中华人民共和国国家标准电子陶瓷名词术语Terms for electronic ceramics本标准规定了电子陶瓷名词术语的定义．包括基础理论、瓷料种类、性能与测试、设备和工艺及其它，共五部分。
1基础理论1.1 电子陶瓷electronic ceramics在电子技术中用于制造电子元件和器件的陶瓷材料，一般可分为结构陶瓷和功能陶瓷。
1.2 电子结构陶瓷electronic structural ceramics．用于制造电子元件、器件、部件和电路中的基体、外壳、固定件和绝缘零件等的陶瓷材料，又称装置瓷。
它大致可分为电真空瓷、电阻基体瓷和绝缘零件瓷等．1.3功能陶瓷functional ceramics用于制造电容器、电阻器、电感器、换能器、滤波器、振荡器、传感器等并在电路中起一种或多种作用的陶瓷材料。
它又可分为电容器瓷、铁电瓷、压电瓷、半导体瓷、导电陶瓷以及磁性瓷等。
1.4多相系统polyphase system在热力学中把所研究对象的物质总体称为系统。
系统中具有相同的物理、化学性质的部分称为相。
当系统达到热力学平衡时，按相的数目可分为单相系统和多相系统。
前者又称均匀系统，后者又称非均匀系统。
陶瓷材料一般是由晶相、玻璃相和气相组成的多相系统。
1.5晶相crystal phase在多相系统中由晶体构成的部分。
1.6 晶粒crystal grain在显微镜下观察到的有形的晶体的通称。
1.7玻璃相glass phase在多相系统中由玻璃态构成的部分．它是由主要组分、添加物和杂质等熔融后凝结而成的。
1.8气相gas phase在多相系统中，由气体构成的部分。
1.9气孔pore存在于陶瓷体中的小孔．与大气连通的称开口气孔，封闭的称闭口气孔，包在晶粒内部的称晶内气孔，处在晶粒之间的称晶间气孔。
1.10 显微结构microstructure在显微镜下观察到的瓷体内各相的种类、形状、大小、数量、分布、取向以及晶界、显微缺陷等，总称陶瓷材料的显微结构。
显微结构的研究范围通常在100 μm～0.2μm，从0.2μm～10A的范围称亚显微结构，10 A以下的物质结构称微观结构。
1.11 晶界crystal boundary, grain boundary不同取向的晶粒之间的界面。
1.12 相界phase boundary在多相系统中相与相之间的界面，如晶相和玻璃相之间，晶相与气相之间，玻璃相与气相之间，以及晶粒之间等。
1.13晶体缺陷crystal defect晶体内部质点排列偏离理想晶格构造规律的部分．可分为(1)点缺陷，如缺位、杂质离子；(2)线缺陷，如位错，(3)面缺陷。
如晶界等。
1.14缺位vacancy晶体中格点位置上的质点脱离格点位置到晶格间隙或晶体表面而形成的空格点。
1.15织构texture晶粒择优取向排列的结构。
1.16滑移slip晶体在应力作用下发生塑性形变时，其中一部分相对于另一部分产生的平移滑动。
1.17位错dislocation一部分晶面相对于另一部分晶面发生滑移形成的一种线状缺陷．1.18微裂纹micro-crack一般指深度为0.1～100μm的裂纹。
它是由应力、相变等原因造成的。
1.19品格热振动lattice oscillation由于热动能，晶格中的原子（或离子、分子）在其平衡位置上所作的微幅振动，其振幅约为0.1A。
个别能量大的原子也有可能偏离其平衡位置。
1. 20 热起伏thermal fluctuation在给定温度下处于热运动平衡状态的系统中，原子（或离子、分子）热运动的动能偏离该温度相应的动能平均值的现象．1.21声子phonon品格振动中声波的单元量子。
1.22热缺陷thermal defect由手热起伏的原因使正常原子（或离子）离开格点位置，产生的空位和填隙原子（或离子）。
包括弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。
1.23弗仑克尔缺陷Frenkel defect由于热起伏的原因使原子（或离子）脱离正常格点进入间隙位置，形成等浓度的空位和填隙原子。
1.24 肖特基缺陷Schetlky defect ~晶体内部的原子(或离子），由于热起伏的原因，脱离正常格点迁移到晶体表面，在晶体内部留下的空位所形成的缺陷。
1.25活化能activation energy在物理化学过程中,始态和终态之间存在着一个势垒，为使过程得以进行，必须供应一定的能量来克服这个势垒，所需能量称为活化能。
1.26扩散diffusion由于原子（或离子、分子）的热运动而引起的物质迁移过程。
1.21扩散通量diffusion flux单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积的扩散物质的量。
1.28扩散系数diffusion coefficient扩散通量J与浓度梯度的比例系数，用D表示： (1)式中：C——浓度，粒子个数／m3。
X——扩散方向上的坐标，m；J——扩散通量，粒子个数／s·㎡；D---扩散系数．㎡/s．1.29迁移率motility载流子在单位电场强度作用下，在电场方向的平均漂移速度，用μ表示：μ= V/E (2)式中：E——电场强度，V/m；V——平均漂移速度，m/s；μ——迁移率，m3／V·s。
1.30 电子电导electronic conduction自由电子形成的电导．1.31 离子电导ionic conduction弱束缚离子在电场作用下产生的电导。
1.32空间电荷space charge电介质体内聚集在晶界、相界附近的可移动的电荷．1.33 电介质极化dielectric polarization在外电场作用下，电介质中微观质点或小区域正负电荷中心分离的现象。
1.3．电子极化electronic polarization离子或原子的电子云相对原子核位移引起的极化．1.35 离子极化ionic polarization正负离子相对位移而引起的极化．1.36 热松弛极化thermal relaxation polarization电介质中弱束缚质点（离子或电子）的热运动，受热起伏的影响，从一个平衡位置迁移到另一个平衡位置，不具有方向性。
在外电场作用下，这种运动在某个方向的几率增大，介质呈现极化．1.37 界面变化interface polarization电介质中移积聚在晶界、相界及其他非均匀界面附近的电荷，在外电场作用下产生的极化，又称空间电荷极化。
1.38 自发极化spontaneous polarization某些晶体中因电偶极子的规则排列而产生的极化。
1.39 电偶极距electric dipole moment电介质中带有正或负电荷q的质点，相对移开距离，形成的系统，叫电偶极子，简称偶极子。
偶极子的大小用电偶极矩表示，即。
m=ql (3)式中：m——电偶极矩，简称电矩或偶极矩．1.40极化强度polarization intensity电介质单位体积中的电偶极矩数目．1.41铁电性ferroelectricity晶体的自发极化沿电场方向取向的特性。
1.42 铁电畴ferroeleetric domain铁电体内部自发极化方向相同的小区域。
1.43电畴壁electric domain wall两个电畴之间的过渡层。
1.44．电滞回线ferroelectric hysieresis loop铁电体极化强度滞后予外电场强度而变化的轨迹．1.45居里温度Curie temperature铁电体转变为顺电体的温度，称铁电体的居里温度，简称居里点．对有二级相变的铁电体其居里点即为相变温度。
一般用Tc表示．1.46 一级相变first order phase transition相变发生于特定的温度下，伴随有显著的结构变化，系统的内能、熵、比热容等性质变化不连续。
1.47 二级相变second order phase transition相变发生在一定的温度范围内，没有显著的结构变化，系统的内能和熵变化是连续的．1.48压电效应piezoelectric effect压电体在应力作用下，因形变产生的极化状态的改变所导致表面荷电的现象称正压电效应。
压电体在电场作用下产生应变的现象称逆压电效应。
两者总称压电效应．1.49 电致伸缩效应electro-striction在电场作用下，电介质的应变与电场强度的平方成正比的现象．1.50热释电效应pyroelectric effect电介质因温度变化在其表面产生电荷的现象。
1.51 光电效应photoelectric effect电介质受到光照射后，某些电性能发生变化的现象。
1.52电光效应electro-optic effect透光介质的光学参数随电场而改变的现象。
1.53光生伏特效应photovoltaic effect介质、半导体等把光能转变为电能的效应．1.54双电滞回线double hysteresis loop反铁电体和高于居里温度下的铁电体，在正、反电场方向分别呈现的电滞回线。
1.55铁弹效应ferroelastic effect在外力作用下，晶体应力与应变之间呈现类似电滞回线那样滞后曲线的现象。
1.56光弹效应photoelastic effect晶体的折射率随应变而变化的现象．1.57敏感效应sensitive effect材料参数随外界条件而显著变化的现象-有热敏、湿敏、压力敏、电压敏、磁敏、化学敏、光敏和离子敏等。
1.58半导体semiconductor电导率介于导体和绝缘体之间（室温时通常在10-9～1O-3S/cm范围内）的物质。
1.59 N型半导体N-type semiconductor载流子以电子为主的半导体．1.60 P型半导体P-type semiconductor载流子以空穴为主的半导体。
1.61 价控半导体valence-control semiconductor通过与基质原子价不同的元素掺入而形成的半导体．1.62 非化学计量nonstoichiometry原子组成偏离化学式量．1.63掺杂改性doping vario-property晶体因掺入少量杂质而改变晶体结构及物理化学性质的现象。
1.64 n型掺杂n-type doping高价杂质掺入到低价基质中提供附加施主能级的现象．1.65 p型掺杂p-type doping低价杂质掺入到高价基质中提供附加受主能级的现象。
1.66固溶体solid solution一种物质（溶质）的质点（原子、离子或分子）溶于另一种物质（溶剂）所形成的均匀固体。
一般分为置换固溶体、间隙固溶体和缺位固溶体：1.67 置换固溶体substitutional solid solution溶剂品格格点上的部分质点被溶质质点取代而成的固溶体．1.68间隙固溶体interstitial solid solution溶质质点进入溶剂品格格点同的间隙位置而成的固溶体．1.69 缺位固溶体vacancy solid solution是格格点上出现空位的一种固溶体。
