行输出级电路
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一．CRT的基本知识显象管是显示器中最重要的部件，它的价格最贵，作用最大。
通过显象管的屏幕实时地将计算机的工作过程和结果显示出来。
一、显像管结构显像管是将电信号转化为光信号的器件，它能实时地将计算机工作情况和结果以光的形式显示在荧光屏上，具有监视和显示的作用，国外通常叫监视器（即CRT）,国内通常叫显示器。
显像管由玻璃制成，它由电子枪、玻壳、荧光屏和管脚四部分组成。
下面分别加以叙述。
显像管结构见图。
1、电子枪电子枪由灯丝、阴极、栅极、加速极、聚焦极和阳极组成。
（1）灯丝：用HT表示, 彩色显像管灯丝电压为6.3V（有的显示器加行频脉冲电压），电流约为0.33A。
灯丝加电将阴极烘热发射电子。
（2）阴极：用K表示，阴受热后发射电子。
单色显像管阴极加电压为25~40V，彩色显像管加电压45~180V，随显像尺寸大小而异。
（3）栅极：又叫控制栅极，用G1表示。
圆筒形套在阴极外面，顶部中心开孔。
栅极加负电压0~-60V，用电位器（或电脑控制）调整负电压来调制通过的电子数目，改变显像管束电流的大小，从而控制荧光屏的亮度。
（4）加速极；用G2表示，加数百伏的正电压，彩色显像管加230~450V使电子束加速射向荧光屏，调整电位器可改变电压大小，从而控制荧光屏的背景亮度。
（5）焦极：单色显像管加数百伏电压，彩色显像管加5~8kV电压，使电子聚焦成很细的电子束。
改变聚焦电压的大小，可以改变荧光屏聚焦的好坏。
（6）阳极：又叫第二阳极，用A2表示。
彩色显像管加电压22~34K,随显像管尺寸大小而异。
阳极高压对电子束起最后加速的作用，使其有较大的能量轰击荧光屏百激发出光点，电压越高光点越亮。
但由于电子束速度快，偏转的角度就会减小，从而使行幅相对减小；阳极电压偏低时，光栅亮度变暗，在同样偏转磁场作用下，电子偏转角度加大，行幅加宽。
2、玻壳由显像管的屏玻璃、锥体和管颈组成，里面抽成真空。
锥体部分内、外壁均涂了一层石墨导电层，内壁涂层接阳极，外壁用弹簧接上金属屏蔽导线接显示器地线（底板），两导电层之间构成数百微法拉的大电容，作为阳极高压过滤之用。
3、荧光屏显像管荧光屏玻璃内壁涂一层荧光膜，受电子轰击而发光，发光颜色与荧光粉颜色有关。
屏上荧光粉里边有一层很薄的铝膜（十分之几微米），与显像管阳极相连，电子束很容易通过，加大了荧光粉的发射效率和荧光屏的亮度，还可遮挡后面的杂散光，增强了对比度。
行输出级电路CRT屏幕之所以发光，主要是由行管与偏转线圈、FBT等共同提供的扫描大电流和阳极高压实现的。
行输出级消耗的功率，约占整级50％左右。
主要包含以下三个部分：一、行激励与行输出部分IC401之H-OUT信号经Q429放大至10V左右，经C416耦合加至Q402 G极，因MOS 管输入电阻很大，积累的电荷不易泄放，改需加一泄放电阻R455，而D409是对电容耦合之交流信号钳位，使其最小不超过其压降（－0.7V），使其正常驱动Q402。
T401是反极性激励变压器，它与Q402、Q403一起构成反极性行驱动电路，即Q402导通进，Q403截止；Q402截止Q403导通，两者交替工作，使激励级具有良好的隔离作用，因而输出极的阻抗变化不会反射到振荡级、并使变压器T401的磁通缓慢变化，有利于抑制高频寄生振荡。
R430、R428是匹配激励电源电压的电阻，同时也可防止启动瞬间电流太大，C414是直流滤波电容；C415与R425是阻尼电路，防止T401初级电流（不能突变）与分布电容产生高频振荡而激起高压损坏Q402，同时C415上电压升高后，电流方向变化，感应到次级后，使Q403正偏导通。
D401、ZD401、C467组成泄放回路。
通常，偏转线圈的设计取决于CRT的过扫描系数，以及与偏转灵敏度有关的阳极高压、行频、扫描间隔、逆程变压器的初级电感量和电源电压。
这就决定了所需要的峰值集电极电流I cp，I cp确定后，则基极电流I B确定→T401次级电感确定，为了保证Q403充分截止，必须使加到V B之负电压V B2-约为负1～2V（过小不能实现截止，过大增加损耗，且易造成击穿损坏），因V B是初级感应而来，故激励变压器电源电压确定后，便能确定T401之匝数比→确定T401初级感量。
行管是高反压晶体管，它与D408（逆程二极管），C408、C409逆程电容、行偏转线圈等构成行输出回路。
其中D408上面二极体为逆程二极管（Damper）,下面二极体为调制管（Modulation），其主要作用是调节H-Size及几何失真补偿。
R451、C417、D408是消除交越失真（即交描重合部分，画面表现为白画面中间一条亮竖线）。
行管损耗主要含饱和损耗、存储损耗、开关损耗，图示如下：此三种损耗是交替出现，不可能同时把三种损耗减到最小，如何使激励最佳（即功耗P C 最小），最重要的是基极电流I B ，并同时考虑Q403之H fe 、V ce （Sat ）参数不反复匹配（通常是H fe 上限与V ce （Sat ）下限易产生拖尾损耗，H fe 下限和V ce （Sat ）上限易产生存储损耗），有兴趣之同仁可查相关资料，这里不再赘述。
★ 过激励与欠激励：欠激励：主要表现为I B 过小，V CE （SAT ）太大，造成H-Size 变大后，I B 无法提供合适的电流，造成Failure 。
即H-Size 大时，Q403温度高过激励：主要表现为I B 过大，t f （开关）损耗过大，造成H-Size 变小时，I B 提供过大，造成Q403的功耗损失过大，造成Failure 。
即H-Size 小时，Q403温度高。
行输出电路工作原理：要想在行偏转线圈中得到一个线性的矩齿波电流，由公式I cp =T S ·V CC /ZLY ，（T S ：扫描时间，V CC ：B +电压，LY ：回路电感量）。
知；行频↑→T S 减小，而LY 、I cp 不变，故V cc ↑，所以B +电压随行频↑而升高。
也可理解为行频升高，偏转线圈感抗增大，故其需要的电压也增大（X U =2ΠFU ）。
行管内阻很小，相当于一个开关，当行管由导通变截止时，在电路内会产生高频自激振荡，故必须加逆程二极管加以抑制，否则将破坏扫描。
为了分析，给出如下等效电路：线路说明；⑴忽略偏转线圈直流铜阻，不计Q403饱各压降及导通时内阻。
⑵L1～L DY LY 表DY （约0.14mh ），线性线圈电感量之和，L1=LY/FBT 初级（750UH ）⑶因C S电容较大（2UF），当B+经FBT→DY→L401→向C S充电，故可把C S等效为一个电源电压V cc。
⑴t0+～t1－（正程后半部）当加到Q403 B极的开关脉冲为正极性时，Q403导通，开关闭合，D408被短路截止，形成一个直流通路。
偏转线圈两端加上一个恒定电压V CC，使电感中电流线性增长，电源中电能转化为线圈中磁能，它表现为线圈中电流的存在。
直到t1－时刻电流达到最大值，完成了正程后部分锯齿波电流逐渐加大的第一个过程，实现了一次电——磁变换。
⑵t1+～t2－（逆程前半部分）t1+时，Q403 B极为负极性，Q403截止，开关断开，D408被反偏截止。
此时线圈中电流方向不能突变，于是电流向逆程电容充电，使CY端电压变为上下负，随充电电压快速升高，充电电流迅速减小，磁能→电能，表现为CY电压急剧升高，在t2－时刻，磁能全转化为电能，完成一次磁——电变换。
⑶t2+～t3－（逆程后半段）t2+时，K仍断开，阻尼管也反偏截止，CY上高压（1200V）向电感线圈快速放电，形成放电电流，它与充电时方向相反，随放电电流↑，CY电压↓，电能→磁能。
⑷t3+～t4－（正程前半部分）t3+时，CY电压为0，线圈反向电流达到负最大值，因其不能突变，它继续按反方向流动，开始向电容器反向充电，使逆程电容器电压极性反了一个方向（下正上负）。
此时行管等效开关仍断开，如无D408而电压如虚线所示加上D408后，逆程电容电压被充到－V CC后，D408导通，线圈中电流改为流经阻尼二极管与电源构成通路。
在t3+～t4－阶段，只有D408的导通电流经DY，在t4+时，Q403导通，所以t4+～t5－期间偏转电流由阻尼管导通电流与Q403提前导通的反向电流共同组成。
以上是行输出电路未有Size调制管（Modulation）之传统电路原理说明，以下再对S792X-3之原理作简要补充说明：C S两端电压U S，C M两端电压U M，B+电压U B+=U S+U M⒈C S两端电压被调制为与U M极性互补的场频抛物波电压，因此行偏转电流也将以相反极性被调制，行偏转线圈内得到被场频抛物电流调制的行频锯齿电流。
⒉LY、C418、C S回路与L M、C419、C M回路的自由谐振频率相等，即T r *2=2ПCLY 1∙=2ПCL M2∙⒊工作过程① 第一阶段：是正程的后半段（t 1～t 2），Q403饱和导通，C S ·C M 上已有充电电压U S 、U M ,作为等效电源，电流通路如图：∵U S ﹥U M ∴D 2ON ，D 1OFFi 1由C S 正端→LY →Q403 C 、E 极→｛D 2、C M →L M ｝→C S 负端 i 1=LYUSt I 1P =LYUS·2TSLY 中储能：E 1L =21LY ·I 1P 2=82T S ·LYU S 2i 2=LUMM t I 2P =LU MM ·2TSL M 中储能：E 2L =21L M ·I 2P 2=82T S ·L U MM 2② 第二阶段：逆程阶段（t 2～t 4）L Y 、C418、C S ；L M 、C419、C M 谐振U C1P =2∏·T T rS·U S +U S U C2P =2∏·T T rS·U M +U M③ 第三阶段：正程前半段（t 4～t 5）D 1、D 2导通，L Y 、L M 向C S 、C M 回授能量 i 1=LYUSt －I 1P I 1P =LYUS·2TSi 2=LU MM t －I 2P I 2P =LU MM ·2TS二、行Size 部分（含几何调整）IC401输出之EW 波形，加至Q405 B 极,Q404与Q406组成，甲类推挽差动放大，此种放大优点是同型号之三极体可抑制温飘。
Q405（Size 管）从Q406 C 极取样（约1.2V ），经过高倍放大（达林顿管放大倍数约1000倍以上）至30V 左右（EW7V 左右），再经Size 电感L402及逆程电容，作用于DY，从而通过调节Size（EM波形）作用于DY，使其电流大小发生变化，从而CRT显示的尺寸变化。
