下载文档原格式
pvd工艺技术原理PVD（Physical Vapor Deposition）是一种将固体材料从源头蒸发或溅射到器件表面的工艺技术。
它是一种无需溶剂或介质的干法工艺，广泛应用于电子、光学、机械、化工等领域。
PVD工艺技术的主要原理包括：蒸发、溅射和电弧等。
蒸发是PVD工艺技术的主要原理之一。
在蒸发过程中，源材料被加热到高温，由固态直接转变成气态。
这种气态的源材料会沉积到器件表面上，形成一层薄膜。
蒸发过程中的温度、压力和速度等因素会影响薄膜的质量和厚度。
溅射是另一种常用的PVD工艺技术原理。
在溅射过程中，源材料被在低真空或惰性气氛下通过电弧、离子束或磁控溅射等方式激发，产生大量的离子或中性粒子。
这些粒子会撞击到器件表面，形成一层薄膜。
溅射过程中的功率、压力和离子束等因素会影响薄膜的质量和厚度。
电弧是PVD工艺技术中常用的一种原理。
在电弧中，两电极之间加高电压，导致局部气体电离，产生电弧放电。
所产生的电弧会加热和电蚀源材料，使其蒸发或溅射到器件表面，并形成一层薄膜。
电弧过程中的电压、电流和气压等因素会影响薄膜的质量和厚度。
此外，电弧还可产生离子或电子束，进一步控制薄膜的性能。
PVD工艺技术的优势在于可以制备高质量、致密和结合力强的薄膜。
这些薄膜具有优异的硬度、耐磨损、耐腐蚀和导电等性能，广泛应用于电子器件、光学镀膜、刀具涂层等领域。
此外，PVD工艺技术还具有较高的得率和环保性，无需溶剂或介质，可以减少废料和污染排放。
总之，PVD工艺技术通过蒸发、溅射和电弧等原理，实现将源材料沉积到器件表面形成薄膜。
这种工艺技术具有高效、环保和可控的特点，可用于制备具有优良性能的薄膜材料。
随着材料科学和工艺技术的不断发展，PVD工艺技术在各个领域的应用将会越来越广泛。
电子束蒸发与磁控溅射镀铝的性能分析研究随着科学技术的不断发展，半导体器件的种类不断增多。
原始点接触晶体管、合金晶体管、合金扩散晶体管、台面晶体管、硅平面晶体管、TTL集成电路和N沟硅栅平面MOS集成电路等，其制造工艺及工艺之间的各道工序也有所差别。
在硅平面晶体管工艺过程中，电极材料的制备技术是一项关键工艺，典型的制备技术主要有两类：一类是电子束蒸发镀膜技术，另一类是磁控溅射镀膜方法。
长期以来，在生产实践中由于电了束蒸发与磁控溅射这两种方法制备晶体管微电极各具优势，而且各自采用的设备和工艺不同，因而其产品质量孰优孰次一直存在争论。
本文就这一问题展开研究，详细分析了常用电极材料Al通过这两种方法制备成薄膜电极的膜厚控制、附着力、致密性、电导率和折射率等重要性能指标，测试结果分析表明磁控溅射铝膜的综合性能优于电子束蒸发。
1实验设备及优化工艺参数1.1电子束蒸发设备及优化工艺参数选用CHA-600型电子束蒸发台。
它主要由真空镀膜室、真空系统和真空测量仪器的一部分构成。
真空镀膜室主要由钟罩、球面行星转动基片架、基片烘烤装置、磁偏转电子枪、蒸发档板及加热装置等构件所组成;真空系统主要由机械泵的冷凝泵组成，选用冷凝泵可以更容易地抽到高真空状态，避免了油扩散泵返油而产生污染真空室的现象;用离子规来测量真空度。
坩埚选用石墨坩埚，避免了坩埚与Al反应生成化合物而污染Al膜，坩埚的位置处在行星架的球心位置，从而保证成膜厚度的均匀性。
蒸镀过程中膜厚的测量选用石英晶体膜厚监控仪。
电子束蒸发镀Al的典型工艺参数为：真空度：2.6×10-4Pa;蒸发速率：20—25A/s;基片温度：120°C;蒸距：45cm;蒸发时间：25min;电子枪电压：9Kv;电子枪电流：0.2A。
1.2溅射设备及优化工艺参数选用ILC-1012MARKⅡ1012溅射装置;操作简单，并能保证产品质量的均一性。
此溅射台主要由片盒卸室SL，片盒交换室TL，清洗室CL和溅射成膜室SP组成。
第一章集成电路芯片封装技术1. (P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。
广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。
2. 芯片封装实现的功能：1 传递电能，主要是指电源电压的分配和导通。
2 传递电路信号，主要是将电信号的延迟尽可能减小，在布线时应尽可能使信号线与芯片的互连路径以及通过封装的IO接口引出的路径达到最短。
3 提供散热途径，主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散出的问题。
4 结构保护与支持，主要是指芯片封装可为芯片和其他连接部件提供牢固可靠的机械支撑，并能适应各种工作环境和条件的变化。
3.在确定集成电路的封装要求时应注意以下儿个因素:1 成本2 外形与结构3 可靠性4 性能4.在选择具体的封装形式时，主要需要考虑4种设计参数:性能、尺寸、重量、可靠性和成本目标。
5．封装工程的技术层次：第一层次(Level1或First Level):该层次又称为芯片层次的封装（Chip Level Packaging),是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架(Lead Frame）之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次组装进行连接的模块(组件Module)元件。
第二层次(Level2或Second Level:将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成个电路卡（Card〉的工艺.第三层次(Level3或Third Level):将数个第二层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板（Board）上使之成为一个部件或子系（Subsystem）的工艺。
第四层次(Level4或Fourth Level)将数个子系统组装成为一个完整电子产品的工艺过程。
在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺也称为零级层次（Level 0)的封装，6.封装的分类：按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类。
