微机原理第四章(5)

第四章课后作业（6—27）6.试按下列要求分别编制程序段。

（1）把标志寄存器中符号位SF置“1”。

（2）寄存器AL中高、低四位互换。

（3）由寄存器AX、BX组成一个32位带符号数（AX中存放高16位），试求这个数的负数。

（4）现有三个字节存储单元A、B、C，在不使用ADD和ADC指令的情况下，实现（A）+（B） C。

（5）用一条指令把CX中的整数转变为奇数（如原来已是奇数，则CX中数据不变，如原来是偶数，则（CX）+1 形成奇数）。

答：（1） LAHFOR AH,80HSAHF（2） MOV CL,4ROL AL,CL（3） MOV CX,0NEG BXJC CHGJMP GOCHG: MOV CX,1GO: NEG AXSUB AX,CX（4） MOV CL,AMOV AL,BMOV X,ALCHECK:INC XDEC CLJNZ CHECK（5） OR CX,0001H7.试给出下列各指令的机器目标代码。

（1）MOV BL,12H [SI]（2）MOV 12H [SI],BL（3）SAL DX,1（4）AND 0ABH [BP] [DI],1234H答：（1）100010 1 0 01 011 100 00010010=8A5C12H（2）100010 0 0 01 011 100 00010010=885C12H（3）110100 0 1 11 100 010=0D1E2H（4）100000 0 1 10 100 011 10101011 00000000 00110100 00010010=81A3AB003412H8.执行下列指令：STR1 DW ‘AB’STR2 DB 16DUP(?)CNT EQU $-STR1MOV CX,CNTMOV AX,STR1HLT执行完成之后，寄存器CL的值是多少？寄存器AX的值是多少？答：因为CNT=16+2=18，所以CX=18=0012H,所以CL=12H=0001,0010；AX中装入的是‘AB’的ASCII码值，其中‘A’在高位AH中，‘B’在低位AL 中，所以AX=4142H=0100,0001,0100,0010。

例： 已知: DS=2000H; SI=1000H 指令: MOV [SI+disp]，AX
青岛理工大学琴岛学院
寄存器间接相对寻址过程示意图
CPU
寄存器间接相对 SI=1000H
MOV [SI+20H] 程序 ，AX
CS 偏移1000H
DS
SS
ES
位移20H
青岛理工大学琴岛学院
寄存器相对寻址过程示意图
真正数据所在的地址
青岛理工大学琴岛学院
错误指令举例： 6）基址变址寻址： MOV [BX+CX]，AX ； CX不能做变址寄存器 MOV [BX+BP]，AX ； BP不能作为变址寄存器 操作数的有效地址 EA等于一个基址寄存器（ BX或 MOV [BX+DI]，ARRAY； BP）与一个变址寄存器（ SI或DI）的内容之和；
总时间=基本执行时间+计算EA的时间+执行总线读/写周期的时间
指令的基本执行时间随指令类型的不同差异很大，访问存 储器既要执行总线的读/写周期，又要计算操作数的有效地址 EA，计算EA的时间又与指令的寻址方式有关。
青岛理工大学琴岛学院
4.2 8086/8088指令系统
数据传送类指令
算术运算类指令 位操作类指令 串操作类指令 控制转移类指令 处理器控制类指令
21000H 20 位 物 理 地 址 真正数据所在的地址 Memory DS … 20000H
…
78H 21000H 56H
青岛理工大学琴岛学院

4）寄存器间接寻址：
此方式的操作数存放在存储器单元中，指令给出的 16位寄存器值就是该操作数所在存储单元的EA。

例： 已知: （DS）=2100H，（DI）=2000H 指令： MOV AX，[DI] ；(AX) ((DI)) 注：使用BX、SI、DI，操作数在DS段；BP时在SS段 其中寄存器只能是BX、SI、DI、BP

“微机系统原理与接口技术”第四章习题解答1．判断以下说法能否正确，若有错，请说明原由并更正。

（1）伪指令在汇编过程中不会产生二进制代码。

（2）宏和过程的同样之处是都可用于简化源程序书写、精简目标代码。

（3）在计算机中，高级语言往常需要变换为汇编语言后才能履行。

（4）汇编语言程序上机一般包含编写、汇编、链接和调试几个步骤。

答：（ 1）正确。

（2）错误。

宏不可以精简目标代码。

（3）错误。

高级语言程序经编译或解说后直接变换为目标代码。

（4）正确。

2．已知数据和符号定义A1DB？A2DB8K1EQU 100判断以下指令的正误，并说明错误指令的原由。

（1） MOVK1， AX（2） MOVA2， AH（3） MOVBX， K1MOV [BX] ， DX（4） CMPA1， A2（ 5） K1EQU 200答：（ 1）错误。

K1 是符号常数，在此处相当于立刻数100 ，故不可以做目的操作数。

（2）正确。

（3）正确。

（4）错误。

A1、 A2 都是字节变量，相当于两个储存器单元，故不可以同时出现在一条指令中直接进行比较。

（ 5）错误。

用EQU定义的符号不可以从头赋值，除非已用PURGE排除了原值。

3．若数据段中有定义NUM1EQU 23HNUM2DW0则指令MOV NUM2， NUM1 的源、目操作数的寻址方式以及指令履行后NUM2＋ 1 单元的内容分别是什么？答：指令 MOV NUM2，NUM1的源操作数使用立刻数寻址，目的操作数使用直接寻址。

指令履行后NUM2＋ 1 单元的内容是0。

4．设 DS=6000H， BX=8432H，SS=5000H，SP=3258H，内存 69632H～ 69635H 单元的内容挨次是 00H、11H、22H、33H。

4 字节指令 CALL DWORDPTR[BX+1200H] 自己位于 2000H：3250H处的双字单元中。

当8086 履行该指令后转移至子程序进口时，CS、IP 、 SS、SP 各寄存器以及栈顶 2 个字单元的内容分别是多少？答：履行结果为CS=3322H，IP=1100H ，SS=5000H，SP=3254H，栈顶的两个字即断点地点，为2000H: 3254H。

第 4 章内 部存储器
第 4 章 存储器
4.1 存储器的分类 4.2 随机存取存储器RAM 4.3 只读存储器ROM 4.4 Cache 和SB SRAM 4.5 内存条和EDO DRAM、SDRAM、RDRAM 4.6 存储器与8086/8088 CPU之间的连接 4.7 存储器与80386/80486和Pentium CPU之间的连接 4.8 存储器容量与地址编号之间的关系
h
6
第 4 章内 部存储器
4.1.2 RAM的操作特点 随机存取存储器RAM又叫读写存储器，其操作特点为： (1) CPU对RAM中的每一单元能读出又能写入。 (2) 读/写过程先寻找存储单元的地址再读/写内容。 (3) 读/写时间与存储单元的物理地址无关。 (4) 失电后信息丢失。现已开发出带电池芯片的RAM，称
擦除的方法是用紫外线光照5～15分钟。由于擦除需一定条件，
因此写好后作ROM使用。
h
10
第 4 章内 部存储器
E2PROM使用电擦除，只要在不同的引脚加不同的电压就 可以实现全片或字节的擦除与重写，且能在线进行，因此它 可以作非易失性RAM使用，比EPROM方便得多，但其价高、 集成度不如EPROM。Flash Memory是一种可取代E2PROM的 快速电擦除非易失性ROM，且可作非易失性RAM使用。它的 结构和E2PROM相同，但擦除和写入速度极快，整体擦除约需 1 s，而E2PROM需15～20 min。编程写入时，以Flash Memory 28F256(32 KB×8)为例，整个芯片编程只需0.5 s，且擦除次数 可达10万次。
h
9
第 4 章内 部存储器
ROM通常使用MOS工艺集成。按操作功能不同又可分为
掩膜ROM(Mask Program ROM)、可编程只读存储器