电子工艺基础考试题

１电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。

A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。

5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。

A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。

第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。

II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。

3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。

电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和两种载流子。

自由电子2、半导体有P型和两种类型。

N型3、PN结具有特性。

单向导电4、二极管按结构分有点接触型和接触型。

面5、差动放大电路的电路参数。

对称6、差动放大电路的目的是抑制。

共模信号7、反馈分有正反馈和反馈。

负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。

甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。

第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。

功率输出级11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。

模拟12、过零电压比较器具有极高的。

电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。

选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。

正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。

开关16、逻辑代数又叫代数。

二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。

逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为。

119、数字集成器件民用品标为系列。

7420、集成逻辑门是最基本的。

数字集成器件21、反相器就是实现的器件。

逻辑非22、编码是的逆过程。

译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。

当前输入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。

集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。

N进制26、一个触发器可以存放位二进制数。

127、多谐振荡器又称。

方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。

单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。

CMOS30、读写存储简称。

RAM31、只读存储器简称。

ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

DA、二B、三C、四D、五2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。

BA、二B、三C、四D、五3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

CA、大于B、等于C、小于D、与温度有关4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

一、填空题1.电阻器的标识方法有直标法、文字符号法、色标法和数码表示法。

2.集成电路最常用的封装材料有塑料、陶瓷、金属三种，其中使用最多的封装形式是塑料封装。

3.表面安装方法分为单面混合安装、双面混合安装、完全表面安装三种。

4.三极管又叫双极性三极管，它的种类很多，按PN结的组合方式分为NPN型和PNP型。

5.电阻器通常称为电阻，在电路中起分压、分波和限流等作用，是一种应用非常广泛的电子元件。

6.电阻器在额定范围内可连续调节的电阻器称为可变电阻器（电位器）。

7.变压器的主要作用是：用于交流电压变换、电流变换、阻值变换。

8.电阻器的主要技术参数有标称阻值和允许偏差、额定功率和温度系数。

9.光电耦合器是以光为媒介，用来传输电信号，实现“电光电”的转换。

10.用于完成电信号与声音信号互相转换的元件称为电声器件。

11.电容器在电子电路中起到耦合、滤波、隔直流和调谐等作用。

12.常用线材分为电线和电缆两类，它们的作用是传输电能获电磁信号。

13.表面没有绝缘层的金属导线称为裸导线。

14.烙铁的握法一般有握笔式和拳握式。

15.产生静电的最普通方式就是感应和摩擦起电。

16.我国国家标准中规定的常用电阻器标称阻值系列有E24、E12和E6系列。

17.半导体二极管又叫晶体二极管，是由一个PN结构成，它具有单向导电性。

18.常见的电烙铁有外热式、内热式、恒温等几种。

19.屏蔽的种类分为电屏蔽、磁屏蔽、电磁屏蔽三种。

20.烙铁的握法一般有握笔式和拳握式。

21.浸锡是为了提高导线及元器件在整机安装时的可焊性，是防止产生虚焊、假焊的有效措施之一。

二、单选题1.在电路图中各元件的图形符号的左方或上方应标出该元器件的（A）。

A)图形符号B)项目代号C)名称D)说明文字2.硅二极管的正向压降是（A）。

A)0.7V B)0.2v C)1V D)0.5V3.电容器在工作时，加在电容器两端的交流电压的（C）值不得超过电容器的额定电压，否则会造成电容器的击穿。

电子产品工艺规范考试题基本信息：[矩阵文本题] *1、每日（）对恒温焊台温度进行点检，填写《恒温焊台点检记录表》。

[单选题] *A、一次B、两次(正确答案)C、三次D、四次2、清洁电烙铁所使用的海绵应沾有适量的（） [单选题] *A、酒精B、丙酮C、干净的水(正确答案)D、助焊剂3、手工焊接时，一般情况下，烙铁到操作者鼻子的距离不少于（），通常以（ B ）为宜。

[单选题] *A、10cm、20cmB、20cm、30cm(正确答案)C、30cm、40cmD、40cm、50cm4、烙铁头形状的选用原则是烙铁头宽度应该要（）焊盘直径。

[单选题] *A、小于B、等于(正确答案)C、大于D、都可以5、对应不用大小的焊接端子，应选用不同直径的焊锡丝，选用原则:焊锡丝的直径略小于焊盘直接的（）倍。

[单选题] *A、1/2(正确答案)B、1C、2/3D、26、加锡的顺序是（） [单选题] *A、先加热后放焊锡(正确答案)B、先放锡后加热C、锡和烙铁咀同时D、都可以7、印制板上通孔元器件的焊接，元器件引线（或导线）在焊接面伸出焊盘高度为（）。

[单选题] *A、0.8mmB、1.0mmC、1.2mmD、1.5mm(正确答案)8、我公司常用冷压端子不包括下列（）。

[单选题] *A、圆形预绝缘端子B、管形预绝缘端子C、叉形预绝缘端子D、快速连接接头(正确答案)9、机箱内使用的接线排需要匹配以下哪种端子类型使用（）。

[单选题] *A、圆形预绝缘端子B、管形预绝缘端子C、叉形预绝缘端子(正确答案)D、快速连接接头10、关于压接，以下说法错误的是（）。

[单选题] *A、压接连接是永久性连接，可以多次使用。

(正确答案)B、压接时应根据冷压端子冷压端头导线截面正确选用接触对的导线筒。

C、压接时须采用专用压接钳或自动、半自动压接机。

D、目前普遍认为采用正确的压接连接比锡焊好，特别是在大电流场合必须使用压接。

11、D型连接器焊接时导线绝缘皮的端面与焊杯间的距离要留有（）的绝缘间隙，但绝缘皮不能伸入到焊杯内。

电子产品结构工艺（中级）一．判断题1.电子仪器仪表往往要求在恒温的室内等条件下工作。

（×）2.工艺工作就象一条纽带将企业的各个部门，将生产的各个环节联系起来。

成为一个完整的制造体系。

（√）3.有了良好的电路设计，就能制造出优良的电子产品。

（×）4.工艺工作的着眼点是采用先进的技术、改善工作环境。

（×）5.影响电子仪器仪表正常工作的环境条件包含了气候条件、机械条件。

（×）6.电子仪器仪表的生产必须满足设计对它的要求，否则是无法进行生产的。

（×）7.电子仪器仪表应具有操作简单、安全可靠、结构轻便及良好的工作条件等要求。

（√）8.电子产品应具有便于更换备件、便于测量、便于拆装及故障预报装置等多个方面的特点。

（×）9.电子产品在一定的时间内和规定条件下，完成规定功能的能力。

（×）10.可靠性主要指标有可靠度、故障率、失效密度等。

（×）11.电子仪器仪表可靠性设计中原则是尽量发挥软件功能，减少硬件、尽量采用优化的标准电路、尽量采用新技术、新器件、尽量追求高性能、高指标等。

（×）12.选择电子元器件正确的原则是电性能和工作环境条件相适应、提高元器件的复用率、元器件择优选用、选用经过筛选后的元器件。

（√）13.气候因素的防护主要是三防，防潮湿、防盐雾、防霉菌。

（√）14.电子仪器仪表的潮湿的有憎水处理、浸渍、灌封、密封措施。

（√）15.电子仪器仪表防盐雾的主要是电镀，严格电镀工艺保证电镀层最小厚度，选择适当镀层种类。

（×）16.电子仪器仪表防霉的主要措施有密封、应用防霉剂、使用防霉材料等方式。

（×）17.电子产品的金属防护方法有改变金属内部组织结构、电化学保护法等方法。

（×）18.电子仪器仪表的传热有传导、对流、辐射等三种方式。

（√）19.电子仪器仪表的强制散热方式有强制风冷、蒸发冷却、半导体致冷等。

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。

C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。

D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。

电子工艺综合实训-题库1、下列不属于焊接缺点的是A、应力集中比较大B、易产生焊接缺陷.C、易产生脆性断裂和降低疲劳强度D、减轻结构重量答案： D2、下列不属于焊条药皮的作用是A、传导焊接电流B、使焊条具有良好的焊接工艺性能C、具有保护、冶金、改善焊接工艺性能的作用D、保证焊缝金属获得具有合乎要求的化学成分和机械性能答案： A3、我厂在机壳焊接中，对较大尺寸焊缝要求采用A、单层焊道B、多层多道焊C、大尺寸长焊道D、钎焊答案： B4、以下不属于焊瘤产生的原因是A、电弧拉得太长B、焊接速度太慢C、焊条角度或运条方法不正确D、焊接电流太小答案： D5、以下操作会导致气孔缺陷的是A、选用酸性焊条，如JX X2B、焊前应仔细清理工件坡口上的油污、锈、氧化皮等C、焊条未进行烘干直接使用D、采用短弧焊答案： C6、焊条直径主要依据工件厚度来选择，厚度越大，焊条直径越( )多层焊A、的打底焊应选用较( ) 焊条。

B、大C、小D、粗答案： A7、以下不属于影响焊接残余变形的因素是( )A、焊缝位置B、结构刚性C、焊接线能量D、焊接速度答案： D8、以下措施不能控制焊接残余变形的是( )A、选用合理的焊缝尺寸B、尽可能减少焊缝数量C、增大焊接电流D、合理安排焊缝位置答案： C9、以下不属于焊接残余应力分类的是( )A、点应力B、线应力C、平面应力D、体积应力答案： A10、以下操作不能消除残余应力的是( )A、整体高温回火B、机械拉伸法C、振动时效法D、低温焊接法答案： D11、电容器上标注103表示其容量为( )。

A、 001uFB、 103FC、 001pFD、 01F答案： A12、3DG6中3表示()。

A、三极管B、 3个脚C、不定D、集体管答案： A13、三极管有( )放大作用。

A、电压B、电流C、功率D、电阻答案： B14、绝缘材料的电阻率一般都大于( )。

A、 10B、 20KC、 3KD、 10M答案： B15、按一般标准耐热等级分为( )。

电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。

A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。

5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。

A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。

理论测验一、单项选择题：1．不属于对助焊剂的要求的是 CA、常温下必须稳定,熔点应低于焊料B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为 BA、1：3B、3：1C、任何比例均可3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是 AA、合金头B、纯铜头4．焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是 AA、 20W内热式B、35W内热式C、60W外热式D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是 BA、正握法B、反握法C、握笔法6．印刷电路板的装焊顺序正确的是 CA、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小;C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大;D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小; 7．在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是 AA、电烙铁、铜纺织线、镊子B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀C、电烙铁、镊子、螺丝刀D、铜纺织线、镊子、螺丝刀二、多项选择题1．焊点出现弯曲的尖角是由于 ABA、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当C、电烙铁功率太大造成的D、电烙铁功率太小造成的2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是 AA、20W内热式B、35W内热式C、50W外热式D、75W外热式３．75W外热式电烙铁 BA、一般做成直头,使用时采用握笔法B、一般做成弯头,使用时采用正握法C、一般做成弯头,使用时采用反握法D、一般做成直头,使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是 DA、20WB、35WC、60WD、150W５．20W内热式电烙铁主要用于焊接 DA、8W以上电阻B、大电解电容器C、集成电路D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑 BA、电烙铁功率太大或焊接时间过长B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C、焊剂太多造成的D、焊剂太少造成的７．电烙铁“烧死”是指 CA、烙铁头不再发热B、烙铁头粘锡量很多,温度很高C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热８．一般电烙铁有三个接线柱,其中一个是接金属外壳的,接线时应 BA、用三芯线将外壳保护接地B、用三芯线将外壳保护接零C、用两芯线即可,接金属外壳的接线柱可空着９．所谓夹生焊是指 CA、焊料与被焊物的表面没有相互扩散形成金属化合物B、焊料依附在被物的表面上,焊剂用量太少C、焊件表面晶粒粗糙,锡未被充分熔化;三、判断题1．在检测电阻的时候,手指可以同时接触被测电阻的两个引线,人体电阻的接入不会影响测量的准确性; ×2．在应用SMT的电子产品中分为两种安装方式：完全表面安装和混合安装; √3．笔握法适用于小功率的电烙铁焊接印制板上的元器件; √4．焊接时每个焊点一次焊接的时间应该是3～5秒; ×四、简答题：1．在焊接过程中,助焊剂的作用是什么答：1除去氧化物;为了使焊料与工件表面的原子能充分接近,必须将妨碍两金属原子接近的氧化物和污染物去除,助焊剂正具有溶解这些氧化物、氢氧化物或使其剥离的功能;2防止工件和焊料加热时氧化;焊接时,助焊剂先于焊料之前熔化,在焊料和工件的表面形成一层薄膜,使之与外界空气隔绝,起到在加热过程中防止工件氧化的作用; 3降低焊料表面的张力;使用助焊剂可以减小熔化后焊料的表面张力,增加其流动性,有利于浸润;2．怎样做可以避免烙铁头烧死,烙铁不再粘锡答：烙铁头不粘锡主要是其温度过高,表面氧化所致,首先要在烙铁加热后在松香里反复摩擦去掉氧化皮,再沾上焊锡就可以了;3．电烙铁的握法有哪几种正握法主要适用于什么场合答：电烙铁的握法有正握、反握和笔握;正握法适于中等功率烙铁或带弯头电烙铁的操作;4．电子产品组装时,元件安装有哪些标准答：1元件器的标志方向应按照图纸规定的要求,安装后能看清元件上的标志;若装配图上没有指明方向,则应使标记向外易于辨认,并按从左到右、从下到上的顺序读出;2元器件的极性不得装错,安装前应套上相应的套管;3安装高度应符合规定要求,同一规格的元器件应尽量安装在同一高度上;4安装顺序一般为先低后高,先轻后重,先易后难、先一般元器件后特殊元器件;5元器件在印制电路板上的分布应尽量均匀、疏密一致,排列整齐美观;不允许斜排、立体交叉和重叠排列;6元器件外壳和引线不得相碰,要保证1mm左右的安全间隙,无法避免时,应套绝缘套管;7元器件的引线直径与印制电路板焊盘孔径应有～0.4mm的合理间隙;8MOS集成电路的安装应在等电位工作台上进行,以免产生静电损坏器件,发热元件不允许贴板安装,较大的元器件的安装应采取绑扎、粘固等措施;5．电子产品装配工艺文件包括哪几部分答：、由四个部分组成：企业区分代号、该工艺文件的编制对象设计文件的十进分类编号、工艺文件简号以及区分号;理论测验一、判断题：1. 逻辑变量的取值,１比０大; ×2. 因为逻辑表达式A+B+AB=A+B成立,所以AB=0成立; ×3．在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号,语音信号不是数字信号; ×4．组合逻辑电路的特点是具有记忆功能×5．只用与非门不能实现Y=A B＋BC; × 6译码显示器既要完成译码功能,还有将译码后的结果或数据显示出来; √7．优先编码器对同时输入的信号中只对优先级别最高的一个信号编码; √8．半导体数码管采用共阴极方式时,译码器输出低电平驱动相应的二极管发光; ×9.同或门的逻辑功能是“相同出0,相异出1”; ×10.译码器的功能是将二进制数码还原成给定的信息; √二、填空题1.有一数码,作为自然二进制数时,它相当于十进制数 147 ;2.优先编码器允许同时输入两个以上的编码信号,但工作时只对优先级别高的输入信号进行编码,其余的输入信号可看成无效信号 ;3.客观事物的最基本的逻辑关系有_与逻辑、_或逻辑和_非_逻辑三种;个“1”连续进行非运算,其结果是 0 ;与非门多余的输入端应接高电平 ;6.同或门和异或门的关系可以用非逻辑关系表示;7.对TTL与非门闲置端不用的处理方法是悬空 ;8.组合逻辑电路的设计步骤是根据实际要求的逻辑关系建立真值表、由真值表写出逻辑表达式、化简逻辑表达式、画逻辑电路图 ;9.译码显示器是先将输入的二进制码译码成十进制数的信号,再利用译码输出驱动显示数字;三、选择题：1.十进制整数转换成二进制整数一般采用 B 方法;A. 除2取整法B. 除2取余法C. 乘2取整法D. 除10取余法2．当A = B = 0时,能实现Y = 1的逻辑运算是 C ;A．Y = AB B．Y = A+B C．Y A B=+=+D．Y A B 3．二进制的减法运算法则是 D ;A．逢二进一B．逢十进一C．借一作十D．借一作二4．MOS或门的多余输入端应 C ;A．悬空B．接高电平C．接低电平D．高低电平均可5．组合逻辑电路应该由哪种器件构成 C ;A．触发器B．计数器C．门电路D．振荡器6．三位二进制编码器输出与输入端的数量分别为 B ;A．3个和2个B．3个和8个C．8个和3个D．2个和3个7．七段显示译码器,当译码器七个输出端状态为abcdefg = 0110011时,高电平有效,输入一定为 C ;A．0011 B．0110 C．0100 D．0101 8．下列门电路,不属于基本门电路 D ;A．与门B．或门C．非门D．与非门9．组合逻辑电路的特点有 A ;A．电路某时刻的输出只决定于该时刻的输入B．含有记忆元件C．输出、输入间有反馈通路D．电路输出与以前状态有关10．TTL逻辑电路是以 A 为基础的集成电路;A．三极管B．二极管C．场效应管D．不能确定四、问答题：1. 十进制转换成二进制的具体转换方法是什么答：十进制数的整数部分采用“除2取余法”；小数部分采用“乘2取整法”;2. 分别描述异或门和同或门的逻辑功能,并说明他们之间的关系;答：异或门的逻辑功能是：同为0,异为1;同或门的逻辑功能是：同为1,异为0;异或逻辑和同或逻辑之间是非逻辑关系;3．简述图7-4中与发光二极管串联电阻的作用,如果将电阻值更换为100kΩ,则发光二极管还能正常发光吗为什么答：电路中与发光二极管串联的的电阻起到分压作用;如果将阻值更换为100kΩ,会导致电流过小,使二极管不能正常发光;4.译码的含义是什么为什么说译码是编码的逆过程译码器和编码器在电路组成上有什么不同答：译码的含义是把某种输入代码翻译成一个相应的信号输出;由于编码是将各种输入信息编成二进制代码输出,所以说译码是编码的逆过程;编码器电路有n2个输入端,则有n个输出端；而译码器电路有n个输入端,则有n2个输出端;理论测验一、判断题：1.脉冲技术现在已经广泛应用于电子计算机、自动控制、遥控遥测、电视、雷达和广播通讯等许多领域; √2.正弦波属于脉冲波的特殊形式; ×3.矩形波是脉冲波的常用波形之一,理想的矩形波都有一个上升边沿和下降边沿,中间为平顶部分; √电路中电容器的充电速度与R和C的大小有关,放电的速度取决于时间常数√积分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出恒定量,压低变化量”的作用;√微分电路的工作特点是对脉冲信号起到“突出变化量,压低恒定量”; √7.多谐振荡器是一种能自动反复输出矩形脉冲的自激振荡电路,并且含有丰富的多次谐波; √8．施密特触发器广泛用于将连续变化的波形,如三角波、正弦波等变换成矩形波;√9．A/D转换器是用来通过一定的电路将模拟量转变为数字量;模拟量可以是电压、电流等电信号,也可以是压力、温度、湿度、位移、声音等非电信号; √10. 数/模转换器DAC的主要性能参数是分辨率、线性误差、建立时间、温度灵敏度和输出电平; √二、填空题1.电阻R和电容C构成的简单电路叫RC电路,常用于脉冲波形变换的电路是RC微分电路和 RC积分电路;2. 微分电路是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成一对正、负极性的尖峰脉冲波;3. 积分电路也是脉冲电路中常用的一种波形变换电路,能把矩形脉冲波变换成三角波,也叫锯齿波;4.触发器的两种输出状态是高电平或低电平,如果其中一个是稳定状态而另一个是暂稳状态,这种触发器称为单稳态触发器 ;5.常用的集成施密特触发器有两种类型,一种是 TTL 施密特触发器,另一种是CMOS 施密特触发器;6. 单稳态触发器不仅能用于延时电路,而且可以把不规则的波形变换成幅度和宽度都相等的脉冲形;7 多谐振荡器工作时,不需要外加触发信号,电路的输出状态会在高低电平两种状态间反复不停地翻转,没有稳定的状态,所以又称无稳态电路;;三、选择题：1．脉冲数字系统中,经常要处理脉冲的产生、延时、整形等问题,而实现这些功能的电路有 ABC ;A、多谐振荡器B、单稳态触发器C、施密特触发器D、正弦波发生器2.下列集成电路中属于单稳态触发器的是 ABC ;A、CT74121B、CT74LS123C、CT74122D、NE5553. 下列集成电路属于CMOS型施密特触发器组件的是 AD ;A、CC40106B、CT74LS132C、CT7414D、CC40934．把经过计算机分析处理的数字信号转换成模拟信号,去控制执行机构的器件,称为数模转换器,即 B 转换器;A、A/DB、D/AC、TTLD、CMOS5．A/D转换后,输出的数字信号可以有ABCD 等;A、8位B、10位C、12位D、16位6．555定时器是一种数字与模拟混合型的中规模集成电路,应用广泛;外加电阻、电容等元件可以构成ABC等典型电路;A、多谐振荡器B、单稳电路C、施密特触发器D、稳压器四、问答题：1.什么是脉冲信号矩形波的主要参数是什么答：脉冲指含有瞬间突然变化、作用时间极短的电压或电流称为脉冲信号;矩形波的主要参数如下： 1 脉冲幅度Vm 2 上升时间tr 3 下降时间tf 4 脉冲宽度tp 5 脉冲周期T;2. 简述555定时器引脚功能答：1 8脚是集成电路工作电压输入端,电压为5～18V;2 1脚为地;32脚为触发输入端;43脚为输出端;5 6脚为阈值端;64脚是复位端;75脚是控制端;87脚称放电端;3. 555定时器可以构成的常见电路是那三种,各有什么特点答：555定时器可以构成的常见电路有单稳态触发器、多谐振荡器和施密特触发器;多谐振荡器的特点：无外输入信号、外围有RC元件、且6、2端短接在一起;单稳态触发器的特点：有一外输入信号、外围有RC元件、6、2端分开且分别与它们连接;施密特触发器的特点：外围没有RC元件、6、2短接、并引入外输入信号;4. A/D和D/A转换各是什么意思答： A/D转换是指将模拟量转变为数字量;D/A转换是指将数字量转换成模拟量;理论测验一、判断题：1.触发器属于组合逻辑电路;×2.触发器具有两个状态,一个是现态,另一个是次;×3．时钟脉冲的作用是使触发器翻转;×4.主从JQ触发器和边沿JK触发器的逻辑功能相同;×5．基本RS触发器可以由两个或非门交叉耦合构成;√6. 即使电源关闭,移位寄存器中的内容也可以保持下去;√7. 所有的触发器都能用来构成计数器和移位寄存器;×8.移位寄存器74LS194可串行输入并行输出,但不能串行输入串行输出;×9. 同步计数器的计数速度比异步计数器快;√10．移位寄存器只能串行输入;×二、填空题1. 基本RS触发器,当、都接高电平时,该触发器具有_ 保持功能;2.同步RS触发器状态的改变与同步信号CP 同步;3.时序电路通常包组合电路和存储电路两个组成部分;4．主从触发器是一种能防止空翻的触发器;触发器是在JK触发器基础上,增加一个与非门,把J和K两个输入端合为一个输入端D 组成的;6．仅具有“置0”、“置1”功能的触发器叫 T触发器 ;7．时序电路的次态输出不仅与即时输入有关,而且还与现态有关;8．在一个CP脉冲作用期间,触发器状态产生二次或多次翻转称＿＿空翻＿现象;9．JK触发器的逻辑功能为＿置0 、＿置1＿、＿翻转＿和＿保持＿;10．将JK触发器的两个输入端接在一起,就构成了＿＿D＿＿触发器,其逻辑功能为＿＿置0＿＿和＿置1＿;三、选择题：1. R-S型触发器不具有 B 功能;A. 保持B. 翻转C. 置1D. 置02. 触发器的空翻现象是指 CA.一个时钟脉冲期间,触发器没有翻转；B.一个时钟脉冲期间,触发器只翻转一次C.一个时钟脉冲期间,触发器发生多次翻转D.每来2个时钟脉冲,触发器才翻转一次3. 下列触发器中不能用于移位寄存器的是 C ;触发器触发器 C.基本RS触发 D.负边沿触发D触发器4.触发器是一种 B ;A、单稳态电路B、双稳态电路C、无稳态电路5.下面4种触发器中,抗干扰能力最强的是 CA.同步D触发器B.主从JK触发器C.边沿D触发器D.同步RS触发器6. 对于JK触发器,若希望其状态由0转变为1,则所加激励信号是 D=0X =X0 =X1 =1X7．仅具有保持和翻转功能的触发器是 DA．JK触发器 B;RS触发器 C;D触发器 D;T触发器8．对于JK触发器,输入J=0,K=1,CP时钟脉冲作用后,触发器的Q n+1应为AA．0 B.1 C.可能为0,也可能为1 D. 与Q n 有关四、问答题：1．怎样实现普通机械式开关的防抖功能答：用两个按键S1、S2、CD4011等构成了一个无抖动开关;电路如图所示;用集成块CD4011内部的两个与非门连接成一个基本RS触发器,当按钮开关S3、S2闭合时可使RS触发器复位端R和置位端S的电平变为0,断开时可使R、S的电平变为1;通过S3、S2可给RS触发器设置输入状态,从而决定输出状态;当S3闭合、S2断开时,R=0,S=1,触发器的输出端Q=0,LED2不会点亮,当S3断开、S2闭合时,R=1,S=0,触发器的输出端Q=1,LED2点亮;当S3、S2都断开时,R=S=1,触发器的输出端Q保持原来的状态即R=S=1之前的那个状态,输出端Q的电平变化,相当于开关的闭合和断开;这种闭合与断开是无抖动的可用示波器在测试点P3观察Q端的电平变化,是矩形波;2.怎样由JK触发器构成D触发器答：在JK触发器的基础上,增加一个与非门把J、K两个输入端合为一个输入端D,CP为时钟脉冲输入端;这样,就把JK触发器转换成了D触发器;3.什么是触发器的空翻现象答：在一个时钟脉冲周期中,触发器发生多次翻转的现象叫做空翻;4．查阅资料,画出用D触发器构成一个4位右移寄存器的原理图,并说明工作过程;答：用D触发器构成的四位移位寄存器,当CP上升沿同时作用于所有触发器时,触发器输入端的状态都为现态;于是,CP上升沿到达之后,各触发器按状态函数进行状态转换;输人代码DI存人触发器F0,Q1按Q0原来状态翻转,Q2按Q1原来状态翻转、Q3按Q2原来状态翻转;总的看来,移位寄存器中的代码依次右移了一位;可见,经过4个CP信号后,串行输入的四位代码全部移入了移位寄存器,并在四个输出端得到并行输出代码;利用移位寄存器可实现代码的串行—并行转换;若再加4个CP信号,寄存器中的四位代码还可以从串行端依次输出;。

微电⼦⼯艺原理试题微电⼦⼯艺原理⼀、单项选择1.The most common reticle reduction ratio used with step-and-scan exposure tools is（）a.1:1 and 4:1b. 1:1 and 5:1c.4:1 and 5:1d.4:12. Which of the following processes are performed in the diffusion area? Circle all that apply. （）a. wafer cleansb.high temperature processingc.metallizationd.polishinge.photoresist stripping3.What are the three production areas where photoresist-coated wafers can be found? （）a.diffusionb.photolithographyc.etchd.implante.thin filmsf.polish4. Which of the following is not a common production tool in the thin films area? （）a.plasma resist stripperb.CVD systemsC. PVD systemsd.rapid thermal anneal systeme.sputtering systemf.spin-on-glass dispense system5.What does the term CMP stand for? （）a.chemically modulated photostabilizerb.chemical mechanical propellantc.chemicaly manipulated plasmad. chemical mechanical planarization6.What is another name for CMP? （）a.etchb.implantc.polishd.diffusion7.The term WET stands for（）a.wafer etch technologyb. wet etch for titanium contanctsc. wafer elastomeric treatmentd. wafer electrical test8. The data obtained from wafer test/sort is used to（）a.determine which wafers need to go through WET.b.determine which wafers need to go through backgrind.c.determines the die yield for each wafer.d.calculate cycle time for wafer production.9.The wafer is tested twice in order to determine its product worthiness（）a.once after first metal etch and after the completion of the last wafer process step.b.once before the contanct etch and after the completion of the wafer process flow.c. once after the first ion implant and after the completion of the wafer process flow.d.once at wafer/test sort and after die separation.10.The purpose of the contanct formation process is to （）a.insulate all exposed silicon areas of the wafer.b.form metal contacts on all active areas of the silicon.c.create barriers for charge carriers between transistors.d.form metal contacts on all exposed areas of silicon dioxide.11.What are the reasons for the thermal anneal process after ion implantation? （）a.Annealing ensures that the silicon is ready to bond with the implanted tungsten.b. Annealing the wafer after implant prepares the silicon for the STI etch processc. Anneal drives dopants further into the silicon and recrystalizes the substrate.d. Anneal helps clean off residual oxide from the silicon substrate.12.What is shallow trench isolation (STI)? （）a.STI utilizes an older selective oxidation technique to isolate transistors.b. STI forms oxide structures atop the substrate to isolate neighboring transistorsc. STI forms windows in a nitride mask which allow some silicon to be oxidazed.d. STI uses oxide-filled trenches to isolate transistors from each other.⼆、翻译并解释1.active region —有源区有源区：硅⽚上做有源器件的区域。

电子焊接工艺复习题答案一、单项选择题1. 电子焊接中常用的助焊剂是（）。

A. 松香B. 酒精C. 盐酸D. 氢氧化钠答案：A2. 焊接时，焊料的熔点应低于被焊金属的熔点，这是为了（）。

A. 减少热量损失B. 避免金属氧化C. 保证焊接质量D. 提高焊接速度答案：C3. 焊接电路板时，正确的焊接顺序是（）。

A. 先焊小元件，后焊大元件B. 先焊大元件，后焊小元件C. 随意焊接D. 先焊电阻，后焊电容答案：A二、多项选择题1. 电子焊接中，以下哪些因素会影响焊接质量？（）。

A. 焊接温度B. 焊接时间C. 焊料类型D. 助焊剂的使用答案：ABCD2. 焊接时，以下哪些操作是正确的？（）。

A. 使用合适的焊接工具B. 保持焊接环境清洁C. 焊接前对焊点进行清洁D. 焊接后立即进行清洗答案：ABC三、判断题1. 焊接时，焊料的量越多越好。

（）答案：错误2. 焊接电路板时，应该先焊接功率较大的元件。

（）答案：错误3. 焊接完成后，应立即对焊接点进行清洗，以去除残留的助焊剂。

（）答案：正确四、简答题1. 简述电子焊接中助焊剂的作用。

答案：助焊剂在电子焊接中主要起到清洁焊点、降低焊料表面张力、提高焊接润湿性、防止氧化和腐蚀等作用，从而提高焊接质量。

2. 描述焊接电路板时的一般步骤。

答案：焊接电路板的一般步骤包括：准备焊接工具和材料、清洁焊点、上焊料、焊接、检查焊接质量、清洗焊接点。

五、计算题1. 如果焊接一个电路板上的100个焊点，每个焊点需要0.5克焊料，那么总共需要多少克焊料？答案：50克六、综合分析题1. 分析焊接过程中可能出现的问题及相应的解决方法。

答案：焊接过程中可能出现的问题包括虚焊、冷焊、焊点不光滑、焊点氧化等。

解决方法包括：确保焊接温度适宜、使用合适的焊接时间、选用合适的焊料和助焊剂、焊接前清洁焊点、焊接后检查焊接质量等。

《电子技术基础》练习题库第一章思考复习题1.填空题(1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____.(2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数载流子_____导电.(3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时______.。

(4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管.(5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区.(6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器件.(7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结_________偏置.(8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和_________区.(9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变,体现了三极管的___________特性.(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和_______________,选择时应适当留有余地.(11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue;而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue.(12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效应管.(13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0.(14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制及放大作用.(15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳定性比较_________.2.选择题(1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________.①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少(2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为______.①负电②正电③电中性(3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______.①正向特性②反向特性③反向击穿特性(4)用万用表测量二极管的极性,将红、黑表行分别接二极管的两个电极,若测得的电阻值很小(几千欧以下),则黑表笔所接电极为二极管的_____.①正极②负极③不能确定(5)测得电路中一个NPN型三极管的3个电极电位分别为:Uc=6V,UB=3v,Ue=2.3v,则可判定该三极管工作在_______.①截止区②饱和区③放大区(6)三极管的电流放大系数β,随温度的升高会______.①减小②增大③不变3.判断题（1）二极管外加正向电压时呈现很大的电阻，而外加反向电压时呈现很小的电阻。

微电子工艺学模拟试题一、判断下列说法的正误，正确的在后面括号中划“√”，错误的在后面括号中划“×”（本大题共10小题，每小题2分，共20分）1.在微电子器件制造过程中，通过在硅片的有源区引入一些缺陷，以此吸除表面附近的杂质和缺陷的过程，称为吸杂，包括非本征吸杂和本征吸杂两种方式。

（）2.双极型器件要求用（111）晶向单晶，MOS器件和GaAs器件则选用（100）晶向材料。

（）3.在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，处于线性氧化阶段。

（）4.注入离子在非晶靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示，注入离子的剂量和能量越大，峰值浓度越高。

（）5.在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。

（）6.溅射仅是离子对物体表面轰击时可能发生的四种物理过程之一，其中每种物理过程发生的几率取决于入射离子的能量和剂量。

（）7.外延生长过程中杂质的对流扩散效应，特别是高浓度一侧向异侧端的扩散，不仅使界面附近浓度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变，且只有在离界面稍远处才保持理想状态下的均匀分布，使外延层有效厚度变窄。

（）8.曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高，但同时会使焦深线性减小。

如果增大投影物镜的数值孔径，那么在提高光刻分辨率的同时，投影物镜的焦深也会急剧减小，因此在分辨率和焦深之间必须折衷。

（）9.由于离子的质量较大，散射作用比电子弱，离子束曝光几乎不存在邻近效应，比光学、X射线或电子束曝光技术具有更高分辨率。

（）10.在各向同性刻蚀时，薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。

如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度，则必须采用各向异性刻蚀。

（）二、选择填空。

(本大题共10小题，每小题2分，共20分。

在每小题给出的四个选项中，有的只有一个选项正确，有的有多个选项正确，全部选对得2分，选对但不全的得1分，有选错的得0分)1. 采用CZ 法制备硅单晶时，往往将一定数量的杂质原子加入多晶硅熔融液中，以获得所需的掺杂浓度。