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集成电路技术集成电路工艺原理试卷（练习题库）1、用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。
2、单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
3、晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。
4、晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
5、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、O 和（）。
6、CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
7、CZ直拉法的目的是（）。
8、影响CZ直拉法的两个主要参数是O和（）。
9、晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。
10、制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、O011、热氧化工艺的基本传输到芯片的不同部分。
77、多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
78、阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
79、关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
80、传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。
81、溅射是个化学过程，而非物理过程。
82、表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。
83、化学机械平坦化，简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。
84、平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。
85、反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。
86、电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
87、在CMP为零的转换器。
133、CD是指硅片上的最小特征尺寸。
134、集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。
简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜135、人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。
136、硅片制造厂可分为六个的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
137、世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
精心整理1.分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
快速气相掺杂(RVD,RapidVapor-phaseDoping)利用快速热处理过程(RTP)将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度，同时掺杂剂发生反应产生杂质原子，杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固态，然后进行固相扩散，完成掺杂目的。
同普通扩散炉中的掺杂不同，快速气相掺杂在硅片表面上并未形成含有杂质的玻璃层；同离子注入相比(特别是在浅结的应用上)，RVD技术的潜在优势是：它并不受注入所带来的一些效应的影响；对于选择扩散来说，采用快速气相掺杂工艺仍需要掩膜。
另外，快速气相掺杂仍然要在较高的温度下完成。
杂质分布是非理想的指数形式，类似固态扩散，其峰值处于表面处。
气体浸没激光掺杂(GILD:GasImmersionLaserDoping)用准分子激光器(308nm)产生高能量密度(0.5—2.0J/cm2)的短脉冲(20-100ns)激光，照射处于气态源中的硅表面；硅表面因吸收能量而变为液体层；同时层内。
不会发生2.(1).(2).(3).(4).操作上要十分小心。
3.化阻滞扩散的机理。
①交换式：两相邻原子由于有足够高的能量，互相交换位置。
②空位式：由于有晶格空位，相邻原子能移动过来。
③填隙式：在空隙中的原子挤开晶格原子后占据其位，被挤出的原子再去挤出其他原子。
④在空隙中的原子在晶体的原子间隙中快速移动一段距离后，最终或占据空位，或挤出晶格上原子占据其位以上几种形式主要分成两大类：①替位式扩散；②填隙式扩散。
替位式扩散如果替位杂质的近邻没有空位．则替位杂质要运动到近邻晶格位置上，就必须通过互相换位才能实现。
这种换位会引起周围晶格发生很大的畸变，需要相当大的能量，因此只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位，替位式扩散才比较容易发生。
填隙型扩散?挤出机制：杂质在运动过程中“踢出”晶格位置上的硅原子进入晶格位置，成为替位杂质，被“踢出”硅原子变为间隙原子；Frank-Turnbull机制：也可能被“踢出”的杂质以间隙方式进行扩散运动。
晶圆制备1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。
2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。
3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。
4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是整型、定向、标识。
5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111）。
6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有确定晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。
7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时，并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径）。
影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。
8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。
9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。
10.晶片需要经过切片、磨片、抛光后，得到所需晶圆。
氧化10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。
11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。
12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。
13．用于热氧化工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。
14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。
15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。
16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（蒸发）、退火和合金。
17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。
18．卧式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由平卧的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。
化学气相沉积原理试题答案一、选择题1. 化学气相沉积（CVD）的主要原理是基于哪种化学反应？A. 热分解B. 化学合成C. 物理吸附D. 等离子体激发答案：B. 化学合成2. 下列哪种气体是CVD过程中常用的载气？A. 氧气B. 氮气C. 氩气D. 氢气答案：D. 氢气3. 在CVD过程中，衬底的温度对薄膜生长有何影响？A. 无影响B. 促进成核C. 抑制成核D. 导致薄膜脱落答案：B. 促进成核4. 哪种CVD技术适用于在低温条件下生长薄膜？A. 热CVDB. 等离子体增强CVD（PECVD）C. 低压CVDD. 金属有机化学气相沉积（MOCVD）答案：C. 低压CVD5. 下列哪个参数不是影响CVD薄膜生长的主要因素？A. 气体流量B. 反应室压力C. 衬底材料D. 光源强度答案：D. 光源强度二、填空题1. 化学气相沉积是一种用于制造______的薄膜沉积技术。
答案：高纯度2. 在CVD过程中，气体前驱物在高温下分解或反应，生成______并在衬底上沉积。
答案：固态薄膜3. 为了提高薄膜的均匀性和质量，通常需要对CVD反应室进行______。
答案：真空处理4. 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）通过产生______来降低化学反应所需的活化能。
答案：非平衡等离子体5. 金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术常用于生长______材料。
答案：化合物半导体三、简答题1. 请简述化学气相沉积的基本原理及其应用。
答：化学气相沉积是利用化学反应在高温下在衬底表面沉积固态薄膜的技术。
气体前驱物在反应室中分解或发生化学反应，生成所需的固态材料并沉积在衬底上。
CVD广泛应用于半导体制造、涂层、光学薄膜和生物材料等领域。
2. 描述热CVD和PECVD的主要区别。
答：热CVD依赖于高温来促进气体前驱物的化学反应和薄膜生长，而PECVD则使用等离子体激发来降低化学反应的活化能，从而可以在较低的温度下进行沉积。
物理气相淀积（PhysicalVaporDeposition）物理气相淀积（PhysicalVaporDeposition）PVD概述真空系统及真空的获得真空蒸镀溅射PVD金属及化合物薄膜物理气相淀积（Physicalvapordeposition，PVD）是利用某种物理过程实现物质转移，将原子或分子由（靶）源气相转移到衬底表面形成薄膜的过程。
真空蒸发和溅射方法真空蒸发法制备薄膜的基本原理真空蒸发即利用蒸发材料在高温时所具有的饱和蒸汽压进行薄膜制备。
在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片衬底表面凝结形成固态薄膜。
制备的一般是多晶金属薄膜。
真空系统及真空的获得低真空：1~760Torr，102~105Pa中真空：10-3~1Torr，10-1~102Pa高真空：10-7~10-3Torr，10-5~10-1Pa超高真空：<10-7T orr，<10-5Pa气体流动及导率----气体动力学气流用标准体积来测量，指相同气体,在0℃和1atm下所占的体积。
气体流动及导率----气体动力学C与电导率一样并联相加；串联时倒数相加；若大量气体流过真空系统，要保持腔体压力接近泵的压力，就要求真空系统有大的传导率----管道直径；泵放置位置；真空的获得方法初、中真空度的获得用活塞/叶片/柱塞/隔膜的机械运动将气体正向移位.有三步骤：捕捉气体-压缩气体-排出气体.压缩比真空的获得方法旋片泵旋片泵主要由定子、转子、旋片、定盖、弹簧等零件组成。
其结构是利用偏心地装在定子腔内的转子和转子槽内滑动的借助弹簧张力和离心力紧贴在定子内壁的两块旋片。
真空的获得方法在泵腔内，有二个“8”字形的转子相互垂直地安装在一对平行轴上，由传动比为1的一对齿轮带动作彼此反向的同步旋转运动。
压缩比30：1真空的获得方法真空的获得方法高、超高真空度的获得扩散泵靠高速蒸汽射流来携带气体以达到抽气的目的.适用于高真空,但入口真空也要求较高,一般前要接机械泵.压缩比可达108涡轮分子泵1958年，联邦德国的W.贝克首次提出有实用价值的涡轮分子泵。
化学气相沉积期末试题答案一、选择题1. 化学气相沉积（CVD）的主要原理是基于哪种现象？A. 化学反应B. 物理吸附C. 物质的扩散D. 静电效应答案：A2. 下列哪种气体是常用的CVD载体气体？A. 氢气B. 氧气C. 氮气D. 氩气答案：A3. 哪种类型的CVD过程主要用于生产高纯度单晶硅？A. 热分解CVDB. 低压高温CVDC. 等离子体增强CVDD. 光化学CVD答案：B4. 在CVD过程中，沉积薄膜的均匀性和纯度主要取决于哪个因素？A. 反应物的浓度B. 基底的温度C. 气体流动的速度D. 反应室的压力答案：C5. 哪种CVD技术可以在较低的温度下沉积薄膜？A. 热分解CVDB. 低压高温CVDC. 等离子体增强CVDD. 光化学CVD答案：D二、填空题1. 化学气相沉积是一种利用________和________在固体基底上沉积薄膜或粉末的方法。
答案：化学反应、气体输送2. 在CVD过程中，通常需要一个________来提供反应所需的能量，这个设备通常被称为________。
答案：能量源、加热器3. 等离子体增强CVD（PECVD）是一种利用________来增强化学反应速率的技术。
答案：等离子体4. 为了提高薄膜的质量，可以通过调整________、________和________等参数来优化CVD过程。
答案：反应温度、气体流量、反应时间5. 化学气相沉积技术广泛应用于半导体工业、太阳能电池和________的生产。
答案：涂层材料三、简答题1. 简述化学气相沉积的基本原理及其应用。
答：化学气相沉积是利用气态前驱体在高温下分解或发生化学反应，在固体基底上沉积出所需材料的薄膜或粉末。
该技术广泛应用于制造半导体器件、光学薄膜、耐磨涂层和生物医用材料等。
2. 描述热分解CVD和低压高温CVD的主要区别。
答：热分解CVD是在较高温度下，气态前驱体直接分解，生成所需的固态材料和副产品。
而低压高温CVD则是在较低的压力下进行，通过提高温度来促进气态前驱体的分解和沉积，通常可以获得更好的膜质和生产效率。
硅材料制备技术基础知识单选题100道及答案解析1. 硅材料制备过程中，常用的提纯方法是（）A. 化学气相沉积B. 区域熔炼C. 电解精炼D. 萃取答案：B解析：区域熔炼是硅材料制备中常用的提纯方法。
2. 以下哪种原料常用于硅材料的制备（）A. 石英砂B. 碳酸钙C. 碳酸钠D. 氯化钠答案：A解析：石英砂是制备硅材料的常见原料。
3. 在硅的晶体生长中，直拉法的关键步骤是（）A. 引晶B. 缩颈C. 放肩D. 等径生长答案：A解析：引晶是直拉法晶体生长的关键起始步骤。
4. 硅材料的电阻率主要取决于（）A. 杂质浓度B. 晶体结构C. 温度D. 压力答案：A解析：杂质浓度对硅材料的电阻率起着决定性作用。
5. 制备硅单晶时，所用坩埚的材料通常是（）A. 石英B. 石墨C. 陶瓷D. 不锈钢答案：B解析：石墨坩埚常用于硅单晶的制备。
6. 硅材料的禁带宽度约为（）A. 0.67 eVB. 1.12 eVC. 2.0 eVD. 3.0 eV答案：B解析：硅材料的禁带宽度约为 1.12 eV。
7. 硅的原子序数是（）A. 12B. 14C. 16D. 18答案：B解析：硅的原子序数是14。
8. 以下哪种不是硅材料的常见应用（）A. 集成电路B. 玻璃制造C. 太阳能电池D. 半导体器件答案：B解析：玻璃制造通常不用硅材料，硅主要用于集成电路、太阳能电池和半导体器件等。
9. 硅的熔点约为（）A. 1083℃B. 1410℃C. 1728℃D. 2355℃答案：B解析：硅的熔点约为1410℃。
10. 在硅材料制备中，用于检测杂质含量的仪器是（）A. 分光光度计B. 质谱仪C. 原子吸收光谱仪D. 红外光谱仪答案：C解析：原子吸收光谱仪常用于检测杂质含量。
11. 硅材料的导电机理主要是（）A. 电子导电B. 空穴导电C. 电子和空穴导电D. 离子导电答案：C解析：硅材料中电子和空穴都参与导电。
12. 硅单晶生长过程中，控制晶体直径的方法是（）A. 控制温度B. 控制提拉速度C. 控制坩埚转速D. 控制保护气体流量答案：B解析：通过控制提拉速度来调节晶体直径。
一、名词解释1化学气相沉积化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应在表面上以薄膜形式产生固态的副产品其它的副产品是挥发性的会从表面离开。
2物理气相沉积“物理气相沉积” 通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术: a.所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体b.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底c.蒸汽在衬底表面上凝聚形成薄膜3溅射镀膜溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速使其获得一定的动能后轰击靶电极将靶电极的原子溅射出来沉积到衬底形成薄膜的方法。
4蒸发镀膜加热蒸发源使原子或分子从蒸发源表面逸出形成蒸汽流并入射到硅片衬底表面凝结形成固态薄膜。
5替位式扩散占据晶格位置的外来原子称为替位杂质。
只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位替位杂质才能比较轻易地运动到近邻空位上6间隙式扩散间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。
7有限表面源扩散扩散开始时表面放入一定量的杂质源而在以后的扩散过程中不再有杂质加入此种扩散称为有限源扩散。
8恒定表面源扩散在整个扩散过程中杂质不断进入硅中而表面杂质浓度始终保持不变。
9横向扩散由于光刻胶无法承受高温过程扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。
当原子扩散进入硅片它们向各个方向运动向硅的内部横向和重新离开硅片。
假如杂质原子沿硅片表面方向迁移就发生了横向扩散。
10保形覆盖保形覆盖是指无论衬底表面有什么样的倾斜图形在所有图形的上面都能沉积有相同厚度的薄膜。
二、简述题1、简述两步扩散的含义与目的。
答为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求实际生产中常采用两步扩散工艺第一步称为预扩散或预淀积在较低的温度下采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子其分布为余误差涵数目的在于控制扩散杂质总量第二步称为主扩散或再分布将表面已沉积杂质的硅片在较高温度下扩散以控制扩散深度和表面浓度主扩散的同时也往往进行氧化。
2、扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么答扩散杂质所形成的浓度分布杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面这些杂质浓度将从表面到体内单调下降而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。
