74LS191功能表
LDCTDU/ CP D0 D1 D2 D3 Q0 Q1 Q2 Q3
0 × × × d0d1
d2 d3
1 0 0 ↑ ××××
1 0 1 ↑ ×d0 d1 d2 d3
加法计数
减法计数 命
题
人
：
审
题
人
：
命
题
时
间
：
系名 专业 年级、班 学号 姓名
数字电子技术 课程试题（ 卷）
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分
得分
（请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分）
一． 选择题（16分）
1．已知ABABBAY，下列结果正确的是（ ）
a． Y=A b．Y=B c．ABY d．Y=1
2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（ ）
a． A=（1010．1）2 b．A=（0A．8）16
c． A=（12．4）8 d．A=（20．21）5
3．下列说法不正确的是（ ）
a．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑
b．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平）
c．OC门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算
d．集电极开路的门称为OC门
4．以下错误的是（ ）
a．数字比较器可以比较数字大小
b． 半加器可实现两个一位二进制数相加
c．编码器可分为普通全加器和优先编码器
d．上面描述至少有一个不正确
5．下列描述不正确的是（ ）
a．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态
b．时序电路必然存在状态循环
n
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a
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tim
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a
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in第一章 半导体二极管
1.本征半导体
单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
导电能力介于导体和绝缘体之间。
特性：光敏、热敏和掺杂特性。
本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
杂质半导体的特性
载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结
在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
电子技术应用专业
《模拟电子技术基础》课程标准
电子技术应用专业
要 点
一、课程说明
二、课程性质与任务
三、课程设计思路
四、课程教学目标
五、课程内容与要求
六、实施建议
电子技术应用专业
《模拟电子技术基础》课程标准
一、课程说明
课程名称 《模拟电子技术基础》 开课教研室 电子
适用专业 电子、数控等专业 课 程 代 码
学 时 108 先 修 课 程 《电工基础》
后续课程 《数字电子技术基础》
《电子测量与仪器》
《电子制作》 编 制 人 李 珍
审 定 人 李浔衡 制（修）定日期 2012-3-27
二、课程性质与任务
《模拟电子技术》是电子技术应用专业的一门专业基础课程，是学生毕业后从事专业技术工作的重要理论基础，是学生合理知识结构中的重要组成部分，在发展智力、培养能力和良好的非智力素质方面 ,均起着极为重要的作用。
通过本课程及其实践环节教学，使学生获得模拟电子元器件和功能电路及其应用的基础知识，掌握电子技术基本技能，培养创新精神和实践能力，以适应电子技术发展的形势，为后续课程的学习形成职业能力和再学习能力的培养打好基础。
创建中职《模拟电子技术基础》“职业化项目课程”，实现本课程教学资源行业共享。
三、课程设计思路
以创建“职业化课程”为目标，按照“模块教学，工学结合，校企共建”的模式，基于岗位工作过程的项目化教学设计理念，组建专兼职“双师型”教师队伍，制定编写课程教学大纲和教学计划，创新教学模式，有效的组织教学，对《模拟电子技术基础》课程进行职业化教学设计；将政策支持、校企合作、师资建设和教学条件作为课程建设的运行和保障机制，树立以课程为主线，以能力为核心，整合各种教学资源和要素的全面发展观，积极而有效地促进《模拟电子技术基础》课程教学质量的全面提高，实现本课程教学资源行业共享的目标。
模拟电子技术基础
第四版
清华大学电子学教研组 编
童诗白 华成英 主编
自测题与习题解答
山东大学物理与微电子学院 2 目录
第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3
第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14
第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31
第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41
第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50
第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60
第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74
第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90
第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114
第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126 3 第1章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )
(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )
(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。( √ )
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GSU 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )
二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将
A
。
A.变窄 B.基本不变 C.变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏
(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
