稿件意见总结

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1.“X-ray orientation device”是在单晶体论文里找到的,不是我自己发明的。

具体的叫法,经过查证叫做“X-ray diffractometer”。

理学院有一个老师有这个设备,但是只能定性的验证,不能定量的给出结果。

这个单晶体的切型是买来就切好的,不是咱们自己切的。

2.我又查看了几遍引用的文章,详见引用的文章‘Fig 1 和Table 1’中第一个切型,可以看出是印刷排版时造成的误差,使Table 1中第一个切型中[011] 上面多一个符号。

3. 使用XRD的电压和电流?(要问的)。

问过几个人,他们讲不能,一般就是2微米左右,不会超过20微米。

(测量单晶的XRD)(要测的)。

1.FeCo薄膜的厚度在文中说明。

2.不同切型单晶的压电系数要给出。

3.Fig. 6 去掉。

4.Fig. 4中1-4kOe 斜率随着磁场的增大总体上是基本不变稍微减小的,而Fig. 7中看上去是不变的,是因为峰值太大,造成1-4kOe基本呈恒定值。

5.参考文献去掉一些。

6.参考文献替代(审稿里给了)。

7.要在摘要中补充的两句话(审稿意见里给出了)。