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第十四届国际汉语教学学术研讨会论文体例一、文档：请提供使用Word 编辑的电子文件。
二、篇幅：论文无论使用中文或英文篇幅不设限制。
页面周边空白处均为一英寸（即2.54厘米），内容提要中文150个汉字以内，英文提要80个单词以内，作者简介50个汉字以内。
三、各项内容顺序：论文标题、（国家或地区）作者姓名、单位、内容提要、关键词、英文标题、英文姓名及单位、英文内容提要、英文关键词、正文、注释、参考文献、作者简介。
(注：英文论文则英文标题等在前，中文标题等在后。
)四、字体和字号：论文题目用小二号(18 pts)宋体,英文用Times New Roman 18；作者、单位、内容提要及关键词用五号(10.5 pts)仿宋字体，“内容提要”和“关键词”几个字加粗,英文用Times New Roman；中文正文用五号(10.5 pts)宋体，英文正文用Times New Roman 10.5 pts;一级标题用小四号(12 pts)仿宋体，英文用Times New Roman 12 pts;二级标题用五号(10.5 pts)黑体,英文用Arial 10.5 pts;三级标题用五号(10.5 pts)楷体,英文用Calibri 10.5 pts;注释和参考文献用小五号(9 pts)宋体; 英文用Times New Roman 9 pts;作者简介用小五号(9 pts)仿宋体, 英文用New Courier 9 pts。
五、标题编号：正文中所有的标题均需独占一行，任何级次的标题均需列出具体的标题题目。
序号使用格式为：一级标题用汉字“一、二、……”，居中排列，上下各空一行；二级标题用“（一）（二）（三）……”，前空两汉字格；三级标题用“1、2、3、……”，前空两汉字格。
六、例句和图表：独立列出的例句用五号楷体，编号采用（1）（2）（3）的形式，全文所有例句连续编号。
文中如有图表，请给图和表分别编号，即：图1、图2、……；表1、表2……。
国际学术论文格式我们写的学术论文，常用来进行科学研究和描述科研成果，其中的论文格式一定要规范好。
小编整理了国际学术论文格式，欢迎阅读! 国际学术论文格式一、封面题目：小二号黑体加粗居中。
各项内容：四号宋体居中。
二、目录目录：二号黑体加粗居中。
章节条目：五号宋体。
行距：单倍行距。
三、论文题目：小一号黑体加粗居中。
四、中文摘要1、摘要：小二号黑体加粗居中。
2、摘要内容字体：小四号宋体。
3、字数：300字左右。
4、行距：20磅5、关键词：四号宋体，加粗。
词3-5个，每个词间空一格。
五、英文摘要1、ABSTRACT：小二号 Times New Roman.2、内容字体：小四号 Times New Roman.3、单倍行距。
4、Keywords：四号加粗。
词3-5个，小四号Times New Roman. 词间空一格。
六、绪论小二号黑体加粗居中。
内容500字左右，小四号宋体，行距：20磅七、正文(一)正文用小四号宋体(二)安保、管理类毕业论文各章节按照一、二、三、四、五级标题序号字体格式章：标题小二号黑体，加粗，居中。
节：标题小三号黑体，加粗，居中。
一级标题序号如：一、二、三、标题四号黑体，加粗，顶格。
二级标题序号如：(一)(二)(三) 标题小四号宋体，不加粗，顶格。
三级标题序号如：1.2.3. 标题小四号宋体，不加粗，缩进二个字。
四级标题序号如：(1)(2)(3) 标题小四号宋体，不加粗，缩进二个字。
五级标题序号如：①②③ 标题小四号宋体，不加粗，缩进二个字。
医学、体育类毕业论文各章序号用阿拉伯数字编码，层次格式为：1××××(小2号黑体，居中)××××××××××××××(内容用4号宋体)。
1.1××××(3号黑体，居左)×××××××××××××(内容用4号宋体)。
学术论文格式模板不要重复题目，给出文中的主要信息、关键步骤或数据，以便于检索；篇幅：200 字左右。
英文摘要应与中文摘要内容相对应；缩写词首次出现时请给出全称。
关键词：列出3~8个关键词.关键词之间用分号相隔，结束处不用标点符号，中、英文关键词应一一对应。
缩写词请给出全称，如：世界贸易组织（WTO）中图分类号：查阅《中国图书馆分类法》引言引言中应简要回顾本文所涉及的科学问题的研究历史，尤其是近三年的研究成果，需引用参考文献；并在此基础上提出论文所要解决的问题，并扼要说明本研究中所采用的方法和技术手段等。
1.1 二级标题一 1.3.1 三级标题正文部分表格：表格采用三线表。
每个表格都应有表序和表题，表题应简明扼要。
表头上的栏目填写该栏的项目名称，当项目是物理量时，请按国家法定计量单位的标注规定，列出物理量的名称、符号和使用单位。
量符号用斜体字母，单位用正体字母，中间用斜杠“/”连接，如： tR/min,RSD/%。
图注放在图题下面。
函数和谱图请提供黑白矢量图（指放大缩小清晰度不变的图）或位图（分辨率600 dpi）。
国际会议论文参考文献格式,求助：83到87册。
vol.+数字表示册。
比如：Each page is divided into two numbered columns, so a reference to a particular speech in Hansard can read: Vol. 120, No. 24, 22 July 1987, Col. 370. 每页分成用数字表示出的两个专栏，因此当提及议会议事录中某一特定发言时可读成1987年7月22日，第24期，第120册的第370栏。
那么p.119或许就是119页之意了。
会议论文的引用格式是什么我还没有毕业，也没有经历过像你所说的那些事，所以。
2.2 页眉：页眉从摘要页开始到论文最后一页，均需设置。
页眉内容：浙江广播电视大学汉语言文学类本科毕业论文，居中，打印字号为5号宋体，页眉之下有一条下划线。
论文题目（格式：论文题目格式）副标题（如果有的话用“副标题”格式）第一作者姓名第二作者姓名第一行：部门名称第一行部门名称第二行：组织名称，缩写词第二行：组织名称，缩写词第三行：城市，国家第三行：城市，国家第四行：电子邮件（若有要求的话）电子邮件（若有要求的话）摘要—本电子文档是一个“活”的模板，论文的各个组成部分（题目，正文，标题等）已经在样式表中定义，在本文档也给出了阐明。
（摘要）关键词–组成；格式；字体，式样，插入图（关键词）I.绪论（一级标题）这个模板是在计算机上用Word2003编辑并以“Word 97-2003 & 6.0/95 –RTF”保存的，为作者提供了准备电子版论文所需要的格式规范。
所有的标准论文组成都以3个目的详细介绍：（1）更容易格式化个人论文，（2）自动遵守电子版要求来保证一致或促进随后的电子产品的出版，（3）会议集的格式一致。
页边距，列宽，行距和字体类型都已经内置；本文提供的类型样式的例子是在后面圆括号内以斜体区分的。
某些部分，例如多层次方程，图形和表格都没有规定，只规定了表格中文本的格式，格式化程序还需要创建这些部分来并入标准。
II.常用的选择一个模板（二级标题）首先，保证论文选用了正确的模板，这个模板是在A4纸上编辑的，如果你用的是美信版式，请下载“MSW USltr format”格式的文件。
保持规范的完整性这个模板用来格式化你的论文和文本风格。
页边距，列宽，行距和文本字体都已规定，请不要更改他们。
你可能注意到一些特点，例如，这个模板的标题边距采用习惯性的对称。
这些措施都是故意的，意在把你的论文看做整个论文集的一部分，而不是独立的一篇，请不要更改当前的制定。
III.更改类型前做的准备开始格式化论文前，首先把内容保存为一个独立的文本文件。
等到文本文件格式化完后，再把文本文件和图形文件放在一起。
不要强制使用制表位，并限制回车的强制使用，只有在图片的末尾回车一次。
国际会议引用格式
国际会议是各个领域学术交流的重要平台，会议论文是提升学术
地位和影响力的重要途径。
在国际会议上发表论文需要遵循一定的引
用格式，本文将介绍常见的引用格式，以及如何正确地引用文献。
常见的引用格式包括APA、MLA、Chicago、Harvard等，下面以
APA引用格式为例。
在正文中引用文献时，一般采用作者-年份形式，
例如：
文章指出（Tan, 2018），或（约翰逊，2006；马丁，2009）
如果有多个作者，使用“&”符号分隔，例如：
（赵&李，2019）
对于同一作者同年份的多个文献，在年份后面加上小写字母a、b、c等进行区分，例如：
（林，2017a）或（林，2017b）
参考文献列表要包括论文中引用的所有文献。
APA格式一般按照作者、出版年份、文献标题、出版地点和出版商等进行排版，例如：郑宇, 2014. 科技论文写作. 北京: 高等教育出版社.
最后，需要注意的是，引用文献时应该注重准确性和可信度。
在
查找和引用文献时，要尽可能参考权威的学术文献数据库和学术期刊，
避免使用非正式的网站或个人博客作为参考文献。
同时，要遵循学术诚信原则，不得抄袭和剽窃他人成果。
总之，在国际会议上正确引用文献既可以提高论文的质量，也可以塑造学术形象，有助于提升个人学术地位和影响力。
因此，在参加国际会议时，要认真学习和掌握引用文献的技巧和规范，以确保自己的科研成果获得更广泛的关注和认可。
全所CPCI-S（国际会议）论文2009Record 1 of 64Author(s): Wang, SJ (Wang, Shujing); Pei, WH (Pei, Weihua); Guo, K (Guo, Kai); Gui, Q (Gui, Qiang); Wang, Y (Wang, Y u); Zhang, X (Zhang, Xu); T ang, J (T ang, Jun); Chen, HD (Chen, Hongda)Book Group Author(s): IEEETitle: Multi channel micro neural probe fabricated with SOISource: 2009 ICME INTERNA TIONAL CONFERENCE ON COMPLEX MEDICAL ENGINEERING: 161-164 2009Conference Title: ICME International Conference on Complex Medical EngineeringConference Date: APR 09-11, 2009Conference Location: T empe, AZAddresses: [Wang, Shujing; Pei, Weihua; Guo, Kai; Gui, Qiang; Wang, Y u; Zhang, Xu; T ang, Jun; Chen, Hongda] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Pei, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-3315-5ISI Document Delivery No.: BMF84--------------------------------------------------------------------------------Record 2 of 64Author(s): Zhang, X (Zhang, Xu); Pei, WH (Pei, Weihua); Huang, BJ (Huang, Beiju); Chen, J (Chen, Jin); Guan, N (Guan, Ning); Chen, HD (Chen, Hongda)Book Group Author(s): IEEETitle: Implantable Microsystem for Wireless Neural Recording ApplicationsSource: 2009 ICME INTERNA TIONAL CONFERENCE ON COMPLEX MEDICAL ENGINEERING: 234-237 2009Conference Title: ICME International Conference on Complex Medical EngineeringConference Date: APR 09-11, 2009Conference Location: T empe, AZAddresses: [Zhang, Xu; Pei, Weihua; Huang, Beiju; Chen, Jin; Guan, Ning; Chen, Hongda] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-3315-5ISI Document Delivery No.: BMF84--------------------------------------------------------------------------------Record 3 of 64Author(s): Li, YL (Li, Y-L.); Feng, P (Feng, P.); Wu, NJ (Wu, N-J.)Book Group Author(s): IEEETitle: An Embedded Ultra Low Power Nonvolatile Memory in a Standard CMOS Logic ProcessSource: EDSSC: 2008 IEEE INTERNA TIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-ST A TE CIRCUITS: 100-103 2008Conference Title: IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State CircuitsConference Date: DEC 08-10, 2008Conference Location: Hong Kong, PEOPLES R CHINAAddresses: [Li, Y-L.; Feng, P.; Wu, N-J.] Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R ChinaReprint Address: Li, YL, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2539-6ISI Document Delivery No.: BL V07--------------------------------------------------------------------------------Record 4 of 64Author(s): Y u, HM (Y u, Hongmin); Liu, ZL (Liu, Zhongli); Li, GS (Li, Gaoshan)Book Group Author(s): IEEETitle: A VSLMS Style T ap-length Learning Algorithm for Structure AdaptationSource: 2008 11TH IEEE SINGAPORE INTERNA TIONAL CONFERENCE ON COMMUNICA TION SYSTEMS (ICCS), VOLS 1-3: 503-508 2008Conference Title: 11th IEEE Singapore International Conference on Communication SystemsConference Date: NOV 19-21, 2008Conference Location: Guangzhou, PEOPLES R CHINAAddresses: [Y u, Hongmin; Liu, Zhongli] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China Reprint Address: Y u, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2423-8ISI Document Delivery No.: BKR36--------------------------------------------------------------------------------Record 5 of 64Author(s): Chen, FX (Chen, Fangxiong); Ma, HP (Ma, Heping); Chen, B (Chen, Bei); Shi, Y (Shi, Yin); Lin, M (Lin, Min); Jia, HL (Jia, Hailong)Book Group Author(s): IEEETitle: A Complex BPF with On Chip Auto-tuning Architecture for Wireless ReceiversSource: 2008 11TH IEEE SINGAPORE INTERNA TIONAL CONFERENCE ON COMMUNICA TION SYSTEMS (ICCS), VOLS 1-3: 1451-1455 2008Conference Title: 11th IEEE Singapore International Conference on Communication SystemsConference Date: NOV 19-21, 2008Conference Location: Guangzhou, PEOPLES R CHINAAddresses: [Chen, Fangxiong; Ma, Heping; Chen, Bei] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Chen, FX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2423-8ISI Document Delivery No.: BKR36--------------------------------------------------------------------------------Record 6 of 64Author(s): Ma, HP (Ma, Heping); Y uan, F (Y uan, Fang); Liu, SL (Liu, Silin); Shi, Y (Shi, Y in); Dai, FF (Dai, Fa Foster)Book Group Author(s): IEEETitle: A Low Power Baseband Chain for CMMB ApplicationSource: 2008 11TH IEEE SINGAPORE INTERNA TIONAL CONFERENCE ON COMMUNICA TION SYSTEMS (ICCS), VOLS 1-3: 1466-1470 2008Conference Title: 11th IEEE Singapore International Conference on Communication SystemsConference Date: NOV 19-21, 2008Conference Location: Guangzhou, PEOPLES R CHINAAddresses: [Ma, Heping; Y uan, Fang; Liu, Silin; Shi, Yin] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Ma, HP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2423-8ISI Document Delivery No.: BKR36--------------------------------------------------------------------------------Record 7 of 64Author(s): Zhang, X (Zhang, Xu); Pei, WH (Pei, Weihua); Gui, Q (Gui, Qiang); Chen, HD (Chen, Hongda) Book Group Author(s): IEEETitle: Low Power Integrated Circuits for Wireless Neural Recording ApplicationsSource: 2008 IEEE ASIA P ACIFIC CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS (APCCAS 2008), VOLS 1-4: 650-653 2008Conference Title: IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS 2008)Conference Date: NOV 30-DEC 03, 2008Conference Location: Macao, PEOPLES R CHINAAddresses: [Zhang, Xu; Pei, Weihua; Gui, Qiang; Chen, Hongda] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2341-5ISI Document Delivery No.: BKG25--------------------------------------------------------------------------------Record 8 of 64Author(s): Liu, SL (Liu, Silin); Shi, Y (Shi, Yin)Book Group Author(s): IEEETitle: Fast Locking and High Accurate Current Matching Phase-Locked LoopSource: 2008 IEEE ASIA P ACIFIC CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS (APCCAS 2008), VOLS 1-4: 1136-1139 2008Conference Title: IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS 2008)Conference Date: NOV 30-DEC 03, 2008Conference Location: Macao, PEOPLES R CHINAAddresses: [Liu, Silin; Shi, Yin] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Liu, SL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2341-5ISI Document Delivery No.: BKG25--------------------------------------------------------------------------------Record 9 of 64Author(s): Chen, J (Chen, J.); Fan, WJ (Fan, W. J.); Xu, Q (Xu, Q.); Zhang, XW (Zhang, X. W.); Li, SS (Li, S. S.); Xia, JB (Xia, J. B.)Title: Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dotsSource: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 105 (12): Art. No. 123705 JUN 15 2009Addresses: [Chen, J.; Fan, W. J.; Xu, Q.; Zhang, X. W.] Nanyang T echnol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore; [Li, S. S.; Xia, J. B.] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 10083, Peoples R ChinaReprint Address: Chen, J, Nanyang T echnol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.E-mail Address: ewjfan@.sgISSN: 0021-8979Article Number: 123705DOI: 10.1063/1.3143025ISI Document Delivery No.: 465PP--------------------------------------------------------------------------------Record 10 of 64Author(s): Du, GX (Du, G. X.); Babu, MR (Babu, M. Ramesh); Han, XF (Han, X. F.); Deng, JJ (Deng, J. J.); Wang, WZ (Wang, W. Z.); Zhao, JH (Zhao, J. H.); Wang, WD (Wang, W. D.); T ang, JK (T ang, Jinke)Title: Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structuresSource: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 105 (7): Art. No. 07C707 APR 1 2009Conference Title: 53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic MaterialsConference Date: NOV 11-14, 2008Conference Location: Austin, TXAddresses: [Du, G. X.; Babu, M. Ramesh; Han, X. F.] Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, State Key Lab Magnetism, Beijing 100080, Peoples R China; [Deng, J. J.; Wang, W. Z.; Zhao, J. H.] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China; [Wang, W. D.; T ang, Jinke] Univ Wyoming, Dept Phys & Astron, Laramie, WY 82071 USA Reprint Address: Han, XF, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, State Key Lab Magnetism, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China.E-mail Address: xfhan@; jhzhao@ISSN: 0021-8979Article Number: 07C707DOI: 10.1063/1.3068418ISI Document Delivery No.: 453SX--------------------------------------------------------------------------------Record 11 of 64Author(s): Tu, XG (Tu, Xiaoguang); Chen, SW (Chen, Shaowu); Y u, JZ (Y u, Jinzhong); Wang, QM (Wang, Qiming); Chin, MK (Chin, Mee Koy)Book Group Author(s): IEEETitle: Ultra-compact silicon-on-insulator optical filter based on sidewall Bragg gratingSource: 2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), VOLS 1 AND 2: 31-34 2008 Conference Title: IEEE PhotonicsGlobal at SingaporeConference Date: DEC 08-11, 2008Conference Location: Singapore, SINGAPOREAddresses: [Tu, Xiaoguang; Chen, Shaowu; Y u, Jinzhong; Wang, Qiming] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Tu, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-3901-0ISI Document Delivery No.: BKA56--------------------------------------------------------------------------------Record 12 of 64Author(s): Sun, Y (Sun, Y.); Chen, YB (Chen, Y. B.); Wang, Y (Wang, Y.); Pan, JQ (Pan, J. Q.); Zhao, LJ (Zhao, L. J.); Chen, WX (Chen, W. X.); Wang, W (Wang, W.)Book Group Author(s): IEEETitle: Widely Frequency-Tunable Optical Microwave Source Based on Amplified Feedback LaserSource: 2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), VOLS 1 AND 2: 524-527 2008 Conference Title: IEEE PhotonicsGlobal at SingaporeConference Date: DEC 08-11, 2008Conference Location: Singapore, SINGAPOREAddresses: [Sun, Y.; Chen, Y. B.; Wang, Y.; Pan, J. Q.; Zhao, L. J.; Chen, W. X.; Wang, W.] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Sun, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-3901-0ISI Document Delivery No.: BKA56--------------------------------------------------------------------------------Record 13 of 64Author(s): Wang, H (Wang, H.); Zhu, HL (Zhu, H. L.); Chen, XF (Chen, X. F.); Li, JS (Li, J. S.); Wang, LS (Wang, L. S.); Zhang, W (Zhang, W.); Wang, W (Wang, W.)Book Group Author(s): IEEETitle: Design and Realization of Index-Coupled DFB Laser with Sampled GratingSource: 2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), VOLS 1 AND 2: 668-670 2008 Conference Title: IEEE PhotonicsGlobal at SingaporeConference Date: DEC 08-11, 2008Conference Location: Singapore, SINGAPOREAddresses: [Wang, H.; Zhu, H. L.; Wang, L. S.; Zhang, W.; Wang, W.] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-3901-0ISI Document Delivery No.: BKA56--------------------------------------------------------------------------------Record 14 of 64Author(s): Wang, LS (Wang, L. S.); Zhao, LJ (Zhao, L. J.); Pan, JQ (Pan, J. Q.); Zhang, W (Zhang, W.); Wang, H (Wang, H.); Liang, S (Liang, S.); Zhu, HL (Zhu, H. L.); Wang, W (Wang, W.)Book Group Author(s): IEEETitle: A New Edge-Coupled T wo-T erminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC CharacteristicsSource: 2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), VOLS 1 AND 2: 671-673 2008Conference Title: IEEE PhotonicsGlobal at SingaporeConference Date: DEC 08-11, 2008Conference Location: Singapore, SINGAPOREAddresses: [Wang, L. S.; Zhao, L. J.; Pan, J. Q.; Zhang, W.; Wang, H.; Liang, S.; Zhu, H. L.; Wang, W.] Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Wang, LS, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-3901-0ISI Document Delivery No.: BKA56--------------------------------------------------------------------------------Record 15 of 64Author(s): Zhang, YX (Zhang, Y. X.); Liao, ZY (Liao, Z. Y.); Sun, Y (Sun, Y.); Chen, WX (Chen, W. X.); Zhao, LJ (Zhao, L. J.); Zhu, HL (Zhu, H. L.); Wang, W (Wang, W.)Book Group Author(s): IEEETitle: Fabrication and Investigation of High Efficiency Evanescently Coupled Uni-Traveling Carrier Photodiodes Source: 2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), VOLS 1 AND 2: 685-687 2008 Conference Title: IEEE PhotonicsGlobal at SingaporeConference Date: DEC 08-11, 2008Conference Location: Singapore, SINGAPOREAddresses: [Zhang, Y. X.; Liao, Z. Y.; Sun, Y.; Chen, W. X.; Zhao, L. J.; Zhu, H. L.; Wang, W.] Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Zhang, YX, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-3901-0ISI Document Delivery No.: BKA56--------------------------------------------------------------------------------Record 16 of 64Author(s): Zhao, C (Zhao, Chao); Chen, YH (Chen, Y onghai); Xu, B (Xu, Bo); T ang, CG (T ang, Chenguang); Wang, ZG (Wang, Zhanguo)Editor(s): Cho, YH; Kim, EKTitle: Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructuresSource: PHYSICA ST A TUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID ST A TE PHYSICS, VOL 6, NO 4, 6 (4): 789-792 2009Book series title: PHYSICA ST A TUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID ST A TE PHYSICS Conference Title: 5th International Conference on Semiconductor Quantum DotsConference Date: MA Y 11-16, 2008Conference Location: Gyeongju, SOUTH KOREAAddresses: [Zhao, Chao; Chen, Y onghai; Xu, Bo; T ang, Chenguang; Wang, Zhanguo] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.ISSN: 1610-1634ISI Document Delivery No.: BJK01--------------------------------------------------------------------------------Record 17 of 64Author(s): Ji, HM (Ji, Hai-Ming); Y ang, T (Y ang, T ao); Cao, YL (Cao, Y u-Lian); Ma, WQ (Ma, Wen-Quan); Cao, Q (Cao, Qing); Chen, LH (Chen, Liang-Hui)Editor(s): Cho, YH; Kim, EKTitle: Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasersSource: PHYSICA ST A TUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID ST A TE PHYSICS, VOL 6, NO 4, 6 (4): 948-951 2009Book series title: PHYSICA ST A TUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID ST A TE PHYSICS Conference Title: 5th International Conference on Semiconductor Quantum DotsConference Date: MA Y 11-16, 2008Conference Location: Gyeongju, SOUTH KOREAAddresses: [Ji, Hai-Ming; Y ang, T ao; Cao, Y u-Lian; Ma, Wen-Quan; Cao, Qing; Chen, Liang-Hui] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Y ang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ISSN: 1610-1634ISI Document Delivery No.: BJK01--------------------------------------------------------------------------------Record 18 of 64Author(s): Wang, N (Wang, Ningjuan); Li, N (Li, Ning); Liu, ZL (Liu, Zhongli); Y u, F (Y u, Fang); Li, GH (Li, Guohua)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: Fabrication of improved FD SOIMOSFET s for suppressing edge effectSource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 231-234 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Wang, Ningjuan; Liu, Zhongli] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China Reprint Address: Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 19 of 64Author(s): Wang, Y (Wang, Ying); Han, WH (Han, Weihua); Y ang, X (Y ang, Xiang); Chen, JJ (Chen, Jianjun); Y ang, FH (Y ang, Fuhua)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors Source: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 393-395 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Wang, Ying; Han, Weihua; Y ang, Xiang; Chen, Jianjun; Y ang, Fuhua] Chinese Acad Sci, Res Ctr Semicond Integrated T echnol, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Wang, Y, Chinese Acad Sci, Res Ctr Semicond Integrated T echnol, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 20 of 64Author(s): Chen, YH (Chen, Y onghai); T ang, CH (T ang, Chenguang); Xu, B (Xu, Bo); Jin, P (Jin, Peng); Wang, ZG (Wang, Zhanguo)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopySource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 673-676 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Chen, Y onghai; T ang, Chenguang; Xu, Bo; Jin, Peng; Wang, Zhanguo] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083,Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 21 of 64Author(s): Ji, G (Ji, Gang); Sun, GS (Sun, Guosheng); Ning, J (Ning, Jin); Liu, XF (Liu, Xingfang); Zhao, YM (Zhao, Y ongmei); Wang, L (Wang, Lei); Zhao, WS (Zhao, Wanshun); Zeng, YP (Zeng, Yiping)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursorSource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 696-698 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Ji, Gang; Sun, Guosheng; Liu, Xingfang; Zhao, Y ongmei; Wang, Lei; Zhao, Wanshun; Zeng, Yiping] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China Reprint Address: Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 22 of 64Author(s): Yin, HB (Y in, Haibo); Wang, XL (Wang, Xiaoliang); Hu, GX (Hu, Guoxin); Ran, JX (Ran, Junxue); Xiao, HL (Xiao, Hongling); Li, JM (Li, Jinmin)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD ReactorSource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 710-713 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Yin, Haibo] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China Reprint Address: Yin, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 23 of 64Author(s): Y an, JC (Y an, Jianchang); Wang, JX (Wang, Junxi); Liu, Z (Liu, Zhe); Liu, NX (Liu, Naixin); Li, JM (Li, Jinmin)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: High Quality AlGaN Grown on GaN T emplate with HT-AlN InterlayerSource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 714-717 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Y an, Jianchang; Wang, Junxi; Liu, Zhe; Liu, Naixin; Li, Jinmin] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Y an, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 24 of 64Author(s): Huang, BJ (Huang, BeiJu); XuZhang (XuZhang); ZanDong (ZanDong); WeiWang (WeiWang); Chen, HD (Chen, HongDa)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: Monolithic Integration of Light Emitting Diodes, Photodetector and Receiver Circuit in Standard CMOS T echnologySource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 985-987 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Huang, BeiJu; XuZhang; ZanDong; WeiWang; Chen, HongDa] Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Huang, BJ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 25 of 64Author(s): Wang, LC (Wang, Liangchen); Yi, XY (Yi, Xiaoyan); Wang, XD (Wang, Xiaodong); Wang, GH (Wang, Guohong); Li, JM (Li, Jinmin)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: Combined transparent electrodes for high power GaN-based LEDs with long life timeSource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 1051-1053 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Wang, Liangchen; Yi, Xiaoyan; Wang, Xiaodong; Wang, Guohong; Li, Jinmin] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Wang, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 26 of 64Author(s): T ang, J (T ang, Jian); Wang, XL (Wang, Xiaoliang); Chen, TS (Chen, T angsheng); Xiao, HL (Xiao, Hongling); Ran, JX (Ran, Junxue); Zhang, ML (Zhang, Minglan); Hu, GX (Hu, Guoxin); Feng, C (Feng, Chun); Hou, QF (Hou, Qifeng); Wei, M (Wei, Meng); Li, JM (Li, Jinmin); Wang, ZG (Wang, Zhanguo)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT s with improved mobility grown by MOCVDSource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 1106-1109 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [T ang, Jian; Wang, Xiaoliang; Xiao, Hongling; Ran, Junxue; Zhang, Minglan; Hu, Guoxin; Feng, Chun; Hou, Qifeng; Wei, Meng; Li, Jinmin; Wang, Zhanguo] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: T ang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples RChina.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 27 of 64Author(s): Ma, HP (Ma, Heping); Y uan, F (Y uan, Fang); Chen, B (Chen, Bei); Shi, Y (Shi, Yin); Dai, FF (Dai, Fa Foster)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: Design of Low Power Multi-Standard Active-RC Filter for WLAN and DVB-HSource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 1605-1608 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Ma, Heping; Y uan, Fang; Chen, Bei; Shi, Yin] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Ma, HP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 28 of 64Author(s): Jia, HL (Jia, Hailong); Ren, T (Ren, T ong); Lin, M (Lin, Min); Chen, FX (Chen, Fangxiong); Shi, Y (Shi, Yin); Dai, FF (Dai, Foster F.)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: A 5.6-mW Power Dissipation CMOS Frequency Synthesizer for L1/L2 Dual-Band GPS Application Source: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 1629-1632 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Jia, Hailong; Ren, T ong; Lin, Min; Chen, Fangxiong; Shi, Yin] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Jia, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------Record 29 of 64Author(s): Chen, FX (Chen, Fangxiong); Lin, M (Lin, Min); Jia, HL (Jia, Hailong); Shi, Y (Shi, Yin)Editor(s): Y u, M; An, XBook Author(s): Huang, RTitle: A Complex BPF with On Chip Auto-tuning Architecture for Low-IF ReceiversSource: 2008 9TH INTERNA TIONAL CONFERENCE ON SOLID-ST A TE AND INTEGRA TED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4: 1657-1660 2008Conference Title: 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit T echnology Conference Date: OCT 20-23, 2008Conference Location: Beijing, PEOPLES R CHINAAddresses: [Chen, Fangxiong; Jia, Hailong; Shi, Yin] Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R ChinaReprint Address: Chen, FX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.ISBN: 978-1-4244-2185-5ISI Document Delivery No.: BJH87--------------------------------------------------------------------------------。
会议摘要及论文格式一、摘要格式1. 请在2018年3月25日之前通过电子邮件发送500-1000字的摘要与投稿人基本信息（简介）与联系方式（见附件2）。
2. 须附英文摘要，内容对译。
摘要的结构主要包含五个方面：背景与目的、方法、结果、结论（观点）或建议。
目的部分须简洁。
摘要页应包括文题、作者姓名（汉语拼音）、单位名称、所在城市名及邮编。
二、全文格式1. 论文题目（见附件1）所有来稿请提供中英文题目。
题目力求简明、醒目，能反映出文章的主题。
中文文题一般不宜超过20个汉字。
2. 摘要须附中、英文摘要，内容对译。
结构主要包含五个方面：背景与目的、方法、结果、结论（观点）或建议。
目的部分须简洁，可以省略。
中文摘要XXX字左右，英文摘要应包括文题、作者姓名（汉语拼音）、单位名称、所在城市名及邮编。
3. 关键词关键词3~5个，包括研究区域、研究时段、研究方法、研究学科等。
4. 论文字数XXXX字以内（包括题目、摘要、参考文献等）。
5. 计量单位与变量文稿中计量单位一律使用国家法定计量单位，所有计量单位符号均为正体，用标准符号表示，如“m”、“m 2 ”、“t”等。
各种专业术语按国家标准使用，同一名词术语、计量单位、人名、地名等要求全文统一。
变量采用斜体，但数字采用正体。
6. 图表格式每幅图表应冠以中、英文图（表）题。
说明性资料应置于图（表）下方注释中。
本刊采用三线表（在Word软件中选：表格-插入表格-自动套用格式-简明1），如遇有合计或统计学处理行（如t 值、p 值等），则在这一行上面加一条分界横线。
图表中如有引自它刊者，应注明出处。
文章全部图表不能超过5个。
7. 数字执行GB/T15835-1995《关于出版物上数字用法的规定》。
公历世纪、年代、年、月、日、时刻和计数、计量均用阿拉伯数字。
8. 统计学符按GB3358-82《统计学名词及符号》的有关规定书写。
书写时需特别注意这些字母是英文还是希文、是大写还是小写、字母顶端的标记及上下角标。
会议论文格式要求1、全文：Word2000或Word2003排版。
论文标题：小二号字、黑体、居中。
2、作者署名：小四号字、楷体、居中；两个以上作者时，名字之间空2格。
3、中文摘要及关键词：小五号字、宋体，“摘要”和“关键词”加黑。
关键词间空格隔开。
4、英文摘要：全部为Times New Roman字体；标题为小四号字、首字母大写，其余全小写；“作者姓名”五号字，汉语“姓名”译法采用“姓”前“名”后，在正文标题下的“作者姓名”为“姓”全部大写，“名”首字母大写，“名”为两个字时，中间加一短线，例如：ZHAI Hu-qu, LIU Xu, QU Dong-yu, GUO Yu-yuan, XU Shi-wei；摘要正文小五号字体，“Abstract”和“Key words”加黑，关键词间用“;”隔开。
5、首页脚注标识作者简介：注明第一作者姓名（出生年-），性别，民族（汉族可省略），职称，学历，学位及主要研究方向，电话，E-mail等。
脚注一律用圈码，如①②③…。
6、量和单位：按国际标准中关于量和单位的规定和我国法定计量单位书写。
数字和年份之间统一用“～”。
计量单位要统一，采用国家标准规定的kg、hm2等。
超过4位数的阿拉伯数字采用三位分节法，即在小数点左、右每三位数留出1/4字距的间隔。
7、正文：五号字、宋体；每段的首行缩进为两个汉字；两端对齐；正文单倍行距。
8、文中标题：（1）一级标题：四号字、黑体、左对齐；用“1”、“2”、“3”…等表示序号；（2）二级标题：小四号字、黑体、左对齐；用“1.1”、“1.2”、“1.3”…等表示；（3）三级标题：五号字、黑体、左对齐；用“1.1.1”、“1.1.2”、“1.1.3”…等。
所有标题后空一格，写标题名。
9、图表要求：图表题黑体、小五号字。
表一律用三线表。
Excel作图要带数据源。
图中所用文字一律用8号字（非“八号”字）。
中文用宋体，英文、数字用Times New Roman。
国际会议论⽂参考⽂献格式国际会议论⽂参考⽂献格式 相信⼤家在学习、⼯作中总少不了接触作⽂吧，特别是作为主要学习作⽂类别之⼀的议论⽂，议论⽂的主要表达⽅式是议论，它主要⽤概念、判断、推理来表明作者的观点或阐明道理，或反驳别⼈的意见，指出其谬误。
那么应当如何写这类型的作⽂呢？下⾯是⼩编帮⼤家整理的国际会议论⽂参考⽂献格式，仅供参考，希望能够帮助到⼤家。
⽂献类型：专著 [M]，论⽂集[C]，报纸⽂章[N]，期刊⽂章[J]，学位论⽂[D]，报告[R]，标准[S]，专利[P]，数据库[DB]，计算机程序[CP]，电⼦公告[EB]，互联⽹[OL]，光盘[CD]，磁带[MT]，磁盘[DK] A：专著、论⽂集、学位论⽂、报告 [序号]主要责任者.题名：其他题名信息[⽂献类型标志].其他责任者.版本项.出版地：出版者，出版年：引⽂页码[引⽤⽇期].获取和访问的路径。
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论文题目（格式：论文题目格式）副标题（如果有的话用“副标题”格式）第一作者姓名第二作者姓名第一行：部门名称第一行部门名称第二行：组织名称，缩写词第二行：组织名称，缩写词第三行：城市，国家第三行：城市，国家第四行：电子邮件（若有要求的话）电子邮件（若有要求的话）摘要—本电子文档是一个“活”的模板，论文的各个组成部分（题目，正文，标题等）已经在样式表中定义，在本文档也给出了阐明。
（摘要）关键词–组成；格式；字体，式样，插入图（关键词）I.绪论（一级标题）这个模板是在计算机上用Word2003编辑并以“Word 97-2003 & 6.0/95 –RTF”保存的，为作者提供了准备电子版论文所需要的格式规范。
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等到文本文件格式化完后，再把文本文件和图形文件放在一起。
不要强制使用制表位，并限制回车的强制使用，只有在图片的末尾回车一次。
不要在论文中任何地方添加任何类型的分页标志。
不要在文本开头标号，模板会为你添加。
最后在格式化之前完成内容和组织的编辑。
在校对拼写和语法时请留意下列事项：A.缩写词或缩略语缩写词或缩写语在文中第一次使用时要定义，即使他们在关键词中已经定义过。
像IEEE,SI,MKS,CGS, cs, dc和rms 这种缩写词就不用定义了。
不要在题目或标题中使用缩写词，除非是不可避免。
B.单位主要使用（SI）国际单位制—米/千克/秒，或者CGS —厘米/克/秒，建议使用SI单位制。
英制单位可以在括号里作为第二单位。
例外，当作为某种工艺标志时，可以使用英制单位，例如“3.5-inch disk drive”。
要避免SI和CGS单位的混用，例如电流用安培，磁场用磁场强度。
这些会由于方程不匹配而导致混乱。
如果你不得不使用混合单位，要在方程里详细说明使用该单位的变量。
不要混合使用整拼和缩写的单位，例如：你可以写成“Wb/m2” 或者“webers per square meter”，但不能写成“webers/m2”。
在文本中要写出单位的全拼，例如“. . .a few henries”, 而不是“. . . a few H”。
在小数点前面要加0，例如“0.25”,而不是“.25”。
用“cm3”,而不是“cc”。
C.方程方程是这个模板指定规范中的一个例外。
你要确定你的方程是否可以用“Times New Roman ”或者“theSymbol font”打印（请不要使用别的字体）。
对于多层次的方程，可以把方程作为一个图片插入到文本中。
方程的序号要连续。
如方程（1）所示，方程的序号要用小括号括起来，用右对齐制表位放在方程的右边。
为了使方程更简洁紧凑，可以使用斜线（/），EXP 函数或者合适的指数函数。
对于罗马符号的常量或变量要用斜体，希腊符号不用斜体。
对于负号要用破折号“—”而不是连字号“–”。
当方程作为一句话的一部分时，要在方程后面加逗号或点号。
例子：α+β=χ. (1) 注意方程要用一个中心制表位放在中间。
方程里所使用的符号一定要事先定义或在方程后面定义。
在文本中用“(1)”而不是： E q.(1)”或者“equation(1)”，除非在句首使用“Equation(1) is…”D.常见的错误单词data是复数，不是单数。
真空磁导率和其它常见的科学常量下方的0，是用下标0表示的，而不是小写字母o。
在美式英语中，逗号，分号，点号，问号和感叹号都是在引号之内的，只有当一个完整的思想或名字被引用作为一个题目或引言的时候放在外面。
使用引号来突出一个词或短语时，标点符号应该出现在引号外面。
如果在句末附加短语时，标点符号要放在括号外面。
如果是附加句子，标点符号要放在括号里面。
在图片上放置另一张图片是放置，不是插入。
单词alternatively比alternately更好，除非你确实要说明某些东西是“交替”的。
不要混用essentially和approximately或者effectively。
在论文题目中，如果单词that uses能合适代替using，要大写U，如果不能就用小写。
注意这些同音词的不同意思：affect和effect，complement和complement，discreet和discrete，principal 和principle。
不要混用imply（暗示）和infer（推断）。
前缀non不是单独的一个单词，要和其他单词组合使用，通常不用连字号。
在拉丁缩写词“et al.”中et后面没有标点。
缩写词“i.e.”的意思是“that is”，“e.g.”的意思是“for example”。
参考文献[7]是科技作者写优秀风格论文的手册。
IV.模板的使用论文文本编辑完后，开始使用这个模板。
用“另存为”命令将模板复制，并用会议指定的会议名称作为你的论文的题目。
在这个新建的文件里，去掉所有的内容，并导入你准备的文本。
现在你要开始规范你的论文，利用Word格式工具栏左边的向下滚动窗口。
A.作者和从属关系当有多个作者，并且这些作者属于一个组织时，写一个组织名称就可以。
请使组织名称尽量简洁，比如不要区分一个组织下的不同部门。
这个模板设计的是两个组织关系的。
对于只有一个组织的作者：按照下面修改模板。
a)选择，选取作者和组织关系所在的行。
b)改变列数，把列数改为1列c)删除，删除第二个组织的作者和从属关系d)对于多于2个从属关系的，按照下面修改模板e)选择，选取所有作者和组织所在行f)改变列数，把列数改为和组织数目相应的列数。
g)突出第一个组织关系的作者和组织所在行，并复制。
h)格式，在最后一个组织名称的字母后立即插入一个回车，然后粘贴所复制的组织1的内容,对剩下的组织进行重复操作。
i)重新分配列数，把鼠标指针放在最后一个偶数行的组织名称的最后一个字母的右边，例如，如果一共有5个组织关系，将鼠标指针放在第4个组织名称末尾。
拖动鼠标突出以上所有的作者和组织所在行，然后在设置里选择2列。
如果你有奇数个组织关系，最后一个组织关系放在中间，其他的组织放在两列里。
B.确定标题标题可以引导读者阅读你的论文，标题有两种：结构标题和内容标题。
结构标题是区分论文的不同部分，相互之间没有从属关系。
例如，感谢和参考文献要用格式“Heading 5”。
图片说明用“figure caption”格式。
表格标题用“table head”格式，为了和其他标题区分，“摘要”除了使用提供的格式外，还要使用斜体格式。
文本标题是一个相关的概括，分层次的。
例如，论文题目是最主要的文本标题，因为后面所有的文字都是围绕这个主题来详细叙述的。
如果有2个或多个子主题，就用下一级标题，用大写罗马数字标注，相反，如果没有2个子主题，就不用引入子标题。
指定格式名称为“Heading 1”，“Heading 2”，“Heading 3”和“Heading 4”。
C.图片和表格1）放置图片和表格：把图片和表格放在列的顶端或底端。
避免放在一列的中间位置，比较大的图片或表格可能横跨2列。
图片说明要在图片下面，表格题目要在表格上面，在文本引用后插入图片和表格。
在文本中使用“Fig.1”，即使在句首。
TABLE I.T ABLE T YPE S TYLESa. 脚注的样本。
（脚注）Figure 1. Example of a figure caption. (figure caption)图片标签：图片标签用8号新罗马字体，避免读者混淆，要用单词而不用符号或缩写语。
例如，写“Magnetization ”或者“Magnetization, M ”，而不只写“M ”。
如果含有单位，单位要用括号括起来，不要只用单位标记坐标，例如，写成“Magnetization (A/m)”或者“Magnetization {A[m(1)]}”，而不只是“A/m ”。
不要用单词和单位的“比”作为标签，例如，写成“Temperature (K)”，而不是“Temperature/K ”。
感谢在美国的拼写中，单词“acknowledgment ”中g 后面没有e 。
要避免虚饰的表达，例如：“One of us (R. B. G.) thanks ”，尽量用“R. B. G. thanks ”来代替。
对主办人的感谢要放在第一页的脚注位置。
参考文献这个模板将引用部分用方括号连续标数，标点符号参考[2]，在文本中引用的时候用[3]，不要使用“Ref. [3]”或者“reference [3]”，但在句首可以使用“Reference [3] was the first . . .”。
在文本中单独用上标标上脚注序号，把脚注放在所提到列的最下面，不要把脚注放在参考文献列表里。
表格的脚注用字母来标号。
要把所有作者的名字列出来，除非作者数多于6个，不要使用“et al.”，如果论文还没有出版，甚至是正在出版，都要说明“unpublished ”。
被出版社接收的论文要注明“in press ”，只大写题目中第一个单词，除非是特别的名词或者元素符号。
如果论文用别的语言翻译过，请先引用英文的题目，再在后面附上源语言的题目。
[1] G. Eason, B. Noble, and I. N. Sneddon, “On certain integrals ofLipschitz-Hankel type involving products of Bessel functions,” Phil. Trans. Roy. Soc. London, vol. A247, pp. 529–551, April 1955. (references)[2] J. Clerk Maxwell, A Treatise on Electricity and Magnetism, 3rd ed., vol.2. Oxford: Clarendon, 1892, pp.68–73.[3] I. S. Jacobs and C. P. Bean, “Fine particles, thin films and exchangeanisotropy,” in Magnetism, vol. III, G. T. Rado and H. Suhl, Eds. New York: Academic, 1963, pp. 271–350.[4] K. Elissa, “Title of paper if known,” unpublished.[5] R. Nicole, “Title of paper with only first word capitalized,” J. NameStand. Abbrev., in press.[6] Y. Yorozu, M. Hirano, K. Oka, and Y. Tagawa, “Electron spectroscopystudies on magneto-optical media and plastic substrate interface,” IEEE Transl. J. Magn. Japan, vol. 2, pp. 740–741, August 1987 [Digests 9th Annual Conf. Magnetics Japan, p. 301, 1982].[7] M. Young, The Technical Writer's Handbook. Mill Valley, CA:University Science, 1989.。
