半导体光电子学

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三 半导体晶体的结构 
1、晶体结构
晶体分为单晶-原子排列有序、多晶-局部有序、无定形-排列无序了。

单胞(原胞):描述晶体机构的最小单元
特点:非唯一性,
非基本性,可任意选取。

 
合理选择有两种:
固体物理学原胞
结晶学原胞
晶体分类:
任意相邻不在同一个平面上的四个原子组合
β
αγ1a 2a 3a
三斜晶系: 321a a a ≠≠
单斜晶系: 321a a a ≠≠ °=90α ,°90≠γ≠β
正交晶系: 321a a a ≠≠ °===90γβα
321a a a == °<°≠12090γβα、、
三角晶系: 四方晶系: 321a a a ≠= °===90γβα
六方晶系 321a a a ≠= °==°=90,120γβα
正方体晶系 321a a a == 90===γβα
正方体晶系也称三维立方单胞,通常分为:
简单立方,(每位点原子为八晶格共存), 所含
原子数为 1, a为单胞边长或晶体常数 体心立方: 2
面心立方: 4
2、半导体晶体的结构
金刚石的晶体:两套交错的面心立方体系组成其中
一套位于另一套的对角线的1/4 处,
Si, Ge 与此相同
GaAs 完全与此类似:类金刚石晶体
硅的晶格常数 a=5.43Å
例 1立方厘米硅中有多少个原子,原子最近的距离
3、 晶体的密勒指数
用来描述晶片(晶体作成的器件)晶体内晶面和晶向或晶列的取向。

晶面密勒指数
选截距(正负) 取倒数 化整 (结果),见书P5,注意其中 “1”“0”意义:晶向密勒指数
取投影 化整(最小公倍数) [ ] ,其中“1“ “0” 意义
等价晶向系:
{100}=(100)、(010)、(001)、(100)、(010)、(001),
系列晶面具有相同的原子配置等价性,彼此不可分 等价晶向系: <100> 系列晶向是等价的
4、晶体中的热缺陷及位错
热缺陷(点缺陷):原子在晶格的平衡位置上做热振动使晶体的周期性受到破坏,从而产生缺陷。

它表现为三种情形:
弗仑克尔缺陷-原子脱离格点后,同时形成空格点和间隙原子,空格点数等于间隙原子数。

肖脱基缺陷-原子从内部跑到表面以外的一个正常位置上构成新的一层,内部形成一个空格。

间隙原子-晶体表面上的原子跳到晶体内部晶格的间隙位置上,形成间隙原子。

位错(线缺陷):当晶体受到应力作用时会发生形变,导致晶面之间产生相对的滑移,从而形成位错。

5、 晶体的生长
超纯硅的获取
碳处理氯化处理
二氧化硅 不纯的元素硅 SiCl4液态 蒸馏 超纯SiCl4 超纯多晶硅
氢气处理
单晶硅的形成
利用熔化的多晶在熔化温度降低的籽晶(单晶硅)周围固化,生长出与籽晶相同的晶体,旋转籽晶可连续生长。