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一、选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）1. 杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体中载流子浓度。
A．大于 B．等于 C．小于2. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压B，反向电流。
A．增大B．减小C．不变3. 晶体管通过改变来控制。
A．基极电流 B．栅-源电压 C．集电极电流D．漏极电流 E．电压 F．电流4. 集成运放有个输入端和个输出端。
A．1 B．2 C．3时，集成运放将，当其差5. 集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过UIcmax时，集成运放。
模输入电压超过UIdmaxA．不能正常放大差模信号 B．输入级放大管将击穿6.直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了。
A．放大变化缓慢信号 B 放大共模信号 C 抑制温漂7. 已知整流二极管的反向击穿电压为20V,按通常规定，此二极管的最大整流电压为。
A. 20VB. 15VC. 10VD. 5V8. 空穴为少子的半导体称为________,空穴为多子的半导体称为。
A.P型半导体B.N型半导体C.纯净半导体D.金属导体9. 杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体中载流子浓度。
A．大于 B．等于 C．小于10. 室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加。
A ．载流子B ．多数载流子C ．少数载流子11. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ，反向电流 。
A ．增大B ．减小C ．不变12. 晶体管通过改变 来控制 。
A ．基极电流B ．栅-源电压C ．集电极电流D ．漏极电流E ．电压F ．电流13. 晶体管电流由 形成，而场效应管的电流由 形成，因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 。
A ．一种载流子B ．两种载流子C ．大D ．小14. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12K Ω的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为 。
A.10K ΩB.4K ΩC.3K ΩD.2K15. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越 。
模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是：A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题（每空2分，共20分）6. 运算放大器的_________端是虚拟地，即电压为0V。
7. 电压跟随器的特点是_________，输出阻抗小。
8. 一个理想的电压源的内阻是_________。
9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。
10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。
三、简答题（每题10分，共30分）11. 解释什么是差分放大器，并简述其主要优点。
12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。
13. 什么是振荡器？请列举至少两种常见的振荡器类型。
四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个共射放大电路，其静态工作点为VB=10V，VC=20V，VE=5V，β=100。
假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V，计算该电路的静态工作电流IE。
15. 设计一个简单的RC低通滤波器，要求截止频率为1kHz，输入信号频率为10kHz，计算所需的电阻和电容值。
答案：一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗，低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路，它能够放大两个输入端之间的差值信号，而抑制共模信号。
模电期末试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大电路的基本功能是（）。
A. 信号的整形B. 信号的放大C. 信号的滤波D. 信号的调制答案：B2. 共发射极放大电路中，若要使放大倍数增大，可以（）。
A. 减小集电极电阻B. 增大集电极电阻C. 减小基极电阻D. 增大基极电阻答案：B3. 理想运算放大器的输入电阻是（）。
A. 0B. ∞C. 1ΩD. 100Ω答案：B4. 差分放大电路中，差模信号是指（）。
A. 两个输入端输入信号相同B. 两个输入端输入信号相反C. 两个输入端输入信号相加D. 两个输入端输入信号相减答案：B5. 正弦波振荡电路中，振荡频率由（）决定。
A. 放大倍数B. 反馈系数C. 电路中的RC或LC参数D. 电源电压答案：C6. 场效应管（FET）的控制方式是（）。
A. 电流控制B. 电压控制C. 温度控制D. 光控制答案：B7. 在多级放大电路中，级间耦合方式采用直接耦合时，电路的静态工作点（）。
A. 容易设置B. 容易漂移C. 不容易设置D. 不容易漂移答案：B8. 负反馈可以（）放大电路的放大倍数。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B9. 晶体管的饱和区是指（）。
A. 集电极电流最大B. 集电极电流最小C. 集电极电流接近于零D. 集电极电流远大于基极电流答案：D10. 模拟乘法器的主要功能是（）。
A. 信号放大B. 信号相加C. 信号相乘D. 信号相除答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在共发射极放大电路中，若要提高输入电阻，可以采用______偏置方式。
答案：集电极2. 差分放大电路的共模抑制比（CMRR）是衡量差分放大电路对共模信号抑制能力的指标，其定义为差模电压放大倍数与共模电压放大倍数的比值，用分贝表示时，CMRR = 20log（差模电压放大倍数/共模电压放大倍数）。
答案：20log3. 理想运算放大器的两个输入端分别为______输入端和反相输入端。
模电期末考试试题及答案一、选择题（每题3分，共30分）1. 在理想运算放大器中，输入端的输入电流为（）。
A. 0B. 非零值C. 正无穷D. 负无穷答案：A2. 共发射极放大电路中，若集电极电流增大，则基极电流将（）。
A. 增大B. 减小C. 保持不变D. 无法确定答案：A3. 晶体三极管工作在放大区的条件是（）。
A. VBE > 0.7V，VCE > VBEB. VBE < 0.7V，VCE < VBEC. VBE > 0.7V，VCE < VBED. VBE < 0.7V，VCE > VBE答案：A4. 差分放大电路的差模输入信号是指（）。
A. 两个输入端电压大小相等，相位相反B. 两个输入端电压大小不等，相位相反C. 两个输入端电压大小相等，相位相同D. 两个输入端电压大小不等，相位相同答案：C5. 负反馈可以（）。
A. 增加放大倍数B. 减少非线性失真C. 增加电路的稳定性D. 增加输入电阻答案：C6. 场效应管的漏极电流ID与栅源电压VGS之间的关系是（）。
A. 线性关系B. 非线性关系C. 无关系D. 反比关系答案：B7. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限值B. 很大C. 很小D. 0答案：B8. 共基极放大电路的输入阻抗和输出阻抗分别是（）。
A. 低，高B. 高，低C. 低，低D. 高，高答案：B9. 晶体三极管的电流放大系数β是指（）。
A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 发射极电流与集电极电流之比答案：A10. 电路中引入负反馈后，可以（）。
A. 增加放大倍数B. 增加非线性失真C. 增加电路的稳定性D. 增加输入电阻答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 理想运算放大器的输入端输入电流为________，输出电压为________。
答案：0，±Vcc2. 晶体三极管工作在饱和区的条件是VCE ≤ ________。
模电试题及答案(大学期末考试题)1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是扩散电流和漂移电流的总和，它由杂质离子形成，其大小与杂质浓度和电场强度有关，而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻无限大，等效成断开。
4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结正向偏置。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增加，发射结压降减小。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用直流负反馈，为了稳定交流输出电流采用交流负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/β，对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF≈1.10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=AF×XXX，其中BW为放大电路本身的带宽，AF称为反馈系数。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交叉失真，而采用甲类互补功率放大器。
13、OCL电路是单电源互补功率放大电路；OTL电路是无输出变压器互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小、输入电阻大、输出电阻小等特点，所以常用在输入级、输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制共模漂移，也称为共模抑制，所以它广泛应用于仪器测量电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调制，未被调制的高频信号是载波。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=K×U1×U2，电路符号是×。
二、选择题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在反向击穿状态，但其两端电压必须大于稳压值Uz才有导通电流，否则处于正常反向偏置状态。
南京信息工程大学
2012-2013学年二学期模拟电子技术基础期末考试试卷(A卷)
班级:___________学号:___________姓名:___________得分:___________
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 成绩 复核
得分
阅卷
题目部分，(卷面共有17题,100分,各大题标有题量和总分)
一、选择题(7小题,共30分)
1．随着温度升高，晶体管的电流放大系数____，穿透电流____，在IB不变的情况下
b-e结电压UBE____。
A、增大， B、减小， C、不变
2．指出符合下列性能特点的电路有哪些？
1．电压放大倍数绝对值能大于1的电路有____；
2．输出电压和输入电压同相的电路有____；
3．能获得比较大的输入电阻的电路是____。
3．已知图示电路中晶体管的，，在输入电压为有效值等于10mV的1kHz
正弦信号时，估计输出电压有效值为________。
A、0.5V， B、1V， C、2V， D、5V
4．直接耦合放大电路引入负反馈后，则________________。
A、有可能产生低频自激， B、有可能产生高频自激，
C、低、高频自激均有可能。
5．所谓交流正反馈是指________________的反馈。
A、放大倍数为正数， B、变小 ， C、变大。
6．一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则________________。
A、一定会产生高频自激振荡， B、有可能产生高频自激振荡，
C、一定不会产生高频自激振荡。
7．三级或三级以上的级间负反馈放大电路_________________。
A、一定会产生自激振荡， B、有可能产生自激振荡。
二、填空题 (5小题,共20分)
1．场效应管的________________极电流远小于双极型管的基极电流，因此共源放大的电路
的输入电阻远________________于共射放大电路的输入电阻。
2．晶体管的ICBO是指________________极开路时，________________极与
________________极间的反向饱和电流；ICEO是指________________极开路时，
_______________极与_________________极之间的穿透电流；ICEO大约为ICBO
________________倍。
3．某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3的负
载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为 ________________。
4．在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是、、，
则三级放大电路 折合为 dB。
5．如图所示电路
1．请在方框内画出二极管，使之成为桥式整流电路；
2．设电容取值满足RLC≥（3～5）（T＝20ms），输出电压平均值==24V，问变压
器次级电压有效值约为多少伏？
三、非客观题(5小题,共50分)
1．已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为 T1时的伏安特性如
图中虚线所示。
1．在25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？
2．温度T1是大于25℃还是小于25℃？
2．结型场效应管的漏极电流可用下式表示：已知某结型场效应管
的，，求当时的跨导。
3．已知图示电路中晶体管的＝200，，UBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对
交流信号可视为短路。
1．估算电路在静态时的、、；
2．画出简化h参数交流等效电路图；
3．求电压放大倍数(/）、(/）、输入电阻、输出电阻；
4．一旦Ce开路，该电路的静态工作点，电压放大倍数、输入电阻、输出电阻会发生什么变
化？（增大、 减小、 不变）
4．放大电路和场效应管的输出特性曲线及恒流区内的转移特性曲线如图所示。
1．图解确定静态工作点、、；
2．图解确定静态工作点处的跨导；
3．在不产生明显失真（不进入夹断区和可变电阻区）条件下，最大输出电压幅度等于多少？
5．电路及其输入波形如图（a）、（b）所示。设运算放大器、二极管和电容器都是理想元器
件，试画出输出电压的波形图。
====~~~~南京信息工程大学
2012-2013学年二学期模拟电子技术基础期末考试试卷(A卷)
答案部分，(卷面共有17题,100.0分,各大题标有题量和总分)
一、选择题(7小题,共50分)
1．A|A|B 2．B|AC|C 3．B 4．B 5．C 6．C 7．B
二、填空题 (5小题,共50分)
1．栅 大
2．Ans00132发射 集电 基 基 集电 发射 1＋β
3．2k
4．105 100
5．1．
2．U2 20V
三、非客观题(5小题,共50分)
1．1．死区电压约为0.2V 反向击穿电压约为70V 反向电流约为5μA 2．T1大于25℃
2．
3．1．
μA
2．
3．
＝// Rb1// Rb2≈4.6k
＝＝4.3
4．静态工作点和不变，、减小，增大
4．1．
，，
2．
3．作交流负载线，最大输出电压幅度由夹断限制，
5．考虑，输出电压波形如图所示。
