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基于IR2136的无刷直流电机驱动电路的设计无刷直流电机是一种广泛应用于工业和家用设备中的驱动器件。
与传统的有刷直流电机相比，无刷直流电机具有更高的效率、更长的寿命和更低的噪音水平。
为了实现无刷直流电机的控制和驱动，需要设计相应的驱动电路。
IR2136是一种常用的无刷直流电机驱动器件。
它具有多种保护和控制功能，可以用于控制无刷直流电机的转速、方向和制动等。
下面是基于IR2136的无刷直流电机驱动电路设计的详细介绍。
首先，设计一个适合的电源电路来为驱动器件和无刷直流电机提供电源。
电源电路应具有稳定的输出电压和电流能力。
通常，使用电池或稳压电源作为驱动电路的电源。
其次，设计一个合适的电机驱动电路。
IR2136包括三个半桥驱动器，每个半桥驱动器都包括一个高侧和低侧开关管。
通过控制这三个半桥驱动器的开关管的导通和截止状态，可以实现对无刷直流电机的控制。
此外，IR2136还具有保护电路，如过温保护、过电压保护、低电压保护和短路保护等。
这些保护功能可以保证电机和驱动器的安全运行。
在设计过程中，需要根据无刷直流电机的参数和工作要求选择合适的电源电压、电流和功率。
还需要选择合适的IR2136驱动芯片和外围电路元件，如电感、电容等。
此外，还需要设计驱动器和电机之间的连接线路，保证信号传输的可靠性。
最后，进行电路的调试和测试。
通过对电路进行测试和调试，可以确保电机能够正常工作，并且具有所需的转速和扭矩。
在调试过程中，可以调整驱动器的参数和工作模式，如占空比、频率等，来优化电机的性能。
总结起来，基于IR2136的无刷直流电机驱动电路设计需要考虑电源电路、驱动器电路和保护电路等方面的设计。
通过合理选择电路元件和参数，并进行适当的调试和测试，可以实现无刷直流电机的稳定驱动和控制。
这样的电路设计可以用于各种需要无刷直流电机的应用中，如工业自动化、机器人和电动车等。
单电容半桥镇流器全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：单电容半桥镇流器是一种常用的电路拓扑结构，用于直流至交流逆变应用中。
它结合了半桥变换器和电容器滤波器的优点，同时具有较高的效率和稳定性。
在工业领域和电子设备中有着广泛的应用。
本文将从单电容半桥镇流器的原理、工作过程、优缺点以及应用领域等方面进行详细介绍。
一、原理及工作过程单电容半桥镇流器主要由半桥变换器和电容器组成。
在交流输入端，半桥变换器通过开关管控制电流的通断，实现对输入电压的调节。
而在输出端，电容器则起到滤波和存储能量的作用，使得输出电压更加平滑和稳定。
其工作过程可以分为以下几个步骤：1. 上桥臂中两个开关管T1和T2同时导通，下桥臂中两个二极管D1和D2导通，此时电容器C充电；2. 上桥臂中两个开关管T1和T2同时关断，下桥臂中两个开关管D1和D2导通，电容器C放电，输出电压为负；3. 上述过程交替进行，通过控制开关管的导通和关断来实现对输出电压幅值和频率的调节。
二、优缺点1. 优点：（1）输出电压稳定性高，波形纹波较小，适用于对输出电压要求较高的应用场合；（2）效率高，能够实现较高的电能转换效率；（3）结构简单，可靠性高，易于控制和维护。
（1）电容器的容量对输出电压稳定性有较大影响，需要根据具体应用场合选择合适的电容器容量；（2）输出电流波形含有谐波成分，可能对载波等产生较大影响；（3）对开关管和二极管的要求较高，成本较高。
三、应用领域单电容半桥镇流器在工业领域和电子设备中有着广泛的应用，主要包括以下几个方面：1. 交流调直流电源：常见于电机驱动系统、UPS系统等场合，能够实现对交流电源的直流化输出；2. 逆变器应用：通过逆变电路将直流电源转换为交流输出，广泛应用于风力发电机组、太阳能发电系统等领域；3. 灯光调节系统：用于LED灯光控制、光伏发电系统等场合，实现对照明亮度的调节。
单电容半桥镇流器是一种效率高、稳定性好的电路拓扑结构，在工业领域和电子设备中有着广泛的应用前景。
IR2304半桥驱动集成电路的功能原理及应用来源：国外电子元器件作者：陈忠仁佘艳孙云莲摘要：IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱动两个中功率半导体器件如MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作频率高，且具有多种保护功能。
文中介绍了IR2304的功能特点、工作原理和典型应用电路。
关键词：半桥驱动集成电路；IR2304；三相桥式逆变器１ＩＲ２３０４的功能特点ＩＲ２３０４是国际整流器公司（ＩＲ）新推出的多功能６００Ｖ高端及低端驱动集成电路，这种适于功率ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ驱动的自举式集成电路在照明镇流器、电源及电机等功率驱动领域中将获得广泛的应用。
ＩＲ２３０４的性能特点如下：（１）芯片体积小（ＤＩＰ８），集成度高（可同时驱动同一桥臂的上、下两只开关器件）；（２）动态响应快。
典型通断延迟时间２２０／２２０ｎｓ、内部死区时间１００ｎｓ、匹配延迟时间５０ｎｓ；３）驱动能力强，可驱动６００Ｖ主电路系统。
具有６０ｍＡ／１３０ｍＡ输出驱动能力，栅极驱动输入电压宽达１０～２０Ｖ；（４）工作频率高。
可支持１００ｋＨｚ或以下的高频开关，可与ＩＲＦ８３０或ＩＲＦＢＣ３０等较小巧的ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ配合使用；（５）输入输出同相设计。
提供高端和低端独立控制驱动输出，可通过两个兼容３．３Ｖ、５Ｖ和１５Ｖ输入逻辑的独立ＣＭＯＳ或ＬＳＴＴＬ输入来控制，为设计带来了很大的灵活性；６）低功耗设计，坚固耐用且防噪效能高。
ＩＲ２３０４采用高压集成电路技术，整合设计既降低成本和简化电路，又降低设计风险和节省电路板的空间。
相比于其它分立式、脉冲变压器及光耦解决方案，ＩＲ２３０４更能节省组件数量和空间，并提高可靠性；（７）具有电源欠压保护和关断逻辑。
ＩＲ２３０４有两个非倒相输入及交叉传导保护功能，整合了专为驱动电机的半桥ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ电路而设的保护功能。
MOSFET_IGBT半桥驱动芯片IR21的应用研究IR2111是一种常用的MOSFET_IGBT半桥驱动芯片，被广泛应用于工业电子，电力转换以及电动汽车等领域。
本文将对IR2111的应用进行研究，分析其特点、工作原理以及应用案例。
一、IR2111的特点1.高可靠性：IR2111在设计上考虑了抗高斯噪声和电磁干扰，具有较高的抗干扰性能，可以提供稳定可靠的驱动信号。
2.高驱动能力：IR2111具有较大的输出电流能力，可以直接驱动大功率MOSFET或IGBT。
3.半桥驱动：IR2111适用于半桥拓扑结构，可以同时驱动上下桥臂的MOSFET或IGBT，实现高效率的功率转换。
4.内置保护机制：IR2111内置短路保护电路和过电流保护电路，可以有效保护MOSFET或IGBT免受损坏。
5.宽工作电压范围：IR2111的工作电压范围广泛，可以适用于不同的应用场合。
二、IR2111的工作原理IR2111采用了双侧驱动的结构，内部包含一个低侧驱动和一个高侧驱动，用于驱动半桥拓扑结构中的MOSFET或IGBT。
1. 低侧驱动：低侧驱动电路由“1/2H-bridge”和“LO”引脚组成。
当“LO”引脚输入高电平时，“1/2H-bridge”输出低电平，MOSFET或IGBT导通。
当“LO”引脚输入低电平时，“1/2H-bridge”输出高电平，MOSFET或IGBT截止。
2. 高侧驱动：高侧驱动电路由“1/2H-bridge”和“HO”引脚组成。
当“HO”引脚输入低电平时，“1/2H-bridge”输出高电平，MOSFET或IGBT导通。
当“HO”引脚输入高电平时，“1/2H-bridge”输出低电平，MOSFET或IGBT截止。
3.脉冲变换器：IR2111内部还包含一个脉冲变换器，用于将输入信号转换为半桥驱动信号，并提供相位补偿和死区时间控制。
三、IR2111的应用案例1.电机驱动：IR2111可以应用于电机驱动中，将其用于MOSFET或IGBT的半桥驱动电路中，实现电机的高效率驱动。
IR21531的实例应用: 高功率因数荧光灯电子镇流器设计——PWM型AC/DC和DC/AC变换电路综合应用专题照明技术与我们日常生活息息相关，在工厂、办公室、图书馆、餐厅、学校、商店等场所，照明技术为我们提供了宜人的工作、生活环境。
在现代照明技术中，电子镇流器由于其效率高、无频闪、无噪声、体积小等优点得到了广泛应用，此外，电子镇流器还能够实现调光，功率因数校正、同时驱动多支灯管等功能。
照明系统依赖于镇流器与灯源的协同工作，了解灯源的工作特性是设计电子镇流器的前提。
一、荧光灯的结构和工作特性1、荧光灯的结构组成家庭及工业照明用荧光灯（俗称日光灯）是一种低压汞蒸汽放电灯，其大部分光是由放电产生的紫外线激发管壁上的荧光粉涂层而发射出来的。
附图5-1是直管形荧光灯结构示意图。
荧光灯的核心部分是管形玻璃管和灯丝，其中，玻璃附图5-1 直型荧光灯管的结构示意图管的内壁上涂有荧光粉。
管内填充有惰性气体（如氩）和低气压汞蒸汽。
在灯两端各有一个电极，电极通常由钨螺旋做成，上面涂有热电子发射材料，人们将这种涂有电子发射材料的灯丝称为阴极。
灯丝两端与被称为导丝的支架相连接，导丝又与两个引出电极相连。
导丝和喇叭管等组成芯柱，其作用是保证电导线与玻璃壳进行气密性封接。
荧光灯工作时，放电发生在低气压的汞蒸汽和惰性气体的混合气中，产生很强的253.7nm的紫外辐射，经荧光粉转换成可见光。
2、荧光灯的主要特性与其它一些气体放电灯一样，荧光灯具有负阻抗特性，典型的荧光灯电压—电流（V-I）特性曲线如附图5-2所示。
当施加于荧光灯两端的电压低于触发启动电压（U strike ）时，灯呈高阻关断状态，灯中没有电流通过，一旦外加电压达到了灯的点火电压值，灯则导通，并且其两端电压立即降低，灯电流增大，呈现负阻特性。
由于外接镇流器的限流作用，使灯电流稳定在额定值，并且灯两端的导通电压降（U on ）也基本保持不变。
荧光灯的触发启动电压和正常工作时灯两端的电压降与灯管长度、灯管直径、灯管内填充气体的种类、气压、温度以及电极种类（是冷阴极还是热阴极）等因素有关。
IR2101半桥驱动案例案例背景：假设我们有一个电压为12V，电流为10A的直流电机，我们需要设计一套半桥驱动电路来控制电机的运动。
为了提高系统的性能和效率，我们选择使用IR2101作为驱动器。
方案设计：1.电源电压选择：由于电机电压为12V，我们可以使用一个12V电源来为半桥驱动电路供电。
在实际设计过程中，我们需要考虑电源的质量和稳定性，以确保半桥驱动器正常工作。
2.半桥电路设计：半桥电路是由N沟MOS管和P沟MOS管组成，其作用是控制电机的正反转。
在设计过程中，需要根据电机的工作电压和电流来选择合适的MOS 管。
3.IR2101参数选择：4.电路连接和布局：将电源、半桥电路和IR2101进行连接，进行布局时需要考虑信号传输的稳定性和抗干扰能力。
5.控制信号生成：案例实施：1.根据电机的工作电压和电流选择合适的MOS管。
假设我们选择N沟MOS管的额定电流为20A，满足电机电流为10A的需求。
2.根据IR2101的参数表选择合适的IR2101型号。
假设我们选择IR2101S，其工作电源电压范围为10V-20V，满足12V电源的需求。
3.根据电路连接和布局的要求，进行布线设计。
将电源、半桥电路和IR2101进行连接，保证信号的传输稳定性和抗干扰能力。
4.生成驱动信号。
控制信号由一个PWM信号和一个逻辑信号组成，可以使用微控制器来生成。
根据电机的工作速度和转向生成相应的控制信号。
5.连接电机并进行测试。
将电机连接到半桥驱动电路上，接入电源，通过控制信号来控制电机的运动。
进行测试，验证系统的性能和功能是否满足需求。
总结：通过这个案例，我们了解了IR2101半桥驱动器的应用，重点介绍了设计过程中的关键要点，包括电源电压选择、半桥电路设计、IR2101参数选择、电路连接和布局以及控制信号生成。
通过正确选择和设计，可以实现高效、稳定和可靠的半桥驱动系统。
《电机技术》２００５年第１期． 13 .摘要：介绍一种新型的ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ驱动器ＩＲ２１３６的结构和原理，并用此芯片实现了电机矢量控制系统。
试验结果显示电机控制系统具有良好的特性，证明该芯片在实现电机控制系统中的实用性。
关键词：ＩＲ２１３６ＩＧＢＴＭＯＳＦＥＴ电机Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｓ ｔｈｅ ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ ａｎｄｐｒｉｎｃｉｐａｌ ｏｆ ＩＲ１２３６，ｗｈｉｃｈ ｉｓ ａ ｎｅｗ ｔｙｐｅ ＭＯＳＦＥＴ ａｎｄ ＩＧＢＴＤｒｉｖｅｒ．Ｗｅ ｃｏｎｓｔｒｕｃｔ ａ ｖｅｃｔｏｒ ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｙｓｔｅｍ ｏｆ ｍｏｔｏｒ，ｔｈｉｓｓｙｓｔｅｍ ｈａｓ ｓｈｏｗｎ ｇｏｏｄ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓ ａｎｄ ｉｔｓ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓ ｖｅｒｉｆｙ ｔｈｅ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｐｒａｃｔｉｃａｌｉｔｙ ｏｆ ｔｈｉｓ ｍｅｔｈｏｄ ｉｎｍｏｔｏｒ ｄｒｉｖｅｒｓ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＩＲ２１３６ＩＧＢＴＭＯＳＦＥＴＭｏｔｏｒ１引言功率元件驱动电路的特性在ＰＷＭ伺服系统中占有很重要的地位，在三相ＰＷＭ交流伺服系统中，逆变桥主电路有６个功率开关器件（功率ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ），若每个开关器件都用一单独的驱动电路驱动，则需６个驱动电路，至少要配备４个相互独立的直流电源为其供电，使得系统硬件结构复杂，可靠性下降。
ＩＲ２１３６是功率ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ专用栅极驱动集成电路，独有的ＨＶＩＣ（Ｈｉｇｈ ｖｏｌｔａｇｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）技术使得它可用作驱动工作在母线电压高达６００Ｖ的电路中的功率ＭＯＳ器件。
其内部采用自举技术，使得功率驱动元件驱动电路仅需输入一个直流电源，使其实现对功率ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ的最优驱动。
它还具有完善的保护功能，它们的应用可提高系统的集成度和可靠性，并可大大缩小线路板的尺寸。
驱动电路IR2110的特性及应用功率变换装置中的功率开关器件，根据主电路的不同，一般可采用直接驱动和隔离驱动两种方式。
其中隔离驱动可分为电磁隔离和光电隔离两种。
光电隔离具有体积小，结构简单等优点，但同时存在共模抑制能力差，传输速度慢的缺点。
快速光耦的速度也仅有几十kHz。
电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，具有响应速度快(脉冲的前沿和后沿)，原副边的绝缘强度高，dv／dt共模干扰抑制能力强等特点。
但信号的最大传输宽度有受磁饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。
而且最大占空比被限制在50％。
同时信号的最小宽度也要受磁化电流的限制。
同时脉冲变压器体积也大，而且笨重，工艺复杂。
凡是隔离驱动方式，每路驱动都需要一组辅助电源，若是三相桥式变换器，则需要六组，而且还要互相悬浮，因而增加了电路的复杂性。
随着驱动技术的不断成熟，现已有多种集成厚膜驱动器推出。
如EXB840／841、EXB850／851、M57959L／AL、M57962L／AL、HR065等等，它们均采用的是光耦隔离，而光耦隔离仍受到上述缺点的限制。
而美国IR公司生产的IR2110驱动器则兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。
1? IR2110的结构特点IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS工艺制造，DIP14脚封装。
该器件具有独立的低端和高端输入通道。
其悬浮电源采用自举电路，高端工作电压可达500 V，dV／dt=±50 Wns，15 V下的静态功耗仅116 mW。
IR2110的输出端f脚3，即功率器件的栅极驱动电压)电压范围为10～20 V，逻辑电源电压范围(脚9)为5～15 V，可方便地与TTL、CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5 V的偏移量；此外，该器件的工作频率可达500 kHz，而且开通、关断延迟小(分别为120 ns和94 ns)，图腾柱输出峰值电流为2 A。
自适应电子镇流器控制器IR2520类别：传感与控制阅读：988IR2520是国际整流器公司生产的自适应CFL(小型荧光灯）照明镇流器控制芯片，可使镇流器的组件数量减少20%，与传统的电子镇流器设计相比，可提高镇流器的可靠性，并可补偿由于温度和老化而引起的电灯特性变化。
（1）特性IR2520依靠经过整流的线路电压来工作，并为600 V半桥提供栅极驱动。
600 V半桥通过一个简单的谐振LC网络为灯管供电。
IR2520能自我启动，并能防范灯丝烧断和灯管放电故障。
IR2520的主要特点如下：集成有600 V的半桥驱动器、高压自举二极管及15.6 V的齐纳钳位二极管；内置0-5 V直流电压控制振荡器；具有波峰因数检测过电流保护功能，可省去外部电流感测电阻；最小频率及正常工作时的工作频率均可编程；启动电流很小（只有150μA）。
(2)内部电路与引脚功能IR2520有8脚PDIP封装（IR2520D）和8脚SOIL封装（IR2520S）两种封装形式。
其内部电路框图如图所示，各引脚功能见下表.(3)应用电路IR2520已在芯片内集成了自适应镇流器控制器和600 V半桥驱动器，既不需要变压器，也不需要PTC热敏电阻，从而使采用它的镇流器具有体积小、发热量少的优点，因而可方便地驱动30 W以下的紧凑型荧光灯（俗称节能灯）。
由IR2520组成的紧凑型荧光灯电子镇流器电路框图如图所示。
该镇流器的输人电压范围为180--270 V，输出端可配接7-35 W的灯管。
当图中的启动电路工作时，流过启动电阻RSUPPLY的电流将对启动电容CVCC进行充电，并使CVCC上的电压逐渐升高。
在1脚电压达到启动门限电平13.2 V之前，3脚和4脚上的电压均为OV，半桥截止。
一旦1脚上的电压超过13 ．2V，IR2520将导通并开始振荡。
此时，IR2520内部的电流源将对4脚外部电容CVCO充电，从而使4脚上的电压从OV 线性增加，同时使内部压控振荡器的振荡频率从最大值开始线性降低。
半桥驱动芯片参数引言半桥驱动芯片是一种常用的电路芯片，用于驱动半桥电路，实现电力转换和控制。
本文将介绍半桥驱动芯片的几个重要参数，包括电源电压、输出电流和响应时间等。
一、电源电压电源电压是指半桥驱动芯片正常工作所需的电压范围。
一般情况下，半桥驱动芯片的电源电压范围为5V至20V。
超出这个范围，芯片可能无法正常工作，甚至损坏。
因此，在设计电路时，需要确保所选的半桥驱动芯片的电源电压范围符合实际需求。
二、输出电流输出电流是指半桥驱动芯片能够输出的最大电流。
半桥驱动芯片通常有两个输出端，分别用于驱动上半桥和下半桥。
输出电流的大小直接影响到半桥电路的输出功率。
一般来说，半桥驱动芯片的输出电流范围为几百毫安至几安培。
在设计电路时，需要根据实际负载的要求选择合适的输出电流。
三、响应时间响应时间是指半桥驱动芯片对输入信号变化的响应速度。
半桥驱动芯片通常需要在很短的时间内完成上半桥和下半桥的切换，以控制电流的流向。
因此，响应时间的快慢直接影响到半桥电路的工作效果。
一般来说，半桥驱动芯片的响应时间在几纳秒至几微秒之间。
在选择半桥驱动芯片时，需要根据实际需求考虑响应时间的要求。
四、过温保护过温保护是指半桥驱动芯片在温度超过一定阈值时自动保护的功能。
由于半桥电路在工作过程中可能会产生较大的热量，如果芯片无法及时散热，温度将会升高。
为了防止芯片因温度过高而损坏，半桥驱动芯片通常会具备过温保护功能。
当温度超过设定阈值时，芯片会自动停止工作或减小输出电流，以保护自身和其他电路。
五、输入电平输入电平是指半桥驱动芯片对输入信号的电平要求。
半桥驱动芯片一般有多个输入端，用于接收控制信号。
输入电平的要求包括高电平和低电平的电压范围、电平转换的阈值等。
在设计电路时，需要根据实际控制信号的特点选择合适的半桥驱动芯片，以确保输入信号能够被正确识别和处理。
六、电流保护电流保护是指半桥驱动芯片在输出电流异常时自动保护的功能。
由于半桥电路的负载可能存在短路、过流等情况，如果芯片无法及时保护，可能会导致芯片损坏或其他电路故障。
摘要：ＩＲ２１５６是ＩＲ公司推出的镇流器控制／半桥驱动器系列ＩＣ之一。
它的主要特点是可对预热时间、预热频率、运行工作频率、死区时间以及过电流保护等进行编程控制，因而为设计人员提供了高度的灵活性。
另外，ＩＲ２１５６内部还设计有灯轰击失败、灯失效保护及自动再启动等功能。
关键词：镇流器 控制 半桥驱动器
ＩＲ２１５６ １ 概述 ＩＲ２１５６是美国ＩＲ公司继ＩＲ３２５３／ＩＲ２１５５／ＩＲ２１５７／ＩＲ２１５９之后推出的镇流器与半桥驱动器系列ＩＣ之一。
与ＩＲ２１５６同时推出的系列专用ＩＣ还有ＩＲ２１５７１／ＩＲ２１５９１／ＩＲ２１６７等。
ＩＲ２１５６采用１４脚ＰＤＩＰ和ＳＯＩＣ两种封装，它所需外部元件少，适用性强。
图１为ＩＲ２１５６的内部电路框图。
ＩＲ２１５６的主要特点如下： ●镇流器控制和半桥驱动器集成在同一片ＩＣ中； ●预热频率、预热时间、死区时间、同部点火斜坡、工作频率以及过电流保护门限等功能或参数均可编程设置。
●具有ＤＣ总线欠压复位功能；
●具有关闭脚（ＳＤ脚）滞后功能，扰噪扰能力强； ●可微功率启动（１５０μＡ）；
●Ｖｃｃ脚可被内部１５．６Ｖ的齐纳二极管钳位； ●全部引脚均具有闭锁抗噪与静电放电（ＥＳＤ）保护功能。
ＩＲ２１５６的推荐工作条件如下： 高端浮置电源电压ＶＢＳ：Ｖｃｃ－０．７～１５．６Ｖ； 稳态高端浮置电源偏移电压Ｖｓ：－１～６００Ｖ； 电源电压Ｖｃｃ：１１．５～１５．６Ｖ； 电源最大电流Ｉｃｃ：１０ｍＡ； 关闭（ＳＤ）脚电流ＩＤＳ：－１～１ｍＡ； 电流感测（ＣＳ）脚电流ＩＣＳ：－１～１ｍＡ； 结温ＴＪ：－４０～１２５℃。
２ 功能及原理 ２．１ 欠电压封锁（ＵＶＬＯ）模式 图２给出了ＩＲ２１５６的启动与电源电路及启动电容ＣＶＣＣ上的电压波形。
当电路接通电源后，流经启动电阻ＲＳＵＰ的电流对ＣＶＣＣ充电。
当ＣＶＣＣ上的充电电压按指数规律升高到ＩＣ脚Ｖｃｃ的启动门限（Ｖｃｃｕｖ＋＝１１．５Ｖ）以上，并且ＳＤ脚上的电压低于４．５Ｖ时，ＩＣ导通，振荡器启动，ＨＯ和ＬＯ脚输出占空比为５０％的方波驱动电压。
由于ＩＣ工作电流的增强，ＣＶＣＣ开始放电。
在ＣＶＣＣ放电过程中，半桥输出信号经缓冲电容ＣＳＮＵＢ和二极管ＤＣＰ１整流后，又对ＣＶＣＣ充电。
但电荷泵充电不会使ＣＶＣＣ上的电压降至ＩＣ关断门限（ＶＣＣＵＶ－＝９．５Ｖ）以下，因为，ＩＣ脚Ｖｃｃ上的电压会被Ｖｃｃ脚内的齐纳二极管钳位于１５．６Ｖ，在ＩＲ２１５６驱动下，当外部低端开关管Ｍ２导通而使高端开关Ｍ１截止时，ＣＶＣＣ通过自举二极管ＤＢＯＯＴ对自举电容ＣＢＯＯＴ充电。
当Ｍ１导通而Ｍ２关断时，ＤＢＯＯＴ反向偏置，ＣＢＯＯＴ作为高端驱动器ＣＭＯＳ电路的电源。
当Ｖｃｃ脚电压降至ＵＶＬＯ门限
（Ｖｃｃｕｖ－＝９．５Ｖ）以下时，振荡器截止，ＨＯ与ＬＯ脚均输出低电平。
２．２ 预热（ＰＨ）模式 ＩＲ２１５６启动后，首先输出一个带５０％占空比的预热频率ｆＰＨ，其死区时间由ＣＴ脚外部的定时电容ＣＴ及内部电容（ＲＤｒ）来设定。
图３所示的镇流器预热及点火电阻简图。
在预热期间，ＩＣ内部的５μＡ的电流源对ＣＰＨ脚外部预热时间电容ＣＰＨ充电，ＣＳ脚上的过电流保护功能不起作用，预热频率由ＩＣ外部并联电阻ＲＴ和ＲＰＨ及ＣＴ决定。
ＣＴ充电与放电发生于Ｖｃｃ／３与３Ｖｃｃ／５之间。
ＣＴ充电依靠ＲＴ与ＲＰＨ并联组合电阻通过内部开关Ｓ１（ＭＯＳＦＥＴ）连接到Ｖｃｃ来实现。
从Ｖｃｃ／３到３Ｖｃｃ／５的这段充电时间是输出栅极驱动器的按时（ｏｎ ｔｉｍｅ）导通时间。
一旦ＣＴ脚上电压超过３Ｖｃｃ／５，Ｓ１断开，ＣＴ通过内部电阻ＲＤＴ与开关Ｓ３放电（到ＣＯＭ）。
从３Ｖｃｃ／５
到Ｖｃｃ／３的ＣＴ放电时间是ＨＯ与ＬＯ两路输出的死区时间。
只要ＣＴ放电到Ｖｃｃ／３以下，Ｓ３（ＭＯＳＦＥＴ）就接通，以
将ＲＴ与ＲＰＨ再次连接到Ｖｃｃ。
ＣＰＨ脚上的电压超过１３Ｖ之前，输出频率将保持在预热频率。
在预热期间，当ＣＰＨ脚上的电压超过７．５Ｖ后，系统将启动过电流保护和ＤＣ总线欠压复位上的电压。
这时预热频率只对灯丝加热而不会在灯两端产生高压使灯启动。
２．３ 灯点引燃（ＩＧＮ）模式 当ＣＰＨ脚上的电压超
过１３Ｖ后，ＩＲ２１５６将进入点火模式。
此时，ＣＰＨ脚连接内部Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ（Ｓ４）的栅极，以使ＲＰＨ和ＲＴ脚在ＩＣ内部连接在一起。
随着ＣＰＨ脚上电压平滑地沿斜坡升至Ｖｃｃ，开关Ｓ４也将缓慢切断，从而使ＲＰＨ与ＲＴ脚在内部断开，
这样可使预热频率沿向下的斜坡从灯启动（点火）频率降低到运行（点燃）频率。
在点火模式期间，工作频率的降低可使镇流器输出端ＬＣ电路发生谐振，并在灯两端产生一个高电压使灯管击穿导通而引燃。
２．４ 运行（ＲＵＮ）模式 一旦灯启动成功，镇流器即进入运行模式。
运行工作频率由ＲＴ与ＣＴ的值决定。
很显然，ｆＰＨ＆ｇｔ；ｆＩＧＮ＆ｇｔ；ｆＲＵＮ，即预热频率＆ｇｔ；点火频率＆ｇｔ；运行频率。
点火时间通常为预热时间
的１／４，即ＴＩＧＮ≤１／４ＴＰＨ。
图４所示是ＩＲ２１５６的运行程序图。
２．５ ＤＣ总线欠压复位 在ＤＣ总线电压过低时，镇流器的谐振输出级频率可能会接近或低于谐振频率，这样将有可能在半桥
开关中形成硬开关而使ＭＯＳＦＥＴ损坏。
为此，ＩＣ脚ＶＤＣ将实时检测ＤＣ总线电压，当ＶＤＣ脚上电压降至１０．９Ｖ（低
于Ｖｃｃ）时，Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ（Ｓ４）接通，从而使频率偏移到谐振频率之上的安全工作点。
在这个过程中，ＣＰＨ脚
上的电压被拉低，点火斜坡也复位。
一旦ＤＣ总线电压升高，灯将再次被点火。
２．６ 故障（ＦＡＵＬＴ
）模式 在预热之后的任何时间内，只要ＩＣ脚ＣＳ上的电压超过１．３Ｖ，ＩＣ就时进入故障模式，ＨＯ和ＬＯ
脚的输出也将被锁定在低电平。
为复位预热时间和终止振荡，ＣＰＨ和ＣＴ脚均被放电（到ＣＯＭ）。
如需退出故障模式，Ｖｃｃ必须地降低到关闭门限电压（Ｖｃｃｕｖ－）以下，而ＳＤ脚必须拉高到５．１Ｖ之。
当Ｖｃｃ升到导通门限
（Ｖｃｃｕｖ＋）以上且ＳＤ脚低于４．５Ｖ时，ＩＣ将重新开始振荡并再次进入预热模式。
３ 应用电路 用ＩＲ２１５６作控制／驱动器的４２Ｗ荧光灯电子镇流器电路如图５所示。
图中，Ｃ１和Ｌ１为ＲＦＩ滤波元件，由Ｄ１、Ｄ２与Ｃ２、Ｃ３组成整流滤波电路，ＬＲＥＳ为扼流圈，ＣＲＥＳ为灯启动电容。
该镇流器的有关参数为： 运行（工作）频率ｆＲＵＮ＝４３ｋＨｚ； 预热频率ｆＰＨ＝７０ｋＨｚ； 死区时间ｔＤＴ＝０．６μｓ； 灯最大点火电流ＩＩＥＮ（ＰＫ）＝２Ａ。
如果要求电子镇流器采
取功率因素校正（ＰＦＣ）措施，可以在桥式整流器之外增设ＰＦＣ升压变换器电路。
为减少高功率因数和低谐波畸变镇流器的元件数量，ＩＲ公司还推出了集镇流器控制与ＰＦＣ于一体的ＩＲ２１６７单片ＩＣ。
而ＩＲ２１５６控制ＩＣ适用
于输出功率较低的紧凑型荧火灯（ＣＦＬ）交流电子镇流器。
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