存储器练习题
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1、现有EPROM芯片2732(4KX8位),以及3-8译码器74LS138,各种门电路若干,要求在8088CPU上扩展容量为16KX8 EPROM内存,要求采用部分译码,不使用高位地址线A19、A18、A15,选取其中连续、好用又不冲突的一组地址,要求首地址为20000H。
请回答:1)2732的芯片地址线、数据线位数是多少?(2分)2)组成16KX8需要2732芯片多少片?(1分)3)写出各芯片的地址范围。
(4分)1)地址线12根,数据线8根;2)4片;3)1# 20000H~20FFFH 2# 21000H~21FFFH3# 22000H~22FFFH 4# 23000H~23FFFH2、有一个2732EPROM(4KX8)芯片的译码电路如下图所示,试求:①计算2732芯片的存储容量;②给出2732芯片的地址范围;③是否存在地址重叠区?① 4KB②08000H---09FFFH③存在重叠区 08000H---08FFFH09000H---09FFFH3、某CPU有地址线16根(A0~A15),数据线8根(D0~D7)及控制信号RD、WR、MERQ(存储器选通)、IORQ(接口选通)。
如图所示,利用RAM芯片2114(1KX4)扩展成2KX8的内存,请写出芯片组1和芯片组2的地址范围。
1G MERQ11A 12A 13A 14A 15A &A G 2B G 21Y C 13874LS B 0Y 1#2114CS2#2114CS 3#2114CS 4#2114CS 第1组第2组WRRD47~D D 09~A A 03~D D A10A答:第1组:C000H~C3FFH第2组:C400H~C7FFH4、下面是一个8微机的与EPROM的连接图,请写出每片EPROM的地址范围。
74LS138EPROM1:1000H~17FFHEPROM2:1800H~1FFFHEPROM3:2000H~27FFH5、某微机的存储器系统总容量为64K 。
习题四参考答案1.某机主存储器有16位地址,字长为8位。
(1)如果用1k×4位的RAM芯片构成该存储器,需要多少片芯片?(2)该存储器能存放多少字节的信息?(3)片选逻辑需要多少位地址?解:需要存储器总容量为:16K×8位,故,(1)需要1k×4位的RAM芯片位32片。
(2)该存储器存放16K字节的信息。
(3)片选逻辑需要4位地址。
2. 用8k×8位的静态RAM芯片构成64kB的存储器,要求:(1)计算所需芯片数。
(2)画出该存储器组成逻辑框图。
解:(1)所需芯片8片。
(2)逻辑图为:3. 用64k×1位的DRAM芯片构成256k×8位存储器,要求:(1)画出该存储器的逻辑框图。
(2)计算所需芯片数。
(3)采用分散刷新方式,如每单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?解:(1)(2)所需芯片为32片。
(3)设读写周期为0.5微妙,则采用分散式刷新方式的刷新信号周期为1微妙。
因为64K ×1的存储矩阵是由四个128×128的矩阵构成,刷新时4个存储矩阵同时对128个元素操作,一次刷新就可完成512个元素,整个芯片只有128次刷新操作就可全部完成。
所以存储器刷新一遍最少用128个读/写周期。
4. 用8k×8位的EPROM芯片组成32k×16位的只读存储器,试问:(1)数据寄存器多少位?(2)地址寄存器多少位?(3)共需多少个EPROM芯片?(4)画出该只读存储器的逻辑框图?解:因为只读存储器的容量为:32k×16,所以:(1)数据寄存器16位。
(2)地址寄存器15位。
(3)共需8个EPROM芯片?(4)逻辑框图为:5. 某机器中,已经配有0000H~3FFFH的ROM区域,现在再用8k×8位的RAM芯片形成32k ×8位的存储区域,CPU地址总线为A0~A15,数据总线为D0~D7,控制信号为R/W(读/写)、MREQ(访存),要求:(1)画出地址译码方案。
第四章存储器一、填空题1. 计算机中的存储器是用来存放的,随机访问存储器的访问速度与无关.√2。
主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。
√3。
存储器中用来区分不同的存储单元,1GB= KB。
√4。
半导体存储器分为、、只读存储器(ROM)和相联存储器等。
√5. 地址译码分为方式和方式.√6。
双译码方式采用个地址译码器,分别产生和信号。
√7。
若RAM芯片内有1024个单元,用单译码方式,地址译码器将有条输出线;用双译码方式,地址译码器有条输出线。
√8. 静态存储单元是由晶体管构成的,保证记忆单元始终处于稳定状态,存储的信息不需要。
√9. 存储器芯片并联的目的是为了 ,串联的目的是为了。
10. 计算机的主存容量与有关,其容量为。
11。
要组成容量为4M×8位的存储器,需要片4M×1位的存储器芯片并联,或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。
12. 内存储器容量为6K时,若首地址为00000H,那么末地址的十六进制表示是。
13 主存储器一般采用存储器件,它与外存比较存取速度、成本。
14 三级存储器系统是指这三级、、。
15 表示存储器容量时KB= ,MB= ;表示硬盘容量时,KB= ,MB= 。
16一个512KB的存储器,其地址线和数据线的总和是。
17 只读存储器ROM可分为、、和四种.18 SRAM是;DRAM是;ROM是;EPROM是。
19半导体SRAM靠存储信息,半导体DRAM则是靠存储信息。
20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。
21MOS半导体存储器可分为、两种类型,其中需要刷新。
22 广泛使用的和都是半导体③存储器。
前者的速度比后者快,但不如后者高,它们的共同缺点是断电后保存信息.23 EPROM属于的可编程ROM,擦除时一般使用,写入时使用高压脉冲.24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。
25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。
第五章外存储器测试题一、选择题1 、不是硬盘的主要参数有_______。
A.磁头数B.柱面数C.扇区数D.交错因子E.容量 F、QPI2、台式电脑中经常使用的硬盘多是_______英寸的。
A.5.25英寸B.3.5英寸C.2.5英寸D.1.8英寸3、目前市场上出售的主流硬盘是哪种类型()A.SATAB.IDEC.PCID.AGP4、硬盘标称容量为40G,实际存储容量是______。
A.39.06GB.40GC.29GD.15G5、关于硬盘的数据连接线,下列说法正确的是_________。
A.对于IDE类型的硬盘,有40芯的硬盘连接线和80芯的硬盘连接线。
B.IDE类型的硬盘连接线和SATA类型的硬盘连接线相同。
C.IDE类型的硬盘连接线和SATA类型的硬盘连接线虽然不同,但可以插在主板上的同一个插槽中。
D.SATA类型的硬盘连接线比IDE类型的硬盘连接线宽。
6、计算机在往硬盘上写数据时寻道是从______磁道开始。
A.外B.内C.0D.17、容量是指硬盘的存储空间大小,常用______作为单位。
A.KBB.GBC.MBD.MHz8.关于移动硬盘,下列说法正确的是_________。
A.购买移动硬盘时,硬盘和硬盘盒可以分开购买。
B2.0接口的数据传输速度比USB1.0接口的数据传输速度快。
C.移动硬盘价格较贵,因而不易损坏,不怕摔碰。
D.IEEE1394接口的移动硬盘比USB接口的移动硬盘的数据传输速度快。
9、生产硬盘的著名厂商主要有_________。
A、希捷 B.华硕 C、技嘉 D、金士顿10、硬盘的平均寻道时间通常以毫秒为单位测量,是指()A、磁头从一个柱面移动到另一个随机距离远的柱面所需的平均时间B、磁头从当前柱面移到所要读/写柱面的时间C、磁头从0柱面移到所要读/写柱面的时间D、磁头平均移动速度11、硬盘缓存的目的是()A、提高硬盘容量B、提高传输效率C、加快寻道时间D、减少数据错误率12、硬盘中信息记录的介质被称为()A、磁道B、磁盘C、磁头臂D、磁头13、每个扇区的最大容量是()字节A、2B、8C、32D、51214、磁盘上的磁道是()A、记录密度不同的同心圆B、记录密度相同的同心圆C、一条阿基米德螺线D、两条阿基米德螺线15、与硬盘容量无关的是()A、交错因子B、磁头数 B、扇区数 D、柱面数16、磁盘记录数据是利用()A、磁盘上的凹洞B、磁场变化C、在磁盘上的刻痕D、光线的折射17、把硬盘上的数据传送到计算机内存中的操作称为()A、读盘B、写盘C、输出D、存盘18、下面关于硬盘的描述中,错误的是()A、硬盘是由一个或多个铝制或者玻璃制的碟片组成B、硬盘用来保存用户需要保存的程序和数据C、硬盘中的数据在断电后不会丢失D、硬盘是一种速度快、容量大的内部存储设备19、下面哪一项()不会出现在硬盘的正面记录了硬盘的相关信息中A、厂家信息和产品信息B、商标和型号C、容量和参数D、尺寸和接口类型20、主板上有1个IDE接口,则该主板上最多可以连接()个IDE设备A、1B、2 C、3D、421、服务器型计算机的接口多是()A、SATAB、IDEC、SCSID、ST50622、现在主流硬盘的转速是()A、4500rpmB、5400rpmC、7200rpmD、3600rpm23、IDE接口硬盘采用()排线连接到主板A、20线或40线B、30线或50线C、40线或80线D、30线或40线24、下列哪个是硬盘的简称()A、RDDB、HDC、ADDD、CDD25、以下()不是单盘容量提高的好处A、平均访问时间缩短B、内部结构复杂化C、可靠性提高D、成本降低26、硬盘交错因子的取值范围是()A、1:1~3:1B、1:1~4:1C、1:1~5:1D、3:1~5:127、硬盘的工作原理中,在盘片上划出多个同心圆,也就是磁道,编号最外的是()A、1道B、0道C、2道 C、3道28、下列是希捷硬盘英文名的是()A、WDB、GIGABYTEC、MaxtorD、Seagate29、新一代固态硬盘的接口普遍采用()A、IDE B、SCSI C、SATA2 D、PCI30、固态硬盘的英文缩写是()A、HDDB、SSDC、RDDD、RAM二、判断题1、目前在笔记本电脑中使用的硬盘多为1.8英寸。
第五章存储器及其接口1.单项选择题(1)DRAM2164(64K╳1)外部引脚有()A.16 条地址线、2 条数据线B.8 条地址线、1 条数据线C.16 条地址线、1 条数据线 D.8 条地址线、2 条数据线(2)8086 能寻址内存贮器的最大地址范围为()A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB(3)若用1K╳4b的组成2K╳8b的RAM,需要()。
A.2 片 B.16 片 C.4 片 D.8 片(4)某计算机的字长是否 2 位,它的存储容量是 64K 字节编址,它的寻址范围是()。
A.16K B.16KB C.32K D.64K(5)采用虚拟存储器的目的是()A.提高主存的速度 B.扩大外存的存储空间C.扩大存储器的寻址空间 D.提高外存的速度(6)RAM 存储器器中的信息是()A.可以读/写的 B.不会变动的C.可永久保留的D.便于携带的(7)用2164DRAM 芯片构成8086 的存储系统至少要()片A.16 B.32 C.64 D.8(8)8086 在进行存储器写操作时,引脚信号 M/IO 和 DT/R 应该是()A.00 B。
01 C。
10 D。
11(9)某SRAM 芯片上,有地址引脚线12 根,它内部的编址单元数量为()A.1024 B。
4096 C。
1200 D。
2K(11)Intel2167(16K╳1B)需要()条地址线寻址。
A.10 B.12 C.14 D.16(12)6116(2K╳8B)片子组成一个 64KB 的存贮器,可用来产生片选信号的地址线是()。
A.A0~A10B。
A~A15C。
A11~A15D。
A4~A19(13)计算一个存储器芯片容量的公式为()A.编址单元数╳数据线位数B。
编址单元数╳字节C.编址单元数╳字长D。
数据线位数╳字长(14)与 SRAM 相比,DRAM()A.存取速度快、容量大B。
存取速度慢、容量小C.存取速度快,容量小D。
存取速度慢,容量大(15)半导动态随机存储器大约需要每隔()对其刷新一次。
第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1.存储器中可以保存的最小数据单位是()。
(a)位(b)字节(c)字2.指出下列存储器各有多少个基本存储单元?多少存储单元?多少字?字长多少?(a) 2K×8位()()()()(b) 256×2位()()()()(c) 1M×4位()()()()3.ROM是()存储器。
(a)非易失性(b)易失性(c)读/写(d)以字节组织的4.数据通过()存储在存储器中。
(a)读操作(b)启动操作(c)写操作(d)寻址操作5.RAM给定地址中存储的数据在()情况下会丢失。
(a)电源关闭(b)数据从该地址读出(c)在该地址写入数据(d)答案(a)和(c)6.具有256个地址的存储器有( )地址线。
(a)256条(b)6条(c)8条(d)16条7.可以存储256字节数据的存储容量是( )。
(a)256×1位(b)256×8位(c)1K×4位 (d)2K×1位答案:1.a2.(a)2048×8;2048;2048;8(b)512;256;256;2(c)1024×1024×4;1024×1024;1024×1024;43.a4.c5.d6.c7.b8.2随机存取存储器(RAM)自测练习1.动态存储器(DRAM)存储单元是利用()存储信息的,静态存储器(SRAM)存储单元是利用()存储信息的。
2.为了不丢失信息,DRAM必须定期进行()操作。
3.半导体存储器按读、写功能可分成()和()两大类。
4.RAM电路通常由()、()和()三部分组成。
5.6116RAM有()根地址线,()根数据线,其存储容量为()位。
答案:1.栅极电容,触发器2.刷新3.只读存储器,读/写存储器4.地址译码,存储矩阵,读/写控制电路5.11,8,2K×8位8.3 只读存储器(ROM)自测练习1.ROM可分为()、()、()和()几种类型。
ROM练习题一、基础概念理解1. 请解释ROM(只读存储器)的基本概念。
2. 描述ROM与RAM的主要区别。
3. 列举三种常见的ROM类型及其特点。
4. 解释ROM在计算机系统中的作用。
5. 描述ROM的存储原理。
二、ROM类型与应用6. 请说明PROM(可编程只读存储器)的基本特点及其编程过程。
7. 解释EPROM(可擦写可编程只读存储器)的工作原理。
8. 描述EEPROM(电可擦写可编程只读存储器)与EPROM的主要区别。
9. 列举三种使用ROM存储器的应用场景。
10. 请说明ROM在嵌入式系统中的应用。
三、ROM编程与接口11. 描述ROM编程的基本步骤。
12. 请解释ROM编程中的“烧录”概念。
13. 说明ROM接口电路的基本组成部分。
14. 描述ROM与CPU的接口连接方式。
15. 请列举三种常见的ROM编程工具。
四、ROM故障诊断与修复16. 列举三种ROM常见的故障类型。
17. 描述ROM故障诊断的基本步骤。
18. 说明修复ROM故障的常用方法。
19. 请解释ROM数据损坏的原因及预防措施。
20. 描述如何使用编程器修复损坏的ROM。
五、ROM性能评估与优化21. 请解释ROM存储容量的概念。
22. 描述ROM读写速度的影响因素。
23. 列举三种提高ROM读写速度的方法。
24. 说明ROM功耗对系统性能的影响。
25. 描述如何优化ROM的功耗。
六、ROM相关技术与发展趋势26. 请解释NOR闪存与NAND闪存的主要区别。
27. 描述ROM在物联网(IoT)中的应用前景。
28. 介绍当前ROM技术的最新发展动态。
29. 预测未来ROM技术的发展趋势。
30. 请说明我国在ROM领域的发展现状及挑战。
七、ROM在特定硬件中的应用31. 描述ROM在个人计算机启动过程中的作用。
32. 解释ROM在游戏机中如何存储游戏程序。
33. 说明ROM在路由器中存储固件的方式。
34. 描述ROM在智能手机中存储系统映像的过程。
存储论练习题一、选择题1. 下列哪个不是计算机存储技术的主要形式?A. 磁盘B. 内存C. 光盘D. CPU2. 存储器的基本单位是:A. 字节B. 位C. 指令D. 段3. 磁盘存储器与内存存储器相比,优点是:A. 速度更快B. 容量更大C. 成本更低D. 使用更方便4. 下列哪个不是内存层次结构的组成部分?A. 寄存器B. 高速缓存C. 主存储器D. 辅助存储器5. 常用的内存存储器技术不包括:A. RAMB. ROMC. FlashD. SSD二、填空题1. 计算机中最小的存储单位是__位__。
2. 内存中每个存储单位都有唯一的__地址__。
3. 存储器的速度主要由__访问时间__和__带宽__决定。
4. 高速缓存的目的是__缓解内存读写速度与CPU执行速度之间的矛盾__。
5. 主存储器通过__内存总线__与CPU连接。
三、问答题1. 什么是存储器的容量和地址?答:存储器的容量是指存储器可以存储的数据量大小,通常以字节为单位表示;地址则是存储器中每个存储单元的唯一标识,用于访问和定位数据。
存储器的容量会影响地址的范围。
2. 请简要介绍磁盘存储器和内存存储器的特点和应用场景。
答:磁盘存储器是一种非易失性存储器,容量较大,但读写速度较慢,适合用于长期存储大量数据,如操作系统、应用软件等;内存存储器是一种易失性存储器,容量较小,但读写速度非常快,适合用于临时存储正在执行的程序和数据。
3. 为什么需要高速缓存?答:高速缓存的作用是缓解内存读写速度与CPU执行速度之间的矛盾。
CPU的执行速度远高于内存的访问速度,而高速缓存位于CPU 和内存之间,可以缓存CPU频繁访问的数据,从而减少对主存的访问次数,提高CPU的执行效率。
4. 请简述主存储器与辅助存储器的区别和联系。
答:主存储器是计算机的一部分,直接供CPU读写的存储器,速度快但容量有限;辅助存储器是用于长期存储数据的设备,如硬盘、光盘等,容量大但速度相对较慢。
第4章存储器管理4.4自测题4.4.1基本题一.判断题(正确的在括号中记√,错误的记×)1.为了减少内部碎片,页应偏小为好。
( )2.为了减少缺页中断率,页应该小一些。
( )3.为提高对换空间的利用率,一般对其使用离散的分配方式。
( )4.用户程序中出错处理部分不必常驻内存。
( )5.使用预分页的原因是每个进程在最初运行时需要一定数量的页面。
( )6.可变分区法可以比较有效地消除外部碎片,但不能消除内部碎片。
()7.分页存储管理方案易于实现用户使用内存空间的动态扩充。
( )8.LRU页面调度算法总是选择在主存驻留时间最长的页面被淘汰。
( )9.最佳适应算法比首次适应算法具有更好的内存利用率。
( )10.请求分段存储管理中,分段的尺寸要受主存空间的限制。
( )二.单项选择题,在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其代码写在题干后面的括号内。
不选、错选或多选者该题无分。
1.在可变式分区管理中,最佳适应算法是将空白区在空白区表中按______次序排列。
A.地址递增B.地址递减C.容量递增D.容量递减2.动态重定位技术依赖于_______.A.重定位装入程序B.重定位寄存器C.地址机构D.目标程序3.请求分页存储管理方案的主要特点是__________。
A.不要求将作业装入内存B.不要求将作业全部装入内存C.不要求使用联想存储器D.不要求缺页中断的处理4.在存储管理方案中,___________可与覆盖技术配合。
A.页式管理B.段式管理C.段页式管理D.可变分区管理5.一个计算机系统虚存的最大容量是由__________决定的。
A.主存的容量B.辅存的容量C.主存容量+辅存容量D.计算机的地址机构6.在存储管理中,采用覆盖与交换技术的目的是_________。
A.节省主存空间B.物理上扩充主存容量C.提高CPU效率D.实现主存共享7.在可变式分区分配方案中,只需要进行一次比较就可以判定是否满足作业对主存空间要求的是______。
在对存储芯片进行译码寻址时,如果只有部分高位地址参与,这种译码方法被称为部分译码。
现有EPROM芯片2732(4KX8位),以及3-8译码器74LS138,各种门电路若干,要求在8088CPU上扩展容量为16KX8 EPROM内存,要求采用部
分译码,不使用高位地址线A
19、A
18
、A
15
,选取其中连续、好用又不冲突的一组
地址,要求首地址为20000H。
请回答:
1)2732的芯片地址线、数据线位数是多少?(2分)2)组成16KX8需要2732芯片多少片?(1分)
3)写出各芯片的地址范围。
(4分)
1)地址线12根,数据线8根;
2)4片;
3)1# 20000H~20FFFH 2# 21000H~21FFFH 3# 22000H~22FFFH 4# 23000H~23FFFH
2、有一个2732EPROM(4KX8)芯片的译码电路如下图所示,试求:
①计算2732芯片的存储容量;
②给出2732芯片的地址范围;
③是否存在地址重叠区?
① 4KB
②08000H---09FFFH
③存在重叠区08000H---08FFFH
09000H---09FFFH
3、某CPU 有地址线16根(A 0~A 15),数据线8根(D 0~D 7)及控制信号RD 、WR 、MERQ(存储器选通)、IORQ(接口选通)。
如图所示,利用RAM 芯片2114(1KX4)扩展成2KX8的内存,请写出芯片组1和芯片组2的地址范围。
1
G MERQ
11A 12A 13
A 14A 15A &
A G 2
B G 21
Y C 13874LS B 0
Y 1#2114
CS
2#2114
CS 3#2114
CS 4#2114
CS 第1组
第2组
WR
RD
47~D D 0
9~A A 03~D D A
10
A
答:第1组:C000H~C3FFH
第2组:C400H~C7FFH
4、下面是一个8微机的与EPROM的连接图,请写出每片EPROM的地址范围。
74LS138
EPROM1:1000H~17FFH
EPROM2:1800H~1FFFH
EPROM3:2000H~27FFH
5、某微机的存储器系统总容量为64K。
其中ROM占用4K,地址范围是:C000H~CFFFH;RAM占用2K,其地址范围是:E000H~E7FFH。
现采用2K⨯8的ROM芯片(控制信号有CE、WE)和2K⨯4的RAM芯片(控制信号有CE、WE、OE)来构成该存储器系统中以上给定的6K 区域。
请画出连接图。
2KROM 2KROM
2KRAM C000H~CFFFH E000H~E7FFH
现有一微机系统的内存扩展连接图如下,请问:
1. 在图中,RAM芯片的容量是多大?扩展的存储器容量是多大?。
2.请写出图中各芯片组的地址空间。
74LS138
1.RAM芯片容量为8k⨯4,存储器容量为16kB,。
2. RAM1芯片组地址范围:88000H~89FFFH
RAM2芯片组地址范围:8A000H~8BFFFH。