模拟电路自测题2(晶体管及放大电路)

第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 知识点归纳1. 晶体管的类型及工作状态晶体管有NPN 、PNP 两种类型，它们均有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。

主要有三种工作状态：放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置）、饱和状态（发射结正向偏置、集电结正向偏置）、截止状态（发射结反向偏置、集电结反向偏置）。

（1）根据管脚电流判别晶体管的工作状态方法如表2-1所示（2）根据工作电压判别NPN 管的工作状态方法如表2-2所示。

PNP 管工作电压的极性和各极电流方向与NPN 管相反。

2. (1) 晶体管的电流关系① 晶体管三个电极的电流关系为：B C E I I I +=② 工作于放大状态时B C I βI ≈B E )1(I βI +≈其中B I 最小、C I 居中、E I 最大。

对于NPN 管：E I 流出晶体管，B I 、C I 流入晶体管。

对于PNP 管：E I 流入晶体管，B I 、C I 流出晶体管。

(2) 两种极间反向电流：集电极-基极反向饱和电流I CBO 与集电极-发射极反向穿透电流I CEO 的关系I CEO = (1+β)I CBO(3) 两种电流放大系数：共基极交流电流放大系数α与共发射极交流电流放大系数β的关系α-=1αβ，ββα+=1 (4) 晶体管的放大作用晶体管是一种电流控制型器件，它要具有放大作用除了满足发射区掺杂浓度高、基区很薄、集电结面积大的内部结构条件外，还必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。

此时，各电极电位之间的关系：NPN管U C＞U B＞U EPNP管U C＜U B＜U E硅管的BEU约为0.2~0.4V。

U约为0.6~0.8V，锗管的BE3. 晶体管放大电路的组成原则(1) 确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件。

(2) 确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。

(3) 确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、选择题1. 下列哪种器件是一种双极型晶体管？（A）锗二极管（B）硅二极管（C）三极管（D）场效应晶体管答案：C2. 在放大电路中，下列哪种反馈方式可以使放大倍数增加？（A）电压反馈（B）电流反馈（C）串联反馈（D）并联反馈答案：A3. 下列哪种电路可以实现交流信号的放大？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：C4. 下列哪种元件在放大电路中起到稳定放大倍数的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：D5. 下列哪种电路可以实现信号的整流？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：B6. 在整流电路中，下列哪种元件可以实现全波整流？（A）二极管（B）三极管（C）晶闸管（D）grt答案：A7. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：A8. 在滤波电路中，下列哪种元件可以实现低通滤波？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C9. 下列哪种电路可以实现信号的转换？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：D10. 在振荡电路中，下列哪种元件可以起到决定振荡频率的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、基极和_______极。

答案：集电极2. 放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小，这样可以使得输入信号的电压得到_______放大。

答案：有效3. 放大电路中，反馈分为电压反馈和电流反馈，其中电压反馈可以使放大倍数_______。

答案：增加4. 整流电路的作用是将交流信号转换为_______信号。

答案：直流5. 滤波电路的作用是去除信号中的_______分量。

答案：高频6. 振荡电路的作用是产生_______信号。

答案：稳定三、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。

坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。

2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。

3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。

4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。

6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。

8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。

共模抑制比K CMR为__________之比。

9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。

二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。

2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。

3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。

4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a,b。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。

3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真.5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2，则输出电压为V;若u i1=1500µV， ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响.10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最;组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为().A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B。

β和ICBO增加,uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D。

β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻 C。

击穿电压 D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（)来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C。

利用参数对称的对管子 D。

利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数(）. A。

变大 B. 变小 C。

不变 D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A。

模拟电子线路实验实验二晶体管共射极单管放大器【实验名称】晶体管共射极单管放大器【实验目的】1.学习单管放大器静态工作点的测量方法。

2.学习单管放大电路交流放大倍数的测量方法。

3.了解放大电路的静态工作点对动态特性的影响。

4.熟悉常用电子仪器及电子技术实验台的使用。

【预习要点】1.复习课件中有关单管放大电路工作点稳定问题的内容。

2.放大电路输出信号波形在哪些情况下可能产生失真？应如何消除失真？【实验仪器设备】【实验原理】实验电路图如图2-1所示。

温度的变化会导致三极管的性能发生变化，致使放大器的工作点发生变化，R和射极电阻影响放大器的正常工作。

图2-1所示电路中通过增加下偏置电阻B2R来改善直流工作点的稳定性，其工作原理如下：E图2-1 分压偏置共射极放大电路①利用B1R 和B2R 的分压作用固定基极电压V B 。

当B1R 、B2R 选择适当，满足I B1>> I B 时，有B2B CC B1B2R V V R R =+式中B1R 、B2R 和CC V 都是固定的，不随温度变化，所以基极电位V B 基本上为一定值。

②通过E R 的负反馈作用，限制C I 的改变，使工作点保持稳定。

具体稳定过程如下：CT ︒I电容C 1、C 2有隔直通交的作用，C 1滤除输入信号的直流成份，C 2滤除输出信号的直流成份。

射极电容C E 在静态时稳定工作点；动态时短路R E ，增大放大倍数。

当流过偏置电阻B1R (b1R 和电位器W R 的阻值和)的电流I B1远大于晶体管的基极电流B I (一般5～10倍)，基极电压V B 远大于V BE 时，它的静态工作点可用下式估算B1B CC B1B2R V V R R =+B BEC E E=V V I I R ≈－ CE CC C C E =(+)V V I R R －当放大器的输入端加交流输入信号i v 后，基极回路便有交流输入b i 产生，经过放大在集电极回路产生β倍的c i ，同时在负载输出o c L 'v i R =，从而实现了电压放大。

《模拟电路》习题2一、单项选择题1．在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图所示，该晶体管的类型是（）。

A、NPN型硅管B、PNP型硅管C、NPN型锗管D、PNP型锗管2．二极管的主要特性是（）。

A、放大特性B、恒温特性C、单向导电特性D、恒流特性3．对于基本共射放大电路， R b减小时，输入电阻R i将（）。

A、增大B、减少C、不变D、不能确定4．温度升高时，晶体管的反向饱和电流I CBO将（）。

A、增大B、减少C、不变D、不能确定5．在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（）。

A、共射放大电路B、共基放大电路C、共集放大电路D、不能确定6．差动放大电路的主要特点是（）。

A、有效地放大差模信号，强有力地抑制共模信号B、既可放大差模信号，也可放大共模信号C、只能放大共模信号，不能放大差模信号D、既抑制共模信号，又抑制差模信号7．理想运放的开环差模增益A Od为（）。

A、0B、1C、105D、∞8．在交流负反馈的四种组态中，要求互导增益A iuf=I O/U i稳定应选（）。

A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈9．放大电路引入直流负反馈后将（）。

A、改变输入、输出电阻B、展宽频带C、减小放大倍数D、稳定静态工作点10．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏11．欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用（）。

A、积分运算电路B、微分运算电路C、加法运算电路D、乘方运算电路12．在信号频率大于谐振频率时呈（）。

A、容性B、阻性C、感性D、不确定13．功率放大电路的转换效率是指（）。

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、以上都不正确14．直流稳压电源中滤波电路的作用是（）。

晶体管及放大电路基础1.晶体管能够放大的外部条件是_____C____。

（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时，其___A______。

（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏3.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。

则该管的 为___。

（A）40 （B）50 （C）604.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能____A_____。

（A）越好（B）越差（C）无变化5.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能___A______。

（A）高（B）低（C）一样6.温度升高，晶体管的电流放大系数b_____A____。

（A）增大（B）减小（C）不变7.温度升高，晶体管的管压降|UBE|______B___。

（A）升高（B）降低（C）不变8.温度升高，晶体管输入特性曲线______B___。

（A）右移（B）左移（C）不变9.温度升高，晶体管输出特性曲线_____A____。

（A）上移（B）下移（C）不变10.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔____C_____。

（A）不变（B）减小（C）增大11.对于电压放大器来说，______B___越小，电路的带负载能力越强。

（A）输入电阻（B）输出电阻（C）电压放大倍数12.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位__B_______。

（A）同相（B）反相（C）相差90度13.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_____A____失真。

（A）饱和（B）截止（C）饱和和截止14.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是___C______。

（A）输入电阻太小（B）静态工作点偏低（C）静态工作点偏高15.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_____C____。