesat分别是电子电流和电子饱和电流。从以上几个公式,就可以得到等离子体密度、电子温度、悬浮电位和等离子体电位等参数。
3实验结果与讨论为了研究不同工艺参数下制备DLC薄膜时等离子体行为和特性,结合镀制的具体条件,我们设计了12种测试条件,如表1所示。鉴于微波功率是影响薄膜质量的至关紧要的因素,因此将微波功率作为重点考察的对象。同时选取了不同靶偏压和真空度用于比较。根据以上实验结果,我们可以发现不同的工艺参数对等离子体具有不同的影响。表1实验条件Tab.1ExperimentconditionsNo.微波功率/W真空度/Pa靶电压/V12341502102703300.850.850.850.85-200-200-200-200组1