材料电阻率的测量
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体积电阻率测试方法一、四电极法四电极法是一种常用的测试体积电阻率的方法。
这种方法的原理是通过在材料上施加电压,利用测得的电流与电压值计算出电阻率。
四电极法使用四个电极,两个电极用于施加电压,另外两个电极用于测量电流值,以避免电极接触电阻的影响。
这种方法可以消除电极接触电阻对测量结果的影响,提高测试的精确性。
二、平板法平板法也是一种常用的测试体积电阻率的方法。
这种方法的原理是将材料切割成平板状,然后在平板的两个表面施加电压,测量通过材料的电流值。
通过测量到的电流值和电压值可以计算出材料的电阻率。
平板法适用于较薄的材料,可以提供相对准确的测量结果。
三、浸涂法浸涂法是一种用于测量体积电阻率的方法,适用于固态材料以及液态材料。
这种方法的原理是通过将电极浸入待测材料中,测量电极之间的电阻值,从而计算出体积电阻率。
浸涂法可以在现场进行,测试过程比较简单方便,但需要注意选择合适的电极材料,以保证测量结果的准确性。
四、传导率法传导率法是一种用于测量体积电阻率的方法,适用于液态材料。
这种方法的原理是通过测量电阻和电压值,计算材料的电导率,然后根据电导率和样品的尺寸计算体积电阻率。
传导率法可以提供相对准确的结果,但需要涉及到电液体性质相关的知识。
五、体积电阻计测体积电阻计是一种专门用于测量体积电阻率的设备。
它通过施加电压和测量电流值来计算出体积电阻率。
体积电阻计可以提供较为准确的测量结果,适用于多种材料。
综上所述,体积电阻率的测试方法有四电极法、平板法、浸涂法、传导率法等。
选择合适的测试方法需要根据材料和实际情况来确定,不同的方法有各自的优势和适用范围。
在进行测试时,需注意选择合适的电极材料、保持良好的测量环境以及准确测量电阻和电压值,以保证测试结果的准确性。
四探针法测电阻率原理
四探针法是一种常用的测量材料电阻率的方法,它通过在材料
表面施加四个电极来测量材料的电阻率。
这种方法可以减少电极接
触电阻对测量结果的影响,提高了测量的准确性。
下面我们将详细
介绍四探针法的原理和测量步骤。
首先,让我们来了解一下四探针法的原理。
四探针法利用了电
流在材料中的传播规律,通过在材料表面施加四个电极,其中两个
电极用于施加电流,另外两个电极用于测量电压。
通过测量施加电
流时的电压差,可以计算出材料的电阻率。
由于四个电极相互独立,可以减少电极接触电阻对测量结果的影响,提高了测量的准确性。
接下来,我们来介绍四探针法的测量步骤。
首先,需要在待测
材料表面选择四个位置,分别施加四个电极。
然后,通过两个电极
施加电流,另外两个电极测量电压。
在测量电压时,需要注意电极
与材料表面的接触质量,以确保测量结果的准确性。
最后,根据测
量得到的电流和电压数据,可以计算出材料的电阻率。
四探针法测量电阻率的原理简单清晰,操作也相对容易。
通过
这种方法可以有效地减少电极接触电阻对测量结果的影响,提高了
测量的准确性。
因此,在科学研究和工程应用中得到了广泛的应用。
总的来说,四探针法是一种有效测量材料电阻率的方法,它利
用了电流在材料中的传播规律,通过在材料表面施加四个电极来测
量材料的电阻率。
这种方法可以减少电极接触电阻对测量结果的影响,提高了测量的准确性。
希望通过本文的介绍,能让大家对四探
针法有一个更深入的了解。
astm d257-14 固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法ASTM D257-14 是美国材料和试验协会 (American Society for Testing and Materials, ASTM) 制定的关于固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率的试验方法的标准。
以下是该标准的一般概述和主要步骤,但请注意具体操作步骤可能有所不同,建议具体参考标准文档以确保准确性。
ASTM D257-14 标准概述:•标题:ASTM D257-14 - Standard Test Methods for DC Resistance or Conductance of Insulating Materials •发布日期: 2014 年试验方法:1. 测试样品准备:获取符合规格的固体绝缘材料样品,确保样品的表面平整、无损伤,并符合所需的尺寸要求。
2. 测试环境:试验通常在特定的温度和湿度条件下进行,以确保结果的可比性。
温度和湿度的控制应符合标准的要求。
3. 体积电阻率测试:•使用适当的测试装置(可能是四探头体积电阻率仪),将电流引入样品,测量样品的电阻,通过计算得到体积电阻率。
•根据标准规定的电流值、电压值和测量时间,执行测试。
4. 表面电阻率测试:•使用特定电极配置,将电流引入样品的表面,测量表面电阻,通过计算得到表面电阻率。
•根据标准规定的电流值、电压值和测量时间,执行测试。
5. 数据记录与报告:记录所有测试条件、测量结果以及相关的环境参数。
按照标准的要求,报告测试结果。
6. 质量控制:根据标准的要求,执行质量控制步骤,确保测试的准确性和可重复性。
请注意,以上只是一般的概述,具体的测试步骤和要求请参考ASTM D257-14 标准文档以确保准确执行。
四探针法测量导体的电阻率电阻率的测量是导体材料常规参数测量项目之一。
测量电阻率的方法很多,如二探针法、三探针法、四探针法、电容---电压法、扩展电阻法等. 四探针法则是一种广泛采用的标准方法,在半导体工艺中最为常用,其主要优点在于设备简单,操作方便,精确度高,对样品的几何尺寸无严格要求.并且四探针法测量电阻率有个非常大的优点,它不需要较准;有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。
本文主要讲述四探针法测量导体材料电阻率的工作原理.直流四探针法也称为四电极法,主要用于半导体材料或超导体等的低电阻率的测量。
使用的仪器以及与样品的接线如图1(a)所示。
由图可见,测试时四根金属探针与样品表面接触,外侧两根1、4为通电流探针,内侧两根2、3为测电压探针。
由电流源输入小电流使样品内部产生压降,同时用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其他二根探针的电压即V23(伏)。
(a)仪器接线(b)点电流源(c)四探针排列图1 四探针法测试原理示意图若一块电阻率为ρ的均匀半导体样品,其几何尺寸相对于探针间距来说可以看作半无限大。
如图1(b)所示, 当探针引入的点电流源的电流为I ,由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面,则在半径为r 处等位面的面积为2πr 2,电流密度为J=I/2πr 2根据电导率与电流密度的关系可得E =2222JI I r r ρσπσπ==由电场强度和电位梯度以及球面对称关系, 则d E dr ϕ=- 22I d Edr dr r ρϕπ=-=-取r为无穷远处的电位为零, 则()202r r r dr d Edr r ϕρϕπ∞∞-I =-=⎰⎰⎰ 则距点电荷r 处的电势为 ()2I r r ρϕπ=上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为r的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式,它代表了一个点电流源对距离r处的点的电势的贡献.1. 非直线型四探针对于图1(c)的情形, 四根探针位于样品中央,电流从探针1流入 从探针4流出, 则可将1和4探针认为是点电流源,2和3探针的电位为:2122411()2I r r ρϕπ=- 3133411()2I r r ρϕπ=-2、3探针的电位差为:2323122413341111()2I V r r r r ρϕϕπ=-=--+ 所以可推导得四探针法测量电阻率的公式为:I V C r r r r I V 2313413241223)1111(2=+--∙=-πρ 式中,134132412)1111(2-+--=r r r r C π为探针系数,单位为cm ;r 12、r 24、r 13、r 34分别为相应探针间的距离。
范德堡法测量电阻率一、概述范德堡法是一种测量导体电阻率的方法,由德国物理学家范德堡于1857年发明。
这种方法利用了导体内部电流分布的特性,通过测量导体两端电压和电流大小来计算出导体的电阻率。
二、原理范德堡法的原理基于欧姆定律和库仑定律。
假设在导体中通以恒定电流I,那么根据欧姆定律可以得到:V=IR其中,V为导体两端的电压,R为导体的电阻。
根据库仑定律,当在导体中通以恒定电流时,在导体内部会发生电场分布。
假设在距离导体表面d处取一个截面S,则该截面上单位长度处的电场强度E与该点距离表面的距离r成反比关系:E=ρI/2πr其中ρ为导体材料的比电阻率。
因此,在距离表面d处取一个长度L,则该长度上单位长度处的总电势差ΔV为:ΔV=∫(E dr)=ρIL/2π ln(d/r)将ΔV代入欧姆定律中可得到:R=(ΔV/I)L/ln(d/r)因此,通过测量导体两端的电压和电流大小,以及取样长度和距离表面的距离,即可计算出导体的电阻率。
三、实验步骤1. 准备一根长导体,将其固定在水平台架上,并用细砂纸打磨其表面以去除氧化层。
2. 将导体两端连接到直流稳压电源和数字万用表上,并将万用表调至电流测量模式。
3. 将直流稳压电源输出电流调至一定值(例如0.5A),并记录下来。
4. 用卡尺测量导体的长度L,并将取样长度设置为L/2。
5. 在导体表面距离d处取一个截面S,并用数字万用表测量该截面上单位长度处的电势差ΔV。
6. 根据实验数据计算出导体的比电阻率ρ,进而得到导体的电阻率R。
7. 反复进行多次实验,取平均值并计算误差。
四、注意事项1. 导体必须保持干燥和清洁,以确保准确测量。
2. 测量时应注意避免产生热效应和磁效应对实验结果的影响。
可以在实验过程中适当降低电流强度以减少热效应。
3. 实验数据的精确度和准确性取决于仪器的精度和实验操作的技能水平。
因此,在进行实验前应仔细检查设备并熟悉实验操作流程。
五、应用领域范德堡法广泛用于测量导体的电阻率,特别是在材料科学、电子工程和物理学等领域中得到广泛应用。
静电耗散材料电阻和电阻率的测量
静电耗散材料电阻和电阻率的测量表面电阻/表面电阻率, 体积电阻/体积电
阻率, 点对点电阻, 接地电阻的测量l 表面电阻, 体积电阻, 点对点电阻, 接地
电阻单位: Ωl表面电阻率单位: Ω/□l体积电阻率单位: Ω•cml静电耗散材料标准:n 表面电阻: 104-1011Ω;表面电阻率: 105-1012Ω/□n体积电阻: 104-1011Ω;体积电阻率: 104-1011Ω•cmn点对点电阻:104-1011Ωn工作台面接地电阻:109 Ωn防静电地板接地电阻:109Ωn导静电地板接地电阻:106Ωl测试仪器:重锤式静电电阻测试仪(测试方法:直流法)表面电阻和表面电阻率测试
采用TOM600ME 或TOM374 静电电阻仪,配RME 1 同心圆重锤电极(如图1)
体积电阻和体积电阻率测试采用TOM600ME 或TOM374 静电电阻仪,配
ME250 重锤电极1 对(如图2)
tips:感谢大家的阅读,本文由我司收集整编。
仅供参阅!。
四探针法测量电阻率和薄层电阻一、引言电阻率是半导体材料的重要参数之一。
电阻率的测量方法很多,如三探针法、霍尔效应法、扩展电阻法等。
四探针法则是一种广泛采用的标准方法,其主要优点在于设备简单、操作方便、精确度高、对样品的几何尺寸无严格要求。
不仅能测量大块半导体材料的电阻率,也能测量异形层、扩散层、离子注入层、外延层及薄膜半导体材料的电阻率,因此在科学研究及实际生产中得到广泛利用。
二、实验目的1.掌握四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻的原理及方法;2. 了解四探针测试仪的结构、原理和使用方法。
三、实验原理1. 体电阻率测量假定一块电阻率ρ均匀的半导体材料,其几何尺寸与测量探针的间距相比较可以看作半无穷大,探针引入的点电流源的电流强度为I 。
那么,对于半无穷大样品上的这个点电流源而言,样品中的等电位面是一个球面,如图1所示。
图1 半无穷大样品点电流源的半球等位面对于离开点电流源半径为r 的半球面上的P 点,其电流密度j 为22I j r π= (1) 式中,I 为点电流源的强度,22r π是半径为r 的半球等位面的面积。
由于P 点的电流密度与该点处的电场强度E 存在以下关系:()E r j ρ= (2)则: 2()()2I dV r E r j r drρρπ⋅=⋅==- (3) 设无限远处电位为零,即()0r V r →∞=,则P 点的电位可以表示为 ()()2rI V r E r dr rρπ∞=-=⎰ (4) 上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为r 的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式,它代表了一个点电流源对距离r 处的点的电势的贡献。
图2 任意位置的四探针对图2所示的情形,四根探针位于样品中央,电流从探针1流入,从探针4流出, 则可将1和4探针认为是点电流源,由(4)式可知,2和3探针的电位2V 、3V 分别为: 2122411()2I V r r ρπ=- (5) 3133411()2I V r r ρπ=- (6) 2、3探针的电位差为: 2323122413341111()2I V V V r r r r ρπ=-=--+ (7) 所以,样品的电阻率为: 1231224133421111()V I r r r r πρ-=--+ (8) 上式就是利用直流四探针法测量电阻率的普遍公式。
半导体电阻率的测量半导体材料的电阻率,是判断材料掺杂浓度的一个主要参数,它反映了补偿后的杂质浓度,与半导体中的载流子浓度有直接关系。
最早用来测量电阻率P的方法是用一个已知尺寸的矩形样品来测量电阻尺,直接利用ρ=(V·S)/(I·L)得到电阻率,但对于半导体材料,这样测量的电阻率将包括一个不可忽略的接触电阻项。
金属探针与半导体相接触的地方有很大的接触电阻,这个电阻甚至远远超过半导体本身的体电阻。
因此不能用直接法测量半导体材料的电阻率。
常用的接触式测量半导体材料电阻率的方法主要有如下几种:两探针法;三探针法;四探针法;单探针扩展电阻法;范德堡法。
在这篇文章中,我们将主要介绍各种测量半导体电阻率的方法。
(一)两探针法两探针法的主要想法,是利用探针与体电阻直接接触,避免了与测试电阻的接触从而消除误差。
试样为长条形或棒状,且视为电阻率均匀分布。
word编辑版.利用高阻抗的电压计测量电阻上的电压从而得到流过半导体的电流,再利用电压计测得半导体上流过单位长度的电压压降,再测得长度L,从而得到ρ=(V*S)/(I*L),S为试样表面积。
(二)三探针法三探针法适用于测量相同导电类型,低阻衬底的外延层材料的电阻率。
该方法是利用金属探针与半导体材料接触处的反向电流.电压特性、测定击穿时的电压来获得材料电阻率的知识的。
金半接触反向偏置时,外电压几乎全部降在接触处,空间电荷区中电场很大,载流子在电场作用下与晶格原子发生碰撞电离。
随着外电场增加,发生雪崩击穿,击穿电压与掺杂浓度有关,具体关系由经验公式给出,再根据电阻率与杂质浓度的关系图线,从而可以得到材料的电阻率。
(三)四探针法直线四探针法是用针距约为1毫米的四根探针同时压在样品的平整表面上,。
利用恒流源给l、4探针通以一个小电流,然后用高输入阻抗的电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压。
利用高阻值电压计测得2、3探针间的电压值,为探针系数是常数,C=V*C/I。
电阻率测量公式电阻率是反映材料导电性能的物理量,在物理学中,测量电阻率有着重要的意义和应用。
要搞清楚电阻率测量公式,咱们得先从基础概念说起。
咱们先来想象一下这样一个场景:在一个实验室里,几位同学正围着一台实验仪器,专注地进行着电阻率的测量实验。
他们的眼神中充满了好奇和期待,手里拿着各种测量工具,小心翼翼地操作着。
电阻率的定义是:某种材料制成的长为 1 米、横截面积为 1 平方米的导体的电阻。
它的数学表达式是ρ = R×S / L 。
其中,ρ 表示电阻率,R 是电阻,S 是导体的横截面积,L 是导体的长度。
为了更深入地理解这个公式,咱们来具体分析一下每个量。
先说电阻 R ,它可以通过伏安法来测量。
就是给导体加上一个已知的电压,然后测量通过导体的电流,根据欧姆定律 R = U / I ,就能算出电阻 R 。
比如说,给一个导体加上 5 伏的电压,测量到通过的电流是 1 安,那电阻就是 5 欧姆。
再说说横截面积 S ,这就得准确测量导体的直径或者边长。
假设我们测量的是一根圆柱形的导线,用游标卡尺测量出它的直径 d ,那横截面积 S 就等于π×(d/2)² 。
然后是导体的长度 L ,这个相对好测量,用尺子量一下就行。
但要注意测量的准确性,尺子的精度要足够高。
咱们回到开头说的那个实验室场景。
同学们在测量一根细铜丝的电阻率。
他们先用游标卡尺仔细地测量了铜丝的直径,读数的时候眼睛都快贴到尺子上了,就怕读错了。
然后把铜丝接入电路,调整电源电压,认真地记录着电压表和电流表的示数。
计算的时候,一个同学因为粗心算错了,旁边的小伙伴赶紧指出来,大家一起重新计算,最终得出了比较准确的电阻率值。
在实际应用中,电阻率测量公式非常有用。
比如在选择电线材料时,我们需要知道不同材料的电阻率,来确定哪种材料更适合传输电流,减少能量损耗。
又比如在研究半导体材料的性能时,准确测量电阻率能帮助科学家了解材料的导电特性,从而改进半导体器件的制造工艺。
半导体材料四探针电阻率测试步骤流程
半导体采用四探针法测试电阻率及电导率,他的性质在一般情况下,半导体电导率随温度的升高而减小,这与金属导体恰好相反。
上述特征的材料都可归入半导体材料的范围。
反映半导体材料内在
基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而
引起的物理效应和现象,这些为半导体材料的半导体性质。
半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导
体和非晶态与液态半导体。
备制不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶
的切片、磨片、抛光片、薄膜等。
半导体材料的不同形态要求对应
不同的加工工艺。
半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。
不同的特性半导体
材料决定不同的用途。
下面就半导体材料四探针电阻率测试仪给大家介绍下操作流程及操
作步骤,就FT-341四探针电阻率测试仪为例,来做详细的介绍:
通讯接口电脑
电源开关控制按钮测试平台
液晶显示器测试端口
1.先备制好样品,样品一般需要在恒定的环境下放置一定的时间,
来保证样品性质的一致性。
2.开机预热,并准备好电脑开启PC软件,及固定好测试平台的调
节,探头。
3.将样品放置于平台上,并将旋转上下调节旋钮将探头探针调节并
压着样品表面。
4.此时需要在显示器上设置好测试条件,包括:测试电压,电流、
探针间距、通讯方式选择、探针间距等相关数据。
5.结果的输出为:电阻(方阻)、电阻率、电导率等相关数据
6.由于所有的修正数据已经写入软件,则,无需使用者做复杂的计
算,全部由程序来完成。
混凝土材料电阻率检测标准一、前言混凝土是建筑工程中常用的一种材料,其电阻率是衡量其质量的重要指标之一。
本文将详细介绍混凝土材料电阻率检测标准,以供相关从业人员参考。
二、仪器与设备混凝土电阻率检测需要使用特定的仪器和设备,包括:1.电阻率仪:用于测量混凝土材料的电阻率;2.电极:用于与混凝土接触,传递电流和采集电压信号;3.电缆:用于连接电阻率仪和电极。
三、检测前的准备工作在进行混凝土材料电阻率检测前,需要进行以下准备工作:1.选择适当的检测位置:应选取代表性好、没有裂缝、没有钢筋等金属物质的混凝土表面;2.清洁检测位置:应将检测位置表面清洁干净,并用干净的布擦干;3.测量电极的电阻:应先将电极连接好,然后进行电极间的电阻测量。
如果电极间的电阻小于预设值,说明电极连接正常;4.检查电缆:应检查电缆的外观,如果电缆有明显的损坏,则需要更换。
四、检测方法混凝土材料电阻率检测通常采用四电极法,具体步骤如下:1.将两个电极插入混凝土表面:应将两个电极插入混凝土表面,保证电极与混凝土的接触面积大,电极的间隔不应小于混凝土的厚度;2.连接电阻率仪和电极:将电极与电阻率仪连接好;3.进行电极间电阻测量:应先进行电极间的电阻测量,如果电极间的电阻小于预设值,则说明电极连接正常;4.进行电极间电阻差测量:将电阻率仪的电流电极和电压电极分别与两个电极相连,进行电极间电阻差测量;5.记录数据:记录电阻率值和相关参数,如电极间距离、测量时间等。
五、检测结果的分析混凝土材料电阻率检测结果应根据实际情况进行分析,以下方面应予以注意:1.检测结果的可靠性:应根据电极间的电阻和电极间电阻差等参数,判断检测结果的可靠性;2.混凝土材料质量的评价:电阻率值越大,混凝土材料的质量越好;3.混凝土材料的干燥程度:混凝土材料的电阻率受其干燥程度的影响,应注意对检测结果进行合理的解释;4.混凝土材料的成分和密度:混凝土材料的电阻率受其成分和密度的影响,应注意对检测结果进行合理的解释。
表面电阻率测试标准表面电阻率测试标准。
表面电阻率是指材料表面单位面积上的电阻。
在工程领域中,对于涉及电气、电子、光学等方面的材料和器件,表面电阻率的测试是非常重要的。
通过测试表面电阻率,可以评估材料的导电性能,为材料的选择和应用提供重要依据。
因此,建立起一套科学、准确的表面电阻率测试标准,对于保证材料和器件的质量和性能具有重要意义。
一、测试仪器和设备。
在进行表面电阻率测试时,需要使用专门的测试仪器和设备。
通常情况下,常用的测试仪器有电阻计、电阻仪、表面电阻率测试仪等。
这些仪器能够通过电流和电压的测量,计算出材料表面的电阻率数值。
在选择测试仪器时,需要考虑测试的精度、稳定性和适用范围等因素,以确保测试结果的准确性和可靠性。
二、测试方法和步骤。
1. 准备工作。
在进行表面电阻率测试之前,需要对测试仪器和设备进行检查和校准,确保其正常工作。
同时,对待测试材料的表面进行清洁和处理,去除表面的污垢和氧化物,以确保测试的准确性。
另外,还需要选择合适的测试环境和条件,避免外界因素对测试结果的影响。
2. 测试步骤。
(1)将测试电极放置在待测试材料的表面上,确保电极与材料表面良好接触。
(2)通过测试仪器施加一定的电压或电流,记录下相应的电压和电流数值。
(3)根据测试仪器提供的计算公式,计算出材料表面的电阻率数值。
(4)重复多次测试,取平均值作为最终的测试结果。
三、测试标准和要求。
在进行表面电阻率测试时,需要遵守一定的测试标准和要求,以确保测试结果的准确性和可比性。
通常情况下,表面电阻率测试标准包括测试方法、测试条件、测试精度、测试结果的评定标准等内容。
这些标准和要求可以由国家标准、行业标准或者企业内部标准来规定,测试人员需要严格遵守并执行这些标准和要求。
四、测试结果的分析和应用。
通过表面电阻率测试得到的测试结果,需要进行分析和应用。
首先,需要对测试结果进行比对和评定,判断测试材料的导电性能是否符合要求。
其次,根据测试结果,可以对材料的选择、加工工艺、产品设计等方面提出合理的建议和改进措施。
静电耗散材料电阻和电阻率的测量表面电阻/表面电阻率, 体积电阻/体积电阻率, 点对点电阻, 接地电阻的测量l 表面电阻, 体积电阻, 点对点电阻, 接地电阻单位: Ωl 表面电阻率单位: Ω/□l 体积电阻率单位: Ω•cml 静电耗散材料标准:n 表面电阻: 104-1011Ω; 表面电阻率: 105-1012Ω/□ n 体积电阻: 104-1011Ω; 体积电阻率: 104-1011Ω•cmn 点对点电阻:104-1011Ωn 工作台面接地电阻:< 109 Ωn 防静电地板接地电阻:< 109Ωn 导静电地板接地电阻:< 106Ωl 测试仪器:重锤式静电电阻测试仪(测试方法:直流法)表面电阻和表面电阻率测试采用TOM600ME 或TOM374静电电阻仪,配RME 1同心圆重锤电极(如图1)测试支撑板:要求表面光滑,表面电阻应大于1013Ω;尺寸应比实验样品在长度和宽度上多10mm, 支撑板厚度至少1mm 试样:要求为简单几何图形,呈薄板形,最小尺寸为80 x 120mm. 测量时,表面一般不应进行清洁处理。
将RME1电极放置在试样上,仪表显示表面电阻值。
阻值小于104Ω,为静电导体;阻值大于1011Ω,为静电绝缘体;在104Ω-1011Ω之间为静电耗散材料。
表面电阻转换为表面电阻率: Π(d 2 + d 1) Ρs = d 2 – d 1 R s • R s :表面电阻;P s :表面电阻率体积电阻和体积电阻率测试采用TOM600ME 或TOM374静电电阻仪,配ME250重锤电极1对(如图2)点对点电阻,接地电阻测试采用TOM600ME 或TOM374静电电阻仪,配ME250重锤电极1对测试支撑板:要求表面光滑,表面电阻应大于1013Ω;尺寸应比实验样品在长度和宽度上多10mm, 支撑板厚度至少1mm 试样:要求为简单几何图形,尺寸比电极直径大10mm ,测量时,表面一般不应进行清洁处理。
试验六 半导体材料的方阻和电阻率的测量研究1 •掌握四探针法测量半导体材料方阻的基本原理和方法。
2 •掌握半导体电阻率的测量方法。
3.掌握半导体阻值与光照及温度的关系。
实验原理:四探针法是用针距约为1mm 的四根金属同时排成一列压在平整的样品表面 上,如图1-1所示,其中最外部二根(图1-1中1、4两探针)与恒定电流源连 通,由于样品中有恒电流I 通过,所以将在探针2、3之间产生压降V 。
该电流I 、 压降V 与样品方阻甩的关系为R □二C 辛 (1--1)(1--1 )式中C 为修正因子。
如果测量中选择的电流大小等于修正因子C, 那么方阻 毗 应满足下列关系:(1--2)通过以上分析可以知道只要测量电流大小等于修正因子 C,材料的方阻就等 于2、3二探针之间的电压。
半导体材料的电阻率的测量方法很多, 可以直接测量电阻率,也可以先测量 电阻,再通过计算得到电阻率,因为电阻 R 等于:R= s式中P 为材料的电阻率,I 为材料的长度,s 为材料的横截面积。
三、实验内容:1 •用四探针法测量不同尺寸硅片的方阻;实验目的:R = V ( Q / □) 图1—1测量方阻的四探针法原理2•比较表面粗糙度对半导体材料的影响。
3.在有光照和无光照条件下观察硅片方阻值的变化4 •测量电阻随温度的变化规律。
四、实验仪器:SZ-82 数字式四探针测试仪;D41— 5/ZM四探针测试仪;TH2512B智能直流低电阻测试仪;FJ2816RLC自动测量仪。
五、实验步骤:1. 用四探针仪测量方阻(1) 将仪器接上电源,打开仪器电源开关,使其预热十分钟。
(2) 将量程开关置于较大的量程(如300 Q / □, 1000Q / □);将“零点测量” 按键置于“零点”档。
(3) 调节调零旋钮,使方阻指示电表指针为零。
(4) 按下“测量”开关,并将样品置于探针架上,转动测试架旋盘,使探针缓下降,并压紧至被测样品上以保证探针与测试样品之间接触良好。
实验 材料电导率的测量 一、目的要求 1.了解材料的电阻率、电导率的测量方法 1. 掌握材料电导率与电阻率的关系 2.加深理解影响材料导电性能的因素
二、基本原理 欧姆定律
SLRρ=
式中R为导体的电阻,L、S分别为导体的长度和横截面积;ρ为导体的电阻率,电阻率与材料本质有关。 电阻率的单位:Ω⋅m , Ω⋅cm , μΩ⋅cm,工程技术上常用Ω⋅mm2/m。它们之间的换算关系为
1 μΩ⋅cm = 10-9 Ω⋅m = 10-6 Ω⋅cm = 10-2 Ω⋅mm2/m
电阻率与电导率关系为 ρσ
1=
σ的单位为西门子每米S/m。 电性能的测量主要是测量材料的电导率σ及电阻率ρ。
影响材料电阻率的因素
1)材料电阻率与温度的关系 电阻率与温度的关系为 ρt = ρo (1+ αT) 上式一般在高于室温下对大多数材料适用。 2) 合金化与电阻率的关系 当溶入第二相溶质时,溶质破坏了溶剂原有的晶体点阵,使晶格畸变,从而破坏了晶格势场的周期性,增加了电子散射几率,使电阻率增高。 根据马西森定律 ρ = ρ0 + ρ′
ρ0---固溶体溶剂组元的电阻率 ρ′---剩余电阻, ρ′ = CΔρ C—杂质原子含量,Δρ--1%原子杂质引起的附加电阻。 Δρ与溶质浓度和温度有关,随溶质浓度的增加,Δρ偏离严重。 诺伯利定则 Δρ = a + b (ΔZ)2 a、b是随元素而异的常数,ΔZ--溶剂和溶质间的价数差。 3) 电阻率与压力的关系 压力使原子间距缩小,能带结构发生变化,内部缺陷、电子结构都将改变,从而影响金属的导
1电性。电阻率与压力的关系: ρp = ρo (1 + ϕ p) ρo---真空条件下的电阻率;ϕ --压力系数为负值,数量级在10-5∼10-6。 4)冷加工对电阻率的影响 冷加工变形使金属的晶格发生畸变,增加了电子散射几率,使材料的电阻率增加;同时冷加工变还会引起金属原子间的键合的改变,导致原子间距的改变。。 根据马西森定律,冷加工金属的电阻率可写成 ρ = ρ‘ + ρ
M
ρM—表示与温度有关的退火金属的电阻率,ρ‘—是剩余电阻;实验表明ρ‘与温度无关。
5)缺陷对电阻率的影响 大量空位、间隙原子、位错等晶体缺陷,引起点阵周期势场的破坏,使电阻率增加。根据马西森定律,缺陷引起电阻率的增值ρΔ
等于
ρρρΔ=Δ+Δ
空位位错
ρΔ空位为空位对电子散射引起的电阻率增量;ρΔ
位错为位错对电子散射引起的电阻率增量。
6)电阻率的尺寸效应和各向异性 当导电电子的自由程同试样尺寸是同一量级时,材料的导电性与试样几何尺寸有关。对于金属薄膜和细丝材料的电阻尤其重要。因为电子在薄膜表面会产生散射,构成了新的附加电阻。
0dρρρ=+
薄膜试样的电阻率 ρ
d = ρ∞ (1+L/d) ρ∞
--为大尺寸试样的电阻率。-试验表面的电子自由程,-薄膜厚度。 Ld
电阻率的各向异性通常在对称性较高的立方晶系中表现不明显,但在对称性较差的六方、四方、斜方晶系中,导电性表现为各向异性。电阻率在垂直或平行于晶轴方向数量有所差异。 三、仪器与测量 实验一、 电导率σ的测量 一、实验目的 通过测试金属材料的电导率σ,了解金属材料的导电特性;认识不同种类的金属材料以及它们的合金的电导率。通过测量合金的电导率考察合金元素对材料电导率σ的影响。了解涡流
电导仪的使用方法,掌握相对电导率(IACS%)的计算。
二、涡流电导仪简介
金属材料的电导率σ的测量采用涡流电导仪进行测量。工程应用中常用相对电导率(IACS%),它表示导体材料的导电性能。国际上把标准软铜在室温20。C下的电阻率ρ = 0.01724
2Ω⋅mm2/m的电阻率作为100%,其它材料的电导率与之相比的百分数为该材料的相对电导率。
涡流导电仪用于测量有色金属材料的电导率。其中,7501适用于金、银、铜、铝、镁、锌黄铜等金属及其舍金7502适用于青铜、钛合金、不锈钢等。
涡流导电仪也用于与材料电导率直接有关性质的间接测了量。例如:7501可用于铜、铝等铸
件的检验,铜铸件中某元素含量(如磷合量、氧合量)的分析,铝合金铸锭中的铜偏析,不同牌号合金的混料分选,某些合金的硬度、抗拉强验。 三、仪器与样品
图1测试装置图, 方框图
图2测试装置电路原理图 振荡器是由3DG6晶体三级管及石英晶体谐振器组成电感反馈三点式振荡器。由于采用了石英晶体这种具有高Q值的谐振元件,故具有较高的频率稳定度(可达10-9)。
为减少负载对谐振回路的影响,仪器设有缓冲级(功率放大器),它由二只(3DG6)三级管组成乙类推挽放大,以保证有足够的振幅和稳定的频率,并减小波形的失真。 交流电桥是本仪器的核心部分,电路结构如图所示:
3 图3 测试电导率电路结构图 L1为探测线圈,L2为补偿线圈,C2为可调电容,根据电桥原则;当L2=L2,C1=C2时,桥路达到平衡,输出电压为零。 若探测线卷L1放在金属块上,线圈电磁场就在金属表面感生涡流,涡流大小与被测金属电性有关。涡流磁场(或称感生磁场〉将减弱探测线圈的磁场,被测金属导电性不同,减弱程度也不一样,探测线圈磁场的变化势必破坏电桥的平衡,当重新调节C2时,可使电桥达到新的平衡。如果把C2的量值同金属导电率联系起来,就可以从C2的转角分度上直接读出经过预先校准的电导率绝对值。 电桥输出的交流信号经两只2CK4晶体二级秘分别检波后送入差动直流放大器进行比较放大。直流放大器由两只3DG6晶体三级管组成。电桥的平衡由电表指示。
四、使用方法 1、准备工作 (1)用姆指下掀,上推机盖下端,打开仪器盖,取下带探头的电缆。 (2)把右下方的旋钮扳向“电池”位置,电表指针应揞于红色标记区,如果指针在红色区域左方,应更换电池。 (3〕把旋钮扳到“测量I”或“测量II”位置。后一位置电表指示灵敏度较高,更适于相对值测量。 2、仪器校正 校正工作目的是使电导率分度盘读数和标准试块的电导率对准。两个标准试块的电导率己打印在试块边缘上,一个试块电导率值较高,另一个电导率值较低,分别校准电导率分度盘上对应的红线标记,为此 (1)把探头放在高值电导率试块上的中心位置,转动电导率分度盘旋钮,对淮高值端红线,用电表右下方“高值校正”旋钮调节电表指针到零位。 (2)把探头放在低值电导率试块上的中心位置,转动电导率分度盘旋钮;对准低值端红线,用电表右下方“低值校正”旋钮调节电表指针到零位。 反复上述步骤躁作2—3次,仪器即校正好了,就可用于电导率试块的测量。 仪器使用时间若较长,应经常重复校正操作。 3、试件测量 (1)电导率值的测量: 如果试件材料厚度在lmm以上,且有一个不大的平坦面积(直径大于10mm)即可进行电导率值的测量,把探头放在试件的平坦部位,转动电导率分度盘,使电表指针为零,电导率值即可从分度盘上读出。 (2)电导率相对值测量:
4 如果试件材料较薄,且无平坦表面时,只能进行比较试验。这时探头应放在同形状,同尺寸试件上的同一部位,转动电导率分度盘,使电表指针为零,可比较电导率的差异。 (3)“偏转法” 在快速分选中似口混料、硬度、金属纯度、过热过烧等),不必在每次测量时旋转导电率平衡电表揞示,只需要对此感兴趣的电导率将电表指示调到零,其后测试仅观察电表揞针的偏转。这种方法适用于对电导率微小变化需高精度分辩,而对电导率值元需了解的情况。 4、注意事项 ◇电池无电压时的故障现象 表头指针无指示: 即面板上“波段开关”扳到“电池”档或在“I”档时,表针不对。 排除:检查电池盒内电池是否接触良妤。 ◇电池供电不足的故障现象 表头指针指示不正常: ①微起即在“电池”档及“I”档表头指针偏离量较小; ②突起即在测量“I”档时指针会突然跳动; ③缓慢即在测量“I”档时指针慢慢位移。 排除:更换新电池。
五、数据及处理:
样品 电导率测量值 m/ ⋅Ωmm2 电阻率 ⋅Ωmm2/ m 相对电导率%IACS 1# 紫铜 2# 磷铜 3# 铅黄铜 4# H62铜 5# 锆铬铜 6# 铝 7# AgSnO2
(1)将测得的纯金属、合金和复合材料的电导率数据填入相应格中; (2)用所得的测试数据分别计算各试样的相对电导率和电阻率; (3)根据实验结果分析铜和合金导电性的差距和成分的关系。 (4)对实验中出现的一些问题进行讨论。
5实验二、高电阻率测量 一、实验目的 通过测试电阻率,了解陶瓷材料的导电特性,以便正确地认识、改进与使用该 材料;了解超高值绝缘电阻测试仪(简称高阻仪)的基本原理,掌握使用高阻仪测 定陶瓷材料的体积电阻,表面电阻和绝缘电阻的方法;了解影响测试结果的因素。 二、实验仪器 1.ZC36型高阻计简介 ZC36型高阻计是一种直流式的超高电阻计和微电流两用仪器。仪器的最高量限1017Ω
电阻值和10-14A微电流。
适用于科研、工厂、学校、对绝缘材料、电工产品、电子设备以及元件的绝缘电阻测量和高阻兆欧电阻的测量,也可用于微电流测量。
2.技术指标 (1) 工作电源: 电压 ~220V 频率 50Hz 消耗功率:15W (2) 测试电压及测试范围: 1. 高电阻的测试电压: (1) 电压共分五档:10、100、250、500、1000V (2) 电压偏差:不大于5% (3) 电压稳定度:不大于0.2% 2. 高电阻测量: (1)测量范围:1×106 ~ 1× 1017 Ω共分八档
3. 微电流测量 (1)测量范围:1×10-5 ~ 1×10-14A共分八档
(2)电流极性:“+”或 “-” (3)仪器的零点漂移: 一起在稳定的工作电压及无信号输入时(输入短路);通电一小时后,在8小时内零点漂移不大于全标尺4% 。 (4)仪器的时间响应:小于30秒 (4) 仪器可连续工作8小时 三、测试电路原理: 仪器作为高电阻测量时其主要原理如图所示,测试时,被测试样与高阻抗直流放大器的输入电
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