器件电参数符号说明

一电阻器与电位器符号详见图 1 所示，其中（ a ）表示一般的阻值固定的电阻器，（b ）表示半可调或微调电阻器；（ c ）表示电位器；（d ）表示带开关的电位器。

电阻器的文字符号是“ R ”，电位器是“ RP ”，即在R 的后面再加一个说明它有调节功能的字符“ P ”。

在某些电路中，对电阻器的功率有一定要求，可分别用图 1 中（e ）、（ f ）、（g ）、（h ）所示符号来表示。

几种特殊电阻器的符号：第 1 种是热敏电阻符号，热敏电阻器的电阻值是随外界温度而变化的。

有的是负温度系数的，用NTC 来表示；有的是正温度系数的，用PTC 来表示。

它的符号见图（i ），用θ 或t°来表示温度。

它的文字符号是“ RT ”。

第 2 种是光敏电阻器符号，见图 1 （j ），有两个斜向的箭头表示光线。

它的文字符号是“ RL ”。

第 3 种是压敏电阻器的符号。

压敏电阻阻值是随电阻器两端所加的电压而变化的。

符号见图 1 （k ），用字符U 表示电压。

它的文字符号是“ RV ”。

这三种电阻器实际上都是半导体器件，但习惯上我们仍把它们当作电阻器。

第 4 种特殊电阻器符号是表示新近出现的保险电阻，它兼有电阻器和熔丝的作用。

当温度超过500℃时，电阻层迅速剥落熔断，把电路切断，能起到保护电路的作用。

它的电阻值很小，目前在彩电中用得很多。

它的图形符号见图 1 （1 ），文字符号是“ R F ”。

电容器的符号详见图2 所示，其中（ a ）表示容量固定的电容器，（ b ）表示有极性电容器，例如各种电解电容器，（ c ）表示容量可调的可变电容器。

（ d ）表示微调电容器，（ e ）表示一个双连可变电容器。

电容器的文字符号是 C 。

电感器与变压器的符号电感线圈在电路图中的图形符号见图 3 。

其中（a ）是电感线圈的一般符号，（ b ）是带磁芯或铁芯的线圈，（ c ）是铁芯有间隙的线圈，（ d ）是带可调磁芯的可调电感，（ e ）是有多个抽头的电感线圈。

一、前言元器件是电子电路的基本组成单元，广泛应用于各种电子设备中。

元器件符号是表示元器件的图形符号，它具有直观、简洁、易识别等特点。

本文将详细介绍各种元器件的符号，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管、集成电路等，以供广大电子爱好者参考。

二、电阻1. 电阻（R）：表示具有固定阻值的元件，单位为欧姆（Ω）。

符号：圆形，中间有一个“R”字母。

2. 可变电阻（VR）：表示阻值可调的元件。

符号：圆形，中间有一个“VR”字母。

3. 保险丝（F）：表示过载保护元件。

符号：矩形，中间有一个“F”字母。

4. 滑动变阻器（VR1）：表示阻值可调的元件，通常带有滑动触点。

符号：圆形，中间有一个“VR1”字母。

三、电容1. 电解电容（C）：表示具有较大电容量、极性的元件。

符号：圆形，中间有一个“C”字母，旁边标注容量和电压。

2. 无极电容（C）：表示电容量较大、无极性的元件。

符号：圆形，中间有一个“C”字母，旁边标注容量和电压。

3. 陶瓷电容（C）：表示电容量较小、稳定性较好的元件。

符号：圆形，中间有一个“C”字母，旁边标注容量和电压。

4. 片式电容（C）：表示小型、薄型的电容元件。

符号：矩形，中间有一个“C”字母，旁边标注容量和电压。

1. 电感（L）：表示具有自感作用的元件，单位为亨利（H）。

符号：圆形，中间有一个“L”字母。

2. 可调电感（L）：表示电感值可调的元件。

符号：圆形，中间有一个“L”字母。

3. 互感器（L）：表示具有互感作用的元件。

符号：圆形，中间有一个“L”字母。

五、二极管1. 晶体二极管（D）：表示具有单向导电特性的元件。

符号：三角形，中间有一个“D”字母。

2. 整流二极管（D1）：表示用于整流的晶体二极管。

符号：三角形，中间有一个“D1”字母。

3. 稳压二极管（DZ）：表示具有稳压作用的元件。

符号：三角形，中间有一个“DZ”字母。

4. 变容二极管（V）：表示电容量可变的元件。

符号：三角形，中间有一个“V”字母。

电子元器件符号大全电子元器件符号是电子工程师在设计电路图时必不可少的工具，它们能够简洁明了地表示各种电子元件的性能和连接方式。

在电子设计和制造领域，了解和掌握各种电子元器件符号是非常重要的。

本文将为大家详细介绍一些常见的电子元器件符号，帮助大家更好地理解和运用它们。

1. 电阻器符号。

电阻器是电子电路中常用的被动元件，用于限制电流、调节电压和分压等。

在电路图中，电阻器的符号通常由一个波浪线和两条相连的直线组成，波浪线表示电阻器的阻值，直线表示电阻器的两端。

2. 电容器符号。

电容器是一种能够在电路中存储电荷的元件，用于滤波、耦合和延时等。

在电路图中，电容器的符号通常由两条相连的直线和一对平行的直线组成，直线表示电容器的两端，平行直线表示电容器的极板。

3. 电感符号。

电感是一种能够在电路中储存能量的元件，用于滤波、耦合和振荡等。

在电路图中，电感的符号通常由一个螺线圈和两条相连的直线组成，螺线圈表示电感的线圈，直线表示电感的两端。

4. 二极管符号。

二极管是一种具有单向导电性的半导体元件，用于整流、开关和稳压等。

在电路图中，二极管的符号通常由一个三角形和一条垂直的直线组成，三角形表示二极管的P型半导体，直线表示二极管的N型半导体。

5. 晶体管符号。

晶体管是一种具有放大和开关功能的半导体元件，用于放大、振荡和数字逻辑等。

在电路图中，晶体管的符号通常由一个三极管和若干直线组成，三极管表示晶体管的结构，直线表示晶体管的引脚。

6. 集成电路符号。

集成电路是一种将多个电子元件集成在一起的元件，用于逻辑运算、存储和控制等。

在电路图中，集成电路的符号通常由一个矩形和若干引脚组成，矩形表示集成电路的功能，引脚表示集成电路的连接。

7. 传感器符号。

传感器是一种能够将物理量转换为电信号的元件，用于测量、控制和反馈等。

在电路图中，传感器的符号通常由一个椭圆和若干直线组成，椭圆表示传感器的感受部分，直线表示传感器的输出部分。

8. 电源符号。

电参数的英文符号及意义In Ie Ics Icu Icw Icm Ir1 Ir2 Ir3 Ir4 IsdUn Ue Ui UimapIn=Ie 额定电流n=nominal e=额定Rated current(电流强度：Intensity of current 取I表示）Un=Ue 额定电压Rated voltage（电压表示取自某国的单词首字母U,在美国用V表示）Ics 运行短路分断能力short—circuit breaking capacityIcu极限短路分断能力ultimate short—circuit breaking capacityIcw 短时耐受电流short-time withstand currentIcm 额定短路接通能力short-circuit making capacity 见配电手册三版640页Ir1 长延时电流整定值Ir2 短延时电流整定值Ir3 瞬时电流整定值Ir4接地故障电流整定值Isd 断路器速断动作电流Ui 额定绝缘电压Rated insulation voltageUimp 额定冲击耐受电压Rated impluse withstand voltage相关的规范GB14048。

2GB14048。

2 (IEC947-2）GB3906GB762额定极限短路分断能力和额定运行短路分断能力的区别变电站内的总出线断路器取Ics，配电箱断路器取Icu即可断路器的额定分断能力分为额定极限短路分断能力和额定运行短路分断能力两种。

国标《低压开关设备和控制设备低压断路器》（GB14048。

2—94）对断路器额定极限短路分断能力和额定运行短路分断能力作了如下的解释：(1）断路器的额定极限短路分断能力(Icu)：按规定的实验程序所规定的条件，不包括断路器继续承载其额定电流能力的分断能力；(2）断路器的额定运行短路分断能力(Ics):按规定的实验程序所规定的条件，包括断路器继续承载其额定电流能力的分断能力；（3)额定极限短路分断能力（Icu）的试验程序为O—t-CO。

二极管符号及参数二极管是一种最基本的电子元件，也是半导体器件中最简单的一种。

它是由半导体材料制成的，其特点是只能允许电流在一个方向上通过。

在电气电子领域中，二极管广泛应用于电源、放大器、整流器、翻转器和波形整形等电路中。

二极管的符号通常用一个三角形和一条直线表示。

其中，直线代表二极管的P端，对应于正极，而三角形代表二极管的N端，对应于负极。

直线上方有一个箭头，它表示二极管的导通方向，即电流的流动方向，也就是正向偏置方向。

箭头指向直线端口时，代表正向导通；箭头指向三角形端口时，代表反向截止。

这种符号常见于各种电路图中，用以表示二极管在电路中的位置和方向。

二极管的参数有很多，以下是其中一些重要的参数解释：1.正向电压降（Vf）：正向电压降是指在二极管正向导通时，两端的电压降。

正常情况下，二极管导通后，其电压降一般在0.6V至0.7V之间，这个电压也被称为二极管的开启电压。

不同类型的二极管，其正向电压降可能会有所不同。

2. 反向击穿电压（Vbr）：反向击穿电压是指二极管在反向电压作用下，达到截止状态的最大电压。

如果反向电压大于击穿电压，二极管将发生击穿，电流会急剧增大。

3.正向电流（If）：正向电流是指在正向电压下，通过二极管的电流大小。

在正向导通状态下，二极管可以允许电流通过，其大小取决于电压和二极管的电流-电压关系。

4.反向电流（Ir）：反向电流是指在反向电压下，通过二极管的电流大小。

在正常情况下，二极管在反向电压下应该截止，也就是反向电流应该非常小，接近于零。

除了以上几个参数外，还有一些其他重要的参数，如最大功耗（Pd），频率响应特性（fr）、响应时间（trr）等。

这些参数对于特定应用场景下的二极管选择和设计都非常重要。

总结起来，二极管是一种具有单向导通特性的电子元件。

它的符号简单明了，通常由一个三角形和一条直线组成。

而其参数则包括正向电压降、反向击穿电压、正向电流和反向电流等。

模拟电子技术基础符号说明一、几点原那么1. 电流和电压(以基极电流为例)IB( A V) 表示平均值IB ( IB Q ) 大写字母、大写下标,表示直流量(或静态电流)iB 小写字母、大写下标,表示包括直流量的瞬时总量Ib 大写字母、小写下标,表示交流有效值ib 小写字母、小写下标,表示交流瞬时值Ib 表示交流复数值ΔIB 表示直流转变量ΔiB 表示瞬时值的转变量2. 电阻R 电路中的电阻或等效电阻r 器件内部的等效电阻二、大体符号1. 电流和电压I、i 电流的通用符号U 、u 电压的通用符号If、Uf 反馈电流、电压Ii 、Ui 交流输入电流、电压Io 、Uo 交流输出电流、电压IQ 、U Q 电流、电压静态值IR 、UR 或IR E F 、UR E F 参考电流、电压iP 、uP 集成运放同相输入电流、电压iN 、uN 集成运放反相输入电流、电压uIc 共模输入电压uId 差模输入电压ΔuIc 共模输入电压增量ΔuId 差模输入电压增量Us 交流信号源电压U T 电压比较器的阈值电压U O H 电压比较器的输出高电平U O L 电压比较器的输出低电平VB B 基极回路电源电压VC C 集电极回路电源电压V D D 漏极回路电源电压VE E 发射极回路电源电压VS S 源极回路电源电压2. 功率和效率P 功率通用符号p 瞬时功率Po 输出交流功率Po m 最大输出交流功率PT 晶体管耗散功率PV 电源消耗的功率3. 频率f 频率通用符号fb w 通频带fC 使放大电路增益为0dB 时的信号频率fH 放大电路的上限截止频率fL 放大电路的下限截止频率fp 滤波电路的截止频率f0 电路的振荡频率、中心频率ω角频率通用符号4. 电阻、电导、电容、电感R 电阻通用符号G 电导通用符号C 电容通用符号L 电感通用符号Ri 放大电路的输入电阻Rif 负反馈放大电路的输入电阻RL 负载电阻RN 集成运放反相输入端外接的等效电阻RP 集成运放同相输入端外接的等效电阻Ro 放大电路的输出电阻Rof 负反馈放大电路的输出电阻Rs 信号源内阻5. 放大倍数、增益A 放大倍数或增益的通用符号2 模拟电子技术基础符号说明Ac 共模电压放大倍数Ad 差模电压放大倍数Au 电压放大倍数的通用符号, Au = Uo UiAu h 高频电压放大倍数Aul 低频电压放大倍数Au m 中频电压放大倍数Au p 有源滤波电路的通带放大倍数Aus考虑信号源内阻时的电压放大倍数的通用符号, A us =Uo UsAu u 第一个下标为输出量,第二个下标为输入量,电压放大倍数符号; Aui、Aii、Aiu 依此类推F 反馈系数通用符号Fu u 第一个下标为反馈量,第二个下标为输出量,Fu u = Uf Uo ; Fui、Fii、Fiu 依此类推三、器件参数符号1. P 型、N 型半导体和P N 结Cb 势垒电容Cd 扩散电容Cj 结电容N 电子型半导体n 电子浓度nP0 P N 结P 区达到动态平稳时的电子浓度P 空穴型半导体p 空穴浓度Uh 0 P N 结平稳时的位垒U T 温度的电压当量2. 二极管D 二极管Dz 稳压二极管ID 二极管的电流ID ( A V) 二极管的整流平均电流IF 二极管的最大整流平均电流IR 二极管的反向电流IS 二极管的反向饱和电流rd 二极管导通时的动态电阻rz 稳压管工作在稳压状态下的动态电阻Uon 二极管的开启电压模拟电子技术基础符号说明3U(B R) 二极管的击穿电压3. 双极型管T 晶体管b 基极c 集电极e 发射极Cob 共基接法时晶体管的输出电容Cμ混合π等效电路中集电结的等效电容Cπ混合π等效电路中发射结的等效电容fβ晶体管共射接法电流放大系数的上限截止频率fα晶体管共基接法电流放大系数的上限截止频率fT 晶体管的特点频率,即共射接法下使电流放大系数为1 的频率gm 跨导h11e、h12e、h21e、h22e 晶体管共射接法h 参数等效电路的四个参数IC B O 发射极开路时b - c 间的反向电流IC E O 基极开路时c - e 间的穿透电流IC M 集电极最大许诺电流PC M 集电极最大许诺耗散功率rbb′基区体电阻rb′e 发射结微变等效电阻U(B R)C E S b - e 间短路时b - c 间的击穿电压U(B R) C B O 发射极开路时b - c 间的击穿电压U(B R) C B R b - e 间加电阻时c - e 间的击穿电压U(B R) C E O 基极开路时c - e 间的击穿电压U C E S 晶体管饱和管压降Uon 晶体管b - e 间的开启电压α晶体管共基交流电流放大系数α晶体管共基直流电流放大系数β晶体管共射交流电流放大系数β晶体管共射直流电流放大系数4. 单极型管T 场效应管d 漏极g 栅极s 源极Cds d - s 间的等效电容4 模拟电子技术基础符号说明Cgs g - s 间的等效电容Cg d g - d 间的等效电容gm 跨导ID 漏极电流ID O 增强型M O S 管U G S = 2 U G S(th)时的漏极电流ID S S 耗尽型场效应管U G S = 0 时的漏极电流IS 场效应管的源极电流PD M 漏极最大许诺耗散功率rds d - s 间的微变等效电阻U G S (off) 或U P 耗尽型场效应管的夹断电压U G S (th) 或U T 增强型场效应管的开启电压5. 集成运放A 集成运放Aod 开环差模增益d II O d T IIO 的温漂d UI O d T UIO 的温漂fc 单位增益带宽fh - 3dB 带宽IIB 输入级偏置电流II O 输入失调电流KC M R 共模抑制比rid 差模输入电阻S R 转换速度UI O 输入失调电压四、其它符号D 非线性失真系数K 热力学温度的单位NF 噪声系数Q 静态工作点S 整流电路的脉动系数Sr 稳压电路中的稳压系数T 温度,周期η效率,等于输出功率与电源提供的功率之比τ时刻常数φ相位角。

1.V RWM——反向工作峰值电压在规定的使用条件下（工频、正弦、半波），对器件所允许施加的最大瞬时反向电压值，不包括所有不重复瞬态电压。

2.V RRM——反向重复峰值电压器件所允许施加的重复瞬态电压，但不包括所有不重复瞬态电压。

3.V RSM——反向不重复峰值电压器件两端出现的任何不重复最大瞬时值的反向电压。

4.V BR——反向击穿电压通过器件结的反向电流大于规定值时的反向电压。

5.I F(A V)——整流电流（平均值）在规定使用的条件下（工频、正弦、半波），允许沿器件低阻方向在一个周期内流通的电流平均值。

6. I O——额定整流电流（输出值）在规定使用的条件下（工频、正弦、半波），器件（桥式整流器）输出电流的额定值。

7.I FSM——浪涌电流（峰值）由于电路异常情况（如故障）引起的并使结温超过额定的不重复最大正向过载电流。

8.I2t——I2t（峰值）浪涌电流的平方在持续10ms内的积分值。

9.T j——工作结温（额定结温）器件正常工作时芯片所允许的最高结温，在此温度下一切有关的额定值和特性值都可以保证。

10.T stg——贮存温度器件在没有任何电压施加的情况下的存放温度。

11.I R——反向电流当器件施加规定的反向电压下产生的漏电流。

12.V FM——正向峰值压降器件通过规定整流电流时，在极间所产生的瞬态峰值压降。

13.V F——正向电压（平均值）器件通过规定整流电流时，在极间所产生的平均压降。

14.T rr——反向恢复时间器件由正向导通状态急剧转换到截止状态，从输出脉冲下降到零线开始到反向脉冲电流恢复到最大反向电流的10%所需要的时间。

15.P SM——反向浪涌功率反向10μS内能承受的脉冲功率值（电压×电流）。

16.I T——通态平均电流（平均值）在规定环境温度和规定散热冷却条件下，半导体闸流管在工频单相正弦半波，导通角大于170O的电阻性负载电路中，允许的最大通态电流的平均值。

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。

电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。

不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。

根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。

E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。

(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。

符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。

如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。

色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。

其含义如图1和图2所示。

三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。

例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝1.0kΩ±20%的电阻器。

三极管参数符号汇总Diode肖特基二极管 (Schottky Diode)Symbol Para m eterV RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V R DC Blocking Voltage 反向直流电压V R(RMS)RMS Reverse Voltage 反向电压有效值I F(AV)Average Rectified Forward Current 正向平均电流Current 反向电流I R ReverseI FSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 正向浪涌电流Voltage 正向直流电压V F ForwardC j Typical Junction Capactiance 结电容Dissipation 耗散功率P D PowerT j Operating Junction Temperature 工作结温T stg Storage Temperature Range 存储温度R th(j-a)Thermal Resistance from Junction to Ambient 结到环境的热阻Pin二极管 (Pin Diode)Symbol Para m eterV R Continuous reverse voltage 反向直流电压I F Continuous forward current 正向直流电流voltage 正向电压V F Forwardcurrent 反向电流I R Reversecapacitance 二极管电容C d dioder d diode forward resistance 二极管正向电阻P tot total power dissipation 总的功率损耗T emperature 结温T j Junction temperature 存储温度T stg storageTVS二极管 (TVS Diode)Symbol Para m eterI PP Maximum reverse peak pulse current 峰值脉冲电流voltage 钳位电压V C ClamplingI R Maximum reverse leakage current 最大反向漏电流voltage 击穿电压V(BR) BreakdownV RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压V F Forwardvoltage 正向电压current 正向电流I F Forwardcurrent 测试电流I T Test可控硅(SCR)Symbol Para m eterV DRM Peak repetitive off-state voltage 断态重复峰值电压V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压I T(RMS)RMS On-state current 额定通态电流I TSM Non repetitive surge peak on-state current 通态非重复浪涌电流I GM Forward peak gate current 控制极重复峰值电流V TM peak forward on-state voltage 通态峰值电压I GT Gate trigger current 控制极触发直流电流V GT Gate trigger voltage 控制极触发电压current 维持电流I H HoldingI DRM Peak repetitive off-state current 断态重复峰值电流I RRM Peak repetitive reverse current 反向重复峰值电流P G(AV)Average gate power dissipation 控制极平均功率Tj operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度稳压管(Three Terminal Voltage Regulator)Symbol Para m eterV I inputvoltage 输入电压Vo outputvoltage 输出电压ΔVo Loadregulation 输出调整率ΔVo Lineregulation 输入调整率Iq quiescentcurrent 偏置电流ΔIq quiescent current change 偏置电流变化量V N Output noise voltage 输出噪声电压RR Ripplerejection 纹波抑制比Vd dropoutvoltage 降落电压Isc short circuit current 短路输出电流Ipk peakcurrent 峰值输出电流T opr operating junction temperature range 结温T stg storage temperature range 存储温度43系列稳压管(Adjustable Shunt Regulator)Symbol Para m eterV KA Cathodevoltage 阴极电压I K Cathode current range(continous) 阴极电流I ref Reference input current range,continous 基准输入电流P D Powerdissipation 耗散功率R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻T opr operating junction temperature range 工作结温Tstg storage temperature range 存储温度V ref Reference input voltage 基准输入电压ΔV ref(dev)Deviation of reference input voltage over fulltemperature range全温度范围内基准输入电压的偏差ΔV ref/ΔV KA Ratio of change in reference input voltage to the changein cathode voltage基准输入电压变化量与阴极电压变化量的比ΔI ref(dev)Deviation of reference input current over fulltemperature range全温度范围内基准输入电流的偏差I min Minimum cathode current for regulation 稳压时最小负极电流I off Off-state cathode current 关断状态阴极电流|Z KA| Dynamicimpedance 动态阻抗普通晶体管 (T ransistor)Symbol Para m etervoltage 发射极开路,集电极-基极电压V CBO Collector-Basevoltage 基极开路,集电极-发射极电压V CEO Collector-emitter voltage 集电极开路,发射极-基极电压V EBO Emitter-basecurrent 集电极电流I C CollectorP C Collector power dissipation 集电极耗散功率temperature 结温T j JunctionT stg storagetemperature 存储温度V(BR)CBO Collector-Base breakdown voltage 发射极开路,集电极-基极反向电压breakdownvoltage 基极开路,集电极-发射极反向电压V(BR)CEO Collector-emitterV(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage 集电极开路,发射极-基极反向电压I CBO Collector cut-off current 发射极开路,集电极-基极截止电流current 集电极开路,发射极-基极截止电流cut-offI EBO EmitterI CEO Collector cut-off current 基极开路,集电极-发射极截止电流h FE DC current gain 共发射极正向电流传输比的静态值saturation voltage 集电极-发射极饱和电压V CEsat Collector-emittersaturation voltage 基极-发射极饱和电压V BEsat Base-emitter voltage 基极-发射极电压V BE Base-emitterf T Transitionfrequency 特征频率C obo Collector output capacitance 共基极输出电容C ibo Collector input capacitance 共基极输入电容figure 噪声系数F Noisetime 开通时间t on Turn-ontime 关断时间t off Turn-offtime 上升时间t r Risetime 存储时间t s Storagetime 下降时间t f Falltime 延迟时间t d Delay数字晶体管(Digital Transistor) Symbol Para m eter voltage 直流电压V CC Supplyvoltage 输入电压V IN inputcurrent 输出电流I O outputdissipation 功率损耗P D Powervoltage 输入截止电压V I(off) Input-offvoltage 输入开启电压V I(on) Input-onvoltage 输出电压V O(on) outputcurrent 输入电流I I inputcurrent 输出截止电流I O(off) outputG I DC current gain 直流增益R1 Inputresistance 输入电阻ratio 电阻率R2/R1 Resistancefrequency 传输频率f T Transitiontemperature 结温T j junctionT stg storage temperature range 存储温度voltage 发射极开路,集电极-基极反向击穿电压V CBO Collector-baseV CEO Collector-emittervoltage 基极开路,集电极-发射极反向击穿电压voltage 集电极开路,发射极-基极反向击穿电压V EBO Emitter-baseMOS管(MOSFET)Symbol Para m eterI D Continousdraincurrent 漏极直流电流V GS Gate-sourcevoltage 栅-源电压V DS Drain-sourcevoltage 漏-源电压E AS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量R th(j-a)Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻R th(j-c)Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压I GSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流I DSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流r DS(on) Drain-sourceon-resistance 漏源通态电阻g fs Forwardtransconductance 跨导V SD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降C iss Inputcapacitance 栅-源电容C oss Outputcapacitance 漏-源电容C rss Reverse transfer capacitance 反向传输电容R g Gate resistance 栅极电阻t d(on)Turn-on delay time 开通延迟时间t r Risetime 上升时间t d(off)Turn-off delay time 关断延迟时间t f Falltime 下降时间I DM Pulsed drain current 最大脉冲漏电流P D Power dissipation 耗散功率T j operating junction temperature range 结温T stg storage temperature range 存储温度。

一、电容的用途电容的用途非常多，主要有如下几种：1．隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。

2．旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的组件提供低阻抗通路。

3．耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路4．滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。

5．温度补偿：针对其它组件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。

6．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。

7．调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。

8．整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关组件。

9．储能：储存电能，用于必须要的时候释放。

例如相机闪光灯，加热设备等等。

（如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，一电容储存的电能可以供一个手机使用一天。

二、电容的分类1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。

半可变电容：也叫做微调电容。

它是由两片或者两组小型金属弹片，中间夹着介质制成。

调节的时候改变两片之间的距离或者面积。

它的介质有空气、陶瓷瓷、云母、薄膜等。

可变电容：它由一组定片和一组动片组成，它的容量随着动片的转动可以连续改变。

把两组可变电容装在一起同轴转动，叫做双连。

可变电容的介质有空气和聚苯乙烯两种。

空气介质可变电容体积大，损耗小，多用在电子管收音机中。

聚苯乙烯介质可变电容做成密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中。

2、按外形分：插件式，贴片式（SMD);3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。

4、按介质分为：陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解电容陶瓷电容：以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质，体积小，电感小。

云母电容：以云母片作介质的电容器。

性能优良，高稳定，高精密。

纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，绝缘介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁壳以提高防潮性。