材料物理习题

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第三章晶体缺陷

1. 设铜中空位周围原子的振动频率为10 13 s -1,⊿Em为0.15 ×10 -18 J,exp(⊿Sm/k)约为1,试计算在700K和室温(27℃)时空位的迁移频率。

2. Nb的晶体结构为bcc,其晶格常数为0.3294nm,密度为8.57g/cm 3 ,试求每10 6 Nb中所含空位数目。

3. Pt的晶体结构为fcc,其晶格常数为0.39231nm,密度为21.45g/cm 3,试计算空位所占的格子之比例。

4. 若fcc的Cu中每500个原子会失去一个原子,其晶格常数为0.36153nm,试求铜的密度。

5. 若H原子正好能填入a-Fe的间隙位置,而如果每200个铁原子伴随着一个H原子,试求理论的和平均的密度与致密度(已知a-Fe a=0.286nm,r Fe =0.1241nm,r H =0.036nm)。

6. MgO的密度为3.58g/cm 3,其晶格常数为0.42nm,试求每个MgO单位晶胞内所含的肖托基缺陷之数目。

7. 在铁中形成1mol空位的能量为104.675KJ,试计算从20℃升温之850℃时空位数目增加多少倍?

8. 由600℃降至300℃时,锗晶体中的空位平衡浓度降低了六个数量级,试计算锗晶体中的空位形成能。

9. 钨在20℃时每1023个晶胞中有一个空位,从20℃升至1020℃,点阵常数膨胀了(4×

10 -4)%,而密度下降了0.012%,求钨的空位形成能及形成熵。

10.铝的空位形成能(EV)和间隙原子形成能(Ei)分别为0.76eV和3.0eV,求在室温(20℃)及500℃时铝空位平衡浓度与间隙原子平衡浓度的比值。

图3-1

17.如图3-3所示,在相距为h的滑移面上有两个相互平行的同号刃型位错A、B。试求出位错B滑移通过位错A上面所需的切应力表达式。

18.已知金晶体的G=27GPa,且晶体上有一直刃位错b=0.2888nm,

试作出此位错所产生的最大分切应力与距离关系图,并计算当距离

为2mm时的最大分切应力。

19.两根刃位错显得b大小相等且相互垂直(如图3-4所示),计算位

错2从其滑移面上x<=0处移至x=a处所需的能量。

20.在同一滑移面上有两根平行的位错线,其柏氏矢量大小相等且相

交成Φ角,假设两柏氏矢量相对位错线呈成对配置(图3-5),试对能

量角度考虑Φ在什么只是两根位错线相吸或相斥。

21.图3-6所示某晶体位错面上有一柏氏矢量为b的位错环并收到一均

匀切应力τ的作用,a)分析各段位错线所受力的大小并确定其方向;

b)在τ作用下,若要使它在晶体中稳定不动,其最小半径为多大?

22.试分析在fcc中,位错反应a[10-1]/2+a[-112]/6=a[11-1]/3能否进行?

并指出其中三个位错的性质类型?反应后生成的新位错能否在滑移面

上运动?

23.试证明fcc中两个肖克莱不全位错之间的平衡距离ds可近似由下式

给出:ds≈Gb 2 /24πr。

24.已知某fcc的堆垛层错γ为0.01J/m2,G为7γTM 10 -10 Pa,

a=0.3nm,ν=0.3,试确定a[11-2]/6和a[2-1-1]/6两不全位错之间的平

衡距离。

25.在三个平行的滑移面上有三根平行的刃型位错线A、B、C(图3-7)

其柏氏矢量大小相等,AB被钉扎不能动,a)若无其它外力,仅在A、B应力场作用下,位

错C向哪个方向运动?b)指出位错向上述方向运动后最终在何处停下?

26.如图3-8所示,离晶体表面l处有一螺位错1,相对应的在晶体外有一符号相反的镜像螺位错2,如果在离表面l/2处加以同号螺位错3,试计算加至螺位错3上的力,并指出该力将使位错3向表面运动还是向晶体内部运动;如果位错3与位错1的符号相反,则结果有何不同(所有位错的柏氏矢量都为b)?

27.铜单晶的点阵常数a=0.36nm,当铜单晶样品以恒应变速率进行拉伸变形时,3秒后,试样的真应变为6%,若位错运动的平均速度为4γTM 10

-3 cm/s,求晶体中的平均位错密度。

28.铜单晶中相互缠结的三维位错网络结点间平均距离为

D,a)计算位错增殖所需应力τ;b)如果此应力决定了材料

的剪切强度,为到达G/100的强度值,且已知G=50GPa,

a=0.36nm,D应为何值?c)计算当剪切强度为42MPa时的

位错密度ρ。

29.试描述位错增殖的双交滑移机制。如果进行双交滑移的那段螺型位错长度为100nm,而位错的柏氏矢量为0.2nm,试求实现位错增殖所必需的切应力(G=40GPa)。

30.在Fe晶体中同一滑移面上有三根同号且b相等的直刃型位错线A、B、C,受分切应力τx 的作用塞积在一个障碍物前(图3-9),试计算出该三根位错线的间距及障碍物受到的力(已知G=80GPa,τx =200MPa,b=0.248nm)。

31.证明公式D=b/(2sin(θ/2))≈b/θ也代表形成扭转晶界的两个平行的螺型位错之间的距离,这个扭转晶界是绕晶界的垂直线转动了多少角而形成。

32.在铝试样中,测得晶粒内部密度为5×109 /cm2。假定位错全部集中在亚晶界上,每个亚晶粒的截面均为正六边形。亚晶间倾斜角为5°,若位错全部为刃型位错,b=a[101]/2,柏氏矢量的大小等于2×10 -10 m,试求亚晶界上的位错间距和亚晶的平均尺寸。

33.Ni晶体的错排间距为2000nm,假设每一个错排都是由一个额外的(110)原子面所产生的,计算其小倾角晶界的多少角。

34.若由于嵌入一额外的(111)面,使得a-Fe内产生一个倾斜1°的小角度晶界,试求错排间的平均距离。

35.设有两个α晶粒与一个β相晶粒相交与一公共晶棱,并形成三叉晶界,已知β相所张的两面角为100°,界面能γαα为0.31Jm -2,试求α相与β相的界面能γαβ。

36.证明一维点阵的α-β相界面错配可用一列刃型位错完全调节,位错列的间距为

D=αβ/δ,式中αβ为β相的点阵常数,δ为错配度。