第一节 概述
4).半导体激光器
半导体激光器也称为半导体激光二极管,或简称激光二极管 (LaserDiode,缩写LD)。由于半导体材料本身物质结构的特 异性以及半导体材料中电子运动规律的特殊性,使半导体激 光器的工作特性有其特殊性。
半导体激光器以半导体材料为工作物质。常用的半导体材料 主要有三类:(1)ⅢA —Ⅴ A 族化合物半导体,如砷化镓 (GaAs)、磷化铟(InP)等。(2)Ⅱ B —ⅥA族化合物半导体, 如硫化镉(CdS)等。(3)ⅣA—ⅥA族化合物半导体,如碲锡铅 (PbSnTe)等。 根据生成pn结所用材料和结构的不同,半导体激光器有同质 结、异质结(单、双)、量子阱等多种类型。 半导体激光器采用注入电流方式泵浦。
第二节 气体激光器
G点所对应的电压叫做弧光着火电压。
过G点后,放电管管压降再次迅速下降,放电电流快速增大,放电管中发 出耀眼的弧光,称之为弧光放电。
弧光放电的GH段呈现出负阻特性,放电不稳定。 HK段为稳定弧光放电阶段,放电电流一般大于10-1A。
辉光放电 高电压、小电流(几毫安至几十毫安)放电,是一种 稳定的自持放电。 He-Ne激光器与CO2 激光器都是工作在辉光放电区域。
第一节 概述
5).化学激光器 化学激光器是通过化学反应实现粒子数反转从而产生受激光 辐射的。工作物质可以是气体或液体,但目前主要是气体,如 氟化氢(HF)、氟化氚(DF)、氧碘(COIL)等。
化学激光器采用化学能激励。为促成工作物质的化学反应,一 般需采用一些引发措施,如光引发、电引发、化学引发等。
第一节 概述
激励方式 气体激光器一般采用气体放电激励,还可以采用电子束激励、 热激励、化学反应激励等方式。