模拟电子技术基础_课后习题答案

第1章 常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )

(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )

(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )

(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )

(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。( √ )

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GSU 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )

二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽

(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏

(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管

三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。

图T1.3

解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。 2 四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

(a) (b)

图T1.4

解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。

（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案

模拟电⼦技术基础习题答案

电⼦技术课程组2018.8.15

⽬录

第1章习题及答案 (1)

第2章习题及答案 (14)

第3章习题及答案 (36)

第4章习题及答案 (45)

第5章习题及答案 (55)

第6章习题及答案 (70)

第7章习题及答案 (86)

第8章习题及答案 (104)

第9章习题及答案 (117)

第10章习题及答案 (133)

模拟电⼦技术试卷1 (146)

模拟电⼦技术试卷2 (152)

模拟电⼦技术试卷3 (158)

第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。A. 五价

B. 四价

C. 三价

（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。A. 增⼤

B. 不变

C. 减⼩

（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。A. 正向导通

B.反向截⽌

C.反向击穿

解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）

图P1.2.1

解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）

图P1.2.2

解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1

解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。设⼆极管正向导通电压可忽略不计。

第二章

2.1 UUAB45.0。

2.2 （a）2D导通，1D截止。（b）2D导通，1D截止。（c）1D导通，2D截止（d） 2D导通，1D截止。

2.4 （a）1.3VUo1。（b）0VUo2。（c）1.3VUo3。（d）2VUo4（e）1.3VUo5。（f）2VUo6。

2.5 （1）DB0I；DAR1mAII；9UoV。（2）DB0I；DAR0.6mAII；5.4Uo=V。（3）4.74Uo=V；0.53mAIR；10.26mA2IIIDADBR=。

2.6 （a） D截止。（b） D截止。（c）D导通。

2.8 （1）10VUI时3.3VUO。15VUI时5VUO。35VUI时6VUO。

（2）若UI=35V时负载开路，稳压管D可能被击穿。R35V-6V29mA>25mA1kI稳压管会因所承受的反向电流过大，出现热击穿而被烧毁。

第三章

3.1 （1）（a）电流方向向外，大小为1.01mA；(b)电流方向向外，大小为5mA。

(2) （a）1mA10010A;（b）5mA50100A。

（3）（a）该管为NPN型；（b），该管为PNP型。

3.2 （a）为PNP型；（b）为NPN型；（c）为NPN型；（d）为PNP型；（e）为PNP型；（f）为NPN型。

3.4 （a）不能正常放大。（b）无交流放大作用。（c）能够实现交流放大。（d）不能实现交流放大。（e）不能实现交流放大。（f）电路能够正常放大。

3.5 （1）BEQ0.7VU；BQ50IμA；CQI2mA；CEQ6VU。

3.6 （1）当BQ0.3mAI时，1Q的150；2Q点的225。（2）(BR)CEO40VU；CM7.2WP

3.7 （a）三极管工作在截止区。（b）三极管工作在放大区。（c）三极管工作在饱和区。

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第2章

【2-1】 填空：

1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。

2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。

3．漂移电流是 在 作用下形成的。

4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是

和 。

5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。

6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。

1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。

2. 杂质浓度，温度。

3. 少数载流子，(内)电场力。

4. 单向导电性，正向导通压降UF和反向饱和电流IS。

5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（UZ），工作电流（IEmin），最大管耗（PZmax）和动态电阻（rZ）

6. 增大;

【2-2】试分析图2.10.1电路，计算电位器调节端对地的输出电压范围。

oU330W1kW12V-V12+1kWab

图2.10.1 题2-2电路图

解：

二极管的正向特性曲线，当电流较大时，比较陡直，也具有一定的稳压特性。此题就是利用二极管的正向特性来获得比较稳定的低的直流电压值。可以从其他电源转换而来，例如图中的±12V直流电源，比通过电阻降压要好。